JPS60246357A - 電荷移動用両水性有機錯体、導電体または導電体の前駆体 - Google Patents

電荷移動用両水性有機錯体、導電体または導電体の前駆体

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JPS60246357A JP60098135A JP9813585A JPS60246357A JP S60246357 A JPS60246357 A JP S60246357A JP 60098135 A JP60098135 A JP 60098135A JP 9813585 A JP9813585 A JP 9813585A JP S60246357 A JPS60246357 A JP S60246357A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電荷移動用の雨水性有機錯体、導電体または導
電体の前駆体を目的とするものである。
電荷移動用の錯体は２つの分子、すなわち電子受容体と
して働く分子Ａと電子給体として働く分子りとの結合に
よって形成される。この反応は次式によって表わすこと
ができる。
ｍＡ　＋　ｎＤ　→−Ａｙｌｌ−ρＤｎ＋ρｍとｎｌｄ
それぞれの分子の数を表わし、ρは移動した電子の比率
に対応する電荷の移動を表わす。
ｍ　＝　ｎの場合は化学量論的単体となり、ｎとｍが異
る場合唸化学量論的錯体となる。
ρが−１げ０に等しい時の錯体は実質中性の状態の分子
錯体である。
ρが１の時が分子りまたはＡからの電荷をもつ真のイオ
ン性化合物となり、ρが１より小さい場合は存在する分
子より電荷の方が少ない。このように有機導電体を得る
ための必要な条件である混合原子価をもつ化合物がある
。それらの特性を挙げると以下の通りである。
１）？ｔ・子の船体から受容体への移動が行われる電荷
移動用の真の錯体であること。この場合側々の電子は軌
道π上に位置している（π−π錯体）。
２）一方のイオンが遊離性（ｒａｄｉｃａｌａｉｒｅ　
）であり、反対のイオンが反磁性（ｄｉａｍａｇｎｅｔ
ｉｑｕｅ　）１’ある、遊離性（ｒａｄｉｃａｌａｉｒ
ｅ　）のイオンの塩であること。
この種の錯体については特にｒＡｎｎａｌｅｓ　ｄｅ　
ＰｈｙｓｉｑｕｅＪ１９７６、第１巻第４−５号、１４
５−２５６頁およびｒ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｄｅ　Ｃｈｉ
ｍｉｅ　Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　Ｊ　１９８２．７９、第４
号に記載がある。また１９８３年６月発行のｒ　Ｊｏｕ
ｒｎａｌ　ｄｅ　Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　Ｊ第３回シン２ジ
ウム、第６号補遺、第４４巻１３０７−１３１２頁およ
び第１２６１−１２６４頁にはこの種の錯体ｆその電子
受容体がテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ　）であ
るものについての記載がある。この論文では異なる置換
基が錯体の電気特性に及ぼす影響について検討がなされ
ており、また複数の炭素原子またｔｔｍ式原子を含む好
ましくない置換基の存在が錯体の導電性を弱めるので有
害であることを確認している。従って上記の理由で今日
まで、少くとも１２個の炭素原子をもつ炭化水素の置換
基を含む電荷移動用の錯体を製造することは考えつかな
いことであった。しかるに、そのような置換基の存在が
、ある用途にとって有益な雨水性を分子に与えることが
