JPH0532807B2 - - Google Patents
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- JPH0532807B2 JPH0532807B2 JP59269348A JP26934884A JPH0532807B2 JP H0532807 B2 JPH0532807 B2 JP H0532807B2 JP 59269348 A JP59269348 A JP 59269348A JP 26934884 A JP26934884 A JP 26934884A JP H0532807 B2 JPH0532807 B2 JP H0532807B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- metal thin
- ferromagnetic metal
- film layer
- layer
- Prior art date
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は強磁性金属薄膜層を記録層とする磁
気記録媒体に関し、さらに詳しくは２層以上の強
磁性金属薄膜層を積層し、隣接する各強磁性金属
薄膜層の界面および最上層の強磁性金属薄膜層表
面に、強磁性金属薄膜層中に含まれる平均酸素原
子濃度より高い酸素原子濃度を有するプラズマ酸
化境界層を設けた前記の磁気記録媒体に関する。
気記録媒体に関し、さらに詳しくは２層以上の強
磁性金属薄膜層を積層し、隣接する各強磁性金属
薄膜層の界面および最上層の強磁性金属薄膜層表
面に、強磁性金属薄膜層中に含まれる平均酸素原
子濃度より高い酸素原子濃度を有するプラズマ酸
化境界層を設けた前記の磁気記録媒体に関する。
強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体
は、通常、金属もしくはそれらの合金などを真空
蒸着等によつてポリエステルフイルム等の基体上
に被着してつくられ、高密度記録に適した特性を
有するが、反面空気中の酸素によつて酸化され易
く、この酸化によつて飽和磁化などの磁気特性が
劣化するなどの難点がある。
は、通常、金属もしくはそれらの合金などを真空
蒸着等によつてポリエステルフイルム等の基体上
に被着してつくられ、高密度記録に適した特性を
有するが、反面空気中の酸素によつて酸化され易
く、この酸化によつて飽和磁化などの磁気特性が
劣化するなどの難点がある。
このため、従来から酸素ガス雰囲気下で真空蒸
着を行い強磁性金属薄膜層の表面を酸化する（特
開昭58−41439号）などして耐食性を改善するこ
とが行われている。ところが、この種の従来の方
法で得られる強磁性金属薄膜層は、表面層におい
てのみ酸化膜保護層が形成されるものであるた
め、腐食等によつて強磁性金属薄膜層表面の酸化
膜保護層が損傷された場合、強磁性金属薄膜層の
内部まで腐食が容易に進行していくという難点が
あり、耐食性の改善は未だ充分に満足できるもの
ではない。
着を行い強磁性金属薄膜層の表面を酸化する（特
開昭58−41439号）などして耐食性を改善するこ
とが行われている。ところが、この種の従来の方
法で得られる強磁性金属薄膜層は、表面層におい
てのみ酸化膜保護層が形成されるものであるた
め、腐食等によつて強磁性金属薄膜層表面の酸化
膜保護層が損傷された場合、強磁性金属薄膜層の
内部まで腐食が容易に進行していくという難点が
あり、耐食性の改善は未だ充分に満足できるもの
ではない。
この発明は、かかる現状に鑑み、たとえ、腐食
等によつて強磁性金属薄膜層表面の酸化膜保護層
が損傷された場合でも、強磁性金属薄膜層の内部
にまで腐食が容易に進行していくということのな
い、耐食性に優れた強磁性金属薄膜層を有する磁
気記録媒体を提供することを目的としてなされた
もので、基体上に２層以上の強磁性金属薄膜層を
積層し、隣接する各強磁性金属薄膜層の界面およ
び最上層の強磁性金属薄膜層表面に、強磁性金属
薄膜層中に含まれる平均酸素原子濃度より高い酸
素原子濃度を有するプラズマ酸化境界層を設ける
ことによつて、所期の目的を達成したものであ
る。
等によつて強磁性金属薄膜層表面の酸化膜保護層
が損傷された場合でも、強磁性金属薄膜層の内部
にまで腐食が容易に進行していくということのな
