JPS60246269A - セラミツク薄板の製造方法 - Google Patents

セラミツク薄板の製造方法

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JPS60246269A
JPS60246269A JP9848884A JP9848884A JPS60246269A JP S60246269 A JPS60246269 A JP S60246269A JP 9848884 A JP9848884 A JP 9848884A JP 9848884 A JP9848884 A JP 9848884A JP S60246269 A JPS60246269 A JP S60246269A
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JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
thin plate
sheet
sintering
raw
Prior art date
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Pending
Application number
JP9848884A
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English (en)
Inventor
布田 良明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tohoku Metal Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Tohoku Metal Industries Ltd filed Critical Tohoku Metal Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は1セラミック誘電体基板やセラミック絶縁体基
板として、電子部品材料に用いられるセ(1) ラミック薄板の製造方法に関し、更に詳細には。
厚み50〜200μm程度のセラミ、り薄板の製造方法
に関する。
〔従来技術〕
従来、セラミック薄板の製造方法として、比較的厚みの
ある焼結体から切断、研摩等の機械加−■−により薄板
とする方法がある。しかし、この方法では、素材の加工
損失が多く、製品歩留りが悪く。
かつ加工コストが犬きくなる問題点がある。
一方9例えばドクタープレーl゛法と呼ばれるスリップ
キャスティング法等により得られるセラミック生シート
を焼成するセラミック薄板の製造方法もある。これは、
セラミック誘電体と有機結合剤、可塑剤等を混合したス
ラリーを1゛クターブレードによりキャリアシート上に
成膜して乾燥し。
その後、キャリアシートが剥離したセラミック生シート
を所宇の形状に打抜き、このセラミ、りと焼結反応を生
じない様なセラミックの敷板状に載せて焼成する方法で
ある。しかしながら、この方法は、平面度の高い敷板を
必要とし、単位面積当(2) りの処理能力が低い問題点がある。焼成能力を大きくす
る方法として、第1図に示すように、敷板1をサヤ状に
し、多段積載焼成する方法があるが。
被焼結物2に比し敷板10体積が圧倒的に多く。
多段化のセット及び焼成後の回収が煩雑であるという問
題点がある。
ところで、セラミック生シートを多数枚積層して焼成す
ると、シート同士が互いに焼結反応を生じて接着し、セ
ラミック薄板を得る事はできない。
これに対し、シート間の焼結接着を防止する為。
セラミック生シートと反応しない異種セラミック粉末を
シートの積層間隙に敷粉として、充填する方法も考えら
れる。しかし、セラミック生シートが焼結収縮する過程
で、敷板とセラミックシートは点接触状態となり、セラ
ミックシートの厚み方向への自由度が大きくなるので、
平面度の悪いセラミック薄板となる問題点がある。
〔発明の目的〕
本発明は、上記問題点に鑑み、セラミック生シートを多
数枚積層焼成するに際し、積層1回収の方法が簡単で、
かつ反りがなくしかも平面度の良いセラミック薄板の得
られる製造方法を提供する事を目的とする。
〔発明の構成〕
本発明では、得ようとする薄板用セラミ、りより高い焼
結反応温度を有する第2のセラミック粉末を、得ようと
する薄板用セラミックの焼結反応温度より高く、かつ前
記高焼結反応温度より低い温度範囲で熱処理を行い、こ
の該熱処理粉末をスリップキャスティング法等によりセ
ラミック生シートとする。同様に、薄板用セラミック仮
焼粉末も、スリ、fキャスティング法等によりセラミッ
ク生シートとする。しかる後、各々のセラミック生シー
トを交互に積層し、薄板用セラミ、りの焼結反応温度で
焼成する事を特徴とする。
〔実施例〕
以下2本発明の詳細な説明する。
本発明においては、薄板用セラミック生シート(焼結反
応温度TO)と、高焼結温度のセラミック生シート(焼
結反応温度Tx ) (但し、Tx)Ta)が交互に積
層された構造なので、焼成過程で各各のセラミックの相
互拡散反応によりセラミックの接着や1組成変動を防止
する必要がある。
これに対し、薄板用セラミックより高い焼結温度を有す
るセラミック粉末を薄板用セラミックの焼結温度より高
い温度で熱処理する事により。
セラミック粉末の反応活性度を鈍化し、もって焼成過程
におけるセラミックシート相互の反応や接着を防止する
効果が得られる。
高焼結温度セラミックの熱処理温度がこのセラミックの
焼結温度以上の場合、当然、焼結が進行してスリ、ゾキ
ャスティング用としてのセラミック粉末は得られない。
また、熱処理温度が薄板用セラミ、りの焼結温度より低
い場合。
焼成の際反応活性によりセラミック相互の拡散反応によ
る組成変動をきたし、最終的に得られるセラミ、り薄板
の電気的9機械的特性が劣化する。
更に1本発明においては、セラミック粉末のスリラフ0
キヤステイング法等によるセラミック(5) 生/−トを用いる事により、積層の際、シートが互いに
面接触状態となり、焼成過程において薄板用セラミック
