JPS60235155A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
Ｔｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、（２） 環境汚染性、熱的安定性、機械的強度の点で問題がある
。

案されている。ａ−３ｉは、５ｉ−８１の結合手が切れ
たいわゆるダングリングボンドを有しており、この欠陥
に起因してエネルギーギヤツブ内に多くの局在準位が存
在する。このために、熱励起担体のホッピング伝導が生
して暗抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラ
ップされて光導電性が悪くなっている。そこで、−１−
１記欠陥を水素原子（＋（）で補償してＳｉにＨを結合
させることによって、ダングリングボンドを埋めること
が行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率ば１♂〜１０′ｌ
Ω−ｅｍであって、アモルファスＳＣと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：１１の単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。しかし他方では、
可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少
するため、感光ａ−５ｔ系感光体を組込んだ電子写真複
写機が示されている。この複写機によれば、キャビ゛ネ
ット１の−１一部には、原稿２を載せるガラス製原稿載
置台３と、原稿２を覆うプラテンカバー４とが配されて
いる。原稿台３の下方では、光源５及び第１反射用ミラ
ー６を具備した第１ミラーユニツト７からなる光学走査
台が図面左右方向へ直線移動可能に設けられており、原
稿走査点と感光体との光路長を一定とするための第２ミ
ラーユニツト２０が第１ミラーユニットの速度に応じて
移動し、原稿台３側からの反射光がレンズ２１、反射用
ミラー８を介して像担持体としての感光体ドラム９」ニ
へスリット状に入射するようになっている。ドラム９の
周囲には、コロナ帯電器１０、現像器１１、転写部１２
、分離部１３、クリーニング部１４が夫々配置されてお
り、給紙箱１５から各給紙ローラー１６．１７を経（３
） て送られる複写紙１８はドラム９のトナー像の転写後に
更に定着部１９で定着され、トレイ３５へ排ＩＬされる
。定着部１９では、ヒーター２２を内蔵した加熱ローラ
ー２３と圧着ローラー２４との間に現像済みの複写紙を
通して定着操作を行なう。

面 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表現とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない。

例えば１力月以下アｉ＆置したものは湿気の影響を受り
、受容電位が著しく低下することが分かっている。一方
、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ　−Ｓ　
ｉ　Ｃ：　ＩＴと称する。）について、その製法や存在
が“Ｐｈ　ｉ　ｌ、　ｌａ３゜Ｖｏｌ、３５　（１９７
８）等に記載されており、その特性として、耐熱性や表
面硬度が高いこと、ａ−３ｉｌｌと比較して高い暗所抵
抗率（ｈｏ’〜Ｉ　＋１’Ω−ｃｍ）を有すること、炭
素量より光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅ
、Ｖの範囲に亘って変化すること等が知られている。但
、炭素の含有によりパンドギ（５） （４） ヤソプが拡がるために長波長感度が不良となるという欠
点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｔ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉｓＩ
ｆ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−３ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離型
の２層構造を作成し、上層のａ−３ｔ：Ｈにより広い波
長域での光感度を得、かつａ−３ｔ：Ｈ層とへテロ接合
を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向上
を図っている。しかしながら、ａ−３ｔ：Ｈ層の暗減衰
を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって実
用性のあるものとはならない。

一方、特開昭５７−１７９５２号、５７−５２１７８号
公報には、ａ−３ｔ：Ｈからなる電荷発生層上に第１の
ａ−３ＩＣｓＨ層を表面改質層として形成し、裏面上（
支持体電極側）に第２のａ−３ｉＣｓＨ層を電荷輸送層
又は電荷ブロッキング層として形成している。

（６） ところが、公知の感光体においては、特にａ−３ｉＣ：
ＩＩ電荷ブロッキング層について次の如き問題点かある
ことが判明した。

即ち、公知のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈは暗抵抗ρ。の温
度依存性が大きく、このために′？Ａ’／Ａでは４１シ
電電位の保持特性が劣化して実用に供し得なくなり、し
かも画像流れも生し易い。こうした欠陥は、電荷ブロッ
キング層を公知のアモルファス窒化９１片１ン（ａ−３
ｉＮ）で形成した場合にも同様に生ずる。