い、耐食性に優れた強磁性金属薄膜層を有する磁
気記録媒体を提供することを目的としてなされた
もので、基体上に２層以上の強磁性金属薄膜層を
積層し、隣接する各強磁性金属薄膜層の界面およ
び最上層の強磁性金属薄膜層表面に、強磁性金属
薄膜層中に含まれる平均酸素原子濃度より高い酸
素原子濃度を有するプラズマ酸化境界層を設ける
ことによつて、所期の目的を達成したものであ
る。
この発明は、基体上に、２層以上の強磁性金属
薄膜層を積層し、隣接する各強磁性金属薄膜層の
界面および最上層の強磁性金属薄膜層表面に、強
磁性金属薄膜層中に含まれる平均酸素原子濃度よ
り高い酸素原子濃度を有するプラズマ酸化境界層
を設けることを特徴とするもので、これらの強磁
性金属薄膜層中に含まれる平均酸素原子濃度より
高い酸素原子濃度を有するプラズマ酸化境界層
を、２層以上積層して形成した強磁性金属薄膜層
の最上層表面および内部に多段式に設けることに
よつて、たとえ、腐食等によつて強磁性金属薄膜
層の最上層表面のプラズマ酸化境界層が損傷され
た場合でも、強磁性金属薄膜層の内部に多段式に
設けたプラズマ酸化境界層によつてそれ以上の浸
食を有効に防止し、強磁性金属薄膜層の耐食性を
充分に向上させたものである。
薄膜層を積層し、隣接する各強磁性金属薄膜層の
界面および最上層の強磁性金属薄膜層表面に、強
磁性金属薄膜層中に含まれる平均酸素原子濃度よ
り高い酸素原子濃度を有するプラズマ酸化境界層
を設けることを特徴とするもので、これらの強磁
性金属薄膜層中に含まれる平均酸素原子濃度より
高い酸素原子濃度を有するプラズマ酸化境界層
を、２層以上積層して形成した強磁性金属薄膜層
の最上層表面および内部に多段式に設けることに
よつて、たとえ、腐食等によつて強磁性金属薄膜
層の最上層表面のプラズマ酸化境界層が損傷され
た場合でも、強磁性金属薄膜層の内部に多段式に
設けたプラズマ酸化境界層によつてそれ以上の浸
食を有効に防止し、強磁性金属薄膜層の耐食性を
充分に向上させたものである。
この発明において、２層以上の強磁性金属薄膜
層を積層した後、隣接する各強磁性金属薄膜層の
界面および最上層の強磁性金属薄膜層表面に形成
する境界層は、強磁性材を真空蒸着して１層の強
磁性金属薄膜層を形成する毎に、この強磁性金属
薄膜層表面をプラズマ酸化によつて酸化し、これ
を必要に応じて繰り返すことによつて形成され
る。
層を積層した後、隣接する各強磁性金属薄膜層の
界面および最上層の強磁性金属薄膜層表面に形成
する境界層は、強磁性材を真空蒸着して１層の強
磁性金属薄膜層を形成する毎に、この強磁性金属
薄膜層表面をプラズマ酸化によつて酸化し、これ
を必要に応じて繰り返すことによつて形成され
る。
第１図は、このように強磁性金属薄膜層中に含
まれる平均酸素原子濃度より高い酸素原子濃度を
有するプラズマ酸化境界層を、隣接する各強磁性
金属薄膜層の界面および最上層の強磁性金属薄膜
層表面に多段式に形成する際に使用する、真空蒸
着兼プラズマ処理装置の１例の概略断面図を示し
たものであり、以下、この図面を参照しながら説
明する。
まれる平均酸素原子濃度より高い酸素原子濃度を
有するプラズマ酸化境界層を、隣接する各強磁性
金属薄膜層の界面および最上層の強磁性金属薄膜
層表面に多段式に形成する際に使用する、真空蒸
着兼プラズマ処理装置の１例の概略断面図を示し
たものであり、以下、この図面を参照しながら説
明する。
図において、１および２は隣接して連結された
真空槽であり、これら真空槽１および２の内部は
それぞれ隔壁３および４，５および６で区画さ
れ、それぞれ真空槽１および２の中央部に配設さ
れた円筒状キヤン７および８が跨るように真空蒸
着室９とプラズマ処理室１０、また真空蒸着室１
１とプラズマ処理室１２が分離形成されている。
ポリエステルフイルム等の基体１３は、真空槽１
内の原反ロール１４より円筒状キヤン７の周側面
に沿つて移動し、ガイドロール１５を介して隣接
する真空槽２に送り込まれ、さらにガイドロール
１６を介して円筒状キヤン８の周側面に沿つて移
動し、巻き取りロール１７に巻き取られる。この
間真空槽１内の円筒状キヤン７の周側面に沿つて
移動する基体１３に対向して、真空蒸着室９の下
部に配設された強磁性材蒸発源１８で強磁性材１
９が加熱蒸発されて、強磁性材１９からなる強磁
性金属薄膜層が形成され、引き続いて隣接するプ
