JPS60237626A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60237626A JPS60237626A JP9396884A JP9396884A JPS60237626A JP S60237626 A JPS60237626 A JP S60237626A JP 9396884 A JP9396884 A JP 9396884A JP 9396884 A JP9396884 A JP 9396884A JP S60237626 A JPS60237626 A JP S60237626A
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- JP
- Japan
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- electrode
- co2o3
- cobalt
- voltage
- recording medium
- Prior art date
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野および目的〕
この発明はコバルトもしくはコバルトを含む強磁性材か
らなる強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体に
関し、その目的とするところは、耐食性に優れた前記の
磁気記録媒体を提供することにある。
らなる強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体に
関し、その目的とするところは、耐食性に優れた前記の
磁気記録媒体を提供することにある。
コバルトもしくはコバルトを含む強磁性材からなる強磁
性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、通常
、コバルトもしくはコバルト合金などを真空蒸着等によ
って基体フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に
適した特性を有するが、反面空気中の酸素によって酸化
され易く、この酸化によって最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。
性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、通常
、コバルトもしくはコバルト合金などを真空蒸着等によ
って基体フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に
適した特性を有するが、反面空気中の酸素によって酸化
され易く、この酸化によって最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。
このため、従来からこの種のコバルトもしくはコバルト
を含む強磁性材からなる強磁性金属薄膜層表面を酸化す
るなどして耐食性を改善することが行われており、コバ
ルトを含む強磁性金属薄膜層表面を酸素プラズマ中にさ
らすなどしてＣｏ。
を含む強磁性材からなる強磁性金属薄膜層表面を酸化す
るなどして耐食性を改善することが行われており、コバ
ルトを含む強磁性金属薄膜層表面を酸素プラズマ中にさ
らすなどしてＣｏ。
とＣｏ３Ｏ４とからなる保護層を設けたもの（特開昭５
８−４１４３９号）が提案されているが、この方法で形
成された保護層は不安定なＣｏｏやＣｏ３Ｏ４からなり
、Ｃｏｏを含むためさらに酸化が進行するという難点が
あり、未だ充分に満足できる結果は得られていない。
８−４１４３９号）が提案されているが、この方法で形
成された保護層は不安定なＣｏｏやＣｏ３Ｏ４からなり
、Ｃｏｏを含むためさらに酸化が進行するという難点が
あり、未だ充分に満足できる結果は得られていない。
この発明は、かかる現状に鑑み種々検討を行った結果、
基体上に形成したコバルトもしくはコバルトを含む強磁
性材からなる強磁性金属薄膜層の表面を極めて強いプラ
ズマ電位でもってプラズマＭ化し、コバルトを３価のコ
バルトの酸化物にまで酸化して極めて安定なＣｏ２Ｏ３
からなる保護層を形成すると、耐食性が充分に向上され
た磁気記録媒体が得られることを見いだしてなされたも
ので、ｃ’ｏ２ｏ３からなるコバルト酸化物の保護層を
コバルトもしくはコバルトを含む強磁性材からなる強磁
