JPS60237349A - 螢光ｘ線構造解析装置 - Google Patents
螢光ｘ線構造解析装置Info
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- JPS60237349A JPS60237349A JP9284484A JP9284484A JPS60237349A JP S60237349 A JPS60237349 A JP S60237349A JP 9284484 A JP9284484 A JP 9284484A JP 9284484 A JP9284484 A JP 9284484A JP S60237349 A JPS60237349 A JP S60237349A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、物質の原子レベルの構造を解析するための螢
光Ｘ線構造解析装置に係り、特に基板上に形成されたア
モルファス薄膜の構造解析に好適な螢光Ｘ線構造解析装
置に関する。
光Ｘ線構造解析装置に係り、特に基板上に形成されたア
モルファス薄膜の構造解析に好適な螢光Ｘ線構造解析装
置に関する。
螢光Ｘ線構造解析装置というのは、Ｘ線源からある範囲
で波長を変化させながら試料にＸ線を照射し、その照射
により発生する螢光Ｘ線を観測することによって、対象
物体の構造解析を行うものである。Ｘ線源としては電子
ビーム励起型Ｘ線発生装置がよく用いられるが、この場
合には主に電子ビームの対陰極内での制動輻射忙よる強
度の小さな連続スペクトルのＸ線をＸ線源として利用す
るため、高感度なＸ線光学系により装置を構成している
。ところが、電子ビ−ム励起型Ｘｆ５！発生装置からは
、上記の強度の小さい連続Ｘ線の他に強度が非常に大き
な特性Ｘ線（線スペクトル）も同蒔に発生しており、こ
のために特性Ｘ線波長に対しては、Ｘ線測定装置の入力
Ｘ線強度があまりに大きいために測定精度が著しく悪化
する。このため、従来は連続スペクトルによる測定を終
えたのち、Ｘ線発生装置への投入電力を低下させ再測定
するという方法をとっていた。また、従来の装置はＸ線
単色器により一定のエネルギー（あるいは波長）の間隔
でＸ線波長を変化させて走査を行っていたが、低エネル
ギー領域で十分な分解能が得られるようにエネルギー間
隔を設定すると、高エネルギー領域ではエネルギー間隔
が不必要に小さくなり、余分な測定点が多くなって測定
に長時間を要し、装置の安定性からデータの信頼性にも
問題を生じていた。
で波長を変化させながら試料にＸ線を照射し、その照射
により発生する螢光Ｘ線を観測することによって、対象
物体の構造解析を行うものである。Ｘ線源としては電子
ビーム励起型Ｘ線発生装置がよく用いられるが、この場
合には主に電子ビームの対陰極内での制動輻射忙よる強
度の小さな連続スペクトルのＸ線をＸ線源として利用す
るため、高感度なＸ線光学系により装置を構成している
。ところが、電子ビ−ム励起型Ｘｆ５！発生装置からは
、上記の強度の小さい連続Ｘ線の他に強度が非常に大き
な特性Ｘ線（線スペクトル）も同蒔に発生しており、こ
のために特性Ｘ線波長に対しては、Ｘ線測定装置の入力
Ｘ線強度があまりに大きいために測定精度が著しく悪化
する。このため、従来は連続スペクトルによる測定を終
えたのち、Ｘ線発生装置への投入電力を低下させ再測定
するという方法をとっていた。また、従来の装置はＸ線
単色器により一定のエネルギー（あるいは波長）の間隔
でＸ線波長を変化させて走査を行っていたが、低エネル
ギー領域で十分な分解能が得られるようにエネルギー間
隔を設定すると、高エネルギー領域ではエネルギー間隔
が不必要に小さくなり、余分な測定点が多くなって測定
に長時間を要し、装置の安定性からデータの信頼性にも
問題を生じていた。
本発明の目的は、電子ビーム励起型Ｘ線虫発生装置を用
いながらも、再測定や長時間測定を必要とせず、短時間