ラズマ処理室１０で、酸素ガス導入管２０から酸
素ガスが導入されて電極板２１によりプラズマ酸
化が行われ、強磁性金属薄膜層上に強磁性金属の
酸化膜からなる界面層が形成される。
真空槽であり、これら真空槽１および２の内部は
それぞれ隔壁３および４，５および６で区画さ
れ、それぞれ真空槽１および２の中央部に配設さ
れた円筒状キヤン７および８が跨るように真空蒸
着室９とプラズマ処理室１０、また真空蒸着室１
１とプラズマ処理室１２が分離形成されている。
ポリエステルフイルム等の基体１３は、真空槽１
内の原反ロール１４より円筒状キヤン７の周側面
に沿つて移動し、ガイドロール１５を介して隣接
する真空槽２に送り込まれ、さらにガイドロール
１６を介して円筒状キヤン８の周側面に沿つて移
動し、巻き取りロール１７に巻き取られる。この
間真空槽１内の円筒状キヤン７の周側面に沿つて
移動する基体１３に対向して、真空蒸着室９の下
部に配設された強磁性材蒸発源１８で強磁性材１
９が加熱蒸発されて、強磁性材１９からなる強磁
性金属薄膜層が形成され、引き続いて隣接するプ
ラズマ処理室１０で、酸素ガス導入管２０から酸
素ガスが導入されて電極板２１によりプラズマ酸
化が行われ、強磁性金属薄膜層上に強磁性金属の
酸化膜からなる界面層が形成される。
次いで、表面に強磁性金属の酸化膜からなる界
面層が形成された強磁性金属薄膜層を有する基体
１３は、真空槽２内のガイドロール１６を介して
円筒状キヤン８の周側面に沿つて移動し、この
間、真空蒸着室１１の下部に配設された強磁性材
蒸発源２２で強磁性材２３が加熱蒸発されて、強
磁性材２３からなる強磁性金属薄膜層が形成さ
れ、さらに引続いてプラズマ処理室１２で酸素ガ
ス導入管２４から酸素ガスが導入されて、電極板
２５によりプラズマ酸化が行われ、強磁性金属の
酸化膜からなる界面層が形成される。２６および
２７はそれぞれ真空槽１および２に連結された排
気系、２８および２９はそれぞれ真空蒸着室９お
よび１１に連結された排気系、３０および３１は
それぞれプラズマ処理室１０および１２に連結さ
れた排気系であり、これらの排気系によつて真空
槽１，２、真空蒸着室９，１１およびプラズマ処
理室１０，１２はそれぞれ所定の真空度に真空排
気される。
面層が形成された強磁性金属薄膜層を有する基体
１３は、真空槽２内のガイドロール１６を介して
円筒状キヤン８の周側面に沿つて移動し、この
間、真空蒸着室１１の下部に配設された強磁性材
蒸発源２２で強磁性材２３が加熱蒸発されて、強
磁性材２３からなる強磁性金属薄膜層が形成さ
れ、さらに引続いてプラズマ処理室１２で酸素ガ
ス導入管２４から酸素ガスが導入されて、電極板
２５によりプラズマ酸化が行われ、強磁性金属の
酸化膜からなる界面層が形成される。２６および
２７はそれぞれ真空槽１および２に連結された排
気系、２８および２９はそれぞれ真空蒸着室９お
よび１１に連結された排気系、３０および３１は
それぞれプラズマ処理室１０および１２に連結さ
れた排気系であり、これらの排気系によつて真空
槽１，２、真空蒸着室９，１１およびプラズマ処
理室１０，１２はそれぞれ所定の真空度に真空排
気される。
このように強磁性金属薄膜層の形成と強磁性金
属薄膜層表面のプラズマ酸化が繰り返し行われる
と、積層される強磁性金属薄膜層の界面および最
上層の強磁性金属薄膜層表面に、強磁性金属薄膜
層中に含まれる平均酸素原子濃度より高い酸素原
子濃度を有するプラズマ酸化境界層が形成され
る。従つて、たとえ、最上層の強磁性金属薄膜層
表面の強磁性金属の酸化膜からなるプラズマ酸化
境界層が腐食等によつて損傷されても、腐食は強
磁性金属薄膜層中に多段式に形成された強磁性金
属の酸化膜からなるプラズマ酸化境界層のところ
で、食い止められ、強磁性金属薄膜層の耐食性が
充分に向上される。なお、強磁性金属薄膜層中に
含まれる平均酸素原子濃度より高い酸素原子濃度
を有するプラズマ酸化境界層は、少なくとも１層
以上適宜に設ければよく、このプラズマ酸化境界
層の数が多いほど強磁性金属薄膜層の耐食性はよ
り良好なものとなる。
属薄膜層表面のプラズマ酸化が繰り返し行われる
と、積層される強磁性金属薄膜層の界面および最
上層の強磁性金属薄膜層表面に、強磁性金属薄膜
層中に含まれる平均酸素原子濃度より高い酸素原
子濃度を有するプラズマ酸化境界層が形成され