性金属薄膜層の表面に設けたことを特徴とするものであ
る。
基体上に形成したコバルトもしくはコバルトを含む強磁
性材からなる強磁性金属薄膜層の表面を極めて強いプラ
ズマ電位でもってプラズマＭ化し、コバルトを３価のコ
バルトの酸化物にまで酸化して極めて安定なＣｏ２Ｏ３
からなる保護層を形成すると、耐食性が充分に向上され
た磁気記録媒体が得られることを見いだしてなされたも
ので、ｃ’ｏ２ｏ３からなるコバルト酸化物の保護層を
コバルトもしくはコバルトを含む強磁性材からなる強磁
性金属薄膜層の表面に設けたことを特徴とするものであ
る。
この発明において、コバルトもしくはコバルトを含む強
磁性材からなる強磁性金属薄膜層表面のＣｏ２Ｏ３から
なる保護層の形成は、コバルトもしくはコバルトを含む
強磁性材からなる強磁性金属薄膜層を形成した基体を、
プラズマ発生用電極を備えたプラズマ処理装置にプラズ
マ発生用電極と対向させて装填するとともに、装填した
基体の近傍にさらに電極を配設し、この基体の近傍に配
設した電極に電圧を印加しながらプラズマ酸化すること
によって行われる。このようなプラズマ酸化が行われる
と、従来はアース電位であった強磁性金属薄膜層表面に
電圧を印加したのと同し効果が発揮されて、極めて強い
プラズマ電位でもってプラズマ酸化が迅速かつ良好に行
われ、強磁性金属薄膜層表面のコバルトが３価のコバル
トの酸化物になるまで酸化されて、極めて安定なＣｏ２
Ｏ３からなる保護層が形成され、耐食性が充分に向上さ
れた磁気記録媒体が得られる。
磁性材からなる強磁性金属薄膜層表面のＣｏ２Ｏ３から
なる保護層の形成は、コバルトもしくはコバルトを含む
強磁性材からなる強磁性金属薄膜層を形成した基体を、
プラズマ発生用電極を備えたプラズマ処理装置にプラズ
マ発生用電極と対向させて装填するとともに、装填した
基体の近傍にさらに電極を配設し、この基体の近傍に配
設した電極に電圧を印加しながらプラズマ酸化すること
によって行われる。このようなプラズマ酸化が行われる
と、従来はアース電位であった強磁性金属薄膜層表面に
電圧を印加したのと同し効果が発揮されて、極めて強い
プラズマ電位でもってプラズマ酸化が迅速かつ良好に行
われ、強磁性金属薄膜層表面のコバルトが３価のコバル
トの酸化物になるまで酸化されて、極めて安定なＣｏ２
Ｏ３からなる保護層が形成され、耐食性が充分に向上さ
れた磁気記録媒体が得られる。
以下、図面を参照しながらこの発明について説明する。
第１図は、コバルトもしくはコバルトを含む強磁性材か
らなる強磁性金属薄膜層表面に、Ｃｏ ２０３からなる
保護層を形成する際、使用するプラズマ処理装置の１例
を示したものであり、１は真空槽でこの真空槽重の内部
は排気系２により排気されて真空に保持される。３は真
空槽ｌの中央部に配設された円筒状キャンであり、コバ
ルトもしくはコバルトを含む強磁性材からなる強磁性金
属薄膜層を形成したポリエステルフィルム４は、原反ロ
ール５よりガイドロール６を介してこの円筒状キャン３
の周側面に沿って移動し、ガイドロール７を介して巻き
取りロール８に巻き取られる。
らなる強磁性金属薄膜層表面に、Ｃｏ ２０３からなる
保護層を形成する際、使用するプラズマ処理装置の１例
を示したものであり、１は真空槽でこの真空槽重の内部
は排気系２により排気されて真空に保持される。３は真
空槽ｌの中央部に配設された円筒状キャンであり、コバ
ルトもしくはコバルトを含む強磁性材からなる強磁性金
属薄膜層を形成したポリエステルフィルム４は、原反ロ
ール５よりガイドロール６を介してこの円筒状キャン３
の周側面に沿って移動し、ガイドロール７を介して巻き
取りロール８に巻き取られる。
この間真空槽１に取り、つけたガス導入管９から酸素ガ
スが導入される一方、円筒状キャン３の周側面に沿って
移動するポリエステルフィルム４に対向して真空槽１の
下部に配設されたプラズマ発生用交流電極１０に電圧が
印加され、同時に、円筒状キャン３の極く近傍直下に配
設された直流電極１１に電圧が印加されてプラズマ酸化
が行われる。なお、図中１２は交流電源であり、１３は
直流電源である。
スが導入される一方、円筒状キャン３の周側面に沿って
移動するポリエステルフィルム４に対向して真空槽１の
下部に配設されたプラズマ発生用交流電極１０に電圧が
印加され、同時に、円筒状キャン３の極く近傍直下に配
設された直流電極１１に電圧が印加されてプラズマ酸化