で精度良く測定が行える螢光Ｘ線構造解析装置を提供す
ることにある。
いながらも、再測定や長時間測定を必要とせず、短時間
で精度良く測定が行える螢光Ｘ線構造解析装置を提供す
ることにある。
本発明は、試料への入射Ｘ線強度を減衰させる可変フィ
ルタを設け、試料へ入射するＸ線強度を計測しとその強
度がＸ線強度測定装置の測定精度が悪化しない範囲内に
入るように上記可変フィルタを自動調整する機構を設け
るとともに、試料から放射された螢光データの処理時に
は試料内部の散乱電子波の波数を単位としたスペクトル
に変換して解析が行われることに着目し、入射Ｘ線波長
の走査ステップ幅を従来の一定エネルギー幅ではなく、
一定波数幅ステップで行うよう圧したことを特徴とする
ものである。
ルタを設け、試料へ入射するＸ線強度を計測しとその強
度がＸ線強度測定装置の測定精度が悪化しない範囲内に
入るように上記可変フィルタを自動調整する機構を設け
るとともに、試料から放射された螢光データの処理時に
は試料内部の散乱電子波の波数を単位としたスペクトル
に変換して解析が行われることに着目し、入射Ｘ線波長
の走査ステップ幅を従来の一定エネルギー幅ではなく、
一定波数幅ステップで行うよう圧したことを特徴とする
ものである。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第１
図は本実施例の螢光Ｘ線構造解析装置に用いた分光収束
型湾曲結晶の動作原理を示す。結晶によるＸ線の回折は
ブラッグの法則により、次式のように規定される。
図は本実施例の螢光Ｘ線構造解析装置に用いた分光収束
型湾曲結晶の動作原理を示す。結晶によるＸ線の回折は
ブラッグの法則により、次式のように規定される。
２ｄＩｄｆｌθ＝ｎλ 曲間・曲・聞（１）ここで、ｄ
は結晶面の面間隔、θは回折に寄与する結晶面と入射Ｘ
線の成す回折角、λは回折されるＸ線の波長、ｎは回折
の次数（整数）である。
は結晶面の面間隔、θは回折に寄与する結晶面と入射Ｘ
線の成す回折角、λは回折されるＸ線の波長、ｎは回折
の次数（整数）である。
いま、第１図に示すように分光結晶Ｃの格子面を半径２
Ｒの円に沿うよう機械的に湾曲させ、結晶の内側を半径
Ｒに沿うように整形すると、Ｘ＃源Ｓからの発散Ｘ１１
！のうち、結晶Ｃに到達しかつ式（１）の条件を満たす
波長のＸ線のみが、半径Ｒの同一円周上にあるＡＰに収
束する。したがって、この点Ｐにスリットを設置すれば
、スリットを通過するＸ線のエネルギーＥは電磁波の波
長とエネルギーの関係から次式に示す形で表わされる。
Ｒの円に沿うよう機械的に湾曲させ、結晶の内側を半径
Ｒに沿うように整形すると、Ｘ＃源Ｓからの発散Ｘ１１
！のうち、結晶Ｃに到達しかつ式（１）の条件を満たす
波長のＸ線のみが、半径Ｒの同一円周上にあるＡＰに収
束する。したがって、この点Ｐにスリットを設置すれば
、スリットを通過するＸ線のエネルギーＥは電磁波の波
長とエネルギーの関係から次式に示す形で表わされる。
ここに、Ｊ 、ｃはそれぞれブランク定数、光速度であ
る。式（２）に於いて、ｎ＝１のものを基本波、ｎ≧２
のものを高調波と呼ぶが、分光結晶の材質と結晶構造、
面指数を適当に選択することにより、ｎ＝１のときの回
折だけが強く起こり、ｎ≧２の回折は微弱なように設定
することができ、単色のＸ線をＰに収束させることが可
能であり、所望のＸ線を収束して用いることができる。
る。式（２）に於いて、ｎ＝１のものを基本波、ｎ≧２
のものを高調波と呼ぶが、分光結晶の材質と結晶構造、
面指数を適当に選択することにより、ｎ＝１のときの回
折だけが強く起こり、ｎ≧２の回折は微弱なように設定
することができ、単色のＸ線をＰに収束させることが可
能であり、所望のＸ線を収束して用いることができる。
従って、ｄ、θ等の異る分光結晶を種々とり換えてやれ
ば波長（エネルギー）を種々変えて螢光測定を行える。
ば波長（エネルギー）を種々変えて螢光測定を行える。
