JPH0352135B2 - - Google Patents
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- JPH0352135B2 JPH0352135B2 JP57051676A JP5167682A JPH0352135B2 JP H0352135 B2 JPH0352135 B2 JP H0352135B2 JP 57051676 A JP57051676 A JP 57051676A JP 5167682 A JP5167682 A JP 5167682A JP H0352135 B2 JPH0352135 B2 JP H0352135B2
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- Japan
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- magnetic
- support
- thin film
- magnetic layer
- metal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体、特に金属磁性薄膜型磁
気記録媒体の製法に係わる。
気記録媒体の製法に係わる。
通常一般の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
針状磁性粉とバインダーとが混合された磁性塗膜
より成る磁性層が被着されて成る。
針状磁性粉とバインダーとが混合された磁性塗膜
より成る磁性層が被着されて成る。
これに比し、近時、ポリエチレンテレフタレー
ト等の非磁性支持体上に、Co、Co−Ni合金等の
金属磁性材を真空蒸着、イオンプレーテイング、
スパツタリング等によつて直接的に、何らバイン
ダーを用いることなく被着した金属磁性薄膜より
成る磁性層を形成する金属薄膜型記録媒体が、注
目されている。これは前述したバインダーが混入
使用された磁性層による媒体に比し、高い残留磁
束密度Brを得ることができ、更に薄層に形成で
きて短波長記録に好適である。
ト等の非磁性支持体上に、Co、Co−Ni合金等の
金属磁性材を真空蒸着、イオンプレーテイング、
スパツタリング等によつて直接的に、何らバイン
ダーを用いることなく被着した金属磁性薄膜より
成る磁性層を形成する金属薄膜型記録媒体が、注
目されている。これは前述したバインダーが混入
使用された磁性層による媒体に比し、高い残留磁
束密度Brを得ることができ、更に薄層に形成で
きて短波長記録に好適である。
ところが、このような金属薄膜型の記録媒体
は、この非磁性支持体の例えばポリエチレンテレ
フタレートに対する金属磁性薄膜の被着強度にや
や難点がある。
は、この非磁性支持体の例えばポリエチレンテレ
フタレートに対する金属磁性薄膜の被着強度にや
や難点がある。
本発明は、この種金属磁性薄膜より成る磁性層
が非磁性支持体上に強固に被着されて成る磁気記
録媒体を確実に得ることができるようにした磁気
記録媒体を提供するものである。
が非磁性支持体上に強固に被着されて成る磁気記
録媒体を確実に得ることができるようにした磁気
記録媒体を提供するものである。
図面を参照して本発明を説明するに、本発明に
おいては第１図に示すように、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリイミド等の例えばフイルム状の
非磁性支持体１上に、Co、Co−Ni等の磁性金属
を蒸着、スパツタリング、イオンブレーテイング
等によつて直接的に被着して金属磁性薄膜より成
る磁性層２を形成し、その後非磁性支持体１を冷
却ロールに接触させつつ磁性層２に対する例えば
0.1〜10W／cm2、0.1〜５秒間位の電子ビーム等の
照射による加熱処理を行つて金属磁性薄膜型磁気
記録媒体３を得る。
おいては第１図に示すように、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリイミド等の例えばフイルム状の
非磁性支持体１上に、Co、Co−Ni等の磁性金属
を蒸着、スパツタリング、イオンブレーテイング
等によつて直接的に被着して金属磁性薄膜より成
る磁性層２を形成し、その後非磁性支持体１を冷
却ロールに接触させつつ磁性層２に対する例えば
0.1〜10W／cm2、0.1〜５秒間位の電子ビーム等の
照射による加熱処理を行つて金属磁性薄膜型磁気
記録媒体３を得る。
この本発明製法を実施する装置は、例えば第２
図に示すように、連続した２つの槽４及び５を設
け前段の槽４内において金属磁性薄膜の被着処理
をなし、次段の槽５内においてこれに対する熱処
理を行う。前段の槽４内には非磁性支持体１の供
給ロール６を配し、後段の槽５内にはその巻取ロ
ール７を配し、両ロール６から７に両槽４及び５
の双方に順次非磁性支持体１が移行するようにな
される。そして、一方の槽４内にはCo、Co−Ni
等の磁性金属の蒸着、スパツタリング、イオンプ
レーテイングを行う手段８を配する。この槽４内
には例えば円筒キヤン９とガイドローラ１０とを
配し、供給ロール６から繰り出された非磁性支持
体１がこのキヤン９を繞つてガイドローラ１０に
よつてガイドされて後段の槽５内に導かれる。図
示の例では手段８が蒸着手段である場合を示し、
キヤン９に対向してCo、Co−Ni等の蒸着源１１
が配され、これが加熱手段１２によつて加熱され
てシヤツターないしはマスク１３を介してキヤン
９の周面を繞る支持体１の一方の面に蒸着源１１
よりの金属を蒸着して第１図で説明した金属薄膜
磁性層２を形成する。このように金属薄膜磁性層
２が形成された支持体１は、後段の槽５内に送ら
れる。この槽５内には、例えば水冷、空冷等によ