３、発明の目的 本発明の目的は、高い帯電電位を安定に（特に高温又は
高湿下で）保持でき、かつ光疲労特性に優れた感光体を
提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発この電荷輸送層
下に、アモルファス水素化及び／又はフッ素化窒化シリ
コンからなる電荷ゾ１トノ；トング層が設けられている
感光体において、前記電荷ブロッキング層力月〜２０ａ
ｔｏｍｉｃ％の酸素（但、シリコン原子と窒素原子と酸
素原子との合計原子数をｌＱＱａｔｏｍｉｃ％とする。

）を含有していることを特徴とするものである。

本発明によれば、機能分離型の感光体であって、その電
荷ブロッキング層に１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸素を含
有セしめているので、電荷ブロッキング能を発揮さ・ｌ
・ながら、ρ、を効果的に上昇させてρ。の温度依存性
（ｄｐ、／ｄＴ）を小さく抑えることかでを高めること
ができるのである。仮に、−上記酸素含有醗が］　ａｔ
ｏｍｉｃ％未満であると酸素含有による効果が発揮され
ず、また２０ａｔｏｍｉｃ％を越えると酸素が多ずぎて
キャリアのモビリティ、即ち（μτ）が著しく低下して
しまう。従って、酸素含有量を１〜２０ａｔｏｍｉｃ％
に設定することが必須不可欠であり、特に５〜１５ａｔ
ｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

５、実施例 （７） 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例によるａ−３ｉ系電子写真感光体３９
を示すものである。この感光体３９はＡ７！等のドラム
状導電性支持基板旧上に、酸素を１〜２０ａｔｏｍｉｃ
％含有する、ａ−５ｉ　Ｎ　：　ＩＩからなる電荷ブロ
ッキング層４４と、ａ−５ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉ　Ｎ　
：　１１からなる電荷輸送層４２と、ａ−３ｔ：Ｈから
なる電荷発生層４３と、必要に応じて設ＬＪられかつア
モルファス水素化炭化又は窒化シリニｌン（ａ−５ｉ　
Ｃ：　ＩＩ又はａ−５ｉＮ：１１）或いはＳＩＯ□等の
無機物質からなる表面改質層４５とがｆｌ（層された構
造からなっている。電荷発生Ｉ蔭４３は暗所抵抗率らと
光照射時の抵抗率化との比が電子写真感光体として充分
大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの
）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、ａ　−Ｓ
　ｉ　Ｎ　：　Ｈからなる電荷ブロッキング層４４に酸
素原子を５ｉ−Ｉ−Ｎ＋Ｏの総原子数１００１００ａｔ
ｏ％に対し１〜２０ａｔｏｍｉｃ％含有・ｌしめている
。この含有量範囲の酸素によって、電荷ブロッキング層
４２（９） （８） の化が高温（又は高湿）下でも高くなり、感光体として
の帯電電位保持能が安定に保持される。

電荷ブロッキング層４４の窒素原子含有量は３０〜７０
ａｔｏｍｉｃ％（５ｉ　＋Ｎの総原子数を１００１００
ａｔｏ％とする。）であるのが望ましく、またその膜厚
は４００〜４０００人とするのが適切である。

また、上記電荷輸送層４２の炭素又は窒素含有量は、１
０〜３０ａｔｏｍｉｃ％（Ｓｉ＋Ｃ（又はＮ）の合計原
子数を］００ａｔｏｍｉｃ％とする。。）のが望ましい
。

上記した各層の厚みについては、電荷発生層４２は１〜
５μｍ３フ゛ロツキング層４４は４００　人〜４０００
人とするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と、隋光・席が充分でなく、また請求禮未達えると残留
電位が上昇し実用」−不充分である。ブロッキング層４
４も４００人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た、４０００人を越えると電荷輸送能が不良となり易い
。電荷輸送層４２は１０〜３０μｍとするのがよい。

