JPS60246286A - ゲルマニウム合金被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 - Google Patents
ゲルマニウム合金被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法Info
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- JPS60246286A JPS60246286A JP9632984A JP9632984A JPS60246286A JP S60246286 A JPS60246286 A JP S60246286A JP 9632984 A JP9632984 A JP 9632984A JP 9632984 A JP9632984 A JP 9632984A JP S60246286 A JPS60246286 A JP S60246286A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ファインセラミック材料として機械工業電子
工業等に用いられる炭化珪素質焼結体とその製造方法に
関するものであって、特に該焼結体と他の物質との接合
曲を改良した点ＶＣ特徴を有するものである。
工業等に用いられる炭化珪素質焼結体とその製造方法に
関するものであって、特に該焼結体と他の物質との接合
曲を改良した点ＶＣ特徴を有するものである。
最近、機械工業、電子工業をはじめとするあらゆる産業
分野で、工業材料に対して要求される課題が拡大し、従
来は回能上からも金属やプラスチックで十分であった部
材も、耐熱性や耐酸化曲などの点で使用限界が生ずるに
至り、ファインセラミック材料が使用されることが多く
なった。しかし、ファインセラばツク材料は優れた諸註
能を有するものの、靭性が金属より劣り、かつ硬度が高
いため機械７Ｊｎ工や接着接合などが困難であった。
分野で、工業材料に対して要求される課題が拡大し、従
来は回能上からも金属やプラスチックで十分であった部
材も、耐熱性や耐酸化曲などの点で使用限界が生ずるに
至り、ファインセラミック材料が使用されることが多く
なった。しかし、ファインセラばツク材料は優れた諸註
能を有するものの、靭性が金属より劣り、かつ硬度が高
いため機械７Ｊｎ工や接着接合などが困難であった。
ファインセラミック材料はかかるマイナス而をも持って
いる（てもかかわらず、集積回路基板、精密ベアリング
、ガスタービンなどの精密加工品への応用が高壕り、単
に素材の一部加工だけでなく、メタライズや接合のよう
に他の物質を付着、固定きせることの必要曲が生じてき
ている。
いる（てもかかわらず、集積回路基板、精密ベアリング
、ガスタービンなどの精密加工品への応用が高壕り、単
に素材の一部加工だけでなく、メタライズや接合のよう
に他の物質を付着、固定きせることの必要曲が生じてき
ている。
そして、上記の接合に関する要請に対し、特に炭化珪素
質焼結体（以下単にｓｉＣという）の表面をメタライズ
（金属化）する方法として、特開昭５５−１１３６８３
号及び特開昭５７−１６０９０６号が提案されている。
質焼結体（以下単にｓｉＣという）の表面をメタライズ
（金属化）する方法として、特開昭５５−１１３６８３
号及び特開昭５７−１６０９０６号が提案されている。
しかるに、前者即ち特開昭５５−１１６６８３号の方法
は、高価なタングステンやニッケル等を主１組成として
含有するメタライズペーストを用いなければならず、そ
の上前記ペーストでＳｉＣ表面がメタライズされる際Ｋ
ＳｉＣが分解し、その結果ＳｉＣ表面からメタライズ被
膜が剥離する等の欠点があった。又、後者即ち特開昭５
７−１６０９０６号の方法は、メタライズ層がｃｕを主
成分とし、これにＭｎまたはＭｎ化合物などのＳＩＣ表
面でケイ化物を形成する金属元素を含有するものである
。このメタライズ層は銅を主成分としているので、前者
の場合より強い接着強度は得られるものの、銅の熱膨張