つて冷却されたクーリングキヤン１４、すなわち
冷却ロールが配されこのキヤン１４にその支持体
１の磁性層２を有する側とは反対側の面が接触す
るようガイドローラ１５を繞り、キヤン１４を繞
つて巻取りロール７に巻取られるようにする。ま
た槽５内のキヤン１４の周面に支持体１の磁性層
を有する側に対向して加熱手段を設ける。この加
熱手段１６は抵抗ヒータによるものを始めとし
て、高周波誘導加熱コイルを配して磁性層中に生
じる誘導電流によつてその加熱を行わせるように
したもの、更に或いは電子ビーム、イオンビー
ム、レーザービーム、赤外線等の照射によるもの
など非接触型加熱方法によるものであるが、その
他種々の非接触型の加熱態様を採り得る。尚１７
及び１８は、夫々槽４及び５に設けられた排気口
で、図示しないが真空ポンプに連結される。また
１９は、例えば槽５内に不活性ガス等の雰囲気ガ
スを送り込む供給口である。
図に示すように、連続した２つの槽４及び５を設
け前段の槽４内において金属磁性薄膜の被着処理
をなし、次段の槽５内においてこれに対する熱処
理を行う。前段の槽４内には非磁性支持体１の供
給ロール６を配し、後段の槽５内にはその巻取ロ
ール７を配し、両ロール６から７に両槽４及び５
の双方に順次非磁性支持体１が移行するようにな
される。そして、一方の槽４内にはCo、Co−Ni
等の磁性金属の蒸着、スパツタリング、イオンプ
レーテイングを行う手段８を配する。この槽４内
には例えば円筒キヤン９とガイドローラ１０とを
配し、供給ロール６から繰り出された非磁性支持
体１がこのキヤン９を繞つてガイドローラ１０に
よつてガイドされて後段の槽５内に導かれる。図
示の例では手段８が蒸着手段である場合を示し、
キヤン９に対向してCo、Co−Ni等の蒸着源１１
が配され、これが加熱手段１２によつて加熱され
てシヤツターないしはマスク１３を介してキヤン
９の周面を繞る支持体１の一方の面に蒸着源１１
よりの金属を蒸着して第１図で説明した金属薄膜
磁性層２を形成する。このように金属薄膜磁性層
２が形成された支持体１は、後段の槽５内に送ら
れる。この槽５内には、例えば水冷、空冷等によ
つて冷却されたクーリングキヤン１４、すなわち
冷却ロールが配されこのキヤン１４にその支持体
１の磁性層２を有する側とは反対側の面が接触す
るようガイドローラ１５を繞り、キヤン１４を繞
つて巻取りロール７に巻取られるようにする。ま
た槽５内のキヤン１４の周面に支持体１の磁性層
を有する側に対向して加熱手段を設ける。この加
熱手段１６は抵抗ヒータによるものを始めとし
て、高周波誘導加熱コイルを配して磁性層中に生
じる誘導電流によつてその加熱を行わせるように
したもの、更に或いは電子ビーム、イオンビー
ム、レーザービーム、赤外線等の照射によるもの
など非接触型加熱方法によるものであるが、その
他種々の非接触型の加熱態様を採り得る。尚１７
及び１８は、夫々槽４及び５に設けられた排気口
で、図示しないが真空ポンプに連結される。また
１９は、例えば槽５内に不活性ガス等の雰囲気ガ
スを送り込む供給口である。
このようにして非磁性支持体１側が冷却されつ
つ金属薄膜磁性層２の熱処理がなされて得た磁気
記録媒体は、磁性層２が支持体１上に強固に被着
される。
つ金属薄膜磁性層２の熱処理がなされて得た磁気
記録媒体は、磁性層２が支持体１上に強固に被着
される。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例 １
10-5トルの真空中で、12μｍの厚さのポリエチ
レンテレフタレートの支持体１上に、Co80−Ni20
の金属を1000Åの厚さに蒸着して磁性層２を形成
した。この時の磁性層２の磁気的特性は、抗磁力
Hcが100Oe、残留磁束密度Brは9000ガウスであ
つた。そしてこのようにして得た媒体を、支持体
１側をクーリングキヤンに接触させて冷却しつつ
10-3〜10-4トルの酸素O2雰囲気中で、磁性層２
に、電子線を0.8W／cm2で２秒間照射してその加
熱処理を行つた。
レンテレフタレートの支持体１上に、Co80−Ni20
の金属を1000Åの厚さに蒸着して磁性層２を形成
した。この時の磁性層２の磁気的特性は、抗磁力
Hcが100Oe、残留磁束密度Brは9000ガウスであ
つた。そしてこのようにして得た媒体を、支持体
１側をクーリングキヤンに接触させて冷却しつつ
10-3〜10-4トルの酸素O2雰囲気中で、磁性層２
に、電子線を0.8W／cm2で２秒間照射してその加
熱処理を行つた。
このようにして得た磁気記録媒体の磁性層２の
剥離強度を測定した。この剥離強度の測定は、直
径100μｍのサフアイヤボールを100mm／minで、
所定の荷重をかけながら擦つた場合に傷がつかな
い最大の荷重を測定したものでこの場合、その最
大荷重は90ｇであつた。また、実施例１におい
て、その加熱を酸素イオンビーム照射によつたも
のの同様の剥離強度は100ｇ、赤外線照射によつ
たもののそれは70ｇであつた。このように酸素雰
囲気中で上述した熱処理を行つたものは、剥離強
度をより高め得るが、実施例１における加熱処理
時の雰囲気を、10-5トルの真空中としたときの電
子線照射による加熱をしたものの剥離強度は、80
ｇであり、同様の真空中でアルゴンイオン照射に
よる加熱によつたものも、同様の剥離強度は80
ｇ、赤外線照射時によつたものは50ｇであつたに
比し、上述した熱処理をしなかつた場合のそれは
10ｇに過ぎなかつた。
剥離強度を測定した。この剥離強度の測定は、直
径100μｍのサフアイヤボールを100mm／minで、
所定の荷重をかけながら擦つた場合に傷がつかな
い最大の荷重を測定したものでこの場合、その最
大荷重は90ｇであつた。また、実施例１におい
て、その加熱を酸素イオンビーム照射によつたも