一ト記表面改質屓４５は感光体の表面を改質してａ−３
ｉ系感光体を実用的に優れたものとするた（１０） めに設けるとよい。即ち、表面での電荷保持と、光照射
による表面電位の減衰という電子写真感光体としての基
本的な動作を可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性がノド常に安定とな
り、長期間（例えば１力月以−１−）放置しておいても
良好な電位特性を再現できる。ａ　ＳＩ：ＩＩを表面と
した感光体の場合には、／！ｌ＋！気、大気、オゾン雰
囲気等の影響を受り易く、電位特性の経時変化が生し易
くなる。また、ａ−８１ｃ：１ｆ又はａ−５ｉＮ：ＩＩ
からなる表面改質層４５は表面硬度が高いために、現象
、転写、クリーニング等の−「程における耐摩耗性があ
り、更に耐ｐ）性も良いことから粘着転写等の如く熱を
付与するプロセスを適用することができる。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
３ｉＣ：ｔｌ又はａ−３ｉＮ：ＩＩの炭素又は窒素組成
を選択することが重要である。即ち、炭素又は窒素原子
含有■が５ｉｌ−Ｃ（又はＮ）＝−１００％としたとき
１０〜１０ｓ１０５Ｌｏ％であることが望ましい。Ｃ又
はＮ含有量が１０％以上であると、に記した比抵抗が所
望の値となり、かつ光学的エネルギーギャップがほぼ２
．ＯｅＶ以上となり、可視到達し易くなる。しかし、Ｃ
又はＮ含有量が１０％未満では、比抵抗が所望の値以下
となり易く、かつ一部分の光は表面１９４５に吸収され
、感光体の光感度が低下し易くなる。また、Ｃ又はＮ含
有量が７０％を越えると層の炭素又は窒素量が多くなり
、半導体特性が失われ易い上にａ−３ｉＣ：Ｈ膜又はａ
　−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　ｆ（膜をグロー放電法で形成する
ときの堆積速度が低下し易いので、Ｃ又はＮ含有量は７
０％以下とするのがよい。

また、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ又はａ−３ｉＮ：ＨＩＷ
４５の膜１１ｉ　４００人≦ｔ≦５０００人の範囲内（
特に４００人≦ｔ＜２０００人）に選択することも重要
である。即ち、その膜厚が５０００人を越える場合には
、残留重り 位ＶＲが高くな矛ずぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３
ｌ系感光体としての良好な特性を失ない易い。また、膜
厚を４００人未満とした場合にはトン（１１） ネル効果によって電荷が表面子に（１１電されなく　ｉ
ｒるため、ｌｌｉ減衰の増大や光感度の低下が生じてし
まう。

なお、−１二記の各層は水素を含有することが必１１３
！である。特に、電荷発生層４３中の水素含有量器；ｌ
、ダングリングボンドを補償して光導電性及び電荷保持
性を向上させるために必須不可欠であって、１０〜３０
ａｔｏｍｉｃ％であるのが望ましいこの含有屋範囲は表
面改質層４５、ブロッキング屓４４及び電荷輸送Ｎ４２
も同様である。

次に、」−記した感光体（例えばドラＪ２状）の製造方
法及びその装置（グロー放電装置＋￥）を第３図につい
て説明する。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

基板４Ｉに対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、
図中の６２はＳ　ｉ　１１４又はガス状（１３） （１２） シリコン化合物の供給源、６３は０２又はガス状酸素化
合物の供給源、６４はＣＨ，等の炭化水素ガス又はＮｌ
ら、Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５ばＡｒ等の
キャリアガス供給源、６６はＨ２ガス供給源、６７は各
流量計である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した後に真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガ一し 電圧が］０Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ
基板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましく
は１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度
の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉＨ４又はガ
ス状シリコン化合物、ＣＨ，（又はＮ　Ｔｈ、団）、０
２を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０
Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波型ｔＡ５６により高周波電
圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加する。これによ
って、上ａ−３ｉ　ｊＴ−Ｌ　ａ−３ＩＣ：Ｈ又はａ　
−Ｓ　ｉ　Ｎ　：　Ｈを上記の層４４．４２．４３．４
５として基板−トに連続的に（即ち、第２図の例に対応
して）堆積させる。