が行われる。なお、図中１２は交流電源であり、１３は
直流電源である。
しかしてこのプラズマ処理装置によれば、ガス導入管９
から酸素ガスを導入してプラズマ処理を−行う際、プラ
ズマ発生用交流電極１０でプラズマが化成されると同時
に直流電極ＩＩに電圧が印加され、強磁性金属薄膜層表
面に電圧を印加したのと同じ効果が発揮される。その結
果、極めて強いプラズマ電位でもってイオン化された高
エネルギーの酸素ガスが強磁性金属薄膜層の表面に良好
に侵入して酸化が行われ、表面から緻密な被膜が成長し
、て３価のコバルトの酸化物になるまで酸化されたＣｏ
２Ｏ３からなる保護層が、界面を生しることなく良好に
形成され、一段と耐食性に優れた磁気記録媒体が得られ
る。このようにして形成されるＣｏ２Ｏ３からなる保護
層の層厚は１０〜１００人の範囲内にするのが好ましく
、１ｏ人より薄いと所期の効果が得られないおそれがあ
る。
から酸素ガスを導入してプラズマ処理を−行う際、プラ
ズマ発生用交流電極１０でプラズマが化成されると同時
に直流電極ＩＩに電圧が印加され、強磁性金属薄膜層表
面に電圧を印加したのと同じ効果が発揮される。その結
果、極めて強いプラズマ電位でもってイオン化された高
エネルギーの酸素ガスが強磁性金属薄膜層の表面に良好
に侵入して酸化が行われ、表面から緻密な被膜が成長し
、て３価のコバルトの酸化物になるまで酸化されたＣｏ
２Ｏ３からなる保護層が、界面を生しることなく良好に
形成され、一段と耐食性に優れた磁気記録媒体が得られ
る。このようにして形成されるＣｏ２Ｏ３からなる保護
層の層厚は１０〜１００人の範囲内にするのが好ましく
、１ｏ人より薄いと所期の効果が得られないおそれがあ
る。
円筒状キャン３の極く近傍直下に配設する直流電極１１
は、スパッタされにくいようにステンレス製またはモリ
ブデン製のものが好ましく使用され、また直流電極１１
間を酸素ガスが良好に流通できるように網目状のものが
好ましく使用される。さらに直流電極１１と、円筒状キ
ャン３の周側面に沿って移動する基体４上の強磁性金属
薄膜層表面との距離は、真空槽１内に導入される酸素ガ
スのガス圧によって異なるが、１ｃｍより大きくなると
効果が弱いかもしくは効果がないため、１ｃｍ以内であ
ることが好ましい。
は、スパッタされにくいようにステンレス製またはモリ
ブデン製のものが好ましく使用され、また直流電極１１
間を酸素ガスが良好に流通できるように網目状のものが
好ましく使用される。さらに直流電極１１と、円筒状キ
ャン３の周側面に沿って移動する基体４上の強磁性金属
薄膜層表面との距離は、真空槽１内に導入される酸素ガ
スのガス圧によって異なるが、１ｃｍより大きくなると
効果が弱いかもしくは効果がないため、１ｃｍ以内であ
ることが好ましい。
また、プラズマ発生用電極は交流電極１ｏに限らす、直
流電極もしくは高周波電極の何れを使用してもよく、何
れの電極を使用するかで真空槽ｌ内に導入される酸素ガ
スのガス圧は若干異なるものの、プラズマ酸化を迅速か
つ良好に行うためには、真空槽１内に導入される酸素ガ
スのガス圧をｌＸｌ０’〜０゜３ トールの範囲内にす
るのが好ましく 、０．０３〜０．１トールの範囲内に
するのがより好ましい。
流電極もしくは高周波電極の何れを使用してもよく、何
れの電極を使用するかで真空槽ｌ内に導入される酸素ガ
スのガス圧は若干異なるものの、プラズマ酸化を迅速か
つ良好に行うためには、真空槽１内に導入される酸素ガ
スのガス圧をｌＸｌ０’〜０゜３ トールの範囲内にす
るのが好ましく 、０．０３〜０．１トールの範囲内に
するのがより好ましい。
また、プラズマ発生用電極に印加される電圧は、このよ
うなガス圧の条件下でプラズマが良好に発生するように
、３００〜ＩＫＶの範囲内で印加するのが好ましく、こ
のときの直流電極１１に印加する電圧は、５０Ｖより低
いと所期の効果が得られず、４００■より高いとスパッ
タリングが起こるため、５０〜４００Ｖの範囲内で印加
するのが好ましい。なお、直流電極１１に印加する電圧
は、十でも−でもよい。
うなガス圧の条件下でプラズマが良好に発生するように
、３００〜ＩＫＶの範囲内で印加するのが好ましく、こ
のときの直流電極１１に印加する電圧は、５０Ｖより低
いと所期の効果が得られず、４００■より高いとスパッ
タリングが起こるため、５０〜４００Ｖの範囲内で印加
するのが好ましい。なお、直流電極１１に印加する電圧
は、十でも−でもよい。