率が１６．５ Ｘ １０−’／にであるのに対し、Ｓｔ
Ｃは４ Ｘ １０−’／に位であり、この熱膨張率の差
異によってＳＩＣ表面からメタライズ層が剥離する恐れ
がある。
は、高価なタングステンやニッケル等を主１組成として
含有するメタライズペーストを用いなければならず、そ
の上前記ペーストでＳｉＣ表面がメタライズされる際Ｋ
ＳｉＣが分解し、その結果ＳｉＣ表面からメタライズ被
膜が剥離する等の欠点があった。又、後者即ち特開昭５
７−１６０９０６号の方法は、メタライズ層がｃｕを主
成分とし、これにＭｎまたはＭｎ化合物などのＳＩＣ表
面でケイ化物を形成する金属元素を含有するものである
。このメタライズ層は銅を主成分としているので、前者
の場合より強い接着強度は得られるものの、銅の熱膨張
率が１６．５ Ｘ １０−’／にであるのに対し、Ｓｔ
Ｃは４ Ｘ １０−’／に位であり、この熱膨張率の差
異によってＳＩＣ表面からメタライズ層が剥離する恐れ
がある。
本発明は、ＳＩＣと他の物質との接合において。
上記従来技術の欠点とされている付着力に欠ける点を改
善するためになされたものである。
善するためになされたものである。
〔問題点を解決するため手段及びその作用３次に、本発
明の概要を第１図及び第２図によって説明すると 先づ
７２図に示すように、ｓｊｃ基板（１）の表面にゲルマ
ニウムの中間被膜層（２）をスパッタリング等の手段に
より形成する。次いで、オ・１図に示すように、前記ゲ
ルマニウム中間被膜層（２）の表面に金属蒸着法等によ
り他の金属の薄い金属層（４）を形成することにより、
その形成のだめの処理に伴ってＧｅと該金属の合金層（
３）がゲルマニウム中間被膜層（２）と金属薄層（４）
の間に形成てれるものである。
明の概要を第１図及び第２図によって説明すると 先づ
７２図に示すように、ｓｊｃ基板（１）の表面にゲルマ
ニウムの中間被膜層（２）をスパッタリング等の手段に
より形成する。次いで、オ・１図に示すように、前記ゲ
ルマニウム中間被膜層（２）の表面に金属蒸着法等によ
り他の金属の薄い金属層（４）を形成することにより、
その形成のだめの処理に伴ってＧｅと該金属の合金層（
３）がゲルマニウム中間被膜層（２）と金属薄層（４）
の間に形成てれるものである。
上記のゲルマニウム中間被膜層（２）を形成する場合の
手段はスパッタリングのほかにＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ
−ｃａｌ ｖａｐｏｒｅ ｄｅｐｏｓｉｓｉｏｎ ）、
蒸着等によってもよい。
手段はスパッタリングのほかにＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉ
−ｃａｌ ｖａｐｏｒｅ ｄｅｐｏｓｉｓｉｏｎ ）、
蒸着等によってもよい。
又、ＳＩＣ基板（１）の表面にゲルマニウム中間被膜層
（２）を形成するに際し、あらかじめその表面に存在す
る酸化被膜を弗酸処理又は逆スペッタ法によって処理す
ることにより除去することが本発明の効果を得る上で好
ましい。
（２）を形成するに際し、あらかじめその表面に存在す
る酸化被膜を弗酸処理又は逆スペッタ法によって処理す
ることにより除去することが本発明の効果を得る上で好
ましい。
上記金属薄層（４）を形成σせるために好ましい金属は
Ａｕ 、 Ａｌ、 Ｐｄ、 Ｐｔ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、
Ｆｅ、 Ｃｒ、 Ｍｇ、 Ｔｉ。
Ａｕ 、 Ａｌ、 Ｐｄ、 Ｐｔ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、
Ｆｅ、 Ｃｒ、 Ｍｇ、 Ｔｉ。
Ｚｆ、 ＭＯ，Ｗ、 Ｖ、Ｎｂ、 ’ｌ’ａでることが
本発明の効果を得る上で好ましい。
本発明の効果を得る上で好ましい。
以上の構成になる本発明のゲルマニウム合金被膜形成炭
化珪素質焼結体は、５ｉＣ−Ｇｅ−Ｇｅ合金−表面金属
又はＳＩＣＧｅ合金−表面金属等の各種層構成の生成形
成されたものとなる。これらは中間ＫＧｅ合金層が形成
