JPS60241278A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS60241278A JPS60241278A JP59097833A JP9783384A JPS60241278A JP S60241278 A JPS60241278 A JP S60241278A JP 59097833 A JP59097833 A JP 59097833A JP 9783384 A JP9783384 A JP 9783384A JP S60241278 A JPS60241278 A JP S60241278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pellet
- semiconductor device
- emitting
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えは発光用半導体装置と受光用半導体ｈ
ｈとＹａみ合わせ１発光側からの光信号ｌ受光側で電気
信号に変換して出力するフォトインタラシタ等の光半導
体装置に関する。
ｈとＹａみ合わせ１発光側からの光信号ｌ受光側で電気
信号に変換して出力するフォトインタラシタ等の光半導
体装置に関する。
一般に１発光用半導体素子と受光用半導体素子とを組み
金わせてフオトカ買うとして作用するようにした光半導
体装置は１例えは第１図に示すように構成されている。
金わせてフオトカ買うとして作用するようにした光半導
体装置は１例えは第１図に示すように構成されている。
発光側Ａおよび受光側Ｂそれぞれ別々のリードフレーム
１１ａ。
１１ａ。
１１ｂには１発光菓子ペレツ）１２ｍおよび受光素子ベ
レット１２ｂがマウントされ、それぞれにボンディング
ワイヤ１３ａ、１３ｂによるリードフレームとの接続が
施されている。この発光集子ベレン）２２＆および受光
素子ベレット１２ｂを當むボンデングワイヤ１３ ａ
、１３ｂの周囲は、それぞれにおいて透光性のエポキシ
樹脂１４＆、１４ｂにより充填封止され、この透光性樹
脂１４ａ、１４ｂには、それぞれ対向するレンズ部１５
ｈ、１５ｂが形成されている。
レット１２ｂがマウントされ、それぞれにボンディング
ワイヤ１３ａ、１３ｂによるリードフレームとの接続が
施されている。この発光集子ベレン）２２＆および受光
素子ベレット１２ｂを當むボンデングワイヤ１３ ａ
、１３ｂの周囲は、それぞれにおいて透光性のエポキシ
樹脂１４＆、１４ｂにより充填封止され、この透光性樹
脂１４ａ、１４ｂには、それぞれ対向するレンズ部１５
ｈ、１５ｂが形成されている。
そして、上記それぞれの透光性剥脂１４ａ。
１４ｂは、その対向するレンズ部１５１！ｔ、１５ｂの
み露出するようにして、不透光性のケース１６内に挿入
され封止接着されている。
み露出するようにして、不透光性のケース１６内に挿入
され封止接着されている。
ここで、上記発光素子ベレン）１２ｍおよび受光素子ペ
レット１２ｂを透光性樹脂１４ａ。
レット１２ｂを透光性樹脂１４ａ。
１４ｂで封止する際には、予めそれぞれのペレット１２
ｍ、１２ｂ位置とレンズ部１５ａ。
ｍ、１２ｂ位置とレンズ部１５ａ。
１５ｂとのセンタ合わせが行なわれる。
すなわち１発光素子ペレット１２ａからレンズ部１５ａ
を介して放射された光信号ａは、受光側Ｂのレンズ部１
５ｂ”Ｘｉ介して受光素子ペレット１２ｂで受光され１
軍気信号に変換されて出力されるものである。
を介して放射された光信号ａは、受光側Ｂのレンズ部１
５ｂ”Ｘｉ介して受光素子ペレット１２ｂで受光され１
軍気信号に変換されて出力されるものである。
しかしこのように構成された光半導体装置では１発光素
子ペレツ）１２ａおよび受光素子ペレット１２ｂをそれ
ぞれ透光性樹脂１４ａ。
子ペレツ）１２ａおよび受光素子ペレット１２ｂをそれ
ぞれ透光性樹脂１４ａ。
１４ｂにより封止しているので、ペレッ）１２ｈ。
１２ｂとレンズ部１５ｍ、１５ｂとのセンタ位置合わせ
積置が低く、シはしはペレットセンタとレンズセンタと
の位置ズレが生じてしまう。
積置が低く、シはしはペレットセンタとレンズセンタと
の位置ズレが生じてしまう。
このため、光変換効率に悪影ｑＩＩを及１１すようにな
り、光学特性が悪化してしまう。また１発光側Ａと受光
側Ｂとをそれぞれ単体で形成してからケース１６内に封
止して一体化しているので。
り、光学特性が悪化してしまう。また１発光側Ａと受光
側Ｂとをそれぞれ単体で形成してからケース１６内に封
止して一体化しているので。
製造コストが旨くなると共に機械的強度に難点がある。
この発明は上記のような問題点に勉みてなされたもので
