JPS60255665A - 低温焼成用磁器組成物 - Google Patents
低温焼成用磁器組成物Info
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- JPS60255665A JPS60255665A JP59112619A JP11261984A JPS60255665A JP S60255665 A JPS60255665 A JP S60255665A JP 59112619 A JP59112619 A JP 59112619A JP 11261984 A JP11261984 A JP 11261984A JP S60255665 A JPS60255665 A JP S60255665A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分解）
この発明は低温で焼成ができ、侍性的には、比抵抗が高
く、まだ誘′亀率が低くさらにはｎ電体損失の小さい低
温焼成用磁器組成物に関する。
く、まだ誘′亀率が低くさらにはｎ電体損失の小さい低
温焼成用磁器組成物に関する。
（従来の技術）
電子機器の小型化に半い、回路を構成する各種の部品を
実ｐｃｒるために磁器基板が数多く利用されＣいる。
実ｐｃｒるために磁器基板が数多く利用されＣいる。
最近ではさらに実装密度を上げるために多層磁器基板へ
と開発が進んでいる。この多層磁器基板の材料としＣは
一般的にアルミナが知られ〔いる。
と開発が進んでいる。この多層磁器基板の材料としＣは
一般的にアルミナが知られ〔いる。
しかしながら、アルミナは焼成温度が１５００〜１６０
０ｃと亮昌であるため、焼成のために多くのエネルギー
が必要となる。またアルミナと同時焼成する内部導体材
料もに１ＭＯなどの高融点材料を用い′Ｃいるが、これ
らの金属は比抵抗が高く、回路抵抗そのものも高くなる
欠点がある。
０ｃと亮昌であるため、焼成のために多くのエネルギー
が必要となる。またアルミナと同時焼成する内部導体材
料もに１ＭＯなどの高融点材料を用い′Ｃいるが、これ
らの金属は比抵抗が高く、回路抵抗そのものも高くなる
欠点がある。
したがり′〔、アルミナよ）低温で焼成できる磁器材料
であれば、焼成のためのエネルギーが少なくなるととも
に、たとえば１０００υ以丁での焼成がｇＴ能な場合、
Ａｇ、 ｋｇ−Ｐｄ、 Ｃｕなどあ導電材料を導体路と
しＣ用（へることができる他、抵抗材料なども印刷し〔
同時焼成するなどの利点がでＣくる。
であれば、焼成のためのエネルギーが少なくなるととも
に、たとえば１０００υ以丁での焼成がｇＴ能な場合、
Ａｇ、 ｋｇ−Ｐｄ、 Ｃｕなどあ導電材料を導体路と
しＣ用（へることができる他、抵抗材料なども印刷し〔
同時焼成するなどの利点がでＣくる。
このよう、シ低温焼成用の磁器材料とし°Ｃは、アルミ
力に多量のガラス成分を添加したものがあるが、得られ
た磁器に空孔が多く存在し、空孔を介し〔導体路間のマ
イグレーションが発生するという問題が見られる。また
、Ｂａ５ｎＯ，にホウ素を多量に添加したものもあるが
、仮焼物がガラス状とな）、この仮焼物の粉砕が困難に
なるばかシか、ホウ素の蒸発が激♂〜、このため同時焼
成したとき導電材料と反応したシ、焼成のための炉の炉
材に損傷を与えるといった問題があった。
力に多量のガラス成分を添加したものがあるが、得られ
た磁器に空孔が多く存在し、空孔を介し〔導体路間のマ
イグレーションが発生するという問題が見られる。また
、Ｂａ５ｎＯ，にホウ素を多量に添加したものもあるが
