JPS60237703A - マイクロ波半導体発振器 - Google Patents
マイクロ波半導体発振器Info
- Publication number
- JPS60237703A JPS60237703A JP9511284A JP9511284A JPS60237703A JP S60237703 A JPS60237703 A JP S60237703A JP 9511284 A JP9511284 A JP 9511284A JP 9511284 A JP9511284 A JP 9511284A JP S60237703 A JPS60237703 A JP S60237703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- dielectric resonator
- substrate
- resonator
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/017—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a dielectric resonator
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、マイクロ波集積回路（以下ＭＩＣと称す）基
板を用いたマイクロ波半導体発振器、特に誘電体共振器
を帰還回路として構成したマイクロ波半導体発振器に関
するものである。
板を用いたマイクロ波半導体発振器、特に誘電体共振器
を帰還回路として構成したマイクロ波半導体発振器に関
するものである。
従来、この種のマイクロ波半導体発振器としては、第１
図（ａ）及び山）に示すものがあった。第１図（ａ）は
その平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＩｂ−Ｉｂ
線断面図である。図において、１はマイクロ波帯で低誘
電損失を有するセラミックスからなるＭＩＣ基板、２は
該ＭＩＣ基板１の裏面に同時焼成法あるいはメッキ法で
形成されたタングステン。
図（ａ）及び山）に示すものがあった。第１図（ａ）は
その平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＩｂ−Ｉｂ
線断面図である。図において、１はマイクロ波帯で低誘
電損失を有するセラミックスからなるＭＩＣ基板、２は
該ＭＩＣ基板１の裏面に同時焼成法あるいはメッキ法で
形成されたタングステン。
ニッケル、金の多層金属膜からなる接地導体、３゜４．
５は各々該接地導体２と同種の多層金属膜からなるマイ
クロストリップ線路によって構成されるソース電極伝送
線路、ドレイン電極伝送線路。
５は各々該接地導体２と同種の多層金属膜からなるマイ
クロストリップ線路によって構成されるソース電極伝送
線路、ドレイン電極伝送線路。
ゲート電極伝送線路、６はソース電極Ｓ−，ドレイン電
極り、ゲート電極Ｇの各々が上記伝送線路３゜４．５の
各々にハンダ付けされたＦＥＴ、７は酸化チタンなどか
らなり、ドレイン電極伝送線路４と、ゲート電極伝送線
路５に電磁気的に結合するように配置されている誘電体
共振器、８は該誘電体共振器７の共振周波数を変化させ
るために上下に移動可能に設けられた金属製の周波数調
整板、９は誘電体共振器７の共振周波数以外での寄生マ
イクロ波発振を防止するためにゲート電極伝送線路５と
接地導体２とを接続するゲート側安定化抵抗である。
極り、ゲート電極Ｇの各々が上記伝送線路３゜４．５の
各々にハンダ付けされたＦＥＴ、７は酸化チタンなどか
らなり、ドレイン電極伝送線路４と、ゲート電極伝送線
路５に電磁気的に結合するように配置されている誘電体
共振器、８は該誘電体共振器７の共振周波数を変化させ
るために上下に移動可能に設けられた金属製の周波数調
整板、９は誘電体共振器７の共振周波数以外での寄生マ
イクロ波発振を防止するためにゲート電極伝送線路５と
接地導体２とを接続するゲート側安定化抵抗である。
このように構成された従来のマイクロ波半導体発振器は
、ゲート電極Ｇで発生する微少なマイクロ波信号をＦＥ
、Ｔ６で増幅してドレイン電極りに出力すると共に、ド
レイン電極伝送線路４、ゲート電極伝送線路５、誘電体
共振器７により構成される帯域通過フィルタを通じてゲ
ート電極Ｇに正帰還し、この帰還作用によって一鎗のマ
イクロ波電力を発振している。なお、この従来の発振器
の場合、誘電体共振器７の共振周波数以外で寄生発振が
生じないよう、ゲート電極伝送線路５は伝送線路の特性
インピーダンスと同一のインピーダンスのゲート側安定
化抵抗９で終端されており、発振したマイクロ波電力は
、ソース電極Ｓより取り出される。
、ゲート電極Ｇで発生する微少なマイクロ波信号をＦＥ
、Ｔ６で増幅してドレイン電極りに出力すると共に、ド
レイン電極伝送線路４、ゲート電極伝送線路５、誘電体
共振器７により構成される帯域通過フィルタを通じてゲ
ート電極Ｇに正帰還し、この帰還作用によって一鎗のマ
イクロ波電力を発振している。なお、この従来の発振器
の場合、誘電体共振器７の共振周波数以外で寄生発振が