ところが、Ｘ線源Ｓに電子ビーム励起型Ｘ＃発生装置を
用いると、前述のように強度が小さい連続Ｘ線の他に強
度（単位時間あたりのカウント数）の大きな特別なエネ
ルギー（波長）のＸ線が結晶Ｃに入射する。そのため、
第２図にタングステン（Ｗ）を対陰極材として用いた例
に示すように、スリットを通過するＸ線の強度も著しい
変動をし、このため従来装置でのべたようにＸ線発生装
置への投入電力を大幅に減じての再測定が必要であった
。なお、大きな強度を持つ特性Ｘ線（Ｘ線の線スペクト
ル）は、対陰極に用いる金属の材料により決まるもので
、対陰極の材料の原子番号に小さなものを選択すればあ
る程度この特性Ｘ線の強度を小さくすることも可能だが
、原子番号を小さくすると連続Ｘ線の強度まで小さくな
るため、本質的に回避することは不可能である。
用いると、前述のように強度が小さい連続Ｘ線の他に強
度（単位時間あたりのカウント数）の大きな特別なエネ
ルギー（波長）のＸ線が結晶Ｃに入射する。そのため、
第２図にタングステン（Ｗ）を対陰極材として用いた例
に示すように、スリットを通過するＸ線の強度も著しい
変動をし、このため従来装置でのべたようにＸ線発生装
置への投入電力を大幅に減じての再測定が必要であった
。なお、大きな強度を持つ特性Ｘ線（Ｘ線の線スペクト
ル）は、対陰極に用いる金属の材料により決まるもので
、対陰極の材料の原子番号に小さなものを選択すればあ
る程度この特性Ｘ線の強度を小さくすることも可能だが
、原子番号を小さくすると連続Ｘ線の強度まで小さくな
るため、本質的に回避することは不可能である。
そこで、本発明ではその実施例としての第３図に示すよ
うな装置構成によって、Ｘ線測定装置系の精度を落とす
ことなく、また再測定することなく全測定範囲を自動測
定できるようにし、また不要な測定点を除去して測定所
要時間を短縮したものである。第３図に於て、Ｘ線源１
で発生したＸ線は真空ポンプ１２により真空排気された
Ｘ線経路２を通り分光収束結晶室３内に配置された結晶
７により反射され、第１１図で説明したように所望のエ
ネルギー（波長）のＸ線が選択されてＸ線減衰用フィル
タ６ａを設置したフィルタ選択機６、スリット１３を通
して試料室１９内の試料１５を照射する。ここで、フィ
ルタ６ａは所望の測定エネルギー（波長）範囲において
Ｘ線強度を一枚で約１１５にするものとし、フィルタ選
択機６の４個の穴に対して、それぞれ上記のフィルタを
０枚、１枚、２枚、６枚重ねて設定しておき、Ｘ線強度
調整機構９により上記穴の位置を選択し適切なＸ線強度
を選択できるようにしている。Ｘ線のエネルギー（波長
）は式（２）により決定されるが、本実施例では、回折
角θを結晶位置制御装置４、スリット及び試料位置制御
装置５により決定し、結晶の面間隔ｄは結晶交換機構８
により分光収束結晶７を選択することによって決定し、
これらθとｄにより所望のＸ線エネルギー（波長）を得
ている。
うな装置構成によって、Ｘ線測定装置系の精度を落とす
ことなく、また再測定することなく全測定範囲を自動測
定できるようにし、また不要な測定点を除去して測定所
要時間を短縮したものである。第３図に於て、Ｘ線源１
で発生したＸ線は真空ポンプ１２により真空排気された
Ｘ線経路２を通り分光収束結晶室３内に配置された結晶
７により反射され、第１１図で説明したように所望のエ
ネルギー（波長）のＸ線が選択されてＸ線減衰用フィル
タ６ａを設置したフィルタ選択機６、スリット１３を通
して試料室１９内の試料１５を照射する。ここで、フィ
ルタ６ａは所望の測定エネルギー（波長）範囲において
Ｘ線強度を一枚で約１１５にするものとし、フィルタ選
択機６の４個の穴に対して、それぞれ上記のフィルタを
０枚、１枚、２枚、６枚重ねて設定しておき、Ｘ線強度
調整機構９により上記穴の位置を選択し適切なＸ線強度
を選択できるようにしている。Ｘ線のエネルギー（波長
）は式（２）により決定されるが、本実施例では、回折
角θを結晶位置制御装置４、スリット及び試料位置制御
