JPS6025218A - アルミニウム固体電解コンデンサ - Google Patents
アルミニウム固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6025218A JPS6025218A JP13372783A JP13372783A JPS6025218A JP S6025218 A JPS6025218 A JP S6025218A JP 13372783 A JP13372783 A JP 13372783A JP 13372783 A JP13372783 A JP 13372783A JP S6025218 A JPS6025218 A JP S6025218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- aluminum
- solid electrolytic
- content
- anode body
- Prior art date
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- Pending
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はアルミニウム固体電解コンデンサ、特に拡面処
理される陽極体の成分に関する。
理される陽極体の成分に関する。
(b) 技術の背景
アルミニウム固体電解コンデンサの素子は、高純度アル
ミニウムを陽極体とし、その表面に陽極酸化WAf:形
成させて誘電体とし、該誘電体の上に二酸化マンガン等
の半導体層及び陰極層が順次形成されておシ、かかる素
子を小形化する手段として陽極体の拡面処理、即ちat
体層を形成するのに先立ち陽極体の表面をエツチングし
て微細な凹凸面にする処理は、既に広く知られている。
ミニウムを陽極体とし、その表面に陽極酸化WAf:形
成させて誘電体とし、該誘電体の上に二酸化マンガン等
の半導体層及び陰極層が順次形成されておシ、かかる素
子を小形化する手段として陽極体の拡面処理、即ちat
体層を形成するのに先立ち陽極体の表面をエツチングし
て微細な凹凸面にする処理は、既に広く知られている。
(c) 従来技術と問題点
一方、固体電解コンデンサの陽極体用アルミニウムは、
含まれる不純物の量によシ完成体素子の漏れ電流が大き
く影響されるため、従来はアルミニウム純度9999%
以上のものを使用しており、含まれる不純物の物性につ
いてはあまり注目されていなかった。しかしながら、不
純物の含有量が同じであっても仕入れたロットにより拡
面処理したときのエツチング量にかなりのばらつきがあ
り、アルミニウム純度が99.997%の如く特に高純
度のものは前記エツチング量:が著しく少ないという小
実から、エツチングの核にな9得う不純物と4:p v
cならない不純物の存在が想定された。
含まれる不純物の量によシ完成体素子の漏れ電流が大き
く影響されるため、従来はアルミニウム純度9999%
以上のものを使用しており、含まれる不純物の物性につ
いてはあまり注目されていなかった。しかしながら、不
純物の含有量が同じであっても仕入れたロットにより拡
面処理したときのエツチング量にかなりのばらつきがあ
り、アルミニウム純度が99.997%の如く特に高純
度のものは前記エツチング量:が著しく少ないという小
実から、エツチングの核にな9得う不純物と4:p v
cならない不純物の存在が想定された。
(d) 発明の目的
本発明は、上記アルミニウムに含まれる不純物の主なも
のがFe、 Cu、 Stであシ、FeとCuがエツチ
ングの核になる反面、Siはエツチングの核にならない
ことから特にFe十Cuの含有量を規制して、拡面処理
のエツチング量を均等化及びその管理を容易化すること
を目的とする。
のがFe、 Cu、 Stであシ、FeとCuがエツチ
ングの核になる反面、Siはエツチングの核にならない
ことから特にFe十Cuの含有量を規制して、拡面処理
のエツチング量を均等化及びその管理を容易化すること
を目的とする。
(e) 発明の構成
上記目的は、エツチングの核となるF”eやCu等を総
和で0.004〜0.006係含む高純度アルミニウム
を陽極体とし、その表面を拡面処理したのち誘lIX体
層と半導体層を順次形成しコンデンサ素子としたことを
特徴とするアルミニウム固体電解コンデンサにより達成
される。
和で0.004〜0.006係含む高純度アルミニウム
を陽極体とし、その表面を拡面処理したのち誘lIX体
層と半導体層を順次形成しコンデンサ素子としたことを
特徴とするアルミニウム固体電解コンデンサにより達成
される。
(f) 発明の実施例
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第1図は高純度アルミニウムに含1れるFe+Cuの含
有率とエツチング時間及びIi’e+Cu の含有率と
漏れ電流との関係′ff:説明するだめの図、第2図は
高純度アルミニウムに含まれるFe 十Cuの含有率が
異なる複数のサンプルについてエツチング時間と静電容
量との関係を説明1−るための図である。
有率とエツチング時間及びIi’e+Cu の含有率と
漏れ電流との関係′ff:説明するだめの図、第2図は
高純度アルミニウムに含まれるFe 十Cuの含有率が
異なる複数のサンプルについてエツチング時間と静電容
量との関係を説明1−るための図である。
第1図において、横軸はコンデンサ素子用アルミニウム
に含まれるFe十Cuの含有率(%)、左側縦軸は拡面
率が10倍になるのに要したエツチング時間(分)、右
側縦軸は拡面率を10倍にした陽極体を用いて完成させ
たアルミニウム固体電解コンデンサの漏れ11L流(/
IA)である。実線Aは前記Fe十Cuの含有率とエツ
チング時間との関係を実測により示した特性、点線Bは
前ie Fe 十Cuの含有率と漏れ%H流との関係全
実測により示した特性である。
に含まれるFe十Cuの含有率(%)、左側縦軸は拡面
率が10倍になるのに要したエツチング時間(分)、右
側縦軸は拡面率を10倍にした陽極体を用いて完成させ
たアルミニウム固体電解コンデンサの漏れ11L流(/
IA)である。実線Aは前記Fe十Cuの含有率とエツ
チング時間との関係を実測により示した特性、点線Bは
前ie Fe 十Cuの含有率と漏れ%H流との関係全
実測により示した特性である。
ただし、Fe+Cuの含有率が異なる各サンプルにおい
て、Siを含む他の不純物は何れも約0.002裂であ
り、前記サンプルの大きさは2ml!X7”π×5mm