ｆきるのである。「雨水性」の分子とは疎水性の部分す
なわち水のような極性の液体に対し反抗力をもつ部分と
、親水性の部分すなわち水のような極性の液体に対し親
和力をもつ部分とを持つ有機の分子である。
このような特徴のおかげで、雨水性の分子を水のような
液体の表面上に導入すると分−Ｉは液体の表面に拡がり
、親水性の部分が水中に沈む方向へ向い、また通常は炭
化水素鎖から成る疎水性の部分は、鎖の軸が水の表面に
対して垂直の方向に屈折するように分離していく。もし
分子内の凝集力が充分にある場合は、その分子はかたま
りとなり、その拡がりが制限されてラングミュール（Ｌ
ａｎｇｍｕｉｒ）のフィルムに相当するほぼ１分子の厚
さをもつ連続した単量体分子フィルムとなる。このよう
なフィルム１水の表面上に形成され、次い↑これを固体
の支持体上に定着し、ｒ　Ｊ、　ｏｆ　Ａｍ、　Ｃｈｅ
ｍ、　Ｓｏｃ、Ｊ、ｖｏｌ、５７（１９３５）１００７
−１０１０頁に記載のラングミュール・ブロジエ（Ｌａ
ｎｇｍｕｉｒ　Ｂｌｏｄｇｅｔｔ　）の方法に従い、適
当な表面圧力を加えて圧縮することができろう この方法を同質または異質の複数の単量体分子層を支持
体上に定着するために使うことが↑きる。
この場合各層の分子はすべて同一方向の配列〒ある。そ
してそのような層の結合から成るフィルムはその竹殊な
構造および構成のため電気や電子、その他の分野で応用
される。
分子が電荷移動用の有機錯体↑あり導電体である場合、
それからフィルムを作成することはいろいろな利益をも
たらす。すなわちこの錯体には温度やガスの存在、その
他外部の要因によってその電気特性を変化させる機能が
あるの〒１そのフィルムをガスや温度または溶液の成分
などの検出・検査用装置に使うことができる。
さらにこのフィルムは大きな伝導性の異方性を示すので
特別に有益マある。
さらにまた雨水性である電荷移動用の錯体は塗料やエマ
ルジョン中の電荷の伝導体として使うこともできる。
本発明はかくして、まさに雨水性を示す電荷移動用有機
錯体、導電体または導電体の前駆体を目的とするもので
ある５、 電荷移動用の雨水性錯体は次式に相当する。
ＤＡＸＸｙ（Ｉ） 式中りは単量体の電子給体の有機の基を表わし、Ａは電
子受容体の有機の基を表わし、Ｘはルイス酸から選ばれ
た雨水性でない電子受容体を表わし、Ｘは０より大きな
数、ｙは０またはそれ以上の数を表わす、、またＤとＡ
の少くとも一方は雨水柱受あり、少くとも１２個の炭素
原子をもつ飽和また１不飽和の炭化水素置換基を少くと
も１個含むもの〒ある。
一般にＸとｙは２０棟での値をとることができる。
炭化水素置換基の炭素の数は好甘しくは１４から３０受
ある。
上記の式中ＸはＰＦ６−１ｃｔｏ４−１ＢＦ４−１Ｒｅ
０４−１Ｉ０４−１ＦＳＯ３−１Ａｓ　Ｆ６−１Ａｓ　
Ｆ４−１Ｂｒ−１Ｃｔ−１ＭｎＣ６６−１これらの沃化
物、亜硝酸または硝酸の酸化物から選ばれだルイス酸で
あることが有利である。
錯体が雨水性でない受容体を含んでいる場合、すなわち
ｙがＯ以外の場合の好ましい受容体は１−である。
本発明の好筐しい実施の態様によると、単量体有機電子
給体の基りは少くとも１２個の炭素原子をもつ炭化水素
置換基を少くとも１個含む雨水性の基↑ある。この場合
、Ｄは少くとも１２個の炭素原子をもつ飽和または不飽
和の炭化水素基を少くとも１個含む脂肪族、芳香族、ま
たけ複素環式の塩基であることが有利である。
使用できる脂肪族の塩基として次式の第４級アンモニウ
ム基を挙げることができる。
（式中Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は同一または異なってい
てもよく、アルキル基または場合によっては１個または
