JPS631255B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS631255B2 JPS631255B2 JP3302980A JP3302980A JPS631255B2 JP S631255 B2 JPS631255 B2 JP S631255B2 JP 3302980 A JP3302980 A JP 3302980A JP 3302980 A JP3302980 A JP 3302980A JP S631255 B2 JPS631255 B2 JP S631255B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- glass substrate
- thin film
- undercoat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、真空蒸着法による金属薄膜の形成
方法に関する。
方法に関する。
Au、Cu及びIn等の金属を直接ガラス基板上に
真空蒸着して形成した金属薄膜は、ガラス基板に
対する密着力が弱く、剥離現象を生じ、強固な膜
面を得ることができない。この為、従来は、アン
ダーコートとして、ガラス基板に対する密着力が
強く、強固な膜面を形成する金属、例えばCr、
Al、Pt、Ti等を真空蒸着し、その上にAu、Cu、
In等の低密着性金属を積層蒸着する方法が採用さ
れてきたが、この方法による場合、Au、Cu、In
等の表面金属層とガラス基板の間に異質金属層が
介在している為、電解質雰囲気中で薄膜電極とし
て使用した場合には、電解現象等が発生し、浸
蝕、酸化が進んで表面金属層が遊離する事態が生
じる欠点がある。又、最近、アンダーコートとし
て、PbF2、BiF3、CaF2等を真空蒸着する方法が
開発されているが、これらが有害物質である上、
ガラス基板の加熱制御を要する為、作業環境、生
産性が良くないという問題がある。
真空蒸着して形成した金属薄膜は、ガラス基板に
対する密着力が弱く、剥離現象を生じ、強固な膜
面を得ることができない。この為、従来は、アン
ダーコートとして、ガラス基板に対する密着力が
強く、強固な膜面を形成する金属、例えばCr、
Al、Pt、Ti等を真空蒸着し、その上にAu、Cu、
In等の低密着性金属を積層蒸着する方法が採用さ
れてきたが、この方法による場合、Au、Cu、In
等の表面金属層とガラス基板の間に異質金属層が
介在している為、電解質雰囲気中で薄膜電極とし
て使用した場合には、電解現象等が発生し、浸
蝕、酸化が進んで表面金属層が遊離する事態が生
じる欠点がある。又、最近、アンダーコートとし
て、PbF2、BiF3、CaF2等を真空蒸着する方法が
開発されているが、これらが有害物質である上、
ガラス基板の加熱制御を要する為、作業環境、生
産性が良くないという問題がある。
この発明は、上記した従来の欠点を除去する為
になされたもので、アンダーコート層を、Siもし
くはSiOからなる層とし、該層と表面金属層との
間に、両層の物質からなる中間混合層を形成する
ことにより、電解現象等が生じる恐れの全くな
い、低密着性金属の強固な金属薄膜を特別な設備
等を追加することなく容易に形成することができ
る金属薄膜形成方法を提供することを目的とす
る。
になされたもので、アンダーコート層を、Siもし
くはSiOからなる層とし、該層と表面金属層との
間に、両層の物質からなる中間混合層を形成する
ことにより、電解現象等が生じる恐れの全くな
い、低密着性金属の強固な金属薄膜を特別な設備
等を追加することなく容易に形成することができ
る金属薄膜形成方法を提供することを目的とす
る。
以下、この発明の１実施例を図について説明す
る。
る。
第１図において、１はガラス基板で、この上に
SiもしくはSiOのアンダーコート層２が真空蒸着
される。３は中間混合層、４は表面金属層であつ
て、Au、Cu若しくはIn等の低密着性金属、即
ち、アンダーコート層を必要とする金属を中間混
合層３上に積層蒸着して形成される。中間混合層
３は、Si若しくはSiOと上記低密着性金属若しく
はこれに類似する金属、即ち、ガラス基板に対す
る密着強度の面から、アンダーコート層を必要と
する他の金属の単体若しくは混合体との混合層で
あつて、アンダーコート層２上に真空蒸着法によ
り形成される。
SiもしくはSiOのアンダーコート層２が真空蒸着
される。３は中間混合層、４は表面金属層であつ
て、Au、Cu若しくはIn等の低密着性金属、即
ち、アンダーコート層を必要とする金属を中間混
合層３上に積層蒸着して形成される。中間混合層
３は、Si若しくはSiOと上記低密着性金属若しく
はこれに類似する金属、即ち、ガラス基板に対す
る密着強度の面から、アンダーコート層を必要と
する他の金属の単体若しくは混合体との混合層で
あつて、アンダーコート層２上に真空蒸着法によ
り形成される。
第２図は、カバーマスクを用いて上記蒸着工程
を行つた場合、若しくは全面蒸着を行つた後写真
製版法によりエツチングした場合を示している。
第３図はアンダーコート層２の全面蒸着を行い、
中間混合層３及び表面金属層４をパターン蒸着し
た場合を示している。
を行つた場合、若しくは全面蒸着を行つた後写真
製版法によりエツチングした場合を示している。
第３図はアンダーコート層２の全面蒸着を行い、
中間混合層３及び表面金属層４をパターン蒸着し
た場合を示している。
この構成では、表面金属層４が該層を形成する
金属を含む中間混合層３の上に積層蒸着されてい
るから両層は強固に密着し、又同様に中間混合層
３が該層に含まれる無機物質であるSi若しくは
SiOのアンダーコート層２上に蒸着されているか
ら両層の密着は強固である。
金属を含む中間混合層３の上に積層蒸着されてい
るから両層は強固に密着し、又同様に中間混合層
３が該層に含まれる無機物質であるSi若しくは
SiOのアンダーコート層２上に蒸着されているか
ら両層の密着は強固である。
従つて、各層の膜厚を任意に薄く選定すること
ができるので、露出するアンダーコート層２の光
の透過性を要する場合にもこれに対処することが
できる。
ができるので、露出するアンダーコート層２の光
の透過性を要する場合にもこれに対処することが
できる。
又、SiOは絶縁性物質であるから、アンダーコ
ート層２を同時絶縁層として利用し、例えば第４
図に示す如く、導体層５を有するガラス基板１上
にアンダーコート層２を形成せしめることができ
るので、エレクトロ・クロミツクデイスプレー、
液晶、プラズマデイスプレー等の表示素子の製造
にもこの発明を応用することができる。