が収縮する場合、シートの厚み方向の自由度を低く抑え
、平面性の優れたセラミ、り薄板が得られる。
また、積み重ね状態で焼結するので反りが極力抑制でき
る。
第2図は本発明による積層構造を示す。図中。
3は薄板用セラミックシート、4が高焼結温度セラミッ
クシートである。
以下、実施例を示す。
実施例1 薄板用セラミックとして酸化アンチモン、酸化ニオブを
含有するチタン酸鉛、ジルコン酸鉛系複合誘電体セラミ
、り仮焼粉末を、スリップキャスティング法により厚み
120μmのセラミ、り生シートとし、直径23.8 
+mの円板に打抜いた。このセラミックの焼結温度は]
、 200 ′Cである。次に。
高焼結温度セラミックとして純度97チ、焼結温℃ 度1600 の酸化アルミニウム粉末を、1500′C
(6) で熱処理した後、スリップキャスティング法により厚み
80μmのセラミック生シートとし、直径240■の円
板に打抜いた。
しかる後、各々のセラミック円板を交互に20枚ずつ積
層し、1.200″Cで】時間焼成した。焼成後、外径
20φ、厚み100μmのセラミック薄板が得られ、酸
化アルミニウムは未反応のため非常にもろくなっている
ので薄板の回収は容易で、かつ、セラミック相互の反応
は認められなかった。
この様にして得られたセラミック薄板の評価結果を第1
表に示す。比較の為、第1図のサヤ状敷板を用いた場合
の結果も示す。
第1表 第1表より、明らかに本発明による製造方法のセラミッ
ク薄板は、従来法に比べ、電気的特性。
物理的特性で遜色ない値が得られ、更に積層1回収の時
間が175に短縮された。
実施例■ 薄板用セラミックとして、酸化ニッケル、酸化ニオブを
含むチタン酸鉛、ジルコン酸鉛系複合誘電体セラミック
仮焼粉末を用い、スリップキャスティング法により厚み
100μmのセラミック生シートとし、直径30mの円
板に打抜いた。このセラミックの焼結温度は1150 
である。次に、高焼結温度セラミックとして純度96チ
、焼結温度1600℃の酸化ジルコニウム粉末を140
0℃で熱部Aした後、スリップキャスティング法により
厚み50μmのセラミック生シートとし、直径32−の
円板に打抜いた。
しかる後、各々のセラミック円板を交互に25枚ずつ積
層し、1150′Cで1時間焼成した。焼成後。
直径27簡、厚み80μmのセラミック薄板が得られ、
酸化ジルコニウムは未反応のため非常にもろく々ってい
るので、薄板の回収は容易で、かつセラミック相互の反
応は認められなかった。この様にして得られたセラミッ
ク薄板の評価結果を第2表に示す。比較の為、第1図の
サヤ状敷板を用いた場合の結果も示す。
第2表 第2表より明らかに本発明による製造方法のセラミック
薄板は、従来法に比べ電気的特性1機械的特性で遜色な
い値が得られ、更に積層1回収の時間が1/6に短縮さ
れた。
〔発明の効果〕
以上、説明した様に5本発明によれば積層1回(9) 収の方法が簡単で、かつ平面度の良いセラミック薄板の
製造方法の提供が可能である。
なお、実施例では誘電体セラミック材料について説明を
行ったが1本発明はスリップキャスティング法等による
セラミック生シートが作成できる絶縁体セラミック材料
についても同様に実施可能であり、実施例に示したセラ
ミ、り材料に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
第1図は焼結に際しての従来の積層状態を示した図、第
2図は本発明方法の積層状態を示した乳図中、1は敷板
、2は被焼結物、3は薄板用セラミックシート、4は高
焼結温度セラミック7−ト。 □〆YI (10)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 セラミックのグリーン(生)シートを焼結して薄板
    を得る製造方法において、得ようとする前記セラミック
    グリーンシートと、このグリーンシートの焼結反応温度
    Taよシ高い焼結反応温度Tx (但し、Tx)Ta)
    を有する別に用意した第2のセラミックシートとを交互
    に積み重ねた状態で。 しかも得ようとする前記セラミックグリーンシートの焼
    結反応温度Taで焼結することを特徴とするセラミック
    薄板の製造方法。
JP9848884A 1984-05-18 1984-05-18 セラミツク薄板の製造方法 Pending JPS60246269A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5112780A (en) * 1989-05-12 1992-05-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Sialon based composite and method of manufacturing the same
US5470412A (en) * 1992-07-30 1995-11-28 Sumitomo Metal Ceramics Inc. Process for producing a circuit substrate
US5662755A (en) * 1993-10-15 1997-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making multi-layered ceramic substrates

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57106565A (en) * 1980-12-19 1982-07-02 Nittetsu Mining Co Ltd Mold release sheet for ceramic industry
JPS5950079A (ja) * 1982-09-10 1984-03-22 株式会社村田製作所 セラミツク薄板の製造方法

Patent Citations (2)

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