それ以上の二重結合および／または三重結合を含む炭化
水素鎖を表わし、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６のうち少くと
も１個は少くとも１２個の炭素原千金もつ基である） 使用できる芳香族の塩基としては、アニリンまたはアニ
リンの置換誘導体から誘導された第４級アンモニウム基
であることが有利である。
使用受きる複素環式塩基は、ピリジン、ピペリジン、ビ
ピリジン、ベンゾピリジン（例えばキノリンおよびイン
ギノリン）、アクリジン、フェナジンおよびフェナント
ロリンから誘導された第４級アンモニウム基から成るも
のである。これらの基は特に次式で表わすことが１きる
。
式中９素原子の直換基Ｒは１２個以上の炭素原子をもつ
炭化水素基である。この置換基ＲＶｉまた水素原子また
は例えば１−４個の炭素原子をもつ低級アルキル基〒あ
ってもよい。この場合、１つまたは複数のベンゼン核ま
だは複素環の核にＶｉ１２個以上の炭素原子をもつ炭化
水素基から成る少くとももう１つの置換基が含まれてい
る、これらの核にはまたアルコキシ基、アルキル基、Ｃ
０ＯＲ基（Ｒはアルキル基）、ハロゲン原子などの１個
またはそれ以上の他の置換基が含まれていてもよい。
基Ｄ＋土、異質のへテロ原子、例えば窒素または硫黄原
子を複数個含む複素環式塩基を表わす。そのような複素
環式塩基の代表例としてＮ−プルキルベンゾチアゾール
およびそれらの置換誘導体、およびＮ−アルキルインド
レニニウムトリメチンシアニンおよびそれらの置換誘導
体を挙げることができる。
本発明中で使用される用語「飽和または不飽和の炭化水
素基」とは炭素原子と水素原子とから形成され、場合に
よっては１個またはそれ以上の二重または三重結合を含
む基を示す、これらの基は電子受容体の基Ａおよび／ま
たは電子給体の基りと一重結合によりまたは酸素原子ま
たは−ＣＯ〇−基を介して結合されていてもよい。
本発明の雨水性の錯体の中の電子受容体の有機の基Ａｄ
テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、ヘキサシアノブタ
ノエン（ＨＣＢＤ　）、１，２，４．５−テトラシアノ
ベンゼン（ＴＣＮＢ　）、７．７，８．８−テトラシア
ノキノジメタン（ＴＣＮＱ　）およびこれらの置換誘導
体、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＤＱ　）、ベン
ゾテトラシアノキノジメタン（ベンゾ−ＴＣＮＱ　）、
２．３，５．６−テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン（Ｃ
Ａ）、トリニトロベンゼン（ＴＮＢ）、テトラナフトキ
ノジメタン（ＴＮＡＰ　）　、チオフェンテトラシアノ
キノジメタン（チオフェン−ＴＣＮＱ　）　、セレノフ
ェン−テトラシアノキノジメタン（セレノフェン−ＴＣ
ＮＱ　）　、およびテトラシアノキノキナゾリノキナゾ
リン（ＴＣＱＱ　）から選ぶことができる。
本発明ではまたこれらの電子受容体の基の置換誘導体、
例えばフッ素化誘導体のような・・ロゲン化誘導体、ア
ルコキシ化誘導体、・アルキル化誘導体なども使うこと
ができる。。
本発明の好ましい実施の態様によれば、電子受容体Ａは
次式に相当する。
式中Ｒ１とＲ２は同一または異なっていてもよく、水素
原子、塩素、フッ素、臭素またはアルキル基を表わす。
電子受容体Ａはテトラシアノキノジメタンあるいは式（
Ｉｔ）中Ｒ１とＲ２が水素原子である誘導体であること
が好ましい。
本発明の錯体は導電体または導電体の前駆体の形で得ろ
こともできる。佐者の場合はこれをさらに物理的および
／または化学的処理に付して導電体に変えることが必要
