JPS60235152A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｏ、、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯ？ＣｄＳ
を樹ツバインダーに分散させた感光体等が知られている
。　しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的
安定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−８ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

　ａ−８ｉは、５ｔ−８ｉの結合手が切れだいわゆるダ
ングリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。　こ
のために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、まだ光励起担体が局在準位にトラップされて
光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥を水素
原子（Ｉ（）で補償してＳｌにＨを結合させることによ
って、ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−−
８ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０
１Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。　従って、ａ　−Ｓｉ　：　Ｉ−Ｉ
の単層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく
、初期帯電電位が低いという問題点を有している。　し
かし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗
率が大きく減少するため、感光体の感光層として極めて
優れた特性を有している０ 第１図には、上記のａ−８ｔ：Ｈを母材とし九ａ−８ｔ
系感光体を組込んだ電子写真複写機が示されている。　
この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカッ（−４とが配されている。　原稿台３の下方で
は、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラ
ーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線
移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光
路長を一定にするだめの第２ミラーユニット２０が第１
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側から
の反射光がレンズ２１、反射用ミラ（３） −８を介して像担持体としての感光体ドラム９上へスリ
ット状に入射するようになっている。　ドラム９の周囲
には、コロナ帯電器１０、現像器１１、転写部１２、分
離部１３、クリーニング部１４が夫夫配置されており、
給紙箱１５から各給紙ローラー１６．１７を経て送られ
る複写紙１８はドラム９のトナー像の転写後に更に定着
部１９で定着され、トレイ３５へ排紙される。　定着部
１９では、ヒーター２２を内蔵した加熱ローラー２３と
圧着ローラー２４との間に現像済みの複写紙を通して定
着操作を行なう。

しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされてい々い。

　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。　一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：
Ｈと称する。）について、その製法や存在が’Ｐｈ１ｌ
。

（４） Ｍａｇ　、　Ｖｏｌ　、　３５　”　（１９７８）等に
記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が
高いこと、ａ−８ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１
０”〜１０゛Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光
学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に
亘って変化すること等が知られている。　但、炭素の含
有によりバンドギャップが拡がるだめに長波長感度が不
良となるという欠点がある。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとａ−８ｔ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。　これによれば、ａ−８ｉ：
Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離型
の２層構造を作成し、上層のａ−８１：Ｈにより広い波
長域での光感度を得、かつａ−８ｔ：Ｈ層とへテロ接合
を形成する下層のａ−ｓｉｃ：’ｕにより帯電電位の向
上を図っている。

しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈ層の暗減衰を充分に防止で
きず、帯電電位はなお不充分であって実用性のあるもの
とはならない。

一方、特開昭５７−１７９５２号、５７−５２１７８号
公報には、ａ−８ｔ：Ｈからなる電荷発生層上に第１の
ａ−８ｉＣ：Ｈ層を表面改質層として形成し、裏面上（
支持体電極側）に第２のａ−８ｉＣ：Ｈ層を市１荷輸送
層又は電荷ブロッキング層として形成している。

ところが、公知の感光体においては、特にａ　−８ｉＣ
：Ｉ（電荷ブロッキング層について次の如き問題点があ
ることが判明した。

即ち、公知のａ−８ｉＣ：Ｈは暗抵抗ρ９の温度依存性
が大きく、このために高温では帯電電位の保持特性が劣
化して実用に供し得なくなり、しかも画像流れも生じ易
い。

３、発明の目的 本発明の目的は、高い帯電電位を安定に（特に高温又は
高湿下で）保持でき、かつ光疲労特性に優れた感光体を
提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層下に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化（及び／又は窒
化）シリコンからなる電荷輸送層が設けられ、この電荷
輸送層下に、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
化シリコンから寿る電荷ブロッキング層が設けられてい
る感光体において、前記電荷輸送層が周期表第１Ｔ−Ｉ
　ａ族元素を比較的少量含有し、かつ前記電荷ブロッキ
ング層が１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％の酸素（但、シリコ
ン原子と炭素原子と酸素原子との合計原子数を１００１
００ａｔｏ　％とする。）を含有していることを特徴と
するものである。