る。従つて、たとえ、最上層の強磁性金属薄膜層
表面の強磁性金属の酸化膜からなるプラズマ酸化
境界層が腐食等によつて損傷されても、腐食は強
磁性金属薄膜層中に多段式に形成された強磁性金
属の酸化膜からなるプラズマ酸化境界層のところ
で、食い止められ、強磁性金属薄膜層の耐食性が
充分に向上される。なお、強磁性金属薄膜層中に
含まれる平均酸素原子濃度より高い酸素原子濃度
を有するプラズマ酸化境界層は、少なくとも１層
以上適宜に設ければよく、このプラズマ酸化境界
層の数が多いほど強磁性金属薄膜層の耐食性はよ
り良好なものとなる。
強磁性金属薄膜層のプラズマ酸化を行う際のプ
ラズマ処理室１０および１２における酸素ガスの
ガス圧は、５×10-1トール〜１×10-2トールの範
囲内にするのが好ましく、酸素ガス圧を１×10-2
トールより低くするとプラズマ密度が低すぎ、５
×10-1トールより高くするとプラズマ放電が発生
しない。
ラズマ処理室１０および１２における酸素ガスの
ガス圧は、５×10-1トール〜１×10-2トールの範
囲内にするのが好ましく、酸素ガス圧を１×10-2
トールより低くするとプラズマ密度が低すぎ、５
×10-1トールより高くするとプラズマ放電が発生
しない。
このように、２層以上積層形成した強磁性金属
薄膜層の界面および最上層の強磁性金属薄膜層表
面に、プラズマ酸化によつて形成される境界層に
おける酸素原子濃度は、強磁性金属薄膜層中に含
まれる平均酸素原子濃度より５％以上高いことが
好ましく、これより少なくては強磁性金属薄膜層
の耐食性が充分に改善されない。またこのように
して形成されるプラズマ酸化境界層の層厚は、20
〜100Åの範囲内であることが好ましく、20Åよ
り薄くては耐食性が充分に改善されず、100Åよ
り厚くすると強磁性金属薄膜層がもろくなり耐久
性が低下する。
薄膜層の界面および最上層の強磁性金属薄膜層表
面に、プラズマ酸化によつて形成される境界層に
おける酸素原子濃度は、強磁性金属薄膜層中に含
まれる平均酸素原子濃度より５％以上高いことが
好ましく、これより少なくては強磁性金属薄膜層
の耐食性が充分に改善されない。またこのように
して形成されるプラズマ酸化境界層の層厚は、20
〜100Åの範囲内であることが好ましく、20Åよ
り薄くては耐食性が充分に改善されず、100Åよ
り厚くすると強磁性金属薄膜層がもろくなり耐久
性が低下する。
強磁性材としては、Co、Fe、Ni、Co−Ni合
金、Co−Cr合金、Co−Ｐ合金、Co−Ni−Ｐ合
金など一般に真空蒸着に使用される強磁性材がい
ずれも使用される。
金、Co−Cr合金、Co−Ｐ合金、Co−Ni−Ｐ合
金など一般に真空蒸着に使用される強磁性材がい
ずれも使用される。
また、基体としては、ポリエステル、ポリイミ
ド、ポリアミド等一般に使用されている高分子成
形物からなるプラスチツクフイルム、および銅な
どの非磁性金属からなる金属フイルムが使用され
る。
ド、ポリアミド等一般に使用されている高分子成
形物からなるプラスチツクフイルム、および銅な
どの非磁性金属からなる金属フイルムが使用され
る。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例 １
第１図に示す真空蒸着装置を使用し、厚さ10μ
のポリエステルフイルム１３を原反ロール１４よ
り円筒状キヤン７の周側面に沿つて移動させ、さ
らにガイドロール１５および１６を介して円筒状
キヤン８の周側面に沿つて移動させ、巻き取りロ
ール１７に巻き取るようにセツトした。同時に真
空蒸着室９内の強磁性材蒸発源１８および真空蒸
着室１１内の強磁性材蒸発源２２にCo−Ni合金
（重量比８：２）１９および２３をセツトした。
次に、排気系２６および２７で真空槽１および２
を真空排気するとともに、排気系２６および２９
で真空蒸着室９および１１を１×10-5トールまで
真空排気し、排気系３０および３１でプラズマ処
理室１０および１２を0.1トールまで真空排気し
た。次いで、強磁性材蒸発源１８内のCo−Ni合
金１９を加熱蒸発してポリエステルフイルム１３
上にCo−Ni合金からなる約600Å厚の強磁性金属
薄膜層を形成し、引続きプラズマ処理室１０内に
酸素ガス導入管２０から酸素ガスを導入し、酸素
ガス圧１×10-1トールで、電極板２１と円筒状キ
