JPS6023464B2 - ガス放電パネル - Google Patents
ガス放電パネルInfo
- Publication number
- JPS6023464B2 JPS6023464B2 JP55078548A JP7854880A JPS6023464B2 JP S6023464 B2 JPS6023464 B2 JP S6023464B2 JP 55078548 A JP55078548 A JP 55078548A JP 7854880 A JP7854880 A JP 7854880A JP S6023464 B2 JPS6023464 B2 JP S6023464B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- thin film
- gas discharge
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、間接放電型ガス放電パネルの改良に関し、
特に薄膜構造の電極と誘電体層を採用したパネルにおい
て、シール部対応領域の誘電体層に生じるクレバスに起
因したりークを防止するようにした新しい構成を提案す
るものである。
特に薄膜構造の電極と誘電体層を採用したパネルにおい
て、シール部対応領域の誘電体層に生じるクレバスに起
因したりークを防止するようにした新しい構成を提案す
るものである。
プラズマディスプレイパネルの名称で知られる間接放電
型のガス放電パネルでは、基板上に配設した電極を譲露
体層で被覆して放電用のガス空間から絶縁した構成が探
られている。そして最近の高解像度表示用のパネルでは
、電極の配設パターンを細密にする必要から、写真蝕刻
法でパターニングした多層薄膜構成の電極が好んで用い
られ、また電極被覆用の譲軍体層も均一性の観点から酸
化アルミニウム（ＡＩ２０３）や二酸化けし、素（Ｓｉ
０２）または高々ナし、酸ガラス等の蒸着膜で構成した
ものが多く用いられている。ところが上記のような多層
薄膜電極を薄膜誘電体層で被覆した構成のパネルでは、
シール部のりークが問題となり、放電特性が変化して動
作の安定性を保持できない欠点を生じていた。
型のガス放電パネルでは、基板上に配設した電極を譲露
体層で被覆して放電用のガス空間から絶縁した構成が探
られている。そして最近の高解像度表示用のパネルでは
、電極の配設パターンを細密にする必要から、写真蝕刻
法でパターニングした多層薄膜構成の電極が好んで用い
られ、また電極被覆用の譲軍体層も均一性の観点から酸
化アルミニウム（ＡＩ２０３）や二酸化けし、素（Ｓｉ
０２）または高々ナし、酸ガラス等の蒸着膜で構成した
ものが多く用いられている。ところが上記のような多層
薄膜電極を薄膜誘電体層で被覆した構成のパネルでは、
シール部のりークが問題となり、放電特性が変化して動
作の安定性を保持できない欠点を生じていた。
すなわち、上記薄膜電極としては、一般にクロム（Ｃｒ
）の下地層と銅（Ｇｕ）の導電層ならびにクロム（Ｃｒ
）の最上層よりなる３層薄膜構造が用いられるのである
が、この３層薄膜電極を順次蝕刻してパターニングする
際、電極のエッジパターンが切り立ってその上を被覆す
る誘電体黍着膜にクレバスを生ずるわけである。
）の下地層と銅（Ｇｕ）の導電層ならびにクロム（Ｃｒ
）の最上層よりなる３層薄膜構造が用いられるのである
が、この３層薄膜電極を順次蝕刻してパターニングする
際、電極のエッジパターンが切り立ってその上を被覆す
る誘電体黍着膜にクレバスを生ずるわけである。
そして当該誘電体層のシール部対応領域にこのようなク
レバスが生じた場合、このクレバスが微小１」−クの原
因となるのである。この発明は、以上のような状況から
、多層薄膜構造の電極と誘電体層をそなえてなるガス放
電パネルのリーク防止を目的として、シール部対応領域
での電極導出部のエッジパターンにテーパをもたせ、そ
の上を被覆する議亀体蒸着膜のクレバスをなくしたこと
を特徴とするものである。
レバスが生じた場合、このクレバスが微小１」−クの原
因となるのである。この発明は、以上のような状況から
、多層薄膜構造の電極と誘電体層をそなえてなるガス放
電パネルのリーク防止を目的として、シール部対応領域
での電極導出部のエッジパターンにテーパをもたせ、そ
の上を被覆する議亀体蒸着膜のクレバスをなくしたこと
を特徴とするものである。
以下この発明の好ましい実施例につき、図面を参照して
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
第１図は「 この発明を適用したガス放電パネルの１実
施例横成を示す要部断面図で「パネルの基本的構成とし
ては、従来同機１対のガラス基板電および２を対向配置
しも周辺を低融点ガラスのシール材３で封止して内部空
間４１こ放電用ガスを封入した形となっている。
施例横成を示す要部断面図で「パネルの基本的構成とし
ては、従来同機１対のガラス基板電および２を対向配置