本発明によれば、機能分離型の感光体であって、その電
荷ブロッキング層に１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％の酸素
を含有せしめているので、電荷ブロッキング能を発揮さ
せながら、ρ、を効果的に上昇させてρ１゜の温度依存
性（ｄρ、　／　ｄ’ｌ’　）を小さく抑えることがで
きる。　このため、帯電電位の保持特性が向上し、感光
体の使用可能な上限温度（上限湿度も同様）を高めるこ
とができるのである。　仮に、上記酸素含有量が１　ａ
ｔｏｍｉｃ％未満であると酸素含（７） 有による効果が発揮されず、まだ２０　ａｔｏｍｉｃ　
５６を越えると酸素が多すぎてキャリアのモビリティ、
即ち（μτ）が著しく低下してしまう。　従って、酸素
含有量を１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　’％に設定すること
が必須不可欠であり、特に５〜１５　ａｔｏｍｉｃ　ｑ
６とするのが望ましい。　更に、上記電荷輸送層は周期
表第１Ｔｒａ族元素が比較的少量含有されている（ライ
トドープされている）ので電荷発生層から電荷輸送層へ
のキャリアの注入を良好にするのに寄与している。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例によるａ−８ｔ系電子写真感光体３９
を示すものである。　この感光体３９はＡ１等のドラム
状導電性支持基板４１上に、酸素を１〜２ｏ　ａｔｏｍ
ｉｃ　％含有するａ−８１０：’Ｈからなる電荷ブロッ
キング層４４と、周期表第■ａａ族元素例えばホウ素が
ライトドープされたａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈ
からなる電荷輸送層４２と、ａ−８ｉ：Ｈからなる電荷
発生層４３と、必要に応じ（８） て設けられかつアモルファス水素化炭化又は窒化シリコ
ン（ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ　：　Ｈ）或いはＳ
　ｔ　Ｏｔ等の無機物質からなる表面改質層４５とが積
層された構造からなっている。　電荷発生層４３は暗所
抵抗率ρ、と光照射時の抵抗率ρ１−との比が電子写真
感光体として充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域
の光に対するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、ａ−８ｉ
Ｃ：Ｈからなる電荷ブロッキング層４４に酸素原子をｓ
ｔ十ｃ＋ｏの総原子数１００　ａｔｏｍｉｃ　％に対し
１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％含有せしめている。　この
含有量範囲の酸素によって、電荷ブロッキング層４２の
ρ、が高温（又は高湿）下でも高くなり、感光体として
の帯電電位保持能が安定に保持される。

電荷ブロッキング層４４の炭素原子含有量は３０〜７０
　ａｔｏｍｉｃ　％　（Ｓｔ　＋　Ｃの総原子数を１０
０　ａｔｏｍｉｃチとする。）であるのが望ましく、ま
たその膜厚は４００〜４０００　Ａとするのが適切であ
る。

まだ、上記電荷輸送層４２には、周期表第１ＩＩ　ａ族
元素、例えばホウ素を流量比Ｂ、Ｈ，／　ＳＩＨ，＝　
１〜２０犯でグロー放電分解でライトドーピングメされ
ている。　この電荷輸送層の炭素又は窒素含有量は、１
０〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％　（Ｓｔ　十Ｃ（又はＮ）
の合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ　％とする。）の
が望ましい。

上記した各層の厚みについては、電荷発生層４２は１〜
５μｍ１ブロツキング層４４は４００　Ａ　〜４００Ｏ
Ａとするのがよい。　電荷発生層４３が１μｍ未満であ
ると光感度が充分でなく、また５μｍを越えると残留電
位が上昇し実用上不充分である。　ブロッキング層４４
も４００　Ａ未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た、４０００　Ａを越えると電荷輸送能が不良となり易
い。　電荷輸送層４２は１０〜３０μｍとするのがよい
。