装置５により決定し、結晶の面間隔ｄは結晶交換機構８
により分光収束結晶７を選択することによって決定し、
これらθとｄにより所望のＸ線エネルギー（波長）を得
ている。
試料１５を照射するＸ線の強度は入射Ｘ線強度測定用カ
ウンタ１４で測定され、試料１５から発生する螢光Ｘ線
の強度は螢光Ｘ線強度測定用カウンタ１６で測定される
。これら測定値はインターフェース１７全通し、データ
処理装置１８に伝送され螢光Ｘ線スペクトルが解析され
、また自動測定のための各部の制御が行われる。
ウンタ１４で測定され、試料１５から発生する螢光Ｘ線
の強度は螢光Ｘ線強度測定用カウンタ１６で測定される
。これら測定値はインターフェース１７全通し、データ
処理装置１８に伝送され螢光Ｘ線スペクトルが解析され
、また自動測定のための各部の制御が行われる。
第４図は、上記の装置の制御方法を示すフローチャート
であって、まずステップ１００ではＸ線のエネルギーＥ
（波長）を決定する。この決定方法は後に詳述すること
とし、ここではある値Ｅに設定されたとする。続いて、
ステップＩＱ１ではフィルタ選択機６を、フィルタの１
枚も入っていない穴をＸ線が通過する位置にセットする
。（この位置を初期状態としてリセットするという）。
であって、まずステップ１００ではＸ線のエネルギーＥ
（波長）を決定する。この決定方法は後に詳述すること
とし、ここではある値Ｅに設定されたとする。続いて、
ステップＩＱ１ではフィルタ選択機６を、フィルタの１
枚も入っていない穴をＸ線が通過する位置にセットする
。（この位置を初期状態としてリセットするという）。
ステップ１０２では、各Ｘ線の強度を１／ｍ秒間測定す
る。即ち、カウンタ１４で入射Ｘ＃強度Ｉｏ１ を測定
し、カウンタ１６で螢光Ｘ線強度１．を測定する。但し
、１／ｍ秒というのは入射Ｘ線強度Ｉｏ＋の計数値が十
分な精度で得られる時間きする。続いてステップ１０３
では、今測定した入射Ｘ＃強度Ｉ０１が測定精度を悪化
させない最大Ｘ線強度をこえていないかどうかをしらべ
る。今Ｘ線強度測定用カウンタｉ４ 、１６としてガス
フロー型比例計数装置を用いるものとすると、上記の最
大Ｘ線強度は約２万カウント／秒であるから、１７ｍ秒
間のカウント数ＩｏＸが２万／ｍカウント以下なら測定
が可能なので、フィルター選択機６はそのままで次へ進
める。従ってＸ線源の連続スペクトル部分の強度とステ
ップ１０２の計数時間１／ｍ秒はこの条件を満している
ように設定しておくと、Ｘ線源から大きな強度をもつ特
性Ｘ線（線スペクトル）が出ていないエネルギーＥがス
テップ１００で選択されている時はステップ１０４へ戻
ることはないが、線スペクトルのエネルギーが選択され
た時はステップ１０３の条件が通常は満されず、従って
ステップ１０４へ戻り、ここでフィルタ６ａを１枚だけ
入射Ｘ線が通過するように調整機構９へ指令を出してフ
ィルタ選択機６を駆動する。これによって入射Ｘ線強度
は１１５倍になり、この状態でステップ１０２ 、１０
３を再び実行し、まだステップ１０３の条件が満されて
いない時は再びステップ１０４へ戻ってフィルタ６ａを
２枚とする。このようにすると入射Ｘ線強度は最大（１
１５）’ ＝１／６２５倍（４枚の時）にまで減衰させ
ることができるから、通常の特性Ｘ線の場合も確実にス
テップ１０３の条件を満す強度、つまり測定可能な強度
にして次のステップ１０５へ進むことができる。ステッ
プ１０５では、再度入射Ｘ線強度Ｉ０２とその時の螢光
Ｘ線強度ＩＩをカウンタ１４ 、１６でＩｒ／（ｍＬ＋
）秒間カウントする。
る。即ち、カウンタ１４で入射Ｘ＃強度Ｉｏ１ を測定
し、カウンタ１６で螢光Ｘ線強度１．を測定する。但し
、１／ｍ秒というのは入射Ｘ線強度Ｉｏ＋の計数値が十
分な精度で得られる時間きする。続いてステップ１０３
では、今測定した入射Ｘ＃強度Ｉ０１が測定精度を悪化
させない最大Ｘ線強度をこえていないかどうかをしらべ
る。今Ｘ線強度測定用カウンタｉ４ 、１６としてガス