しも周辺を低融点ガラスのシール材３で封止して内部空
間４１こ放電用ガスを封入した形となっている。
またガラス基板亀および２の上にはそれぞれＸ方向の電
極５およびＹ方向の電極６が互いに交差する関係をもっ
て配列されており「かつそれら両電極は各基板上におい
て誘電体層７および８で覆われている。かくして上記×
方向電極５とＹ方向電極６との各対向交差部にドットマ
トリックス形式の放電点が画定された形となり〜それら
放電点の選択的点火動作によって所望のパターンを表示
することが可能となる。さてここまでの構成は、この種
パネルの一般的構成とさして変わらないが、この発明に
おいては、上記電極５および６を多層薄膜構成とした場
合のシール部における誘電体層のクレバスの発生を防ぐ
観点から「当該シール部対応領域における電極導出部の
最上層を除去した構成を探っている。すなわち、第１図
を参照してさらに具体的に説明すると、この場合電極５
および６は「それぞれＣｒの下地層５ａ，６ａとＣｕの
導電層５ｂ，６ｂならびにＣｒの最上層５ｃ９ ６ｃの
３重膜構成をもってパターニングされているが、シール
材３の対応領域ではＣｒの最上層５ｃが除去されてＣｕ
の導電層５ｂが誘電体層７と接するようになっている。
第２図ａは、第１図のＸ方向電極５をパネル内部のＡ−
Ａ′線に沿って横切る拡大断面図で、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ
の３重膜よりなる紬条電極５は「 そのエッジが切り立
つような形でパターニングされている。
極５およびＹ方向の電極６が互いに交差する関係をもっ
て配列されており「かつそれら両電極は各基板上におい
て誘電体層７および８で覆われている。かくして上記×
方向電極５とＹ方向電極６との各対向交差部にドットマ
トリックス形式の放電点が画定された形となり〜それら
放電点の選択的点火動作によって所望のパターンを表示
することが可能となる。さてここまでの構成は、この種
パネルの一般的構成とさして変わらないが、この発明に
おいては、上記電極５および６を多層薄膜構成とした場
合のシール部における誘電体層のクレバスの発生を防ぐ
観点から「当該シール部対応領域における電極導出部の
最上層を除去した構成を探っている。すなわち、第１図
を参照してさらに具体的に説明すると、この場合電極５
および６は「それぞれＣｒの下地層５ａ，６ａとＣｕの
導電層５ｂ，６ｂならびにＣｒの最上層５ｃ９ ６ｃの
３重膜構成をもってパターニングされているが、シール
材３の対応領域ではＣｒの最上層５ｃが除去されてＣｕ
の導電層５ｂが誘電体層７と接するようになっている。
第２図ａは、第１図のＸ方向電極５をパネル内部のＡ−
Ａ′線に沿って横切る拡大断面図で、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ
の３重膜よりなる紬条電極５は「 そのエッジが切り立
つような形でパターニングされている。
しかしてこのような電極５の上にＡＩ２０３のような誘
電体層７を真空蒸着法によって形成すると、電極のエッ
ジ部で図示のような譲霞体層の不連続クレバス９を生じ
る傾向がある。電極のエッジパターンが図示のように切
り立った形となるのは、その製造工程上の理由による。
すなわち、かかる多層薄膜構成の電極を要するには、一
旦基板１の全面に例えば７５０Ａの厚さのＣｒの下地層
５ａと、２仏仇の厚みのＣｕの導電導５ｂおよび１５０
０Ａの厚みのＣｒの最上層５ｃを順次スパッタ法で務層
した後、ホトレジスト膜を塗布し、引続き所定の電極形
状にパターニングしたレジスト膜をマスクとして上記３
重薄膜を上から順次蝕刻して行くのであるが「 露極都
最上層にｒの上には最後までホトレジスト膜が残される
ため、全部の蝕刻を終了した時にはＣての最上層Ｓｃが
図示のごとく導電層５ｂの上に張り出した形となるわけ
である。従って〜このようなエッジ形状の電極上に誘電
体層７の蒸着を施すと「いわゆるエッジカバリッジが悪
くなり〜極端な場合第２図ａのようなクレバス９が生じ
ることになる。そしてかかるクレバスがシール材３の封
止領域下に存在すると先に述べたように微小リークの原
因になるところからこの発明では、シール部対応領域で
多層膜電極の最上層を除去するようにしている。第２図
りは、第１図のＢ−Ｂ′線に沿ったシール部の拡大断面
図であって「多層膜電極の導出部ではＣｒの最上層が除
去されてＣｕの導電層５ｂが誘電体層７と接する形にな
っている。そして該導電層５ｂのエッジ形状は基板面に
対して略４５０以下のテーパを呈するように蝕刻されて
おり、誘電体層７１こは何らの断層もき裂も生じていな
い。上述のごとくシール部対応領域における電極導出部
のエッジ形状をテーパ状にパターニングするためには、
Ｃｒの最上層５ｃを蝕刻する際、シール部対応領域では
電極パターン上のＣｒも除去し、しかる後電極パターン
に対応したレジスト膜を付けた状態で日２Ｓ０４と日２