である。
これらの錯体は通常くすんだ色の粉末まだは結晶として
得られ、特に赤外線に対する光学的特性があり、それら
のあるものは導電性がすぐれている。従って式（１）の
錯体のうち、ｙがＯよシ大きい場合１導電体となり、こ
れらは１ミクロンから約１０ミクロン（時にはそれ以上
のこともある）という非常に大きな電子吸引帯域および
電荷の移動中に起る基の振動吸収帯域が非常に大きいこ
と〔例えば錯体の基Ａがテトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ　）である場合の帯域は１１００および１３００
α−１１ある〕によって特徴づけられる赤外線吸収スペ
クトルを示す。式（１）の錯体のうちＸが１以外の数で
ｙが０である場合のものは同様に導電体でアシ、充分比
敵し得る赤外線スペクトルを示す。
その代り、式（１）の錯体のうちｘ＝１、ｙ＝。
の場合は絶縁体となり、電荷の移動中に起る基に起因す
る振動の帯の増大ならびに巾が狭いまま非対称化してい
く帯のゆがみを示す。
これらの錯体の抵抗率は、粉末状の雨水性の導電性錯体
の場合は２０℃で１０１から１０４０・国の間にあり、
導電性錯体の前駆錯体の場合は１いΩ・閏よりも高い。
本発明の錯体は特に、その結晶がスメクチック状態ｆあ
る。すなわち各伝導面が単分子（または２分子）であり
雨水性錯体の疎水性部分の絶縁面によってとなり同志隔
離されている従来の電荷移動用錯体とは異なる。本発明
の導電材料は従って必らず１次元のもので、かつ部分的
に２次元の特徴をもつが、従来の電荷移動用錯体は部分
的に３次元である１次元の導電体である。このことは単
結晶体の本発明の導電体に大きな伝導の異方性を与える
ことになる。
これらの雨水性の特性ゆえに本発明の電荷移動用錯体は
前述のラングミュール・ブロジェの方法により単分子層
に形成することができるのである。
本発明の電荷移動用錯体は、ｒ　Ｊｏｕｒｎ、　ｏｆ　
Ａｍ。
Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、　Ｊ　Ｖｏｌ、　８４　（１９６２
）　３３７４−３３８７頁でり、　Ｒ，Ｍｅ　ｌ　ｂｙ
外によって書かれた公知の方法で製造することができる
。
式（１）の錯体でｙ＝Ｑのもの、すなわち式ＤＡｘの錯
体を作る場合は、電子給体の有機の基りのハロゲン化物
と電子受容体の基Ａの塩、例えばＤの沃化物とＡのリチ
ウム塩とを反応させればよい。
この反応は通常エチレンアルコール、アセトニトリル等
の極性溶媒中で行う。
式（１）の錯体でｙが０以外のものを作る場合は、Ｄと
Ｘの化合物（ルイス酸と電子給体の有機基りとを化合し
て得られる）を電子受容体の有機基Ａと反応させる。基
Ｘが沃素である場合は、電子給体の基りの沃化物と電子
受容体の基とを反応させる。
錯体の製造に使う出発化合物、例えば炭化水素の長鎖を
含む置換有機の塩基は従来公知の方法で得られる。同様
に、電子受容体の基Ａも従来公知の方法で得られる公知
の化合物である。
式（１）においてｙ　＝　ＯＫ相当する本発明の錯体の
代表例として以下のものを挙げることができる。
（イ）式Ｄ　（ＴＣＮＱ　）においてＸが１または１．
５ｆあり、Ｄが次式で表わされる錯体 ＣＩ（３ （Ｒは１２−３０個の炭素原子を含むアルキル基を表わ
す） （ロ）式Ｄ　（ＴＣＮＱ　）２においてＤが次式で表わ
される錯体 ＨＴ（ （Ｒは１３−３０個の炭素原子を含むアルキル基を表わ
す） （ハ）式Ｄ　（ＴＣＮＱ　）においてＤが次式受表わさ
れる錯体 （Ｒは１２−３０個の炭素原子を含むアルキル基を表わ
す） 式（１）においてｙ＞Ｏの場合の本発明の代表的錯体と
して次式のものを挙げることができる。