フロー型比例計数装置を用いるものとすると、上記の最
大Ｘ線強度は約２万カウント／秒であるから、１７ｍ秒
間のカウント数ＩｏＸが２万／ｍカウント以下なら測定
が可能なので、フィルター選択機６はそのままで次へ進
める。従ってＸ線源の連続スペクトル部分の強度とステ
ップ１０２の計数時間１／ｍ秒はこの条件を満している
ように設定しておくと、Ｘ線源から大きな強度をもつ特
性Ｘ線（線スペクトル）が出ていないエネルギーＥがス
テップ１００で選択されている時はステップ１０４へ戻
ることはないが、線スペクトルのエネルギーが選択され
た時はステップ１０３の条件が通常は満されず、従って
ステップ１０４へ戻り、ここでフィルタ６ａを１枚だけ
入射Ｘ線が通過するように調整機構９へ指令を出してフ
ィルタ選択機６を駆動する。これによって入射Ｘ線強度
は１１５倍になり、この状態でステップ１０２ 、１０
３を再び実行し、まだステップ１０３の条件が満されて
いない時は再びステップ１０４へ戻ってフィルタ６ａを
２枚とする。このようにすると入射Ｘ線強度は最大（１
１５）’ ＝１／６２５倍（４枚の時）にまで減衰させ
ることができるから、通常の特性Ｘ線の場合も確実にス
テップ１０３の条件を満す強度、つまり測定可能な強度
にして次のステップ１０５へ進むことができる。ステッ
プ１０５では、再度入射Ｘ線強度Ｉ０２とその時の螢光
Ｘ線強度ＩＩをカウンタ１４ 、１６でＩｒ／（ｍＬ＋
）秒間カウントする。
ここでＩｒは十分な精度で螢光Ｘ線強度を測定するに必
要なカウンタ１６のカウント数である。通常入射Ｘ線強
度より螢光Ｘ線強度の方が小さいから、ステップ１０２
で得たＸ線強度Ｉ、はトより小さく、従ってステップ１
０５でＩｒ ／ （ｍＩ １）秒間（１／ｍ秒より大）
更めて計測すると、計数値が計測時間に比例することか
らカウンタ１６出力はＩｒ以上となり螢光Ｘ線強度が十
分な精度で測定される。以上で結局カウンタ１４は入射
Ｘ線強度をステップ１０２と１０５でて−（１＋Ｉｒ／
ｘ１）／ｍ秒間カウントして合計Ｉｏ＋ ＋ ＩＯ２な
る強度（カウント数）を得、カウンタ１６は同時間１秒
間カウントして合計Ｉ＋＋Ｉ２なる螢光Ｘ線強度（カウ
ント数）を得たことになる。そこでこの入射強度に対す
る螢光Ｘ線強度の比、即ち目的とするエネルギーＥに於
る螢光Ｘ線収率Ｘ （Ｅ） ＝’（１１＋Ｉ２ ） ／
（ＩＯ１＋ＩＯ２）をステップ１０６で算出する。続
いてステップ１０７では所要のエネルギー範囲での計測
が終了したか否かをしらべ、まだならステップ１００へ
もどり、エネルギーＥを変化させて９下のステップを実
行する。以上のように特性Ｘ線の強度をフィルタにより
高精度測定可能な値にまで自動的に減衰させてから測定
を行うので、各エネルギーに対する測定を−通り実行す
るだけで所要の螢光Ｘ線収率をめることができる。
要なカウンタ１６のカウント数である。通常入射Ｘ線強
度より螢光Ｘ線強度の方が小さいから、ステップ１０２
で得たＸ線強度Ｉ、はトより小さく、従ってステップ１
０５でＩｒ ／ （ｍＩ １）秒間（１／ｍ秒より大）
更めて計測すると、計数値が計測時間に比例することか
らカウンタ１６出力はＩｒ以上となり螢光Ｘ線強度が十
分な精度で測定される。以上で結局カウンタ１４は入射
Ｘ線強度をステップ１０２と１０５でて−（１＋Ｉｒ／
ｘ１）／ｍ秒間カウントして合計Ｉｏ＋ ＋ ＩＯ２な
る強度（カウント数）を得、カウンタ１６は同時間１秒
間カウントして合計Ｉ＋＋Ｉ２なる螢光Ｘ線強度（カウ
ント数）を得たことになる。そこでこの入射強度に対す
る螢光Ｘ線強度の比、即ち目的とするエネルギーＥに於
る螢光Ｘ線収率Ｘ （Ｅ） ＝’（１１＋Ｉ２ ） ／
（ＩＯ１＋ＩＯ２）をステップ１０６で算出する。続
いてステップ１０７では所要のエネルギー範囲での計測
が終了したか否かをしらべ、まだならステップ１００へ
もどり、エネルギーＥを変化させて９下のステップを実