」二重表面改質層４５は感光体の表面を改質してａ−−
８ｔ系座感光を実用的に優れたものとするために設ける
とよい。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。　ａ−８ｔ：Ｈを表面とした感
光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を
受け易く、電位特性の経時変化が生じ易くなる。　また
、ａ　−ＳｉＣ：　ＩＴ又はａ−８ｉＮ　：　Ｈからな
る表面改質層４５は表向硬度が高いために、現像、転写
、クリーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に
耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプ
ロセスを適用することができる。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
８ｉＣ：　Ｈ又はａ　−ＳｉＮ　：　Ｈの炭素又は窒素
組成を選択することが重要である。　即ち、炭素又は窒
素原子含有量がＳｉ＋Ｃ（又はＮ　）　−１００チとし
たとき１０〜７０　ａｔｏｍｉｃ　％であることが望ま
しい。　Ｃ又はＮ含有量が１０俤以上であると、上記し
だ比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギーギヤ
ノブがほぼ２．ＯｅＶ以上となり、可視及び赤外光に対
しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射光はａ−８
ｉ：Ｈ層（’Ｆａｔ荷発生屑発生層（１１） に到達し易くなる。　しかし、Ｃ又はＮ含有量が１０俤
未満では、比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部
分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が低下
し易くなる。　まだ、Ｃ又はＮ含有酸が７０俤を越える
と層の炭素又は窒素量が多くなり、半導体特性が失なわ
れ易い上にａ　−５ｉｃ　：　■を膜又はａ−８ｉＮ　
：　Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速度が低
下し易いのでＣ又はＮ含有量は７０チ以下とするのがよ
い。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ　−ＳｉＮ　：　Ｈ層４５
の膜厚を４０ＯＡ≦ｔ≦５００ＯＡの範囲内（特に４０
０即ち、その膜厚が５００ＯＡを越える場合には、残留
電位ｖＲが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−
８ｔ系座感光としての良好な特性を失ない易い。　また
、膜厚を４００　Ａ未満とした場合には、トンネル効果
によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減衰
の増大や光感度の低下が生じてしまう。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要（１２） である。　特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダ
ングリングボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を
向上させるために必須不可欠であって、１０〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｔ４であるのが望ましい。

この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキング層４４
及び電荷輸送層４２も同様である。　また、電荷輸送層
４２へのドーピング不純物として、ボロン以外にもＡｌ
、　Ｇａ、　Ｉｎ、　Ｔ１等の周期表第１１１ａ族元素
を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第３図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。

　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付き
の円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高
周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　な
お、図中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３は０２又はガス状酸素化合物の供給源、６
４はＣＨ。

等の炭化水素ガス又はＮＨ，、Ｎ、等の窒素化合物ガス
の供給源、６５はＡｒ等のキャリアガス供給源、６６は
不純物ガス（例えばＢ、Ｉ（、）供給源、６７は各流量
計である。　このグロー放電装置において、まず支持体
である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した後に真空
槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０”−’
　Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、特に１ｏｏ〜３５０　’Ｃ（望ましくは１
５０〜３００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ，又はガス状
シリコン化合物、Ｂ、Ｈ，、ＣＨ。

（又はＮＨ，、祐）、０．を適宜真空槽５２内に導入し
、例えば０，０１〜１０　Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波
電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨｚ
　）を印加する。　これによって、上記各反応ガスを電
極５７と基板４１との間でグ日−放電分解し、０含有ａ
　−ＳｉＣ：　Ｈ，ボロンライトドープドａ　−Ｓ　ｉ
　Ｃ：Ｈ又はａ−８ｉＮ　：　Ｈ，ａ−８ｔ　：　ＨＮ
　ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ　−ＳｉＮ　：　Ｈを上記の層
４４．４２．４３．４５、として基板上に連続的に（即
ち、第２図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−８ｉ系感光体感光ノーの形成時に於て、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
代りに、或いは■と併用してフッ素をＳｉＦ、等の形で
導入し、ａ−８１：　ｌｉ’Ｘａ−８ｉ　：Ｈ：　Ｆ％
　ａ　ＳＩＮ　：　ＦＸａ　ＳｉＮ　：　Ｈ：　Ｆ％　
ａ−８ｉＣ：　Ｆ、　ａ−８ｉＣ：　Ｈ：　Ｆとするこ
ともできる。