強磁性金属薄膜層の形成材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｇｏ−ＰＸＣｏ−Ｎｉ−Ｐな
どのコバルトもしくはコバルトを含む強磁性材が使用さ
れ、これらの強磁性材からなる強磁性金属薄膜層は、真
空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、メッ
キ等の手段によって基体上に被着形成される。
ｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｇｏ−ＰＸＣｏ−Ｎｉ−Ｐな
どのコバルトもしくはコバルトを含む強磁性材が使用さ
れ、これらの強磁性材からなる強磁性金属薄膜層は、真
空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、メッ
キ等の手段によって基体上に被着形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
゛る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板お
よびガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気
ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘットと摺接する構造
の種々の形態を包含する。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
゛る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板お
よびガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気
ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘットと摺接する構造
の種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、酸素ガス圧５Ｘｌ’０−５トールの残留ガス圧の
下でコバルトを加熱蒸発させてポリエステルフィルム上
に厚さ１０００人のコバルトからなる強磁性金属薄膜層
を形成した。次いで、第１図に示す円筒状キャン３と、
直流電極１１との距離が４ｍｍのプラズマ処理装置を使
用し、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィル
ム４を、真空槽１内の原反ロール５からガイドロール６
を介して円筒状キャン３の周側面に沿って１ｍ／ｍｉｎ
の速度で移動させ、ガイドロール７を介して巻き取りロ
ール８に巻き取るようにセントするとともに、ガス導入
管９から＠素ガスを５００ｓｅｃ＋ｎの流量で導入し、
酸素ガス圧ｏ、ｏ５トール、プラズマ発生用交流電極１
０の電圧７００■で、直流電極１１に印加する電圧を種
々に変えてプラズマ酸化を行った。しかる後、所定の１
Ｊに裁断して、第２図に示すようにポリエステルフィル
ム４上にコバルトからなる強磁性金属薄膜層１４を形成
し、さらにその上に保護Ｎ１５を積層して形成した多数
の磁気テープＡをつくった。得られた磁気テープＡの保
護層１５をｘ’ｐζ（Ｘ線光電子分光分析、以後ｘｐｓ
と略称する）によって調へた結果、゛保護層１５はＣＯ
□０３からなるコバルト酸化物であることがわかった。
填し、酸素ガス圧５Ｘｌ’０−５トールの残留ガス圧の
下でコバルトを加熱蒸発させてポリエステルフィルム上
に厚さ１０００人のコバルトからなる強磁性金属薄膜層
を形成した。次いで、第１図に示す円筒状キャン３と、
直流電極１１との距離が４ｍｍのプラズマ処理装置を使
用し、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィル
ム４を、真空槽１内の原反ロール５からガイドロール６
を介して円筒状キャン３の周側面に沿って１ｍ／ｍｉｎ
の速度で移動させ、ガイドロール７を介して巻き取りロ
ール８に巻き取るようにセントするとともに、ガス導入
管９から＠素ガスを５００ｓｅｃ＋ｎの流量で導入し、
酸素ガス圧ｏ、ｏ５トール、プラズマ発生用交流電極１
０の電圧７００■で、直流電極１１に印加する電圧を種
々に変えてプラズマ酸化を行った。しかる後、所定の１
Ｊに裁断して、第２図に示すようにポリエステルフィル