０２との混合エッチング液によりＣｕの導電層５ｂを蝕
刻すれば、Ｃｕ層露出部においてテーパ状のエッジパタ
ーンを得ることができる。而してこのようなテーパ状エ
ッジパターンを有する電極は、誘電体層で被覆したとき
エッジカバリッジが良好となり、微小リークの原因とな
るようなクレバス等を含まない。さて以上はこの発明の
１実施例について述べたのであるが、他に種々の変形が
可能である。
電体層７を真空蒸着法によって形成すると、電極のエッ
ジ部で図示のような譲霞体層の不連続クレバス９を生じ
る傾向がある。電極のエッジパターンが図示のように切
り立った形となるのは、その製造工程上の理由による。
すなわち、かかる多層薄膜構成の電極を要するには、一
旦基板１の全面に例えば７５０Ａの厚さのＣｒの下地層
５ａと、２仏仇の厚みのＣｕの導電導５ｂおよび１５０
０Ａの厚みのＣｒの最上層５ｃを順次スパッタ法で務層
した後、ホトレジスト膜を塗布し、引続き所定の電極形
状にパターニングしたレジスト膜をマスクとして上記３
重薄膜を上から順次蝕刻して行くのであるが「 露極都
最上層にｒの上には最後までホトレジスト膜が残される
ため、全部の蝕刻を終了した時にはＣての最上層Ｓｃが
図示のごとく導電層５ｂの上に張り出した形となるわけ
である。従って〜このようなエッジ形状の電極上に誘電
体層７の蒸着を施すと「いわゆるエッジカバリッジが悪
くなり〜極端な場合第２図ａのようなクレバス９が生じ
ることになる。そしてかかるクレバスがシール材３の封
止領域下に存在すると先に述べたように微小リークの原
因になるところからこの発明では、シール部対応領域で
多層膜電極の最上層を除去するようにしている。第２図
りは、第１図のＢ−Ｂ′線に沿ったシール部の拡大断面
図であって「多層膜電極の導出部ではＣｒの最上層が除
去されてＣｕの導電層５ｂが誘電体層７と接する形にな
っている。そして該導電層５ｂのエッジ形状は基板面に
対して略４５０以下のテーパを呈するように蝕刻されて
おり、誘電体層７１こは何らの断層もき裂も生じていな
い。上述のごとくシール部対応領域における電極導出部
のエッジ形状をテーパ状にパターニングするためには、
Ｃｒの最上層５ｃを蝕刻する際、シール部対応領域では
電極パターン上のＣｒも除去し、しかる後電極パターン
に対応したレジスト膜を付けた状態で日２Ｓ０４と日２
０２との混合エッチング液によりＣｕの導電層５ｂを蝕
刻すれば、Ｃｕ層露出部においてテーパ状のエッジパタ
ーンを得ることができる。而してこのようなテーパ状エ
ッジパターンを有する電極は、誘電体層で被覆したとき
エッジカバリッジが良好となり、微小リークの原因とな
るようなクレバス等を含まない。さて以上はこの発明の
１実施例について述べたのであるが、他に種々の変形が
可能である。
例えば〜シール部よりも外側の領域では電極をＣｒ−Ｃ
ｕ−Ｃｒの３重機造にし、シール部を含むパネルの内側
では全て最上層のＣｒを除去した構造にしても良い。ま
た多層薄膜構成電極は必ずしも３層である必要はなく、
例えばＡＩとＣｕの合金よりなる導電層を基板上に直接
形成し、その上をＣｒ膜で覆った２層構成であっても良
い。この場合シール部対応領域においては、電極導出部
は上のＣｒ被覆を除かれて１層構成となる。さらにこの
発明は、図面に例示したような対向マトリックス電極構
成のガス放電パネルに限らず「一方の基板上のみに電極
を配設した面放電形式のパネルやセルフシフト型のパネ
ル等各種の間接放電型表示パネルに適用することができ
る。特にセルシフト型のパネルにおいては、放電スポッ
トのシフト動作に伴ってパネル内部に偏在する異常な電
荷を排出する観点から上記のような電極エッジ部のカバ
リッジの悪さを利用して端部電極に対応した譲電体層の
一部に電荷漏出用のクレバスを形成することも例えば、
待機昭５４−１６４３１９（持公昭斑−５６４５５号）
で提案されているが、この発明によればそのようなクレ
バスがシール部対応領域まで及ぶのを防止することがで
きる。以上要するにこの発明は、多層薄膜構成の電極を
用いたガス放電パネルにおいて、シール部対応領域の電
極エッジをテーパ状に整形できるようにしたことを特徴
とするものであり、誘電体層のクレバスに起因した微小
リークの発生を防止する上できわめて有益である。
ｕ−Ｃｒの３重機造にし、シール部を含むパネルの内側
では全て最上層のＣｒを除去した構造にしても良い。ま
た多層薄膜構成電極は必ずしも３層である必要はなく、
例えばＡＩとＣｕの合金よりなる導電層を基板上に直接
形成し、その上をＣｒ膜で覆った２層構成であっても良
い。この場合シール部対応領域においては、電極導出部
は上のＣｒ被覆を除かれて１層構成となる。さらにこの
発明は、図面に例示したような対向マトリックス電極構
成のガス放電パネルに限らず「一方の基板上のみに電極
を配設した面放電形式のパネルやセルフシフト型のパネ
ル等各種の間接放電型表示パネルに適用することができ
る。特にセルシフト型のパネルにおいては、放電スポッ