（Ｒは１２−３０個の炭素原子を含むアルキル基を表わ
す） 以下の実施例は本発明の電荷移動用の錯体の態様を示す
ものマあるがこれらに限定されるものではない。
すべての実施例中、生成物は赤外線領域および可視領域
で分光測定によって同定し、また生成物の電気抵抗率の
測定は１（１７７ｃｍ２（１０３ＭＰａ　）で圧縮した
層について行なった。
実施例１ エチルアルコール中１ジオクタデシルジメチルアンモニ
ウムの沃化物１ｍｍｏｌとテトラシアノキノジメタン（
ＴＣＮＱ　）のリチウム塩１ｍｍｏｌとを加熱下反応さ
せる。液を冷却すると次式の錯体の青い結晶が析出する
。
これは式（１）においてＤがジオクタデシルツメチルア
ンモニウムｆあり、ＡがＴＣＮＱ　Ｓｘ　＝　１、ｙ＝
０の場合の錯体である。
この錯体のアセトニトリル溶液について可視領域中の吸
収を測定し、また母体ＫＢｒにより赤外線吸収スペクト
ルによりこの錯体の組成を観察する。
赤外線スペクトルによるとこの錯体は絶縁性の電荷移動
用錯体であることが判る。
実施例２ 実施例１−１１’得られた錯体のアセトニトリル溶液を
過剰のＴＣＮＱで処理する。冷却すると次式の黒色の錯
体が沈澱生成する。
これはｘ＝１５の錯体に相当する。この錯体の同定は実
施例１におけるように可視光線および赤外線における吸
収によって行う。ＫＢｒを母体とする赤外線吸収スペク
トルによりこの錯体は電気の半導体マあることが判る。
実施例３ アルコール媒体中ｖＮ−ｙデシルキノリン沃化物１ｍｍ
ｏｌとＴＣＮＱのリチウム塩１ｍｍｏｌを反応させると
次式の宵色の錯体が得られる。
との錯体は式（Ｔ）においてＤがＮ−Ｐデシルキノリニ
ウムを表わし、ＡがＴＣＮＱを表わし、ｘ＝ｌ。
ｙ＝０の場合の錯体に相当する。この錯体を赤外線およ
び可視光線における吸収スペクトルにより同定し、測定
する。
１０トン／ｃｍ”　（１０”　ＭＰａ　）で圧縮して得
た層ｆ電気抵抗率を測定したところ、この錯体は絶縁体
であることがわかった。
実施例４ 実施例３で得られた錯体をアセトニトリルに溶解し、こ
れを過剰のＴＣＮＱと反応させる。冷却するとＸが１の
代りに１．５である以外は実施例３と同じ式の青黒色の
錯体が析出する。この錯体は実施例３と同様に赤外線お
よび可視光線の吸収スにクトルにより同定される。
同様のφ柱下で測定され九匿気抵抗率によるとこの錯体
は半導体であることが判る。
実施例５ Ｎ−メチル、４−オクタデシル、５−オクタデシルオキ
シキノリン沃化物を加熱アルコールに溶かし、これを該
溶媒中１等モルのＴＣＮＱのリチウム塩と反応させる。
冷却後次式に相当する青緑色の錯体が沈澱生成する。
かくして式（１）においてＤがＮ−メチル、４−オクタ
デシル、８−オクトデシルオキシキノリニウムであり、
ＡがＴＣＮＱであり、ｘ　＝　１、ｙ＝＝Ｑの場合に相
当する錯体が得られる。
この錯体の同定を実施例３および４と同様にして行うと
、これは絶縁体ｆあることが確認される、実施例６ 加熱アセトニトリル中で過剰のＴＣＮＱを実施例５で得
られた錯体と反応させると紫色の新しい錯体半導体が析
出する。これは実施例５の式においてＸが１の代りに１
．５である場合の錯体であり半導体−ｒ４ある。
実施例７ アセトニトリル中で４．７−　Ｊ　）’デシルフェナン
トロリン２ｍｍｏｌをテトラシアノキノジメタン３ｍｍ
ｏｌト・ジヒＰロチトラシアノキノ・ジメタノ（ＴＣＮ
ＱＨ２）　１　ｍｍｏｌと反応させる。かくして次式に
相当する黒色の錯体が沈澱生成する。
これは式（１）においてｘ　＝　２、ｙ＝Ｑの錯体ｆあ
る。
この錯体を前述の通シ赤外線および可視光線の領域での
分光測光により同定し、又抵抗率の測定によりこれが導
電体であることが判明する。
