JPS60236252A - 半導体用ボンデイング細線 - Google Patents
半導体用ボンデイング細線Info
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- JPS60236252A JPS60236252A JP59093195A JP9319584A JPS60236252A JP S60236252 A JPS60236252 A JP S60236252A JP 59093195 A JP59093195 A JP 59093195A JP 9319584 A JP9319584 A JP 9319584A JP S60236252 A JPS60236252 A JP S60236252A
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- bonding
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は生導体用ゲンディング細線の改良に関するもの
であり、特に耐食性、１１水密性に優れたビンディング
＃ＩＩ線を得んさするものである。
であり、特に耐食性、１１水密性に優れたビンディング
＃ＩＩ線を得んさするものである。
ＩＣ（集積回路）、ＨＩＣ（バイブ！ＩッドＩＣ）。
トランジスターなどの牛導体ではＳｉチッゾなどの中導
体素子十に形成された電極とリードフレームの基板リー
ドとの間の電気接続を行う目的で１５〜６０μφ位のＡ
ｕ線やＡｔ−８Ｉ合金線が使用されている。これらの線
は熱融着法、超音波熱圧着法、超音波溶接法などにより
高生産性でビンディングされている。このＡｕ線は大気
中で高速ぎンディングできると共に耐食性に優れてるの
で主流をなしているが、高価であると共に水密性に劣る
欠点を有する。又Ａｕ線の機械的特性を向上せしめるた
めにけｐｐｍオーダーのＳｎ。
体素子十に形成された電極とリードフレームの基板リー
ドとの間の電気接続を行う目的で１５〜６０μφ位のＡ
ｕ線やＡｔ−８Ｉ合金線が使用されている。これらの線
は熱融着法、超音波熱圧着法、超音波溶接法などにより
高生産性でビンディングされている。このＡｕ線は大気
中で高速ぎンディングできると共に耐食性に優れてるの
で主流をなしているが、高価であると共に水密性に劣る
欠点を有する。又Ａｕ線の機械的特性を向上せしめるた
めにけｐｐｍオーダーのＳｎ。
Ｓｅ 、Ｍｎ 、Ｔｅ 、Ｈｆ 、Ｍｇ 、Ｎｉ 、Ｃ
ｏ 、Ｔｅ等を含有せしめる希薄合金化が行われている
が、生導体の小型高集積化が進み、他方コストダウンの
点からセラミックに代ってレジンモールドによる封止が
大勢を占める現状においては水密性の問題が大きくクロ
ーズアップされている。即ちレジンモールドの場合工ｄ
？キシ樹脂と金属との熱膨摂係数に大きな差異があるた
めこの両者の界面の接着力が不十分な場合に微細な間隙
を生じ、これが水分々どの透過路となるものであ−）た
。又貴金属のＡｕはエポキシと化学的ガ結合を行うこと
が出来ず特に接合力に乏しいのでリードフレームとレジ
ンとの界面やレジンバルクを透過した水分１ｔＡｕのボ
ンディング線を通路にしてＳｔチップに到達しＳｉチッ
プ上のＡｔ配線の腐食劣化などをひきおこすものであっ
た。
ｏ 、Ｔｅ等を含有せしめる希薄合金化が行われている
が、生導体の小型高集積化が進み、他方コストダウンの
点からセラミックに代ってレジンモールドによる封止が
大勢を占める現状においては水密性の問題が大きくクロ
ーズアップされている。即ちレジンモールドの場合工ｄ
？キシ樹脂と金属との熱膨摂係数に大きな差異があるた
めこの両者の界面の接着力が不十分な場合に微細な間隙
を生じ、これが水分々どの透過路となるものであ−）た
。又貴金属のＡｕはエポキシと化学的ガ結合を行うこと
が出来ず特に接合力に乏しいのでリードフレームとレジ
ンとの界面やレジンバルクを透過した水分１ｔＡｕのボ
ンディング線を通路にしてＳｔチップに到達しＳｉチッ
プ上のＡｔ配線の腐食劣化などをひきおこすものであっ
た。
他方ｋｌやｋｌ−Ｓ ｉ 、 Ａ ｔ−Ｍｇ等の線は安
価でろり強度や電気特性に優れているため高速メンディ
ングの可能な雰囲気熱圧着法なども開発されている。し
かしレジンモールド牛導体に本格的々応用を進める上で
の最大な欠点は、上記の如く不可避的な透過水分による
腐食断線である。特にレジン等に微細含有をされるＣｔ
−分等により加速されるといわれている。
価でろり強度や電気特性に優れているため高速メンディ
ングの可能な雰囲気熱圧着法なども開発されている。し
かしレジンモールド牛導体に本格的々応用を進める上で
の最大な欠点は、上記の如く不可避的な透過水分による