ート層２を同時絶縁層として利用し、例えば第４
図に示す如く、導体層５を有するガラス基板１上
にアンダーコート層２を形成せしめることができ
るので、エレクトロ・クロミツクデイスプレー、
液晶、プラズマデイスプレー等の表示素子の製造
にもこの発明を応用することができる。
なお、ガラス基板１の代りにセラミツク基板を
用いてよいことは明らかである。
用いてよいことは明らかである。
以上の如く、この発明によれば、ガラス基板上
にSi若しくはSiOのアンダーコート層が形成さ
れ、このアンダーコート層と表面金属層との間に
両層の夫々を形成する物質の混合体からなる中間
混合層が介在せしめられることにより、ガラス基
板に対して低密着性を呈する金属の強固な金属薄
膜を形成することができ、しかもこの３層構造に
あつては、表面金属層とガラス基板との間の介在
物質は上記低密着性金属を除くと無機物質だけで
あり異質金属が存在しないから、従来の如き電解
現象等に基づく表面金属層の遊離といつた現象は
全く生じる恐れがなく、さらに有害物質を使用せ
ず、ガラス基板の加熱制御等を要しないから、特
別な措置を講ずることなく強固な金属薄膜を形成
することができる。
にSi若しくはSiOのアンダーコート層が形成さ
れ、このアンダーコート層と表面金属層との間に
両層の夫々を形成する物質の混合体からなる中間
混合層が介在せしめられることにより、ガラス基
板に対して低密着性を呈する金属の強固な金属薄
膜を形成することができ、しかもこの３層構造に
あつては、表面金属層とガラス基板との間の介在
物質は上記低密着性金属を除くと無機物質だけで
あり異質金属が存在しないから、従来の如き電解
現象等に基づく表面金属層の遊離といつた現象は
全く生じる恐れがなく、さらに有害物質を使用せ
ず、ガラス基板の加熱制御等を要しないから、特
別な措置を講ずることなく強固な金属薄膜を形成
することができる。
第１図はこの発明による金属薄膜形成方法の実
施例を示す斜視図、第２図〜第４図はこの発明の
他の実施例を示す斜視図である。 図において、１…ガラス基板、２…アンダーコ
ート層、３…中間混合層、４…表面金属層、５…
導体層。なお、図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。
施例を示す斜視図、第２図〜第４図はこの発明の
他の実施例を示す斜視図である。 図において、１…ガラス基板、２…アンダーコ
ート層、３…中間混合層、４…表面金属層、５…
導体層。なお、図中、同一符号は同一又は相当部
分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス基板に対して、アンダーコート層を介
在して金属の薄膜を真空蒸着法により形成する場
合において、上記アンダーコート層としてSiもし
くはSiOの層を上記ガラス基板上に真空蒸着によ
り形成し、該層上に、該層を形成する物質と上記
金属の単体もしくは混合体からなる中間混合層を
積層蒸着し、該中間混合層上に上記金属の表面金
属層を形成することを特徴とする金属薄膜形成方
法。 ２ 金属が、Au、Cu、Inのいずれかであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属薄
膜形成方法。 ３ ガラス基板が導体層を有し、該ガラス基板上
にアンダータート層を形成することを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の金属薄膜
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302980A JPS56129645A (en) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | Forming method for metallic thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302980A JPS56129645A (en) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | Forming method for metallic thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56129645A JPS56129645A (en) | 1981-10-09 |
| JPS631255B2 true JPS631255B2 (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=12375357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3302980A Granted JPS56129645A (en) | 1980-03-12 | 1980-03-12 | Forming method for metallic thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56129645A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100043A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-05-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 熱線反射ガラス |
| JPH02217382A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-30 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | セラミックス基板へのＰｔメタライズ法 |
| EP3030061B1 (en) * | 2013-07-29 | 2021-01-06 | Kyocera Corporation | Wiring substrate, wiring substrate with lead, and electronic device |
-
1980
- 1980-03-12 JP JP3302980A patent/JPS56129645A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56129645A (en) | 1981-10-09 |
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