のの同様の剥離強度は100ｇ、赤外線照射によつ
たもののそれは70ｇであつた。このように酸素雰
囲気中で上述した熱処理を行つたものは、剥離強
度をより高め得るが、実施例１における加熱処理
時の雰囲気を、10-5トルの真空中としたときの電
子線照射による加熱をしたものの剥離強度は、80
ｇであり、同様の真空中でアルゴンイオン照射に
よる加熱によつたものも、同様の剥離強度は80
ｇ、赤外線照射時によつたものは50ｇであつたに
比し、上述した熱処理をしなかつた場合のそれは
10ｇに過ぎなかつた。
尚、本発明製法における加熱時のイオンビーム
としては、アルゴンと酸素の混合ガスを始めとし
てNe、He、Ni、CnHm、CnFmとが、これらや
これらとAr、O2の混合ガスによるイオンビーム
を用いることもできる。また、その熱処理の雰囲
気もこれらガスの雰囲気中で行うことができる。
としては、アルゴンと酸素の混合ガスを始めとし
てNe、He、Ni、CnHm、CnFmとが、これらや
これらとAr、O2の混合ガスによるイオンビーム
を用いることもできる。また、その熱処理の雰囲
気もこれらガスの雰囲気中で行うことができる。
上述したように本発明においては非磁性支持体
１側を冷却させつつ金属薄膜磁性層２の加熱を行
うものであり、この時この磁性層２の非磁性支持
体１への被着強度が高められるが、この電子線等
の照射エネルギーは、0.1〜10W／cm2、0.1〜５秒
で顕著に金属薄膜磁性層２の膜強度と被着強度の
向上がみられた。そして、この熱処理を支持体１
側の冷却を行わないでなしたときは、この熱によ
つて非磁性支持体１に変形歪が生じ磁性層２の強
化、被着強度の向上はみられなかつた。
１側を冷却させつつ金属薄膜磁性層２の加熱を行
うものであり、この時この磁性層２の非磁性支持
体１への被着強度が高められるが、この電子線等
の照射エネルギーは、0.1〜10W／cm2、0.1〜５秒
で顕著に金属薄膜磁性層２の膜強度と被着強度の
向上がみられた。そして、この熱処理を支持体１
側の冷却を行わないでなしたときは、この熱によ
つて非磁性支持体１に変形歪が生じ磁性層２の強
化、被着強度の向上はみられなかつた。
第１図は本発明製法による磁気記録媒体の断面
図、第２図は本発明製法を実施する装置の一例の
略線的断面図である。 １は非磁性支持体、２は金属薄膜磁性層であ
る。
図、第２図は本発明製法を実施する装置の一例の
略線的断面図である。 １は非磁性支持体、２は金属薄膜磁性層であ
る。
Claims (1)
- １ 非磁性支持体上に、Coを主成分とする金属
磁性薄膜を形成し、上記非磁性支持体を冷却ロー
ルに接触させた状態で、上記金属磁性薄膜を非接
触型加熱手段により、0.1〜10W／cm2のパワーで
0.1〜5sec加熱する磁気記録媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5167682A JPS58169333A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 磁気記録媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5167682A JPS58169333A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 磁気記録媒体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169333A JPS58169333A (ja) | 1983-10-05 |
| JPH0352135B2 true JPH0352135B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=12893477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5167682A Granted JPS58169333A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 磁気記録媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169333A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165410A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 強磁性薄膜形成装置 |
| WO2013123997A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Applied Materials, Inc. | In-situ annealing in roll to roll sputter web coater and method of operating thereof |
| CN109290740B (zh) * | 2018-10-18 | 2021-03-02 | 重庆文理学院 | 一种在加热处理过程中控制柱塞热变形的工艺方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164423A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5167682A patent/JPS58169333A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58169333A (ja) | 1983-10-05 |
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