実施例８ アルコール中↑Ｎ−アイコシル３，３′−ジメチルイン
ドレニウムトリメトンシアニンの沃化物０．５ｍｍｏ　
１とＴＣＮＱのリチウム塩０．５ｍｍｏｌとを反応させ
る。かくして次式の茶赤色の錯体が得られる。
この錯体は式（１）においてＤ　７５１　Ｎ−アイコン
ル３゜３′−ジメチルインドレニウムトリメチンシアニ
ンを表わし、ＡがＴＣＮＱを表わし、ｘ　＝　１、ｙ＝
。
の場合の錯体である。
実施例９ アセトニトリル中でＮ−オクタデシル−ベンゾチアゾー
ルの沃化物１ｍｍｏｌとテトラシアノキノジメタン０．
６６　ｍｍｏｌとを反応させると次式に相当する茶色の
錯体が得られる。
これは式（１）においてＤがＮ−オクタデシルベンゾチ
アゾリウムを表わし、ＡがＴＣＮＱを表わし、Ｘが沃素
、ｘ　＝　０．５、ｙ＝１の場合の錯体フある。
この錯体を赤外線スペクトルおよび可視光線スペクトル
で同定し７．１０）ン／ｃｍ２（１０３ＭＰａ　）　Ｍ
圧縮して得た層について電気抵抗率を測定すると、これ
が導電体であることが判明する。
実施例１０ アセトニトリル中でＴＣＮＱ　０．６　ｍｍｏ　ｌとＮ
−オクタデシルピリジニウム沃化物１ｍｍｏｌとを反応
させると次式に相当する錯体の黒色結晶が得られる。
これは式ＤＡＸＹｙにおいてｘ　＝　２／３、ｙ＝＝３
の場合の錯体受ある。
この錯体を可視光線および赤外線における分光測光によ
り同定し、抵抗率を測定すると、これが導電体であるこ
とが判明する。
実施例１１ 加熱アルコール溶液中でＮ−トコシルピリジニウム沃化
物１ｍｍｏｌとＴＣＮＱのリチウム塩１ｍｍｏｌとを反
応させると次式忙相当する錯体が得られる、 次いでこの錯体をアセトニトリル中で過剰のＴＣＮＱで
処理すると次式の結晶が得られる これは式ＤＡＸＶＣおいてχ＝＝１．５．ｙ二〇である
場合の錯体である。
さらＫかくして得られた錯体０．２ｍｍｏｌをアセトニ
トリル中で過剰のビリノニウム沃化物で処理こねは式（
Ｉ）においてＤｆＪ″−Ｎ−Ｆコシルビリジニウムを表
わし、ＡがＴＣＮＱであり、Ｘが沃素、χ＝％、Ｙ：＝
３の場合の錯体である。
実施例１２ アセトニトリル中でヂコシルのＮ−メチルイソニコチネ
ート沃化物０．３　ｒｎｍｏ　ｌをＴＣＮＱｏ、２ｍｍ
ｏｌで処理すると次式の黒色の錯体が得られる。
これは式（Ｔ）においてＤがドデシルのＮ−メチルイソ
ニコチネートであり、ＡがＴＣＮＱ、Ｘが沃素、Ｘ−％
、ｙ・−３の場合の錯体である。
この錯体を前述の様に可視光線と赤外線におけろ分光測
光匠より同党する、抵抗率の測定によりこれが電導体で
あることが判明する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）一般式 ％式％］） （式中りは電子給体の有機単量体の基を表わし、Ａは電
    子受容体の有機の基を表わし、Ｘはルイス酸から選ばれ
    た両水性でない電子受容体を表わす、Ｘは０より大きな
    数であり、ｙはＯまたは０より大きな数である。 基りとＡの少くとも一方は両水性でありまた少くとも１
    ２個の炭素原子をもつ飽和または不飽和の炭化水素置換
    基を少くとも１個含むものである）で表わされる電荷移
    動用の雨水性有機錯体。 ２）ＸがＰＦＭ、α０；　、　ＢＦ；　、　Ｒｅ幅、ｒ
    ｏ；。 ＦＳＯｉ　、　ＡｓＦ；　、　ＡｓＦ；、Ｂｒ−１α−
    １Ｍｎαしそれらの沃化物および亜硝酸酸化物中たけ硝
    酸酸化物の中から選ばれたルイス酸を表わす、特許請求
    の範囲（ｉＫ記載の錯体。 ３）　Ｘが丁−である、特許請求の範囲（］　）ＶＣ記
    載の錯体。 ４）Ｄが脂肪族、芳香族、複素環式の塩基であり、Ａが
    テトラン“アノエチレン（ＴＣＮＥ）、ヘキサシアノブ