、光電変換効率腸性か悪化することなく、安価で高性能
の光半導体装置を提供することを目的とする。
、光電変換効率腸性か悪化することなく、安価で高性能
の光半導体装置を提供することを目的とする。
すなわちこの発明に係る光半導体装置は１発光素子およ
び受光素子を封止したそれぞれの透明樹脂ケースを反射
性の筒い樹脂ケースで封九一体化し、素子とレンズ部と
のセンサ位置合わせを不要にするものである。
び受光素子を封止したそれぞれの透明樹脂ケースを反射
性の筒い樹脂ケースで封九一体化し、素子とレンズ部と
のセンサ位置合わせを不要にするものである。
以下図面によりこの発明の一実施例を説明する。
第２図はその構成を示すもので、まず１発光集子ペレツ
）１２ａと受光素子ペレット１２ｂを、それぞれ同一リ
ードフレーム２１のインナリード２２ｍ、２２ｂにマウ
ントする。次に。
）１２ａと受光素子ペレット１２ｂを、それぞれ同一リ
ードフレーム２１のインナリード２２ｍ、２２ｂにマウ
ントする。次に。
各ベレット１２ｍ、１２ｂの電極と他のインナリード２
３ｍ、２３ｂとの間をボンディングワイヤ１３ｍ、１３
ｂにより接続し、この？ンデイングワイヤ１３ｍ、１３
ｂおよびインナリード２２ｍ、２３ｍ、２２ｂ、２３ｂ
’５を含む発光素子ベレン）１２ｍおよび受光素子ペレ
ット１２ｂの周囲ン、それぞれ別個に透明のエポキシ、
樹脂２４で充填し透明樹脂ケース２５ａ。
３ｍ、２３ｂとの間をボンディングワイヤ１３ｍ、１３
ｂにより接続し、この？ンデイングワイヤ１３ｍ、１３
ｂおよびインナリード２２ｍ、２３ｍ、２２ｂ、２３ｂ
’５を含む発光素子ベレン）１２ｍおよび受光素子ペレ
ット１２ｂの周囲ン、それぞれ別個に透明のエポキシ、
樹脂２４で充填し透明樹脂ケース２５ａ。
２５ｂにより封止する。この透明樹脂ケース２５ｍ、２
５ｂには、それぞれ発光側Ａと受光側Ｂとで対向するレ
ンズ部２６ｔｈ、２６ｂｆ形成する。
５ｂには、それぞれ発光側Ａと受光側Ｂとで対向するレ
ンズ部２６ｔｈ、２６ｂｆ形成する。
そして、上記発光側Ａと受光側Ｂの透明樹脂ケース２５
ｇ、２５ｂの周囲を、上記対向するレンズ部２６ｈ、２
６ｂ間のみ離間して反射性のエポキシ樹脂２２により充
填し反射性樹脂ケース２８で一体封止する。この後、リ
ードフレーム２１ン破線ａ −Ｈに沿って切断し１発光
側Ａと受光側Ｂとに分け、半田材により表面処理を施す
。また反射性樹脂ケース２８の材料は。
ｇ、２５ｂの周囲を、上記対向するレンズ部２６ｈ、２
６ｂ間のみ離間して反射性のエポキシ樹脂２２により充
填し反射性樹脂ケース２８で一体封止する。この後、リ
ードフレーム２１ン破線ａ −Ｈに沿って切断し１発光
側Ａと受光側Ｂとに分け、半田材により表面処理を施す
。また反射性樹脂ケース２８の材料は。
白色顔料として絃化チタニウムまたは酸化亜鉛。
充填剤として炭酸カルシウムまたはアルミナ及び母体と
してエポキシ伺脂を混せ合わせたものとなっている。
してエポキシ伺脂を混せ合わせたものとなっている。
すなわちこのように構成される光半導体装置においては
１発光索子ベレッ）１２＊および受光素子ベレット１２
ｂｆ封止した透明樹脂ケース２５ｇ、２５ｂの周Ｗ」を
、さらに１反射性樹脂゛ケース２８により封止したので
、透明樹脂ケース２５ｈ、２５ｂ内における光の伝影性
が非常に良くなる。これにより１発光および父光累子ベ
レツ）１２ａ、１２ｂとそれぞれのレンズｆｆ１ｉ ２
６ ａ 、 ２６ ｂとのセンサ位置合わせを行なう必
要なく、上記発光素子ベレット１２ａからの光信号は極
めて少ない減に梃で受光素子ペレット１２ｂにて受光さ
れるようになる。つまり。
１発光索子ベレッ）１２＊および受光素子ベレット１２
ｂｆ封止した透明樹脂ケース２５ｇ、２５ｂの周Ｗ」を
、さらに１反射性樹脂゛ケース２８により封止したので
、透明樹脂ケース２５ｈ、２５ｂ内における光の伝影性
が非常に良くなる。これにより１発光および父光累子ベ
レツ）１２ａ、１２ｂとそれぞれのレンズｆｆ１ｉ ２
６ ａ 、 ２６ ｂとのセンサ位置合わせを行なう必
要なく、上記発光素子ベレット１２ａからの光信号は極
めて少ない減に梃で受光素子ペレット１２ｂにて受光さ
れるようになる。つまり。
受光側Ｂでは商い光゛也変侠効率により、充分な出力電
流か得られるようになる。また、それぞれの透明樹脂ケ
ース２５ａ、２５ｂをさらに。
流か得られるようになる。また、それぞれの透明樹脂ケ
ース２５ａ、２５ｂをさらに。
反射性エポキシ樹脂２７による反射性樹脂ケース２８で
一体化して構成したことにより、２車樹脂封止摺造とな
り、歇械的強腿および耐湿性か向上する。さらに、前記
第１図における従来の光半導体装置において用いた不通