ム４上にコバルトからなる強磁性金属薄膜層１４を形成
し、さらにその上に保護Ｎ１５を積層して形成した多数
の磁気テープＡをつくった。得られた磁気テープＡの保
護層１５をｘ’ｐζ（Ｘ線光電子分光分析、以後ｘｐｓ
と略称する）によって調へた結果、゛保護層１５はＣＯ
□０３からなるコバルト酸化物であることがわかった。
第３図はこのようにして得られた磁気テープを６０°Ｃ
１９０％ＲＨの条件下に１週間静置し、静置後の最大磁
束密度の劣化率を、静置前の磁気テープの最大磁束密度
を１００％として測定し、その劣化率と直流電極１１の
印加電圧との関係をグラフで表したものである。
１９０％ＲＨの条件下に１週間静置し、静置後の最大磁
束密度の劣化率を、静置前の磁気テープの最大磁束密度
を１００％として測定し、その劣化率と直流電極１１の
印加電圧との関係をグラフで表したものである。
実施例２
実施例１の強磁性金属ｔｉｌ！！層の形成において、コ
バルトに代えてコバルト−ニッケル合金（重量比８：２
）を使用した以外は、実施例１と同様にしてポリエステ
ルフィルム上に厚さ１０００人のコバルト−ニッケル合
金からなる強磁性金属薄膜層を形成し、プラズマ処理に
おいて、直流電極１１の電圧を１００■にした以外は実
施例１と同様にしてプラズマ酸化を行い、磁気テープＡ
をつくった。得られた磁気テープＡの保護層１５をＸＰ
Ｓによって調べた一結果、保護層１５はＣＯ２Ｏ３から
なるコバルト酸化物であることがわかった。
バルトに代えてコバルト−ニッケル合金（重量比８：２
）を使用した以外は、実施例１と同様にしてポリエステ
ルフィルム上に厚さ１０００人のコバルト−ニッケル合
金からなる強磁性金属薄膜層を形成し、プラズマ処理に
おいて、直流電極１１の電圧を１００■にした以外は実
施例１と同様にしてプラズマ酸化を行い、磁気テープＡ
をつくった。得られた磁気テープＡの保護層１５をＸＰ
Ｓによって調べた一結果、保護層１５はＣＯ２Ｏ３から
なるコバルト酸化物であることがわかった。
比較例１
実施例１において、第１図に示すプラズマ処理装置に代
えて第４図に示すように直流電極を省いたプラズマ処理
装置を使用し、直流電極の電圧の印加を省いた以外は実
施例１と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの保護層をＸＰＳによって調べた結果、保護層
は、ＣｏｏとＣｏ３Ｏ４からなる複合酸化物であること
がわかった。
えて第４図に示すように直流電極を省いたプラズマ処理
装置を使用し、直流電極の電圧の印加を省いた以外は実
施例１と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの保護層をＸＰＳによって調べた結果、保護層
は、ＣｏｏとＣｏ３Ｏ４からなる複合酸化物であること
がわかった。
比較例２
実施例２において、第１図に示すプラズマ処理装置に代
えて第４図に示すように直流電極を省いたプラズマ処理
装置を使用し、直流電極の電圧の印加を省いた以外は実
施例２と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの保護層をｘＰＳによって調べた結果、保護層
は、ＣｏｏとＣｏ３Ｏ４からなる複合酸化物であること
がわかった。
えて第４図に示すように直流電極を省いたプラズマ処理
装置を使用し、直流電極の電圧の印加を省いた以外は実
施例２と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの保護層をｘＰＳによって調べた結果、保護層
は、ＣｏｏとＣｏ３Ｏ４からなる複合酸化物であること
がわかった。
実施例２および各比較例で得られた磁気テープについて
、最大磁束密度の劣化率を実施例１と同様にして測定し
た。
、最大磁束密度の劣化率を実施例１と同様にして測定し
た。
下表はその結果である。
実施例１得られた磁気テープの最大磁束密度の劣化率と
直流電極の印加電圧との関係を表した第３図のグラフか
ら明らかなように、直流電極の電圧が５０Ｖ以上で最大
磁束密度の劣化率が大きく低下しており、このことから
この発明で直流電極に印加する電圧を５０Ｖ以上にして
得られたものは、最大磁束密度の劣化率が極めて小さく
耐食性に優れていることがわかる。また、上表から明ら
かなように、この発明で得られた磁気テープ（実施例２
）は、比較例１および２で得られた磁気テープに比し、