、仮焼物がガラス状とな）、この仮焼物の粉砕が困難に
なるばかシか、ホウ素の蒸発が激♂〜、このため同時焼
成したとき導電材料と反応したシ、焼成のための炉の炉
材に損傷を与えるといった問題があった。
（発明の目的）
したがつＣ１この発明は１０００を以下で焼成できる磁
器組成物を提供することを目的とする。
器組成物を提供することを目的とする。
また、この発明はその製造１橘におい゛Ｃ扮粉砕の処理
が行いやすい磁器組成物を提供することを目的とする。
が行いやすい磁器組成物を提供することを目的とする。
さらにこの発明は電気的には比抵抗が高く、また誘電率
が低く、さらには誘電体損失の小さい磁器組成物を提供
することを目的とする。
が低く、さらには誘電体損失の小さい磁器組成物を提供
することを目的とする。
さらにまたこの発明は、特に限定されるものではないが
、多層磁器基板に適した磁器組成物を提供することを目
的とする。
、多層磁器基板に適した磁器組成物を提供することを目
的とする。
（発明の構成）
この発明にかかる低温焼成用磁器組成物を要約すれば、
次の構成材料（１）〜（灼からなるものである。
次の構成材料（１）〜（灼からなるものである。
（ｉ） （Ｂａ、−ｘ”ｃ）（Ｔｉ、 、Ｍｎｙ）Ｏ，
が２０〜４０モル係 ただし、Ｍｒ （ｄ Ｓｒ、 Ｃａｎ Ｍｆのうち少な
くとも１種 ＭＨはＺｒ、 Ｓｎのうち１４またｄ２種 ０≦Ｘ≦’）、５．０３≦゛］、３．０≦１＋７≦９．
３（江） Ｓｉｎ、が５５〜６５モルチ （モルｌ） Ｂ、Ｏ，が ４〜２５モルチモルｆ） Ａ
ｊｚＬ）ｓが ２〜ＳＯモルチ（ｔ） Ｂａｄ、 Ｃａ
Ｏのうら１種または２、踵が２〜１０モルチ モルした組成範囲に限定したのは次のとおシである。
が２０〜４０モル係 ただし、Ｍｒ （ｄ Ｓｒ、 Ｃａｎ Ｍｆのうち少な
くとも１種 ＭＨはＺｒ、 Ｓｎのうち１４またｄ２種 ０≦Ｘ≦’）、５．０３≦゛］、３．０≦１＋７≦９．
３（江） Ｓｉｎ、が５５〜６５モルチ （モルｌ） Ｂ、Ｏ，が ４〜２５モルチモルｆ） Ａ
ｊｚＬ）ｓが ２〜ＳＯモルチ（ｔ） Ｂａｄ、 Ｃａ
Ｏのうら１種または２、踵が２〜１０モルチ モルした組成範囲に限定したのは次のとおシである。
すなわち、（１）の（Ｂａ、−ＸＭｉ、）（Ｔｉ、 、
Ｍｆｒρｏ３が２０モル未満では焼成温度が１０００で
を越え、一方４０モルチを越えると蒔電本が大きくなる
からである。
Ｍｆｒρｏ３が２０モル未満では焼成温度が１０００で
を越え、一方４０モルチを越えると蒔電本が大きくなる
からである。
また、Ｍｌ、、ＩＡｕ のｘ、ｙ罠りい〔、それぞれ０
５ｘ≦０．３．０Ｑｙ≦０．３．Ｑ≦ｘ４−ｙ≦０．３
と規定した。Ｌｌｒ：、カッ’Ｃ１（Ｂａ□−ＸＭＩＸ
）（Ｔｉ□−ｙＭｔｔ、）Ｏ。
５ｘ≦０．３．０Ｑｙ≦０．３．Ｑ≦ｘ４−ｙ≦０．３
と規定した。Ｌｌｒ：、カッ’Ｃ１（Ｂａ□−ＸＭＩＸ
）（Ｔｉ□−ｙＭｔｔ、）Ｏ。
としＣは、Ｘ＝Ｌｊ、 ７＝Ｏの場合５Ｂ−ａＴｉＯ，
っ池、（扼。
っ池、（扼。
Ｃａ）Ｔｉｅ、 、 （Ｂａ、 Ｃａ）（Ｔ１． Ｚｒ
）０３． （Ｂａ、 ５ｒＪＴｉＯ，。
）０３． （Ｂａ、 ５ｒＪＴｉＯ，。
（Ｂａ、 ５ｒ）（Ｔｉ、 ５ａ）Ｏｓ Ｈ（Ｂａｌ
Ｓｒ、 Ｃａｔ Ｍｆ）（Ｔｉｅａｎ）Ｏ，などの成分
からなるものが含まれる。ここで” ＋ ７ ＋および
Ｘ 十ｙの上限値を０．５以下としたのは、Ｘ、７およ
びｘ−４−７の量が増大するに伴い焼成温度が上昇する
傾向ＶＣ＋あシ、特にＸ、７．Ｘ＋７が９．５を越える
