JPS60234967A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS60234967A JPS60234967A JP8835584A JP8835584A JPS60234967A JP S60234967 A JPS60234967 A JP S60234967A JP 8835584 A JP8835584 A JP 8835584A JP 8835584 A JP8835584 A JP 8835584A JP S60234967 A JPS60234967 A JP S60234967A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- thin film
- elements
- central
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0682—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２以上の成分元素からなる合金、焼結体等のス
パッタリング用ターゲットに関する。
パッタリング用ターゲットに関する。
従来、基板表面に一複数元素からなる薄膜をスパッタリ
ングによシ形成する場合、第１図示のように真空室ａ内
にシリコンウェハ等の基板すと例えばＭｏ５ｉｌのター
ゲットｃを対向設置して行なう會一般とするが、基板す
の表面に付着する薄膜は第２図に見られるようにＭｏＦ
ｉはぼ均一に分布するがＳｉは基板中央部分で成分比が
小さくなって均質な薄膜が得られない。こうした不均一
な成分比の薄膜が形成される理由はスパッタされたとき
元素の稲類によって飛び出し方向が異なることや、ガス
原子と衝突した際の方向の偏位角が異なることによるも
のと思われ、通常８１の成分比が基板中心に於て外周部
よ夕も５％以上もの狂いを生ずることがあシ、ＶＬＳ
Ｉの基板として不適当なものとなる。
ングによシ形成する場合、第１図示のように真空室ａ内
にシリコンウェハ等の基板すと例えばＭｏ５ｉｌのター
ゲットｃを対向設置して行なう會一般とするが、基板す
の表面に付着する薄膜は第２図に見られるようにＭｏＦ
ｉはぼ均一に分布するがＳｉは基板中央部分で成分比が
小さくなって均質な薄膜が得られない。こうした不均一
な成分比の薄膜が形成される理由はスパッタされたとき
元素の稲類によって飛び出し方向が異なることや、ガス
原子と衝突した際の方向の偏位角が異なることによるも
のと思われ、通常８１の成分比が基板中心に於て外周部
よ夕も５％以上もの狂いを生ずることがあシ、ＶＬＳ
Ｉの基板として不適当なものとなる。
本発明は基板に複数の元素がほぼ均一に分布した薄膜を
形成するに適したターゲットの提供を目的とするもので
、基板表面に複数元素からなる薄膜をスパッタリングに
よシ形成すべく該基板に対向して配置される該複数元素
からなる合金等のターゲットに於て、該ターゲットヶ、
その中央部分とその外周部分とで該基板に対して付着性
の悪い元素の配合比會異ならせて形成して成る。
形成するに適したターゲットの提供を目的とするもので
、基板表面に複数元素からなる薄膜をスパッタリングに
よシ形成すべく該基板に対向して配置される該複数元素
からなる合金等のターゲットに於て、該ターゲットヶ、
その中央部分とその外周部分とで該基板に対して付着性
の悪い元素の配合比會異ならせて形成して成る。
本発明の実施例を第３図につき説明すると、符号（１）
は複数元素からなる合金或は焼結体等を円形の板状体に
形成して得たクーゲラ）ｋ示し。
は複数元素からなる合金或は焼結体等を円形の板状体に
形成して得たクーゲラ）ｋ示し。
該ターゲット（１）か第１図のように真空室内に基板と
対向して設けられてスパッタリングに供されるとその成
分元素が該基板の表面に薄膜状に付着する。この場合該
ターゲット（１）の中央部分（２）とその外周部分（３
）とで基板に対し付着性の悪い元素の配合比を変えるこ
とによシ基板に形成される薄膜の成分比が基板の中央部
分と外周部分とで余り異ならないほぼ均一な良好な薄膜
が得られる。
対向して設けられてスパッタリングに供されるとその成
分元素が該基板の表面に薄膜状に付着する。この場合該
ターゲット（１）の中央部分（２）とその外周部分（３
）とで基板に対し付着性の悪い元素の配合比を変えるこ
とによシ基板に形成される薄膜の成分比が基板の中央部
分と外周部分とで余り異ならないほぼ均一な良好な薄膜
が得られる。
シリコンの基板ＶＣＭｏとＳＩからなる薄膜を形成する
場合、ＭｏＳｉ２からなるターゲットを使用するが、こ
の場合基板の中央部分のＳｉの成分比が前記したように
その外周部分よシも小さくなるので問題となるＳｉミラ
ターゲット１）の中央部分（２）に於てその外周部分（
３）の配合比よりも多く配合することにより基板上の薄
膜のＳｉの成分比が全体にほぼ均一となし得る。
場合、ＭｏＳｉ２からなるターゲットを使用するが、こ
の場合基板の中央部分のＳｉの成分比が前記したように
その外周部分よシも小さくなるので問題となるＳｉミラ
ターゲット１）の中央部分（２）に於てその外周部分（
３）の配合比よりも多く配合することにより基板上の薄
膜のＳｉの成分比が全体にほぼ均一となし得る。
中央部分（２）と外周部分（３）とで成分元素の配合比
を変える手段として、実施例では環状の外周部分（３）
とその円孔（３ａ）内に適合する中央部：分（２）とに
分け、核外８部分（３１ＶＣはＭｏと８１の配合比を例
えは１：２とするが、中央部分（２）では］ ： ２．
５に配合される。尚成分元素の数は３種以上であっても
よい。
を変える手段として、実施例では環状の外周部分（３）
とその円孔（３ａ）内に適合する中央部：分（２）とに
分け、核外８部分（３１ＶＣはＭｏと８１の配合比を例
えは１：２とするが、中央部分（２）では］ ： ２．
５に配合される。尚成分元素の数は３種以上であっても
よい。
このように本発明によるときはターゲットの中央部分と
その外周部分とで複数元素の配合比を変えるようにした
ので基板にスパッタリングで形成される薄膜の成分比を
全体的にほぼ均一となし得、特ＫＶＬＳＩの基板の製造
に好都合である等の効果がある。
その外周部分とで複数元素の配合比を変えるようにした
ので基板にスパッタリングで形成される薄膜の成分比を
全体的にほぼ均一となし得、特ＫＶＬＳＩの基板の製造
に好都合である等の効果がある。
第１図は一般的なスパッタリング装置の断面線図、第２
図−基板に形成され７（薄膜の成分比の線図、第３図は
本発明の実施例の一部門断斜視図である。 （１）・・・ターゲット （２）・・・中央部分（３）
・・・外周部分
図−基板に形成され７（薄膜の成分比の線図、第３図は
本発明の実施例の一部門断斜視図である。 （１）・・・ターゲット （２）・・・中央部分（３）
・・・外周部分
Claims (1)
- 基板表面に複数元素からなる薄膜ケスバッタリングによ
り形成すべく該基板に対向して配置される該複数元素か
らなる合金等のターゲットに於て、該ターゲラ）ｋ、そ
の中央部分とその外周部分とで該基板に対して付着性の
悪い元素の配合比を異ならせて形成して敗るスパッタリ
ング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8835584A JPS60234967A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8835584A JPS60234967A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234967A true JPS60234967A (ja) | 1985-11-21 |
Family
ID=13940504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8835584A Pending JPS60234967A (ja) | 1984-05-04 | 1984-05-04 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234967A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307267A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Toshiba Corp | スパッタリング・タ−ゲットおよびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5835261A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 燃料噴射弁 |
-
1984
- 1984-05-04 JP JP8835584A patent/JPS60234967A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5835261A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 燃料噴射弁 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307267A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Toshiba Corp | スパッタリング・タ−ゲットおよびその製造方法 |
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