    タジェン（ＨＣＢＤ）、１，２．４．５−テトラシアノ
    ベンゼン（ＴＣＮＢ　）、７゜７．８．８−テトラシア
    ノキノジメタン（ＴＣＮＱ）およびこれらの置換誘導体
    、テトラシアツノキノジメタン（ＴｃＮＤＱ）、　ベン
    ゾテトラシアノキノ２メタン（ベンゾ−ＴＣＮＱ　）、
    ２，３．５．６−テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン（Ｃ
    Ａ）、トリニトロヘンゼン（ＴＮＢ）、テトラナフトキ
    ノジメタン（ＴＮＡＰ）、チオフェンテトラシアノキノ
    ・、２メタン（チオフェン−ＴＣＮＱ　’）、セレノフ
    ェン−テトラシアノキノジメタン（セレナフェン−ＴＣ
    ＮＱ）、およびテトラシアノキノキナゾリノキナゾリン
    （ＴＣＱＱ）から選ばれた有機の基であることを特徴と
    する特許請求の範囲（１）ないしく３）の何れか１項に
    記載の錯体。 ５）　Ａが一般式 （式中Ｒ１およびＲ２は同一または異なっていて本よく
    、水素原子、塩素、フッ素、または臭素またはプルキル
    基を表わす）で表わされることを特徴とする特許請求の
    範囲（１）に記載の錯体、６）　ｙがＯＫ相当すること
    を特徴とする特許請求の範囲（１）Ｋ記載の錯体。 ７）一般式 （式中Ｒは１２−３０個の炭素原子をもつアルキル基を
    表わし、Ｘは１または１．５である）で表わさｉするこ
    とを特徴とする特許請求の範囲（６）Ｋ記載の錯体。 ８）一般式 （式中Ｒは１２−３０個の炭素原子をもつアルキル基を
    表わし、Ｘは１または１．５である）で表わされること
    を特徴とする特許請求の範囲（６）に記載の錯体。 （式中Ｒは１２−３０個の炭素原子をもつアルキル基を
    表わし、Ｘは１または１５である）で表わされることを
    特徴とする特許 Ｋ記載の錯体。 ９）一般式 （式中Ｒは１　２−３０個の炭素原子をもつアルキル基
    を表わし、Ｘは１または１，５である）で表わされるこ
    とを特徴とする，特許請求の範Ｂ（６）Ｋ記載の錯体、 １０）一般式 （式中Ｒは１２−３０個の炭素原子をもつアルキル基を
    表わし、Ｘは】または１．５である）で表わされること
    を特徴とする，特許請求の範囲（６）Ｋ記載の錯体。 １１）一般式 （式中Ｒは１　２−３０個の炭素原子をもつアルキル基
    を表わす）で表わされることを特徴とする、特ＦＦｎ求
    の範囲（６）に記載の錯体。 で示されることを特徴とする、特許請求の範囲｛６｝Ｋ
    記載の錯体。 】３）ｙが１ないし２０の数であることを特徴とする、
    特許請求の範囲（１）ないし（４）の何れか１項に記載
    の錯体。 １４）一般式 （式中Ｒは１２−３０個の炭素原子をもつアルキル基を
    表わす）で示されることを特徴とする特許請求の範囲（
    １３）Ｋ記載の錯体。 １５）一般式 （式中Ｒは１２−３０個の炭素原子をもつアルキル基を
    表わす）で示きれることを特徴とする特許請求の範囲（
    １３）に記載の錯体。 １６）一般式 （式中Ｒは１２−３０個の炭素原子をもつアルキル基を
    表わす）で示されることを特徴とする特許請求の範囲（
    ７３＞Ｋ記載の錯体。
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EP0161987A1 (fr) 1985-11-21
EP0161987B1 (fr) 1988-11-23

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