と焼成温度がｔｏｏｏｔ’以上になるからである。
Ｓｒ、 Ｃａｔ Ｍｆ）（Ｔｉｅａｎ）Ｏ，などの成分
からなるものが含まれる。ここで” ＋ ７ ＋および
Ｘ 十ｙの上限値を０．５以下としたのは、Ｘ、７およ
びｘ−４−７の量が増大するに伴い焼成温度が上昇する
傾向ＶＣ＋あシ、特にＸ、７．Ｘ＋７が９．５を越える
と焼成温度がｔｏｏｏｔ’以上になるからである。
５１０２にりい°（３５アロ５モルチとしたのは、３５
モモル未満または６５モモルを越えると焼結温度が高く
なるからである。
モモル未満または６５モモルを越えると焼結温度が高く
なるからである。
Ｂ、Ｏ，にりい〔４〜２５モルチモルたのは、４モルチ
未満では焼結温度が高くなシ、２５モル慢を越えると磁
器同志の溶着が発生しゃすくなるからである。
未満では焼結温度が高くなシ、２５モル慢を越えると磁
器同志の溶着が発生しゃすくなるからである。
Ａｅｇｏｓについ′〔２〜１ｏモルチとしたのは、２モ
ルチ未満または１０ｊル膚を越えると焼結温度が高くな
るからである。
ルチ未満または１０ｊル膚を越えると焼結温度が高くな
るからである。
Ｍｎ０ＩＣつい’（１５モルチ以〜ドとしたのは、１５
モモルを越えると誘電体損失が大きくなるからである。
モモルを越えると誘電体損失が大きくなるからである。
ＢｆｉＱとＣａＯのうち１種または２種が２〜１０％−
としたのは、２モルチ未満または１０モモルを越えると
焼結温度が高くなるからである。
としたのは、２モルチ未満または１０モモルを越えると
焼結温度が高くなるからである。
なお、（Ｂａ、、Ｍｌり（Ｔｉ、、Ｍｓ、）Ｏ，はＡＢ
Ｏ。
Ｏ。
からなるペロプスカイト型の組成とし′〔表わされるが
、ＡとＢとの比率（モル比）を特性を損ゎな原料とし〔
、ＢａＣ０，、ｃａｃｏ、 、 ５ｒＣＯ，、旬ＣＯ８
゜Ｔｉ０１ 、 ＺｒＯ，、８ｎＯ，を準備し、第１表
に示す組成比率になるように秤量した。秤量原料を混食
した後１１５０ｔで仮焼した。次にこれらの仮焼粉末と
Ｓｉ ０ｇ ＋ Ｊ ０３ ＊ Ａｌ２０Ｂ 、 Ｍｎ
Ｂ４０ｙ ｌ Ｂａ ＣＯ＠ ＊ ＣｅＬ ＣＯｓの各
原料を第１表に示す組成比率の磁器が得られるように秤
量した。秤量原料を混合、粉砕し、）くイングーを加え
〔円板状に成形した。成形体を空気中８５０〜９５０Ｃ
で焼成し“Ｃ磁器を作成した。
、ＡとＢとの比率（モル比）を特性を損ゎな原料とし〔
、ＢａＣ０，、ｃａｃｏ、 、 ５ｒＣＯ，、旬ＣＯ８
゜Ｔｉ０１ 、 ＺｒＯ，、８ｎＯ，を準備し、第１表
に示す組成比率になるように秤量した。秤量原料を混食
した後１１５０ｔで仮焼した。次にこれらの仮焼粉末と
Ｓｉ ０ｇ ＋ Ｊ ０３ ＊ Ａｌ２０Ｂ 、 Ｍｎ
Ｂ４０ｙ ｌ Ｂａ ＣＯ＠ ＊ ＣｅＬ ＣＯｓの各
原料を第１表に示す組成比率の磁器が得られるように秤
量した。秤量原料を混合、粉砕し、）くイングーを加え
〔円板状に成形した。成形体を空気中８５０〜９５０Ｃ
で焼成し“Ｃ磁器を作成した。
各磁器につい゛〔、比抵抗、誘電率、誘電体損失および
抗折強度を測定した。
抗折強度を測定した。
各諸物件についＣの測定条件は次のとおシである。
比抵抗：Ｄ、Ｃ，１，５Ｖ
誘電率： ＩＭＨｚ
誘電体損失： ＩＭＨ２
抗折強度 ： Ｊ工Ｓの規洛による
第２表は各磁器の諸物件の測定結果を示したものである
。
。
第１表
第２表
第１表、第２表中条印を付したものはこの発明範囲外の
ものであり、それ以外はすべ′にの発明範囲内のもので
ある。
ものであり、それ以外はすべ′にの発明範囲内のもので
ある。
実施例２゜