トのシフト動作に伴ってパネル内部に偏在する異常な電
荷を排出する観点から上記のような電極エッジ部のカバ
リッジの悪さを利用して端部電極に対応した譲電体層の
一部に電荷漏出用のクレバスを形成することも例えば、
待機昭５４−１６４３１９（持公昭斑−５６４５５号）
で提案されているが、この発明によればそのようなクレ
バスがシール部対応領域まで及ぶのを防止することがで
きる。以上要するにこの発明は、多層薄膜構成の電極を
用いたガス放電パネルにおいて、シール部対応領域の電
極エッジをテーパ状に整形できるようにしたことを特徴
とするものであり、誘電体層のクレバスに起因した微小
リークの発生を防止する上できわめて有益である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明を適用したガス放電パネルの１実施例
構成を示す要部断面図、第２図ａは第１図のＡ−Ａ′線
に沿った拡大断面図、第２図ｂは同じく第１図のＢ−Ｂ
′線に沿ったシール部の拡大断面図である。 １および２・・・ガラス基板、３・・・シール材、４・
・・ガス空間、５および６・・・電極、７および８…譲
露体層、９・・・クレバス、５ａ・・・Ｃｒ下地層、５
ｂ・・・Ｃ礎蔓電層、５ｃ…Ｃｒ最上層。 第１図 第２図（ｏ） 第２図（ｂ）
構成を示す要部断面図、第２図ａは第１図のＡ−Ａ′線
に沿った拡大断面図、第２図ｂは同じく第１図のＢ−Ｂ
′線に沿ったシール部の拡大断面図である。 １および２・・・ガラス基板、３・・・シール材、４・
・・ガス空間、５および６・・・電極、７および８…譲
露体層、９・・・クレバス、５ａ・・・Ｃｒ下地層、５
ｂ・・・Ｃ礎蔓電層、５ｃ…Ｃｒ最上層。 第１図 第２図（ｏ） 第２図（ｂ）
Claims (1)
- １ ガス空間を隔てて対向配置した１対の基板の少なく
とも一方の内面上に、表面を蒸着膜誘電体層で被覆した
多層薄膜構成の電極をそなえてなり、かつ該電極が上記
基板間のシール部を越えて外部に導出された構成を有す
るガス放電パネルにおいて、前記多層薄膜電極がクロム
の下地層と銅の導電層およびクロムの最上層からなり、
かつシール部対応領域における電極導出部が前記最上層
のクロムを除去されたクロムと銅の２層構成で前記蒸着
膜誘電体層の下に延在してなることを特徴とするガス放
電パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55078548A JPS6023464B2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | ガス放電パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55078548A JPS6023464B2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | ガス放電パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5723443A JPS5723443A (en) | 1982-02-06 |
| JPS6023464B2 true JPS6023464B2 (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=13664963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55078548A Expired JPS6023464B2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | ガス放電パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023464B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185167U (ja) * | 1986-05-17 | 1987-11-25 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2514203Y2 (ja) * | 1987-05-11 | 1996-10-16 | デイエツクスアンテナ株式会社 | 円一直線偏波変換器 |
-
1980
- 1980-06-10 JP JP55078548A patent/JPS6023464B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185167U (ja) * | 1986-05-17 | 1987-11-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5723443A (en) | 1982-02-06 |
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