腐食断線である。特にレジン等に微細含有をされるＣｔ
−分等により加速されるといわれている。
本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果特にレ
ジンモールド牛導体の信頼性を改善しうるビンディング
細線を提供せんとするものである。即ち本発明は少くと
もＺｎ分を０．７ ｗｔ％以上の表層を有するＡｕ、Ｐ
ｄ、Ａｊ又はこれらの合金線からなることを特徴とする
ものである。
ジンモールド牛導体の信頼性を改善しうるビンディング
細線を提供せんとするものである。即ち本発明は少くと
もＺｎ分を０．７ ｗｔ％以上の表層を有するＡｕ、Ｐ
ｄ、Ａｊ又はこれらの合金線からなることを特徴とする
ものである。
本発明において表層にＺｎ分を設ける理由は、Ｚｎ分は
レジンとの化学的結合の触媒的作用を有し接着力を高度
にあげることが出来る。これは細線製造工程中や保管期
間中、更にボンディングやモールディングの高温条件に
おいて表層のＺｎ分が優先的に酸化するためと推考され
る。従って表層の厚さは分子オーダで十分であシ通常１
００〜５００ｘ程度でよい。
レジンとの化学的結合の触媒的作用を有し接着力を高度
にあげることが出来る。これは細線製造工程中や保管期
間中、更にボンディングやモールディングの高温条件に
おいて表層のＺｎ分が優先的に酸化するためと推考され
る。従って表層の厚さは分子オーダで十分であシ通常１
００〜５００ｘ程度でよい。
又Ａｔ線におけるＺｎ含有層の付加的効能は耐食性の向
上である。ＺｎやＺｎ −ｋ１合金はＡｔに比べて卑で
あシ犠牲陽極的に働くため水分やＣｔ−分が存在しても
腐食断線に至るまでの深さ方向の腐食は大巾に阻止する
ことができる。この場合も前記の如く薄層で十分にその
目的を達成することが出来うるが表層のＺｎ濃度につい
ては５μ程度まで使用される。
上である。ＺｎやＺｎ −ｋ１合金はＡｔに比べて卑で
あシ犠牲陽極的に働くため水分やＣｔ−分が存在しても
腐食断線に至るまでの深さ方向の腐食は大巾に阻止する
ことができる。この場合も前記の如く薄層で十分にその
目的を達成することが出来うるが表層のＺｎ濃度につい
ては５μ程度まで使用される。
而してボンディング線の防食効果はＺｎ分が０、７ ｗ
ｔ％以上特に１〜４チ位の低濃度において有効に発揮で
きうるためボンディング部への影響例えばボンディング
時の熱による合金化や拡散障害の心配は全くない。この
ようにＺｎ含有表層は１００％のＺｎよシもむしろＡｔ
、Ａｕ、Ｐｄ等の基材との合金の方が実用上有効なので
ある。即ち１００％Ｚｎでは使用前の保管中に腐食のト
ラブルをおこして品質のバラツキも生じやすく且つ合金
化によりＺｎの所要量が少くてよいため上記のビンディ
ング障害の危険性も少い。
ｔ％以上特に１〜４チ位の低濃度において有効に発揮で
きうるためボンディング部への影響例えばボンディング
時の熱による合金化や拡散障害の心配は全くない。この
ようにＺｎ含有表層は１００％のＺｎよシもむしろＡｔ
、Ａｕ、Ｐｄ等の基材との合金の方が実用上有効なので
ある。即ち１００％Ｚｎでは使用前の保管中に腐食のト
ラブルをおこして品質のバラツキも生じやすく且つ合金
化によりＺｎの所要量が少くてよいため上記のビンディ
ング障害の危険性も少い。
本発明のボンディング線は最後上りの線にメッキ、蒸僧
、スパッタリングなどにより表面にＺｎを被覆すること
が出来るが、よ妙生産性の高い方法としては太線の中に
任意の方法でＺｎを被覆した後、屯終径に伸線すること
である。この場合加工発熱によりＺｎ分は拡散合金化す
るので品質上も優れている場合が多い。
、スパッタリングなどにより表面にＺｎを被覆すること
が出来るが、よ妙生産性の高い方法としては太線の中に
任意の方法でＺｎを被覆した後、屯終径に伸線すること
である。この場合加工発熱によりＺｎ分は拡散合金化す
るので品質上も優れている場合が多い。
なお本発明ビンディング線はＡ／＝、Ａｕ 、Ｐｄ 、
及びこれらの合金線であり、合金としてはＡｕ −Ａｇ
。
及びこれらの合金線であり、合金としてはＡｕ −Ａｇ
。
Ａｕ −Ｐｄ 、 Ｐｄ −Ａｇ 、 Ｐｄ−Ｎｉ 、
Ｐｄ −Ｃｕ等があけられる。
Ｐｄ −Ｃｕ等があけられる。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例（１）
０２φＡｕ線に下記浴を用いて０．０４μのＺｎをメン
キした。
キした。
ｚｎ（ｃＮ）２５０ ｇ／ｌ！
ＫＣＮ ３５ ＃
ＫＯＨ７Ｑ ｔｔ
液温 ２ｏ℃
電流密度 Ｉ Ａｊｄｍ２
このメッキ線を００２５φ１で連続伸線を行ったところ
外観上Ｚｎの白色は消失していた。ＡＥＳ法により表面
分析を行ったところ表層は約２チのＺｎであった。