この場合のフッ素量は０．５〜１０　ａｔｏｍｉｃ　％
が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等（１５） によっても上記感光体の製造が可能である。

第４図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法によシ作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー７１内を例えば１０−＃〜１０−
“Ｔｏｒｒの高真空状態とする。　当該ペルジャー７１
内には基板４１を配置してこれをヒーター７５により温
度１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００℃に加
熱すると共に、直流電源７６により基板１に０〜−１０
ｋＶ、好ましくは−１〜−６ｋＶの直流負電圧を印加す
る。　ａ−８ｔ：Ｈ層４３を形成するには、出口が基板
４１と対向するようペルジャー７１に接続して設けた水
素ガス放電管７７より活性水素及び水素イオンをペルジ
ャー７１内に導入しながら、基板４１と対向するよう設
けたシリコン蒸発源７８を加熱すると共に上方のシャッ
ターＳを開く。　ａ−８ｉＣ：Ｈ層４５を形成するには
、ＣＨ４の供給下で、シリコンを蒸発させ（１６） る。　また、電荷ブロッキング層４４を形成するには、
更にＯ１供給下でシリコン７８を蒸発させればよい。　
ａ−８ＩＣ：Ｈ層４２は、Ｏｌのイ（りにＡｌ　７９を
蒸発させて供給することによ多形成できる。　ＯＨ，、
Ｏ，は放電管７０を介して活性化して適宜導入するとよ
い。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第５図の如く、ガス人口８１を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端に設
けた、出口８５を有するリング状の他方の電極部材８６
とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の電極部材
８６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
シ、ガス人口８１を介して供給された例えば水素ガスが
放電空間８３においてグロー放電を生じ、これにより電
子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは分子より
成る活性水素及びイオン化された水素イオンが出口８５
より排出される。　この図示の例の放電空間部材８２は
二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成を有し
、８７．８８が冷却水入口及び出口を示す。　８９は一
方の電極部材８２の冷却用フィンである。　上記の水素
ガス放電管７７における電極間距離は１０〜１５ｃｍで
あり、印加電圧は６００■、放電空間８３の圧力は１０
−”Ｔｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する○ グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第２
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状ＡＩ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０”Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所
定温度、特に１００〜３５０°Ｇ（望ましくは１５０〜
３００’Ｃ）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡｒ
ガスをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの
背圧のもとて周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行つだ。　次いで、ＳｉＨ
４とＣＨ，とＯｆからなる反応ガスを導入し、流量比４
：１：６：１の（Ａｒ　十５ｉ）（、＋　ＣＨ，−１−
０，）混合ガスをグロー放電分解することにより、０含
有電荷ブロッキング機能を担うａ−８ｉＣ：’Ｈ上層４
を形成し、更にＯｌに代えてＢ、Ｈ，を供給して電荷輸
送層４２を６μｍ／ｈｒの堆積速度で所定厚さに製膜し
た。　引き続き、ＣＨ，、Ｂ、Ｈ，，０，を供給停止し
、ＳｉＬを放′ｔけ１分解し、所定厚さのＩＬ−８１：
ＩＩ層４３を形成１７だ。　引き続いて、流量比４：１
：６の（Ａｒ　−ｌ−５ＩＴ（、−）−ＣＨ−）混合ガ
スと共にグロー放電分解し、所定厚さのａ−８ｉＣ：Ｈ
表面保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成させ
た。　この感光体を用いて、複写機（Ｕ−ＢＩＸ　３０
００改造機：小西六写真工業（株）製）により画像出し
を行なった結果、解像度、階調性がよく、画像濃度が高
く、カプリのない鮮明女画像が得られた。　まだ、２０
万回の繰り返し複写を行なっても、安定した良質な画像
が続けて得られた。