（１４） 上記製造方法においては、支持体−ににａ−８ｉ系の層
を製膜するＴ稈で支持体温度を１００〜３５０°Ｃとし
ているので、感光体の膜質（特に電気的勃（１１）を良
くすることができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光１５の形成時に於て、
ダングリングボンドをネ市（Ｈするためには、ト記した
Ｌ（の代りに、或いはＩＩと１３ｊ用してフッ素をＳｉ
Ｆ４等の形で導入し、ａ−３ｉ　：Ｆ、　ａ−３ｉ　：
ＩＩ：ａ−５ｉＮ：Ｆ、、ａ−３ｉＮ：ＩＩ：ＦＸａ−
３ｉＣ：Ｆ。

ａ−３ＩＣ：ＩＩ：Ｆとすることもできる。この場合の
フッ素量は０．５〜ｌＯａｔｏｍｉｃ、％が望ましい。

なお、−に記の製造方法はグロー放電骨１嘔１方法によ
るものであるが、これ１以外にも、スパッタリング法、
イオンブレーティング法や、水素放電１■（−で活性化
又はイオン化された水素導入下でＳｉを蒸発させる方法
（特に、本出願人による特開昭５６−７８４１３号（特
願昭５４−１５２４５５号）の方法）等によっても上記
感光体の製造が可能である。

第４図は、本発明による感光体を−に記特開昭５６−７
８４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置
を示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー７１内を例えばＸ＆〜１０Ｔｏｒ
ｒの高真空状態とする。当該ペルジャー７１内には基板
４１を配置してこれをヒーター７５により温度１００〜
３５０℃、好ましくは１５０〜３００　”ｃに加熱Ｆ、
すると共に、直流電源７６により基板１に０〜−１０ｋ
Ｖ。

好ましくは＝１〜−６ｋＶの直流負電圧を印加する。

ａ−３ｉ：１１層４３を形成するには、出口が基板４１
と対向するようへルジャ−７１に接続して設けた水素ガ
ス放電管７７より活性水素及び水素イオンをペルジャー
７１内に導入しながら、基板４１と対向するよう設けた
シリコン蒸発源７８を加熱すると共に上方＋７）　’／
　＋　７ターＳを開く。ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　１４１Ｗ
４２．４５を形成するには、Ｃｌ−４の供給下で、シリ
コンを蒸発させる。また、電荷ブロッキング層４４は、
Ｃ）％に代えてＮ　ＩＩヨ、更にＯｌの供給下でシリコ
ン７８を蒸発させればよい。Ｃ瓜、ＮＨ３、へは放電管
７ｏを介して活性化して適宜導入するとよい。

（１５） 上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第５図の如く、ガス入１１旧を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、ｈ交電空間８３を囲む例えばｆｉ？ｉ状ガ
ラス製の放電空間部材８４と、このＪＪｋ電空凹空間部
材８４端に設しＵた、出口８５を有するリング状の他方
の電極部＋Ａ８６とより成り、前記一方の電極部材８２
と他方の電極部＋Ａ８６との間に直流又は交流の電圧が
印加されることにより、ガス人ｒｉｌｌｌｌを介して供
給された例えば水素ガスがｈｋ電空間）（３においてグ
ロー放電を生じ、これにより電子エネルギー的に賦活さ
れた水素原子若しくは分子より成る活性水素及びイオン
化された水素イオンが１１１０８５より排出される。こ
の図示の例の放電空間部材８２は二重管構造であって冷
却水を流過せしめ（υる構成を有し、８７．８８が冷却
水入口及び出１１を示ず。８９てあり、印加電圧は６０
０■、放電空間８３の圧力は１０Ｔｏｒｒ程度とされる
。

（１７） （１６） 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａ７！支持体上に第
２図の構造の電子写真感光体を作成した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状ＡＩｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基Ｍ；１．４
１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒ
ガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背
圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨ，の高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、Ｓ　ｔ　
ＦＬ＋とＮ　Ｈ３と０２からなる反応ガスを導−人し、
流量比４：ｌ：６：　１　の（Ａ　ｒ　＋Ｓ　ｉＨｌ　
十Ｎ　Ｈｌ　＋　０＋）を形成し、更に０□の供給を中
断してＮＨ５に代えＣＨ。