外観上Ｚｎの白色は消失していた。ＡＥＳ法により表面
分析を行ったところ表層は約２チのＺｎであった。
実施例（２）
０．２φのＰｄ線に実施例（１）と同様にして００４μ
のＺｎをメッキした。このメッキ線を００２５φまで伸
線を行った。ＡＥＳ法により表面層の分析を行ったとこ
ろＺｎ分は３０％であった。
のＺｎをメッキした。このメッキ線を００２５φまで伸
線を行った。ＡＥＳ法により表面層の分析を行ったとこ
ろＺｎ分は３０％であった。
実施例（３）
０．５φのＡｕ線に実施例（１）と同様にしてＺｎを０
．０２μメツキを行い、０．０２５φ捷で伸線した。
．０２μメツキを行い、０．０２５φ捷で伸線した。
表層のＺｎ分は１５チであった。
実施例（４）
実施例（３）においてＺｎのメッキ厚を０．０１％とし
、これを００２５φまで伸線した。表層のＺｎは０．８
％であった。
、これを００２５φまで伸線した。表層のＺｎは０．８
％であった。
比較例１
実施例（４）において素線径を０．６５φとしてこれに
メッキを行い伸線したところ、表層のＺｎ分は０．４％
であった。
メッキを行い伸線したところ、表層のＺｎ分は０．４％
であった。
実施例（５）
０．３５φのＡｔ−１％Ｓｉ線に下記浴を用いて、Ｚｎ
の置換メッキを行った。
の置換メッキを行った。
ＮａＯＨ５２５９
Ｚｎ０ ２００ ｇ
液温 ２０℃
ＺｎＯ附着量は０．０２％であった。この線を４９０℃
にて不活性雰囲気中に１分間通過せしめた後伸線を行い
０．０２５φに仕上げた。ＡＥＳ法により表層の分析を
行ったところＺｎ分は１２％であった。
にて不活性雰囲気中に１分間通過せしめた後伸線を行い
０．０２５φに仕上げた。ＡＥＳ法により表層の分析を
行ったところＺｎ分は１２％であった。
実施例（６）
実施例（５）にお）て素線径を０．３０φとし加熱温度
を４００℃としてＺｎメッキを行い、０．０２５φまで
伸線したところ表層のＺｎ分は５チであった。
を４００℃としてＺｎメッキを行い、０．０２５φまで
伸線したところ表層のＺｎ分は５チであった。
以上の線のほかに比較例として０．０２５φのＡｕ線、
Ｐｄ＠、Ａ／＝−８ｌ線を用いて１６ピンのＤＩＰ型Ｉ
Ｃを製造した。
Ｐｄ＠、Ａ／＝−８ｌ線を用いて１６ピンのＤＩＰ型Ｉ
Ｃを製造した。
リードフレームはＣｕ −２，４Ｆｅ −Ｐ合金線（０
，２５ｔ）にて作シタブとインナーリード部をＡｇメッ
キ（５μ）とした。ただしＡｔ線の場合は光沢Ｎ１メッ
キ（２，０μ）とした。ＳｔチップとＡｇ−エポキシペ
ーストを用いてダイ駆゛斗ドした後Ａｕ 、 Ｐｄ線は
２１０℃にて大気中で超音波熱圧着ボンディングした。
，２５ｔ）にて作シタブとインナーリード部をＡｇメッ
キ（５μ）とした。ただしＡｔ線の場合は光沢Ｎ１メッ
キ（２，０μ）とした。ＳｔチップとＡｇ−エポキシペ
ーストを用いてダイ駆゛斗ドした後Ａｕ 、 Ｐｄ線は
２１０℃にて大気中で超音波熱圧着ボンディングした。
（ゲンディング荷重５０ ｇｒ ）又Ａ／＝線は超音波
ウェッジデンディング（荷重３０ｇ、出力０．０５ＷＸ
６０ ｋｌ（ｚ ） Ｌ。
ウェッジデンディング（荷重３０ｇ、出力０．０５ＷＸ
６０ ｋｌ（ｚ ） Ｌ。
た。次いでエポキシレジンモールドを行いダイ１１１−
カットしてｒｃとした。
カットしてｒｃとした。
本発明品及び比較例品についても夫々１２０℃、９０％
ＲＨのブレラシャークツカ−１５０Ｈｒ。
ＲＨのブレラシャークツカ−１５０Ｈｒ。
２０００Ｈｒ保持した後ぎンディングワイヤの結合状態
を電気測定した。その結果は第１表に示す通りである。
を電気測定した。その結果は第１表に示す通りである。
第 １ 表
上表から明らかの如く本発明においてはすべて耐湿性、
耐食性が著しく改善された。特に従来Ａｔ線では１５０
Ｈｒの短時間でも大量の断線故障を生ずるのに対し本
発明においては２０００Ｈｒ経過後も軽微にとどまって
いる。Ａｕ線についてもＡｔ＠程ではないが改善は明ら
かである。
耐食性が著しく改善された。特に従来Ａｔ線では１５０
Ｈｒの短時間でも大量の断線故障を生ずるのに対し本
発明においては２０００Ｈｒ経過後も軽微にとどまって
いる。Ａｕ線についてもＡｔ＠程ではないが改善は明ら
かである。
以上詳述した如く本発明によれば小型、高密化されるレ
ジンモールドが好んで使用される生導体工業において透
過水分による電気的障害を大巾に改善しうる等顕著な効
果を有する。
ジンモールドが好んで使用される生導体工業において透
過水分による電気的障害を大巾に改善しうる等顕著な効
果を有する。
Claims (1)
- 少くともＺｎ分を０．７ｗｔ％以上の表層を有するＡｕ
、Ｐｄ、Ａｔ又はこれらの合金線からなることを特徴と