、エツチング条件はエツチング液がllcllモル/1
3.その温度が25℃、サンプル1個当りの11L流が
0.03Aの直流エツチングであり、拡面率10倍は前
記サンプルを用いて静?jf容量が0.15μFのコン
デンサが作成される。
て、Siを含む他の不純物は何れも約0.002裂であ
り、前記サンプルの大きさは2ml!X7”π×5mm
、エツチング条件はエツチング液がllcllモル/1
3.その温度が25℃、サンプル1個当りの11L流が
0.03Aの直流エツチングであり、拡面率10倍は前
記サンプルを用いて静?jf容量が0.15μFのコン
デンサが作成される。
そして第1図から明らかなように、特性A、Hの双方が
比較的なだらかなのは、Fe十、Cuの含有率が0.0
04〜0.006%の領域であp1該領域のアルミニウ
ムがコンデンサ素子として、作業性及び完成品の安定性
に優れることが分る。
比較的なだらかなのは、Fe十、Cuの含有率が0.0
04〜0.006%の領域であp1該領域のアルミニウ
ムがコンデンサ素子として、作業性及び完成品の安定性
に優れることが分る。
第2図において、横軸はサンプルのエツチング時間(分
)、縦軸は完成させたコンデンサの静π(容量(μF)
、実線C−Gは下記の表の如き不純物を含むアルミニウ
ムを用いたサンプルの特性であシ、サンプルの大きさと
エツチング条件は第1図につ表 いて説明したそれらと同じである。
)、縦軸は完成させたコンデンサの静π(容量(μF)
、実線C−Gは下記の表の如き不純物を含むアルミニウ
ムを用いたサンプルの特性であシ、サンプルの大きさと
エツチング条件は第1図につ表 いて説明したそれらと同じである。
そして、高純度アルミニウムに含まれるFe+Cuの含
有率を一定にし、Si等その他の不純物の含有率をいろ
いろ圧変えたときエツチング時間と静電容量との関係が
ほぼ一定であったのに対し、Fe+Cuの含有率を変え
てSt等その他の不純物を一定にしたときは第2図に示
す如< 、Fe +Cuの含有量に伴って静電容量(即
ちエツチング量)が高まる。しかし、Fe十Cuが0.
01%になるとエツチング速度が早過ぎてエツチング焼
けを起し易くなシ、第1図の特性A、BからめたFe十
Cuの適量領域、即ちFe 十〇uを0.004〜0.
006%含む高純度アルミニウムは、第2図からもその
妥当性が認められる。
有率を一定にし、Si等その他の不純物の含有率をいろ
いろ圧変えたときエツチング時間と静電容量との関係が
ほぼ一定であったのに対し、Fe+Cuの含有率を変え
てSt等その他の不純物を一定にしたときは第2図に示
す如< 、Fe +Cuの含有量に伴って静電容量(即
ちエツチング量)が高まる。しかし、Fe十Cuが0.
01%になるとエツチング速度が早過ぎてエツチング焼
けを起し易くなシ、第1図の特性A、BからめたFe十
Cuの適量領域、即ちFe 十〇uを0.004〜0.
006%含む高純度アルミニウムは、第2図からもその
妥当性が認められる。
(g) 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、アルミニウム陽極体を
拡面処理するエツチング量の管理が容易かつ均等化し、
そのことによりアルミニウム固体電解コンデンサは特性
のばらつきが限少して高陣能化された効果余有する。
拡面処理するエツチング量の管理が容易かつ均等化し、
そのことによりアルミニウム固体電解コンデンサは特性
のばらつきが限少して高陣能化された効果余有する。
第1図は高純度アルミニウムに含まれるFe−1−Cu
の含有率とエツチング時間、F、e +Cuの含有率と
漏れ電流との関係を説明するための図、第2図は高純度
アルミニウムに含まれるFe+Cuの含有率が異なるサ
ンプルについてエツチング時間と静?L容量との関係を
説明するだめの図である。
の含有率とエツチング時間、F、e +Cuの含有率と
漏れ電流との関係を説明するための図、第2図は高純度
アルミニウムに含まれるFe+Cuの含有率が異なるサ
ンプルについてエツチング時間と静?L容量との関係を
説明するだめの図である。
Claims (1)
- 高純度アルミニウム陽極体の表面をエツチング手段で拡
面処理して形成される固体電解コンデンサにおいて、該
エツチングの核となるFeやCu等を総和で0.004
〜0.006%含む高純度アルミニウムを陽極体とした
ことkQ?徴とするアルミニウム固体電解コンデンサ0
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13372783A JPS6025218A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | アルミニウム固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13372783A JPS6025218A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | アルミニウム固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025218A true JPS6025218A (ja) | 1985-02-08 |
Family
ID=15111495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13372783A Pending JPS6025218A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | アルミニウム固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313257A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-22 | Ube Ind Ltd | 溶湯鍛造方法および装置 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP13372783A patent/JPS6025218A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0313257A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-22 | Ube Ind Ltd | 溶湯鍛造方法および装置 |
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