光性ケース１６が不要となるため、製造工程か簡略化す
ると共に、製造コストが低く ｕ＋Ｉえられるようにな
る。
一体化して構成したことにより、２車樹脂封止摺造とな
り、歇械的強腿および耐湿性か向上する。さらに、前記
第１図における従来の光半導体装置において用いた不通
光性ケース１６が不要となるため、製造工程か簡略化す
ると共に、製造コストが低く ｕ＋Ｉえられるようにな
る。
以上のようにこの究明によれは１発光および受光集子ペ
レットとレンズ部とのセンタ合わせを行なう必要なく、
光電敦挨効率を向上することができると共に、従来必要
とした部品が不要となるはかりでなく、２亀桐加主Ｊ止
仔、造となることにより、安価でしかも１ｌｏＪ久江の
商い、高性能の光半導体装ｉαを提供することかできる
。
レットとレンズ部とのセンタ合わせを行なう必要なく、
光電敦挨効率を向上することができると共に、従来必要
とした部品が不要となるはかりでなく、２亀桐加主Ｊ止
仔、造となることにより、安価でしかも１ｌｏＪ久江の
商い、高性能の光半導体装ｉαを提供することかできる
。
第１図は従来の光半導体装置を示す断面構成図、第２図
はこの発明の一実施例に係る光半導体装置を示′ｆ断面
構成因である。 １２ｈ・・・発光素子ペレット−１２ｂ・・・受光素子
ヘレットＳ １３ａ、１３ｂ・・・ボンディングワイヤ
、２１・・・リードフレーム、２５ 。 ・・・透明樹ハへケース、２６ａ、２６ｂ・・・レンズ
部。 ２８・・・反則性（１°ｔＪ論ケース。
はこの発明の一実施例に係る光半導体装置を示′ｆ断面
構成因である。 １２ｈ・・・発光素子ペレット−１２ｂ・・・受光素子
ヘレットＳ １３ａ、１３ｂ・・・ボンディングワイヤ
、２１・・・リードフレーム、２５ 。 ・・・透明樹ハへケース、２６ａ、２６ｂ・・・レンズ
部。 ２８・・・反則性（１°ｔＪ論ケース。
Claims (1)
- 発光側および受光側のリードフレームにそれぞれマウン
トされボンディングされた発光素子および受光素子と、
この発光素子および受光素子の周囲をそれぞれ別々に充
填封止しそれぞれ対向するレンズ部を有する発光側およ
び受光側の透明樹脂ケースと、この発光側と受光側の透
明樹脂ケースの周囲を上記対向するレンズ部のみ露出し
て一体的に充填到止する反射性樹脂ケースとを具倫した
こと１％徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097833A JPS60241278A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097833A JPS60241278A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60241278A true JPS60241278A (ja) | 1985-11-30 |
Family
ID=14202716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097833A Pending JPS60241278A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60241278A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933729A (en) * | 1985-11-21 | 1990-06-12 | Nec Corporation | Photointerrupter |
| JP2007059657A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
| JP2007059658A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP59097833A patent/JPS60241278A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933729A (en) * | 1985-11-21 | 1990-06-12 | Nec Corporation | Photointerrupter |
| JP2007059657A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
| JP2007059658A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
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