する手導体用ボンディング細線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093195A JPS60236252A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体用ボンデイング細線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59093195A JPS60236252A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体用ボンデイング細線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236252A true JPS60236252A (ja) | 1985-11-25 |
Family
ID=14075795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59093195A Pending JPS60236252A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体用ボンデイング細線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236252A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0792517A4 (en) * | 1994-11-15 | 1998-06-24 | Formfactor Inc | ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE MADE OF FLEXIBLE WIRE |
| US6336269B1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-01-08 | Benjamin N. Eldridge | Method of fabricating an interconnection element |
| US6727579B1 (en) | 1994-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
| US6778406B2 (en) | 1993-11-16 | 2004-08-17 | Formfactor, Inc. | Resilient contact structures for interconnecting electronic devices |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP59093195A patent/JPS60236252A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6336269B1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-01-08 | Benjamin N. Eldridge | Method of fabricating an interconnection element |
| US6778406B2 (en) | 1993-11-16 | 2004-08-17 | Formfactor, Inc. | Resilient contact structures for interconnecting electronic devices |
| US6835898B2 (en) | 1993-11-16 | 2004-12-28 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
| US7225538B2 (en) | 1993-11-16 | 2007-06-05 | Formfactor, Inc. | Resilient contact structures formed and then attached to a substrate |
| EP0792517A4 (en) * | 1994-11-15 | 1998-06-24 | Formfactor Inc | ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE MADE OF FLEXIBLE WIRE |
| US6727579B1 (en) | 1994-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
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