されているために強度な結合を持っており、５ＩＣＯ熱
膨張係数が約４×１０１’／にであるの（対し、Ｇｅが
５．７５ Ｘ １０−’／にと双方の熱膨張係数の差が
小さいことによる相乗効果と相俟って、高温下の長時間
使用などの過酷な条件下でも歪の発生が極めて小さい。
化珪素質焼結体は、５ｉＣ−Ｇｅ−Ｇｅ合金−表面金属
又はＳＩＣＧｅ合金−表面金属等の各種層構成の生成形
成されたものとなる。これらは中間ＫＧｅ合金層が形成
されているために強度な結合を持っており、５ＩＣＯ熱
膨張係数が約４×１０１’／にであるの（対し、Ｇｅが
５．７５ Ｘ １０−’／にと双方の熱膨張係数の差が
小さいことによる相乗効果と相俟って、高温下の長時間
使用などの過酷な条件下でも歪の発生が極めて小さい。
それゆえこのＳｉＣ焼結体の表面と他の物質との接合時
における接着強度は、従来技術によるメタライズ層を有
するＳｉＣ焼結体のロウ付は品の２倍以上の値を示すこ
とが０Ｔ能となった。
における接着強度は、従来技術によるメタライズ層を有
するＳｉＣ焼結体のロウ付は品の２倍以上の値を示すこ
とが０Ｔ能となった。
（１）先づ本発明の第１実施例を示す。焼結法により得
られたＳＩＣ焼結体の表面に発生している極く薄い酸化
被膜（Ｓｉ ０２ ）を、弗化水素（ＨＦ’）が１０％
（重着）の水溶液で洗浄処理するか、或いはアルゴンガ
ス中で逆スパツタ法による処理により除去し、しかる後
Ａｒガス又はＡｒ−Ｈｔ 混合ガスもしくはＨ２ガス中
にてＧｅターゲットをス・くツタリングし、清浄なＳｉ
Ｃ表面に膜厚が約１μｍ〜１０μｍのアモルファス又は
微結晶のＧｅ被膜を形成した。但し、Ｈ，ガスを使用し
た場合にはＧｅ中中水水素入り、ダングリングボンドを
水素で補う形で結合している。
られたＳＩＣ焼結体の表面に発生している極く薄い酸化
被膜（Ｓｉ ０２ ）を、弗化水素（ＨＦ’）が１０％
（重着）の水溶液で洗浄処理するか、或いはアルゴンガ
ス中で逆スパツタ法による処理により除去し、しかる後
Ａｒガス又はＡｒ−Ｈｔ 混合ガスもしくはＨ２ガス中
にてＧｅターゲットをス・くツタリングし、清浄なＳｉ
Ｃ表面に膜厚が約１μｍ〜１０μｍのアモルファス又は
微結晶のＧｅ被膜を形成した。但し、Ｈ，ガスを使用し
た場合にはＧｅ中中水水素入り、ダングリングボンドを
水素で補う形で結合している。
第５図は上記ターゲットスパッタリング装置の一例を示
し、（８）はサブストホルダーであってこの上にＳａｃ
基板（１）が置かれる。（８）はヒーター、（９’）は
ターゲットホルダー、（９）は陰極であるＧｅターゲッ
ト、００は入力高周波の反射を防止するマツチングボッ
クス、０］）は１３．５６ＭＨｚの高周波電源、（１２
の矢印は真空ポンプに接続された排気口を示し、０は真
空計、θ◆はバルブを示し、ここからスパッタリング時
の雰囲気ガスが送り込まれる。
し、（８）はサブストホルダーであってこの上にＳａｃ
基板（１）が置かれる。（８）はヒーター、（９’）は
ターゲットホルダー、（９）は陰極であるＧｅターゲッ
ト、００は入力高周波の反射を防止するマツチングボッ
クス、０］）は１３．５６ＭＨｚの高周波電源、（１２
の矢印は真空ポンプに接続された排気口を示し、０は真
空計、θ◆はバルブを示し、ここからスパッタリング時
の雰囲気ガスが送り込まれる。
上記のようにして得られたＳｌＣ基板上のＧｅ中間被膜
の上に、更に蒸気等により例えばＡｕの薄い金属被膜を
形成妊せる。この時ＧｅとＡｕ とは僅かに合金層を形
成するが、完全な合金層を形成させるにはアンニイリン
グ（焼鈍）処理を施す必要がある。このアンニイリング
処理の条件は、９６ろ×１０１Ｐａ３００〜６００℃で
１時間行った。
の上に、更に蒸気等により例えばＡｕの薄い金属被膜を
形成妊せる。この時ＧｅとＡｕ とは僅かに合金層を形
成するが、完全な合金層を形成させるにはアンニイリン
グ（焼鈍）処理を施す必要がある。このアンニイリング
処理の条件は、９６ろ×１０１Ｐａ３００〜６００℃で
１時間行った。
上記のアンニイリングによりＳ１Ｃ基板上の巾とＡｕの