行する。以上のように特性Ｘ線の強度をフィルタにより
高精度測定可能な値にまで自動的に減衰させてから測定
を行うので、各エネルギーに対する測定を−通り実行す
るだけで所要の螢光Ｘ線収率をめることができる。
次に第４図のステップ１００に於るＸ線のエネルギー（
波長）Ｅの選択方法について述べる。
波長）Ｅの選択方法について述べる。
螢光Ｘ線構造解析は特定元素の螢光励起エネルギーより
高エネルギー制約１ ｋｅＶ間の螢光収率スペクトルＸ
（Ｅ）を用いて行われる。これは、特定元素を中心と
して発生する物質内の低速電子球面波が周囲の元素によ
り散乱されることにより生ずる螢光収率の変化をフーリ
エ変換して動径分布をめることであり、実際の解析では
低速電子球面波の波数Ｒを単位として解析される。従っ
て螢光収率スペクトルＸ （Ｅ’ｌは、この波数Ｒを等
間隔で変化させながら測定すれは必要なデータが得られ
る。ところが波数Ｒは、特定元素の螢光励起エネルギー
をＥＯ１電子の静止質量をｍｅとした時、エネルギーＥ
との間に次の関係がある。
高エネルギー制約１ ｋｅＶ間の螢光収率スペクトルＸ
（Ｅ）を用いて行われる。これは、特定元素を中心と
して発生する物質内の低速電子球面波が周囲の元素によ
り散乱されることにより生ずる螢光収率の変化をフーリ
エ変換して動径分布をめることであり、実際の解析では
低速電子球面波の波数Ｒを単位として解析される。従っ
て螢光収率スペクトルＸ （Ｅ’ｌは、この波数Ｒを等
間隔で変化させながら測定すれは必要なデータが得られ
る。ところが波数Ｒは、特定元素の螢光励起エネルギー
をＥＯ１電子の静止質量をｍｅとした時、エネルギーＥ
との間に次の関係がある。
したがって、波数ＲとエネルギーＥとは比例関係ではな
く、Ｒを等間隔でＲ１，Ｒ２，・・・とした時エネルギ
ーＥもＥＩ＋ Ｅ２・・・と変化するが、こちらの方は
等間隔にはならない。例えばＥＯ＝ １８３５ｅＶ（Ｓ
ｉの螢光Ｘ線励起エネルギー）とし、波数Ｒの間隔をΔ
Ｒ＝０．０３ とすると、Ｒ＝２．８ （Ｅ ＝Ｅ。
く、Ｒを等間隔でＲ１，Ｒ２，・・・とした時エネルギ
ーＥもＥＩ＋ Ｅ２・・・と変化するが、こちらの方は
等間隔にはならない。例えばＥＯ＝ １８３５ｅＶ（Ｓ
ｉの螢光Ｘ線励起エネルギー）とし、波数Ｒの間隔をΔ
Ｒ＝０．０３ とすると、Ｒ＝２．８ （Ｅ ＝Ｅ。
十３０ｅＶ）付近でのΔＥは０７ｅｖ、Ｒ−１６（Ｅ＝
ＥＯ十１０００ ｅＶ ）付近でのΔＥは４．１ ｅＶ
となる。したがってΔＲ＝０．０５の間隔を維持するに
は定エネルギー間隔で走査する従来装置の場合はΔＥ＝
０．７ ｅＶ程度で一定値としなければならない。と
ころがこれではＲ＝１６付近の高エネルギー領域では所
要間隔４．１ ｅＶの約１／６の間隔で測定を行うこと
になる。これを測定点の数で言えはΔＥ ＝＝ ０．７
６Ｖの定ΔＥ測定では測定点約１４００に対し、ΔＲ＝
０．０３の定Δλ測定では測定点４４０で同等精度の測
定が出来ることを意味する。従って本発明では、第４図
のステップ１００に於るエネルギＥの設定値を次のよう
にして定める。即ち波数Ｒの値を等間隔でＲＩＩ＋ Ｒ
２ｒ・・・＋Ｒ１＋・・・と定めておく。式（２）。
ＥＯ十１０００ ｅＶ ）付近でのΔＥは４．１ ｅＶ
となる。したがってΔＲ＝０．０５の間隔を維持するに
は定エネルギー間隔で走査する従来装置の場合はΔＥ＝
０．７ ｅＶ程度で一定値としなければならない。と
ころがこれではＲ＝１６付近の高エネルギー領域では所
要間隔４．１ ｅＶの約１／６の間隔で測定を行うこと
になる。これを測定点の数で言えはΔＥ ＝＝ ０．７
６Ｖの定ΔＥ測定では測定点約１４００に対し、ΔＲ＝
０．０３の定Δλ測定では測定点４４０で同等精度の測
定が出来ることを意味する。従って本発明では、第４図
のステップ１００に於るエネルギＥの設定値を次のよう
にして定める。即ち波数Ｒの値を等間隔でＲＩＩ＋ Ｒ
２ｒ・・・＋Ｒ１＋・・・と定めておく。式（２）。
（３）から、