最大磁束密度の劣化率が小さく、このことからこの発明
によって得られる磁気記録媒体は、耐食性に優れている
ことがわかる。
直流電極の印加電圧との関係を表した第３図のグラフか
ら明らかなように、直流電極の電圧が５０Ｖ以上で最大
磁束密度の劣化率が大きく低下しており、このことから
この発明で直流電極に印加する電圧を５０Ｖ以上にして
得られたものは、最大磁束密度の劣化率が極めて小さく
耐食性に優れていることがわかる。また、上表から明ら
かなように、この発明で得られた磁気テープ（実施例２
）は、比較例１および２で得られた磁気テープに比し、
最大磁束密度の劣化率が小さく、このことからこの発明
によって得られる磁気記録媒体は、耐食性に優れている
ことがわかる。
第１図はこの発明の製造方法で使用するプラズマ処理装
置の１例を示す概略断面図、第２図はこの発明によって
得られた磁気テープの部分拡大断面図、第３図はこの発
明によって得られた磁気テープの最大磁束密度の劣化率
と直流電極の印加電圧との関係図、第４図は従来のプラ
ズマ処理装置の概略断面図、である。 ４・・・ポリエステルフィルム（基体）、１４・・・強
ｌ磁性金属薄膜層、１５・・・保護層、Ａ・・・磁気
テープ（磁気記録媒体） 特許出願人 日立マクセル株式会社 Ｉζ° 〜 第１図 ノ ↓ 第３図 ０ １００ ２００ 印 加 電 庄 （Ｖ） 第４図
置の１例を示す概略断面図、第２図はこの発明によって
得られた磁気テープの部分拡大断面図、第３図はこの発
明によって得られた磁気テープの最大磁束密度の劣化率
と直流電極の印加電圧との関係図、第４図は従来のプラ
ズマ処理装置の概略断面図、である。 ４・・・ポリエステルフィルム（基体）、１４・・・強
ｌ磁性金属薄膜層、１５・・・保護層、Ａ・・・磁気
テープ（磁気記録媒体） 特許出願人 日立マクセル株式会社 Ｉζ° 〜 第１図 ノ ↓ 第３図 ０ １００ ２００ 印 加 電 庄 （Ｖ） 第４図
Claims (1)
- ■、基体上にコバルトもしくはコバルトを含む強磁性材
からなる強磁性金属薄膜層を形成し、この強磁性金属薄
膜層の表面にＣｏ２Ｏ３からなる保護層を設けたことを
特徴とする磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9396884A JPS60237626A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9396884A JPS60237626A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60237626A true JPS60237626A (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=14097197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9396884A Pending JPS60237626A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60237626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110209830A1 (en) * | 2008-11-05 | 2011-09-01 | Ulvac, Inc. | Take-Up Vacuum Processing Apparatus |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP9396884A patent/JPS60237626A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110209830A1 (en) * | 2008-11-05 | 2011-09-01 | Ulvac, Inc. | Take-Up Vacuum Processing Apparatus |
| US8673078B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-03-18 | Ulvac, Inc. | Take-up vacuum processing apparatus |
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