合金層はｓｔｃ −Ｇｅ−ＧＯ，Ａｕ合金−Ａｌｌか、
又は５ｉＣ−Ｇｅ、Ａｕ合金−Ａｕの順序で強固な結合
を持っている。前述の通りＳｉＣの熱膨張係数とＱｅの
熱膨張係数の差が僅差であることによって、１０００℃
前後の高温下の長時間使用等、過酷な条件にも耐久性が
おり、歪の発注が極めて少なかった。
合金層はｓｔｃ −Ｇｅ−ＧＯ，Ａｕ合金−Ａｌｌか、
又は５ｉＣ−Ｇｅ、Ａｕ合金−Ａｕの順序で強固な結合
を持っている。前述の通りＳｉＣの熱膨張係数とＱｅの
熱膨張係数の差が僅差であることによって、１０００℃
前後の高温下の長時間使用等、過酷な条件にも耐久性が
おり、歪の発注が極めて少なかった。
また、このようにして得られたＳｉＣ焼結体の表面同志
をロウ付けにより接合したところ、極めて容易に強固な
接着を示した。この接着強度を引張強度として測定した
ところ、６４３〜４４１ ＭＰａＯ値を得た。この値は
従来のメタライズ層を有するＳｉＣ焼結体のロウ付は品
の約２．５倍に当る。
をロウ付けにより接合したところ、極めて容易に強固な
接着を示した。この接着強度を引張強度として測定した
ところ、６４３〜４４１ ＭＰａＯ値を得た。この値は
従来のメタライズ層を有するＳｉＣ焼結体のロウ付は品
の約２．５倍に当る。
（２）次に、本発明の７２実施例を示す。焼結法により
得られたＳＩＣ焼結体基板の表面に発生している極〈薄
い酸化被膜（Ｓｌ ０２）を、上記７１実施例と同一手
段により除去した後、３・５図のターゲットスパッタリ
ング装置のサブストホルダー（８）にセットし、チャン
バーを１．３３Ｘ１０−’Ｐａ台まで真空ポンプａ埠に
より真空引きし、次にこのＳｉＣ基板をヒーター（８）
により加熱し、この温度が安定したらバルブ０◆を開い
てＨ，ガスを導入し、８０Ｐａに圧力をコントロールす
る。次いで高周波電源（１３，５６ＭＨｚ）’に入れ、
１５０Ｗの投入電力で、あらかじめセットしたＧｅ（９
９％以上）ターゲットをス・くツタにより３ｔｃ基板上
に形成されたＱｅの膜厚が１μｍ以上即ち２．５μｍＶ
Ｃなったとき放電を終了式せた。次にこのＳｉＣ基板を
蒸着装置に入れ、例えばＡｕを厚ざ５００ｎｍ程度蒸着
埒せ、しかる後空気中で２００℃以上でアンニイリング
処理を施しだところ第３図に示す如き合金層構成を有す
るＳｉＣ焼結体が得られた。すなわち、（１）はＳｉＣ
基板であり、（２）は厚さ２μｍのＱｅの中間被膜層で
あり、（５）は厚す約５００μｍのＡｕ −Ｇｅシリサ
イド層であり、（６）はＱｅｅ間被膜層（２）から拡散
したーが空気中の酸素と結合した厚さ５００μｍ程度の
Ｇｅ Ｏｘ層でろる。
得られたＳＩＣ焼結体基板の表面に発生している極〈薄
い酸化被膜（Ｓｌ ０２）を、上記７１実施例と同一手
段により除去した後、３・５図のターゲットスパッタリ
ング装置のサブストホルダー（８）にセットし、チャン
バーを１．３３Ｘ１０−’Ｐａ台まで真空ポンプａ埠に
より真空引きし、次にこのＳｉＣ基板をヒーター（８）
により加熱し、この温度が安定したらバルブ０◆を開い
てＨ，ガスを導入し、８０Ｐａに圧力をコントロールす
る。次いで高周波電源（１３，５６ＭＨｚ）’に入れ、
１５０Ｗの投入電力で、あらかじめセットしたＧｅ（９
９％以上）ターゲットをス・くツタにより３ｔｃ基板上
に形成されたＱｅの膜厚が１μｍ以上即ち２．５μｍＶ
Ｃなったとき放電を終了式せた。次にこのＳｉＣ基板を
蒸着装置に入れ、例えばＡｕを厚ざ５００ｎｍ程度蒸着
埒せ、しかる後空気中で２００℃以上でアンニイリング
処理を施しだところ第３図に示す如き合金層構成を有す
るＳｉＣ焼結体が得られた。すなわち、（１）はＳｉＣ
基板であり、（２）は厚さ２μｍのＱｅの中間被膜層で
あり、（５）は厚す約５００μｍのＡｕ −Ｇｅシリサ
イド層であり、（６）はＱｅｅ間被膜層（２）から拡散
したーが空気中の酸素と結合した厚さ５００μｍ程度の
Ｇｅ Ｏｘ層でろる。
このようなして得られたＳｉＣ焼結体の表面上に第４図
に示す如くざらＫ Ａｌ１層（７）を蒸着し、その上に
ハンダ（７）を乗せ、リード線（７“）をノ・ンダ付け