Ｅ−暑シー（午）２＋Ｅｏ・・・・・・・・（４）とな
るので、この式の右辺のＲにＲ１＋ １ ”’ ＋ ２
＋・・を代入して得たエネルギーＥｉをめ（ｍ、 、’
＊ Ｅ。
るので、この式の右辺のＲにＲ１＋ １ ”’ ＋ ２
＋・・を代入して得たエネルギーＥｉをめ（ｍ、 、’
＊ Ｅ。
は定数で予め与えられている）、このエネルギＥｌ ＋
１−’ Ｌ２ 、・・・が得られるように第６図の結
晶位置制御装置４、スリット及び試料位置制御装置５、
結晶交換機構８を制御して回折角θ、結晶の面間隔ｄを
設定する。このように波数Ｒが等間隔になるようにＸ線
エネルギーＥを選択して走査することにより、測定点の
個数を上記の例では４４０ ／ １４００キ１／３に減
少させることができる。
１−’ Ｌ２ 、・・・が得られるように第６図の結
晶位置制御装置４、スリット及び試料位置制御装置５、
結晶交換機構８を制御して回折角θ、結晶の面間隔ｄを
設定する。このように波数Ｒが等間隔になるようにＸ線
エネルギーＥを選択して走査することにより、測定点の
個数を上記の例では４４０ ／ １４００キ１／３に減
少させることができる。
本発明によれば、電子ビーム励起型Ｘ線源を用いても、
特性Ｘ線に対する再測定を必要とせず、また所要の測定
精度に必要な最小限の測定点のみで螢光Ｘ線収率を測定
するから、測定時間を従来より大幅に減少させることが
できるという効果がある。
特性Ｘ線に対する再測定を必要とせず、また所要の測定
精度に必要な最小限の測定点のみで螢光Ｘ線収率を測定
するから、測定時間を従来より大幅に減少させることが
できるという効果がある。
第１図は発散Ｘ線を分光かつ収束させるだめの分光結晶
の説明図、第２図は電子ビーム励起型Ｘ線のスペクトル
例を示す図、第３図は本発明の一実施例を示す図、第４
図は第３図の実施例に於る入射Ｘｉ強度調整方法及び測
定方法を示すフローチャートである。 １・・・Ｘ線源、 ４・・・結晶位置制御装置、５・・
・スリット及び試料位置制御装置、６・・・フィルタ選
択機、７・・・分光収束結晶、８・・・結晶交換機構、 ９・・・Ｘ線強度調整機構、 １３・・・スリット、 １４・・・入射Ｘ線強度測定カウンタ、１５・・・試料
、 １６・・・螢光Ｘ線強度測定カウンタ、１８・・・デー
タ処理装置。 第 １ 図 ７ 揶 ２ 図 ブ友菱（Ａｏ） 第 ３ 図 第４ 図
の説明図、第２図は電子ビーム励起型Ｘ線のスペクトル
例を示す図、第３図は本発明の一実施例を示す図、第４
図は第３図の実施例に於る入射Ｘｉ強度調整方法及び測
定方法を示すフローチャートである。 １・・・Ｘ線源、 ４・・・結晶位置制御装置、５・・
・スリット及び試料位置制御装置、６・・・フィルタ選
択機、７・・・分光収束結晶、８・・・結晶交換機構、 ９・・・Ｘ線強度調整機構、 １３・・・スリット、 １４・・・入射Ｘ線強度測定カウンタ、１５・・・試料
、 １６・・・螢光Ｘ線強度測定カウンタ、１８・・・デー
タ処理装置。 第 １ 図 ７ 揶 ２ 図 ブ友菱（Ａｏ） 第 ３ 図 第４ 図
Claims (1)
- Ｘ線が入射され九時忙試料内に発生する低速電子球面波
の波数が予め定められた一定ステップ幅で変化するよう
に入射Ｘ線の波長を一測定点毎に決定する入射Ｘ線波長
決定手段と、Ｘ線発生装置から出力されるＸ線のうち上
記入射Ｘ＠波長決定手段により決定された波長のＸ、Ｉ
Ｊのみを選択入射Ｘ＠として試料へ照射するように制御
する入射Ｘ線波長制御手段と、上記選択入射Ｘ線の強度
を計測する第１計測手段と、上記選択入射Ｘ線の強度を
減衰させるためのその減衰率が、可変設定可能なフィル
タと、上記第１計測手段の計測値が予め定められた基準
強度内の値になるように上記フィルタの減衰率を制御す
るＸ線強度制御手段と、上記選択入射Ｘ線対応に試料か
ら放射される螢光Ｘ線強度を計測する第２計測手段と、
上記第１及び第２計測手段によるＸ線強度計測値から試
料の螢光Ｘ線収率を算出する演算手段とを備えたことを
特徴とする螢光Ｘ線構造解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9284484A JPS60237349A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 螢光ｘ線構造解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9284484A JPS60237349A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 螢光ｘ線構造解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60237349A true JPS60237349A (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=14065741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9284484A Pending JPS60237349A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 螢光ｘ線構造解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60237349A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6238350A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-19 | Hitachi Ltd | 高精度けい光収率測定装置 |
| JPH08334480A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Sony Corp | 蛍光ｘ線分析装置 |
| JPH10192265A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-28 | Aloka Co Ltd | Ｘ線測定装置 |
| CN106093095A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-11-09 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种全视场x射线荧光成像系统及成像方法 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP9284484A patent/JPS60237349A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6238350A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-19 | Hitachi Ltd | 高精度けい光収率測定装置 |
| JPH08334480A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Sony Corp | 蛍光ｘ線分析装置 |
| JPH10192265A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-28 | Aloka Co Ltd | Ｘ線測定装置 |
| CN106093095A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-11-09 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种全视场x射线荧光成像系统及成像方法 |
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