即ち、試験に際しては、上記のようにして作成（１９） した電子写真感光体をエレクトロメーター５Ｐ−４２８
型（川口電機（株）製）に装着し、帯電器の放電電極に
対する印加電圧を＋６ｋＶとし、１０秒間帯電操作を行
ない、この帯電操作直後における感光体表面の帯電電位
をＶｏ　（Ｖ　）とし、２秒間の暗減衰後、帯電電位を
１／２に減衰せしめるために必要な照射光量を半減露光
量Ｅ　’／２　（１ｕｘｓｓｅｃ　）とした。

表面電位の光減衰曲線はある有限の電位でフラットとな
り、完全にゼロとガらない場合があるが、この電位を残
留電位Ｖ、（Ｖ）と称する。

各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示す結果
が得られた。　これによれば、電荷ブロッキング層の０
含有量を１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％とすれば、感光体の
電子写真特性が大きく向上し、温度依存性が減少するこ
とが分る。　なお、画質については、◎は画像鮮明、○
は画像良好、△は画質が実用上採用可能、×は画質が実
用上採用不可を夫々示す。

（以下余白、次頁に続く） （２０）

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 第２図〜第５図は本発明の実施例゛を示すものであって
、 第２図はａ−８ｔｔ感光体の断面図、 第３図はグロー放電装置の概略断面図、第４図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第５図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・・・・・・・・・ａ−８ｔ系
悪感光４１・・・・・・・・・・・・・・・・・・支持
体（基板）４２・・・・・・・・・・・−・・・・・−
電荷輸送層４３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
電荷発生層４４・・・・・・−・・・・・・・・・・・
電荷ブロッキング層４５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・表面改質層５５・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ヒーター５６−・・・・・・・・・・・・・・
・・・高周波電源５７・・・・・・・・・・・・・・・
・・・電極６２〜６６・・・・・・・・・・・・各ガス
供給源７０．７７・・−・・・・・・・・・ガス放電管
７Ｂ、７９・・・・・・・−・・・・蒸発源である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化（及び／又は窒化）シリコンからなる電荷
   輸送層が設けられ、この電荷輸送層下に、アモルファス
   水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる電荷ブ
   ロッキング層が設けられている感光体において、前記電
   荷輸送層が周期表第１Ｉａ族元素を比較的少量含有し、
   かつ前記電荷ブロッキング層が１〜２０　ａｔｏｍｉｃ
   ％の酸素（但、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との
   合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃチとする。）を含有
   していることを特徴とする感光体。 ２、電荷輸送層が１０〜３０　ａｔｏｍｉｃチの炭素又
   は窒素（但、シリコン原子と炭素又は窒素原子との合計
   原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）を含有し、
   かつジボランとモノシランとをジボラン／モノシラン−
   １〜２０　ｐｐｍの流量比で供給する条件下でのグロー
   放電分解によって形成されたものである、特許請求の範
   囲の第１項に記載した感光体。 ３、電荷ブｔｆｆ７キング層が３０〜７０　ａｔｏｍｉ
   ｃ　％の炭素（但、シリコン原子と炭素原子との合ｉ１
   原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ　％とする。）を特徴す
   る特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載した感光体
   。 ４、電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化炭化（又は窒化）シリコンからなりかつ炭素又は
   窒素含有駄が１０〜７０　ａｔｏｍｉｃ％（但、シリコ
   ン原子と炭素又は窒素原子との合計原子数を１００　ａ
   ｔｏｍｉｃ　ｆｙとする。）である表面改質層が設けら
   れている、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか
   １項に記載した感光体。