して、引張り試験を行った。その結果十分な接着強度が
得られた。従って前記Ｇｃ＋ ０２ ＩＩ （６）上に
Ａｕ又はＡ１等のＷ極配線を施したものを実用に供し得
ることが判った。
に示す如くざらＫ Ａｌ１層（７）を蒸着し、その上に
ハンダ（７）を乗せ、リード線（７“）をノ・ンダ付け
して、引張り試験を行った。その結果十分な接着強度が
得られた。従って前記Ｇｃ＋ ０２ ＩＩ （６）上に
Ａｕ又はＡ１等のＷ極配線を施したものを実用に供し得
ることが判った。
〔発明の効果）
上記本発明の第１実施例及び７２実施例の効果によって
明らかな退塾、本発明によれば、ＳｉＣ焼結体の表面Ｉ
ＣＧｅ中間被膜を介在ざぜ、これに金属蒸着等により強
固な密着性を有するＧｅ−金属合金層を形成させた金属
化ＳｉＣ焼結体を得ることを可能としたものであり、こ
れＶＣより機械丁業、電子工業などの多くの産業分野で
使用される精密７１１１工品の素材と１〜て最適なファ
インセラだツタ材料を提供することができる。
明らかな退塾、本発明によれば、ＳｉＣ焼結体の表面Ｉ
ＣＧｅ中間被膜を介在ざぜ、これに金属蒸着等により強
固な密着性を有するＧｅ−金属合金層を形成させた金属
化ＳｉＣ焼結体を得ることを可能としたものであり、こ
れＶＣより機械丁業、電子工業などの多くの産業分野で
使用される精密７１１１工品の素材と１〜て最適なファ
インセラだツタ材料を提供することができる。
第１，２図は本発明の概要を示し、３・１１ゾはオ・２
図の丁稚を経たＳｉＣ基板に薄い金属層を設けた断面図
、７２図はＳｉＣ基板上ＫＧｅ中間被膜層を設けた断面
図である。７３図は本発明の３・２実施例で形成された
Ｑｅ−金属合金層を示す断面図であリ、７４図は１６図
のＳｉＣ基板の接着強度を試験する場合の断面説明図で
あり、第５図はターゲットスパッタリング装置の構成図
である。 （１）・・・ＳｉＣ基板、（２）・・・Ｇｅ層、（３）
・・・Ｇ・−金属合金層。 （４）・・・薄い金属層（蒸着） 、 （５）・・・Ａ
ｕ−Ｑｅ’シリサイド層、（６） −ａｅ ０２層、（
７）−Ａｕ再薫蒸着層（７’） ・・・ハンダ、（７）
・・・リード線、（８）・・・サブストホルダー、 （
８）・・・ヒーター、 （９）・・・Ｇｅターゲットホ
ルダー、Ｃ９） 、−Ｑｅメタ−ット、（１（ｊ・・・
マツチングボックヌ、０め・・・高周波電源、ａつ・・
・真空排気口、０）・・・真空計、０４・・・パルプ、 代理人 弁理士 木 村 三 朗 同 同 佐々木 宗 治
図の丁稚を経たＳｉＣ基板に薄い金属層を設けた断面図
、７２図はＳｉＣ基板上ＫＧｅ中間被膜層を設けた断面
図である。７３図は本発明の３・２実施例で形成された
Ｑｅ−金属合金層を示す断面図であリ、７４図は１６図
のＳｉＣ基板の接着強度を試験する場合の断面説明図で
あり、第５図はターゲットスパッタリング装置の構成図
である。 （１）・・・ＳｉＣ基板、（２）・・・Ｇｅ層、（３）
・・・Ｇ・−金属合金層。 （４）・・・薄い金属層（蒸着） 、 （５）・・・Ａ
ｕ−Ｑｅ’シリサイド層、（６） −ａｅ ０２層、（
７）−Ａｕ再薫蒸着層（７’） ・・・ハンダ、（７）
・・・リード線、（８）・・・サブストホルダー、 （
８）・・・ヒーター、 （９）・・・Ｇｅターゲットホ
ルダー、Ｃ９） 、−Ｑｅメタ−ット、（１（ｊ・・・
マツチングボックヌ、０め・・・高周波電源、ａつ・・
・真空排気口、０）・・・真空計、０４・・・パルプ、 代理人 弁理士 木 村 三 朗 同 同 佐々木 宗 治
Claims (4)
- （１）炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼結体の表面
にゲルマニウムの中間被膜層を有し、該ゲルマニウム中
間被膜層の表面にゲルマニウムと他の金属の合金被膜層
を有することを特徴とするゲルマニウム合金被膜形成炭
化珪素質焼結体。 - （２）炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼結体の表面
にスパッタリング、ＣＶＤまたは蒸着によりゲルマニウ