原料としく、 Ｂａ ｃｏ、 ｌ ｃａ Ｃｏ３． Ｓ
ｒ ｃｏ ３ ＋ Ｍ９ Ｃｏ、。
ｒ ｃｏ ３ ＋ Ｍ９ Ｃｏ、。
Ｔｉｅｊ、 ＺｒＯ！、 ＥＩｎＯｌ、 Ｓｉｎ、、
Ｂ４Ｃ，ｋｌｚＯ，、ＭｎＣ０，。
Ｂ４Ｃ，ｋｌｚＯ，、ＭｎＣ０，。
ＢａＣ０，、ＣａＣ０，を準備し、実施例１の第１表に
示す組成比率の磁器が得られるように秤量した。
示す組成比率の磁器が得られるように秤量した。
秤量原料を混合した後、８５０〜９５０υで仮焼した。
仮焼物を粉砕した後、有機系バインダーを加え、ドクタ
ーブレード法に゛〔シート成形した。得られたセラミッ
クグリーンシートを所定の大きさにカットし、これを空
気中８５０〜９５０ ｔ１′ で焼成し゛ｔＳ器板を得
た。
ーブレード法に゛〔シート成形した。得られたセラミッ
クグリーンシートを所定の大きさにカットし、これを空
気中８５０〜９５０ ｔ１′ で焼成し゛ｔＳ器板を得
た。
得られた磁器板〈つい′Ｃ１実施列１と同様に諸物件を
同一測定条件で測定したところ、実施例１の第２表に示
した特性とほぼ同じような４４を示した。
同一測定条件で測定したところ、実施例１の第２表に示
した特性とほぼ同じような４４を示した。
また、上記した工程で得られたセラミックグリーンシー
トを弔い、このシートの表面にホウケイ酸鉛系ガラスフ
リットを含む銀ペーストを印刷し、これを３枚積み重ね
゛Ｃ熱圧着し、空気中８５０〜９００ｔで焼成した。
トを弔い、このシートの表面にホウケイ酸鉛系ガラスフ
リットを含む銀ペーストを印刷し、これを３枚積み重ね
゛Ｃ熱圧着し、空気中８５０〜９００ｔで焼成した。
れず、銀は良好な連成性を示した。
実施例３゜
実施例２で作成した各セラミックグリーンシートを用い
、４０Ｕｃでバインダーを燃焼さぜ、窒によつＣは比抵
抗が１０１３〜１ｄ’ｎ−ｒｍ と多少低下したものが
あったが、実用上何ら問題のないことが確認できた。
、４０Ｕｃでバインダーを燃焼さぜ、窒によつＣは比抵
抗が１０１３〜１ｄ’ｎ−ｒｍ と多少低下したものが
あったが、実用上何ら問題のないことが確認できた。
したがつ〔、多層磁器基板の内部導体としＣ１たとえば
Ｃｕなどを使用する場合、同時焼成の雰囲気とし゛〔中
性または還元銅￥囲気に設定しなければならないが、こ
れらの’４Ｑ気で焼成しＣも実用上十分な絶縁性を有す
る磁器でちることが川明した。
Ｃｕなどを使用する場合、同時焼成の雰囲気とし゛〔中
性または還元銅￥囲気に設定しなければならないが、こ
れらの’４Ｑ気で焼成しＣも実用上十分な絶縁性を有す
る磁器でちることが川明した。
なお、上記した実施例ではＳｉｎ、 、 Ａｌｔｏｓ
、 ＣａＯの各成分原料を用いたが、これら各成分がこ
の発明の組成範囲内で存在するように、カオリ７（Ａｄ
・Ｏｓ・２８１０．、’２）Ｉ、ｏ）、ワラスナイト（
Ｃａｂｉｎｊ）などの化合物を原料としＣ用いＣもよい
。
、 ＣａＯの各成分原料を用いたが、これら各成分がこ
の発明の組成範囲内で存在するように、カオリ７（Ａｄ
・Ｏｓ・２８１０．、’２）Ｉ、ｏ）、ワラスナイト（
Ｃａｂｉｎｊ）などの化合物を原料としＣ用いＣもよい
。
（発明の効果）
以上の８地明から明らかなように、この発明によれば、
１０００″Ｃ以下の低温での焼成で焼結磁器が得られ、
製造工程での粉砕などの作業も行いやすいものである。
１０００″Ｃ以下の低温での焼成で焼結磁器が得られ、
製造工程での粉砕などの作業も行いやすいものである。
また、特性的には比抵抗が高く、誘電率が低く、さらに
誘電体損失も小さい。また多層磁器基板としたとき、同