生じないよう、ゲート電極伝送線路５は伝送線路の特性
インピーダンスと同一のインピーダンスのゲート側安定
化抵抗９で終端されており、発振したマイクロ波電力は
、ソース電極Ｓより取り出される。
そしてこの従来のマイクロ波半導体発振器は高いＱ値（
ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）の誘電体共振器７で安
定化されているので、外部負荷、バイアス電圧。
ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）の誘電体共振器７で安
定化されているので、外部負荷、バイアス電圧。
動作温度の変動による発振周波数の変化が小さく、周波
数調整板８と誘電体共振器７との間隔ｄを小さくするこ
とにより発振周波数を上昇させることが可能で、周波数
調整板８による機械同調が簡易であるという特徴がある
。
数調整板８と誘電体共振器７との間隔ｄを小さくするこ
とにより発振周波数を上昇させることが可能で、周波数
調整板８による機械同調が簡易であるという特徴がある
。
しかし、上記従来のマイクロ波半導体発振器では、ドレ
イン電極伝送線路４．ゲート電極伝送線路５及び誘電体
共振器７により構成される帯域通過フィルタにより発振
周波数が決まるので、誘電体共振器７と、ドレイン電極
伝送線路４及びゲート電極伝送線路５との間隔により発
振周波数が変化し、マイクロ波半導体発振器を組立て−
る場合、誘電体共振！１７の取り付けに非常に長い時間
を必要とすると共に、周波数調整板８による機械同調幅
を大きく取る必要があり、発振周波数調整においても、
長い時間が必要になり、量産性が低いという欠点があっ
た。
イン電極伝送線路４．ゲート電極伝送線路５及び誘電体
共振器７により構成される帯域通過フィルタにより発振
周波数が決まるので、誘電体共振器７と、ドレイン電極
伝送線路４及びゲート電極伝送線路５との間隔により発
振周波数が変化し、マイクロ波半導体発振器を組立て−
る場合、誘電体共振！１７の取り付けに非常に長い時間
を必要とすると共に、周波数調整板８による機械同調幅
を大きく取る必要があり、発振周波数調整においても、
長い時間が必要になり、量産性が低いという欠点があっ
た。
本発明は、このような従来のものの欠点を除去するため
になされたもので、帰還回路を構成する誘電体共振器と
ドレイン電極伝送線路及びゲート電極伝送線路との間の
間隔をそれぞれ一定にする位置決め手段をＭＩＣ基板上
に設けることにより、量産性にすぐれたマイクロ波半導
体発振器を提供することを目的としている。
になされたもので、帰還回路を構成する誘電体共振器と
ドレイン電極伝送線路及びゲート電極伝送線路との間の
間隔をそれぞれ一定にする位置決め手段をＭＩＣ基板上
に設けることにより、量産性にすぐれたマイクロ波半導
体発振器を提供することを目的としている。
以下本発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例を示し、第２図（ａ）はその
平面図、第２図〜）は第一回（ａ）のｎｂ−ｎｂ線断面
図であり、第１図と同一符号は同−又は相当部分を示す
。第２図において、１０はＭＩＧ基板１と同一のセラミ
ックスを用いて謄写印刷法や同時焼成法により、ＭＩＣ
基板１上に形成された突部である。該突部１０には位置
決め凹部１０ａが凹設され、該凹部１０ａ内には誘電体
共振器７が挿入され、これとゲート電極伝送線路５及び
ドレイン電極伝送線路４との間は各々所定の間隔になっ
ている。
平面図、第２図〜）は第一回（ａ）のｎｂ−ｎｂ線断面
図であり、第１図と同一符号は同−又は相当部分を示す
。第２図において、１０はＭＩＧ基板１と同一のセラミ
ックスを用いて謄写印刷法や同時焼成法により、ＭＩＣ
基板１上に形成された突部である。該突部１０には位置
決め凹部１０ａが凹設され、該凹部１０ａ内には誘電体
共振器７が挿入され、これとゲート電極伝送線路５及び
ドレイン電極伝送線路４との間は各々所定の間隔になっ
ている。
このように構成された本実施９例マイクロ波半導体発振
器においても従来の発振器と同様に、ＦＥＴ６のドレイ
ン電極りからゲート電極Ｇへ、ドレイン電極伝送線路４
．ゲート電極伝送線路５．及び誘電体共振器７により構
成される帯域通過フィルタを介して正帰還をかけ、マイ
クロ波発振電力を得ている。よって本実施例においても
従来と同様に外部負荷、バイアス電圧、動作温度の変動
による発振周波数の変化が小さいという特徴を有する。
器においても従来の発振器と同様に、ＦＥＴ６のドレイ
ン電極りからゲート電極Ｇへ、ドレイン電極伝送線路４
．ゲート電極伝送線路５．及び誘電体共振器７により構
成される帯域通過フィルタを介して正帰還をかけ、マイ
クロ波発振電力を得ている。よって本実施例においても
従来と同様に外部負荷、バイアス電圧、動作温度の変動
による発振周波数の変化が小さいという特徴を有する。
そして本実施例では位置決め凹部１０ａにより誘電体共
振器７と各伝送線路５，４との間隔を所定値にしており
、そのため誘電体共振器７の取り付は時間及び周波数調
整板８による機−同調幅が小さくでき、作業時間の大幅
な短縮が可能である。