を供給して電荷輸送層４２を６メ！ｍ／ｈｒの堆積速度
で所定の厚さに製膜した。引き続き、ＣＨ４、ＢｚＨ６
、（１８） ０２を供給停止し、Ｓ　ｉ　Ｔ（Ｊ放電骨解し、所定厚
さと！ｒグロー放放電部し、所定厚さのａ−３ｉＣ：Ｉ
Ｉ表面保護層４５を更に設む」、電子写真感光体を完成
させた。この感光体を用いて、複写機（Ｕ−Ｂｉｘ３０
００改造機：小西六写真工業＠製）により画像出しを行
った結果、解像度、階ｉＩＭ性がよ（、画１ｇ！　’ｔ
Ｒ度が高く、カブリのない鮮明な画像がｉ！Ｉられた。

また、２０万回の繰り返し複写を行っても、安定した良
質な画像が続けて（ηられた。

即ち、試験に際しては、−１−記のようにして作成した
電子写真感光体をエレクトロメーター５ｐ−４２８型（
川口電気■製）に装着し、帯電器の放電電極に対する印
加電圧を一６ｋＶとし、１０秒間帯電操作を行ない、こ
の帯電操作＋Ｍｒ後における感光体表面の帯電電位をＶ
ｏ（Ｖ）とし、２秒間のｎｌ’ｌ減衰後、帯電電位を１
／２に減衰せしめるために必要な照射光量を半減露光ｆ
ｌＥ　］　／　２　（ｂｏｘ　−５ｅｃ）とした。表面
電位の光減衰曲線ばある有限の電位（１９） でフラットとなり、完全にゼロとならない場合があるが
、この電位を残留電位ＶＩ２（Ｖ）と称する。

各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示す結果
が得られた。これによれば、電荷ブロッキング層の０含
有量を１〜２０ａｔｏｍｉｃ％とすれば、感光体の電子
写真特性が大きく向上し、温度依存性が減少することが
分る。なお、画質については、◎は画像鮮明、○は画像
良好、Δは画質が実用上採用可能、×は画質が実用−１
−採用不可を夫々示す。

（以下余白、次頁へ続く。） （２０）

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概１ｌＩ８断面図であ
る。 第２図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ−３ｉ系悪感光の断面図、 第３図はグロー放電装置の概略断面図、第４図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第５図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ａ　Ｓｉ系感光体４１・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・支持体（基板）４２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・電荷輸送層４３・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電荷発生層４４・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・電荷ブロッ
キング層４５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・表面数ａ層５５・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・ヒーター５６・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
高周波電源５７・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・電極（２２） ６２〜６６・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・各ガス供給源７０．７７・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・ガス放電管７８・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・蒸発源である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏 （２３） 偽　川　〜　１　Ｎ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化（及び／又は窒化）シリコンからなる電荷
   輸送層が設けられ、この電荷輸送層下に、アモルファス
   水素化及び／又はフッ素化窒化シリコンからなる電７１
   １ブ１：１ソキング層が子と窒素原子と酸素原子との合
   計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）を含有し
   ていることを特徴とする感（但、シリコン原子と炭素又
   は窒素原子との合ｄ１原子数を１００１００ａｔｏ％と
   する。）を特徴する特許請求の範囲の第１項に記載した
   感光体。 （１） ３、電荷ブロッキング層が３０〜７０ａｔｏｍｉｃ％の
   窒素（但、シリコン原子と窒素原子との合計原子数を１
   ００１００ａｔｏ％とする。）を特徴する特許請求の範
   囲の第１項又は第２項に記載した感光体。 ４、電荷発生層−にに、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化（又は窒化）シリコンからなりかつ炭素又
   は窒素含有量が１０〜７０ａｔｏｍｉｃ％（但、シリコ
   ン原子と炭素又は窒素原子との合計原子敗れか１項に記
   載した感光体。