時焼成時における内部導体との反応がみられない。また
磁器の空孔が少ないため、内部導体間のマイグレーショ
ンが発生しないという利点を有する。また中性、還元性
雰囲気で焼成しＣも比抵抗の低下がみられず、内部導体
としくＣｕ、Ｎｉなどの卑金属を使用することができる
。
誘電体損失も小さい。また多層磁器基板としたとき、同
時焼成時における内部導体との反応がみられない。また
磁器の空孔が少ないため、内部導体間のマイグレーショ
ンが発生しないという利点を有する。また中性、還元性
雰囲気で焼成しＣも比抵抗の低下がみられず、内部導体
としくＣｕ、Ｎｉなどの卑金属を使用することができる
。
特許出願人
株式会社村田製作所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次の組成（す、 （ｉｔ）、 （ｉｉｉ）、 （ｉＶ）
、 （”／）、 （ｖｉ）からなる低温焼成用磁器組成
物。 （リ （Ｂ ａ、 −ｘＭ Ｘ Ｘ） （Ｔ ’ □−
ｙＭＭ ｙ ） Ｏｚが ２０〜４０モルチ たモル、ＭｌはＳｒ、 Ｃｅ１． Ｍ９のうち少なくと
７も１種 Ｍ双はＺｒ、 ａｎのうち１種または ２種 ＜＜＜＜ ＜＜ ０＝１ｃ＝””、０＝ｙ＝”” Ｏ＝ｘ＋ｙ＝０．３（
■ン５１０２が ６５〜６５モルチ （モルｉ） Ｂ、Ｏ，が ４〜２５モルチモル１ｒ）
Ａｌｘ０ｄｆｉ ２〜ｆ Ｏモルチ（ｖ） ＭｎＯが
１５モモル以下（ただし、０を含ｌず） （Ｖｉ） Ｂａｄ、 ＣａＯのうち１種または２欅が２
〜１０モルチ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112619A JPS60255665A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 低温焼成用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59112619A JPS60255665A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 低温焼成用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255665A true JPS60255665A (ja) | 1985-12-17 |
| JPH0480868B2 JPH0480868B2 (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=14591262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59112619A Granted JPS60255665A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 低温焼成用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60255665A (ja) |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59112619A patent/JPS60255665A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480868B2 (ja) | 1992-12-21 |
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