ヤン７との間に1.2KW／m2の電場を生じさせて
プラズマ酸化を行つた。次いで、強磁性材蒸発源
２２内のCo−Ni合金２３を加熱蒸発して前記の
表面をプラズマ酸化した強磁性金属薄膜層上に、
さらにCo−Ni合金からなる約600Å厚の強磁性金
属薄膜層を形成し、引き続いて、プラズマ処理室
１２内に酸素ガス導入管２４から酸素ガスを導入
し、酸素ガス圧１×10-1トールで、電極板２５を
円筒状キヤン８との間に1.2KW／m2の電場を生
じさせてプラズマ酸化を行つた。しかる後、所定
の巾に裁断して第２図に示すように、ポリエステ
ルフイルム１３上に、強磁性金属薄膜層３２、プ
ラズマ酸化境界層３３、強磁性金属薄膜層３４お
よびプラズマ酸化境界層３５を順次に積層形成し
た磁気テープをつくつた。このようにして得られ
た磁気テープの強磁性金属薄膜層中のCo−Cr合
金および酸素原子の濃度分布をオージエ電子分光
計によつて調べた結果、第３図の曲線Ａに示され
るように、表面および中央部で濃度の高い酸素原
子の濃度分布が検知された。なお、第３図におい
て曲線ＢはCoの濃度分布であり、曲線ＣはNiの
濃度分布である。また１３はポリエステルフイル
ムである。
のポリエステルフイルム１３を原反ロール１４よ
り円筒状キヤン７の周側面に沿つて移動させ、さ
らにガイドロール１５および１６を介して円筒状
キヤン８の周側面に沿つて移動させ、巻き取りロ
ール１７に巻き取るようにセツトした。同時に真
空蒸着室９内の強磁性材蒸発源１８および真空蒸
着室１１内の強磁性材蒸発源２２にCo−Ni合金
（重量比８：２）１９および２３をセツトした。
次に、排気系２６および２７で真空槽１および２
を真空排気するとともに、排気系２６および２９
で真空蒸着室９および１１を１×10-5トールまで
真空排気し、排気系３０および３１でプラズマ処
理室１０および１２を0.1トールまで真空排気し
た。次いで、強磁性材蒸発源１８内のCo−Ni合
金１９を加熱蒸発してポリエステルフイルム１３
上にCo−Ni合金からなる約600Å厚の強磁性金属
薄膜層を形成し、引続きプラズマ処理室１０内に
酸素ガス導入管２０から酸素ガスを導入し、酸素
ガス圧１×10-1トールで、電極板２１と円筒状キ
ヤン７との間に1.2KW／m2の電場を生じさせて
プラズマ酸化を行つた。次いで、強磁性材蒸発源
２２内のCo−Ni合金２３を加熱蒸発して前記の
表面をプラズマ酸化した強磁性金属薄膜層上に、
さらにCo−Ni合金からなる約600Å厚の強磁性金
属薄膜層を形成し、引き続いて、プラズマ処理室
１２内に酸素ガス導入管２４から酸素ガスを導入
し、酸素ガス圧１×10-1トールで、電極板２５を
円筒状キヤン８との間に1.2KW／m2の電場を生
じさせてプラズマ酸化を行つた。しかる後、所定
の巾に裁断して第２図に示すように、ポリエステ
ルフイルム１３上に、強磁性金属薄膜層３２、プ
ラズマ酸化境界層３３、強磁性金属薄膜層３４お
よびプラズマ酸化境界層３５を順次に積層形成し
た磁気テープをつくつた。このようにして得られ
た磁気テープの強磁性金属薄膜層中のCo−Cr合
金および酸素原子の濃度分布をオージエ電子分光
計によつて調べた結果、第３図の曲線Ａに示され
るように、表面および中央部で濃度の高い酸素原
子の濃度分布が検知された。なお、第３図におい
て曲線ＢはCoの濃度分布であり、曲線ＣはNiの
濃度分布である。また１３はポリエステルフイル
ムである。
実施例 ２
実施例１において、強磁性材蒸発源１８および
２２内に、Co−Ni合金（重量比８：２）１９お
よび２３に代えて、Co１９および２３をセツト
した以外は実施例１と同様にして磁気テープをつ
くつた。得られた磁気テープの強磁性金属薄膜層
中のCoおよび酸素の濃度分布をオージエ電子分
光計によつて調べた結果、第４図の曲線Ａに示さ
れるように、表面および中央部で濃度の高い酸素
原子の濃度分布が検知された。なお、第４図にお
いて曲線ＢはCoの濃度分布であり、１３はポリ
エステルフイルムである。
２２内に、Co−Ni合金（重量比８：２）１９お
よび２３に代えて、Co１９および２３をセツト
した以外は実施例１と同様にして磁気テープをつ
くつた。得られた磁気テープの強磁性金属薄膜層
中のCoおよび酸素の濃度分布をオージエ電子分
光計によつて調べた結果、第４図の曲線Ａに示さ
れるように、表面および中央部で濃度の高い酸素