振器７と各伝送線路５，４との間隔を所定値にしており
、そのため誘電体共振器７の取り付は時間及び周波数調
整板８による機−同調幅が小さくでき、作業時間の大幅
な短縮が可能である。
なお上記実施例では位置決め手段として基板１に位置決
め凹部１０ａを一体形成した場合について説明したが、
この位置決め手段はこのような凹部に限られるものでは
ないのは勿論であり、また必ずしも基板ｌと一体形成し
なくてもよい。
め凹部１０ａを一体形成した場合について説明したが、
この位置決め手段はこのような凹部に限られるものでは
ないのは勿論であり、また必ずしも基板ｌと一体形成し
なくてもよい。
以上のように本発明菰係るーイクロ波半導体発振器によ
れば、誘電体共振器７と各伝送線路との間隔を所定値に
するための位置決め手段を設けたので、該誘電体共振器
の取付作業の能率を大きく向上でき、量産性を向上でき
る効果がある。
れば、誘電体共振器７と各伝送線路との間隔を所定値に
するための位置決め手段を設けたので、該誘電体共振器
の取付作業の能率を大きく向上でき、量産性を向上でき
る効果がある。
第１図（ａ）は従来のマイクロ波半導体発振器の平面図
、第１図（ｂｌは第１図（ａｌのＩｂ−Ｉｂ線断面図、
第２図（ａ）はこの発明の一実施例によるマイクロ波半
導体発振器の平面図、第２図山）は第２図（ａ）の■ｂ
−ｎｂ線断面図である。 １・・・マイクロ波集積回路基板、４・・・ドレイン電
極伝送線路、５・・・ゲート電極伝送線路、６・・・Ｆ
ＥＴ、７・・・誘電体共振器、１０ａ・・・位置決め手
段（位置決め四部）、Ｄ・・・ドレイン電極、Ｇ・・・
ゲート電極。 図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 （Ｑ） 第２図
、第１図（ｂｌは第１図（ａｌのＩｂ−Ｉｂ線断面図、
第２図（ａ）はこの発明の一実施例によるマイクロ波半
導体発振器の平面図、第２図山）は第２図（ａ）の■ｂ
−ｎｂ線断面図である。 １・・・マイクロ波集積回路基板、４・・・ドレイン電
極伝送線路、５・・・ゲート電極伝送線路、６・・・Ｆ
ＥＴ、７・・・誘電体共振器、１０ａ・・・位置決め手
段（位置決め四部）、Ｄ・・・ドレイン電極、Ｇ・・・
ゲート電極。 図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 （Ｑ） 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ マイクロ波集積回路基板上に設けられ増幅回路
を構成する電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと記す）
と、該ＦＥＴのゲート電極、ドレイン電極に接続された
ゲート電極伝送線路及びドレイン電極伝送線路と、該画
伝送線路に電磁気的に結合され上記ＦＥＴのドレイン電
極、ゲート電極間の正帰還回路を構成する誘電体共振器
と、上記基板上に設けられ誘電体共振器と上記各伝送線
路との間隔を各々所定値にするための位置決め手段とを
備えたことを特徴とするマイクロ波半導体発振器。 （２） 上記位置決め手段は、上記各伝送線路と所定間
隔をあけて上記基板に凹設され上記誘電体共振器が挿入
される位置決め凹部であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のマイクロ波半導体発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9511284A JPS60237703A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | マイクロ波半導体発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9511284A JPS60237703A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | マイクロ波半導体発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60237703A true JPS60237703A (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=14128763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9511284A Pending JPS60237703A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | マイクロ波半導体発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60237703A (ja) |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP9511284A patent/JPS60237703A/ja active Pending
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