ム被膜層を形成し、しかる後練ゲルマニウム被膜層の表
面に他の金属を蒸着することによりゲルマニウムと咳、
蒸着金属との合金被膜層を形成することを特徴とするゲ
ルマニウム合金被膜形成炭化珪素質焼結体の製造方法。 - （３）上記製造方法において、炭化珪素質焼結体の表面
にゲルマニウム被膜層を形成するに際し、あらかじめ炭
化珪素質焼結体の表面に存在するＳｉｎ。 の酸化被膜を弗散処理又は逆スパツタ法により防去する
特許請求の範囲第２項記載のゲルマニウム合金被膜形成
炭化珪素質焼結体の製造方法。 - （４）上記製造方法において、ゲルマニウム被膜の表面
に蒸着する他の金属が、Ａｕ、 ＡＩ、 Ｐｄ、 Ｐｔ
、Ｎｉ。 ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｒ、Ｍｏ、Ｗ
、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａで套る特許請求の範囲第２項記載のゲ
ルマニウム合金被膜形成炭化珪素質焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9632984A JPS60246286A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | ゲルマニウム合金被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9632984A JPS60246286A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | ゲルマニウム合金被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246286A true JPS60246286A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0480872B2 JPH0480872B2 (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=14161967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9632984A Granted JPS60246286A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | ゲルマニウム合金被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246286A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999051540A1 (de) * | 1998-04-02 | 1999-10-14 | Wacker-Chemie Gmbh | SiC-SPEICHERPLATTENSUBSTRAT MIT EINER BESCHICHTUNG AUS GERMANIUM UND SILICIUM |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP9632984A patent/JPS60246286A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999051540A1 (de) * | 1998-04-02 | 1999-10-14 | Wacker-Chemie Gmbh | SiC-SPEICHERPLATTENSUBSTRAT MIT EINER BESCHICHTUNG AUS GERMANIUM UND SILICIUM |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480872B2 (ja) | 1992-12-21 |
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