原子の濃度分布が検知された。なお、第４図にお
いて曲線ＢはCoの濃度分布であり、１３はポリ
エステルフイルムである。
比較例 １
実施例１において、真空蒸着室１１内での真空
蒸着およびプラズマ処理室１２内でのプラズマ処
理を省き、真空蒸着室９内で形成する強磁性金属
薄膜層の厚みを約600Åから約1200Åに変更した
以外は、実施例１と同様にして第５図に示すよう
にポリエステルフイルム１３上に、Co−Ni合金
からなる強磁性金属薄膜層３６およびプラズマ酸
化境界層３７を、順次積層形成した磁気テープを
つくつた。
蒸着およびプラズマ処理室１２内でのプラズマ処
理を省き、真空蒸着室９内で形成する強磁性金属
薄膜層の厚みを約600Åから約1200Åに変更した
以外は、実施例１と同様にして第５図に示すよう
にポリエステルフイルム１３上に、Co−Ni合金
からなる強磁性金属薄膜層３６およびプラズマ酸
化境界層３７を、順次積層形成した磁気テープを
つくつた。
比較例 ２
実施例１において、プラズマ処理室１０内での
プラズマ処理、真空蒸着室１１内での真空蒸着お
よびプラズマ処理室１２内でのプラズマ処理を省
いた以外は、実施例１と同様にして表面に境界層
のない磁気テープをつくつた。
プラズマ処理、真空蒸着室１１内での真空蒸着お
よびプラズマ処理室１２内でのプラズマ処理を省
いた以外は、実施例１と同様にして表面に境界層
のない磁気テープをつくつた。
各実施例および各比較例で得られた磁気テープ
を60℃、90％RHの条件下に放置し、時間の経過
に伴う飽和磁化の劣化率を、放置前の磁気テープ
の飽和磁化を100％として測定し、耐食性を調べ
た。第６図はその飽和磁化の劣化率の変化をグラ
フで表したもので、グラフＡは実施例１で得られ
た磁気テープ、グラフＢは実施例２で得られた磁
気テープ、グラフＣは比較例１で得られた磁気テ
ープ、グラフＤは比較例２で得られた磁気テープ
を示す。
を60℃、90％RHの条件下に放置し、時間の経過
に伴う飽和磁化の劣化率を、放置前の磁気テープ
の飽和磁化を100％として測定し、耐食性を調べ
た。第６図はその飽和磁化の劣化率の変化をグラ
フで表したもので、グラフＡは実施例１で得られ
た磁気テープ、グラフＢは実施例２で得られた磁
気テープ、グラフＣは比較例１で得られた磁気テ
ープ、グラフＤは比較例２で得られた磁気テープ
を示す。
第６図に示すグラフから明らかなように、比較
例１および２で得られた磁気テープは、時間の経
過に伴つて劣化率が非常に大きくなるが、この発
明で得られた磁気テープ（実施例１および２）は
いずれも時間が経過してもそれほど劣化率が大き
くならず、このことからこの発明によつて得られ
る磁気記録媒体は耐食性に優れていることがわか
る。
例１および２で得られた磁気テープは、時間の経
過に伴つて劣化率が非常に大きくなるが、この発
明で得られた磁気テープ（実施例１および２）は
いずれも時間が経過してもそれほど劣化率が大き
くならず、このことからこの発明によつて得られ
る磁気記録媒体は耐食性に優れていることがわか
る。
第１図はこの発明の磁気記録媒体を製造するの
に使用する真空蒸着兼プラズマ処理装置の１例を
示す概略断面図、第２図はこの発明で得られた磁
気テープの部分拡大断面図、第３図および第４図
はこの発明で得られた磁気テープの強磁性金属薄
膜層中における強磁性金属および酸素の分布状態
をオージエ電子分光計によつて調べた結果を示す
説明図、第５図は比較例１で得られた磁気テープ
の部分拡大断面図、第６図は各実施例および比較
例で得られた磁気テープの飽和磁化の劣化率と経
過時間との関係図である。 １３……ポリエステルフイルム（基体）、３２，
３４……強磁性金属薄膜層、３３，３５……プラ
ズマ酸化境界層。
に使用する真空蒸着兼プラズマ処理装置の１例を
示す概略断面図、第２図はこの発明で得られた磁
気テープの部分拡大断面図、第３図および第４図
はこの発明で得られた磁気テープの強磁性金属薄
膜層中における強磁性金属および酸素の分布状態
をオージエ電子分光計によつて調べた結果を示す
説明図、第５図は比較例１で得られた磁気テープ
の部分拡大断面図、第６図は各実施例および比較
例で得られた磁気テープの飽和磁化の劣化率と経
過時間との関係図である。 １３……ポリエステルフイルム（基体）、３２，
３４……強磁性金属薄膜層、３３，３５……プラ
ズマ酸化境界層。
Claims (1)
- １ 基体上に、２層以上の強磁性金属薄膜層を積
層し、隣接する各強磁性金属薄膜層の界面および
最上層の強磁性金属薄膜層表面に、強磁性金属薄
膜層中に含まれる平均酸素原子濃度より高い酸素
原子濃度を有するプラズマ酸化境界層を設けたこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26934884A JPS61145722A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26934884A JPS61145722A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145722A JPS61145722A (ja) | 1986-07-03 |
| JPH0532807B2 true JPH0532807B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17471121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26934884A Granted JPS61145722A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145722A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2566135B2 (ja) * | 1986-09-22 | 1996-12-25 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH07107734B2 (ja) * | 1986-07-03 | 1995-11-15 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH0760482B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1995-06-28 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録方法 |
| JP2566134B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1996-12-25 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS6386110A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2562306B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1996-12-11 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2562308B2 (ja) * | 1986-09-25 | 1996-12-11 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH0795367B2 (ja) * | 1987-08-25 | 1995-10-11 | コニカ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2558770B2 (ja) * | 1987-12-29 | 1996-11-27 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720920A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
| JPS5798133A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP26934884A patent/JPS61145722A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61145722A (ja) | 1986-07-03 |
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