JPS60256151A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60256151A JPS60256151A JP11223984A JP11223984A JPS60256151A JP S60256151 A JPS60256151 A JP S60256151A JP 11223984 A JP11223984 A JP 11223984A JP 11223984 A JP11223984 A JP 11223984A JP S60256151 A JPS60256151 A JP S60256151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive layer
- layer
- photoreceptor
- amorphous silicon
- charging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファス水素化シリコンの感光層をアモル
ファス水素化シリコンの窒化物で構成される高抵抗層で
挟み、サンドイッヂ構成とした感光体に関するものであ
り、感光体の特性および機械的耐久性を著しく向上させ
たものである。
ファス水素化シリコンの窒化物で構成される高抵抗層で
挟み、サンドイッヂ構成とした感光体に関するものであ
り、感光体の特性および機械的耐久性を著しく向上させ
たものである。
従来の電子写真感光体としては、例えばセレン（Ｓｅ）
あるいは硫化カドミウム（ＣｄＳ）等の感光体が実用化
されている。しかし、これらの感光体は非常に有毒であ
り、機械的強度も弱いこと等から、これらの問題点を解
決する光導電（１１の良い感光体が要望され、アモルフ
ァス水素化シリニ１ン感光体が近年注目されている。
あるいは硫化カドミウム（ＣｄＳ）等の感光体が実用化
されている。しかし、これらの感光体は非常に有毒であ
り、機械的強度も弱いこと等から、これらの問題点を解
決する光導電（１１の良い感光体が要望され、アモルフ
ァス水素化シリニ１ン感光体が近年注目されている。
従来の導電性支持体子にアモルファス水素化シリコンの
感光層を設けた感光体はこのアモルファス水素化シリコ
ン層の暗抵抗が前記セレン（Ｓｅ）等と比較すると２〜
３桁はど低く、電子写真感光体の必須条件である帯電特
性が劣り、実用化できていなかった。
感光層を設けた感光体はこのアモルファス水素化シリコ
ン層の暗抵抗が前記セレン（Ｓｅ）等と比較すると２〜
３桁はど低く、電子写真感光体の必須条件である帯電特
性が劣り、実用化できていなかった。
そこで、アモルファス水素化シリコン層の暗抵抗を上げ
るため、成膜時に窒素（Ｎ）とボｒ：Ｊン（Ｒ）、また
は酸素（０）とボロン（Ｂ）等をドーピングして高抵抗
化を図ったが、その帯電性１１Ｆは２０〜３０ｖ／μｍ
と低く、帯電特性を向」ニさせるためには膜厚を厚くす
る必要があった。
るため、成膜時に窒素（Ｎ）とボｒ：Ｊン（Ｒ）、また
は酸素（０）とボロン（Ｂ）等をドーピングして高抵抗
化を図ったが、その帯電性１１Ｆは２０〜３０ｖ／μｍ
と低く、帯電特性を向」ニさせるためには膜厚を厚くす
る必要があった。
感光層の高抵抗化に加え、支持体と感光層との間にアル
ミナ（Ａｊ！２０３）等のプロ、クキング層を挟んだ構
成を採っても、３０〜４０ｖ／μｍにとどまっていた。
ミナ（Ａｊ！２０３）等のプロ、クキング層を挟んだ構
成を採っても、３０〜４０ｖ／μｍにとどまっていた。
また、」二連のような感光体は、感光層への不純物の１
′−ピングが長波長域での感度を低下させるため、７５
０〜７８０ ｒｖ＋に波長感度を持つゝｌす導体レーザ
等を潜像用光源とする場合には不適当であり、長波長域
での感度向上のためさらにゲルマニウム（Ｇｅ）等をド
ーピングする等の方法を採っていた。
′−ピングが長波長域での感度を低下させるため、７５
０〜７８０ ｒｖ＋に波長感度を持つゝｌす導体レーザ
等を潜像用光源とする場合には不適当であり、長波長域
での感度向上のためさらにゲルマニウム（Ｇｅ）等をド
ーピングする等の方法を採っていた。
−１＝述した従来のアモルファス水素化シリコン感光体
にあっては、成膜時に種々の不純物源を必要とすること
、膜厚を厚くするため成膜時間が長いこと、不純物をド
ーピングするため長波長域での感度が低下する等の欠点
を生じていた。
にあっては、成膜時に種々の不純物源を必要とすること
、膜厚を厚くするため成膜時間が長いこと、不純物をド
ーピングするため長波長域での感度が低下する等の欠点
を生じていた。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は上記問題点を解消し、帯電特性や長波長域での
感度の良い電子写真感光体を提供するもので、その手段
は、導電性支持体」二に、アモルファス水素化シリコン
の窒化物で構成されるブロッキング層と、不純物を添加
せずに成膜されるアモルファス水素化シリコンの感光層
と、アモルファス水素化シリコンの窒化物で構成される
保護層とが、順次積層されていることを特徴とする電７
−１ｊ゛真感光体によってなされる。
感度の良い電子写真感光体を提供するもので、その手段
は、導電性支持体」二に、アモルファス水素化シリコン
の窒化物で構成されるブロッキング層と、不純物を添加
せずに成膜されるアモルファス水素化シリコンの感光層
と、アモルファス水素化シリコンの窒化物で構成される
保護層とが、順次積層されていることを特徴とする電７
−１ｊ゛真感光体によってなされる。
上記電子写真感光体は、全く不純物をドーピングしない
アモルファス水素化シリコンを感光層とすることにより
長波長域での感度を向−トするとともに、この感光層を
高抵抗のブロックキング層と保護層で挟んだサンドイッ
チ構造とするごとで帯電特性と機械的強度を向上させた
ものである。従って、少ない種１９’ｔ（２種）の原料
ガスで成膜でき、かつ薄い膜厚で所望の帯電電位を得る
ことができる実用的なものである。
アモルファス水素化シリコンを感光層とすることにより
長波長域での感度を向−トするとともに、この感光層を
高抵抗のブロックキング層と保護層で挟んだサンドイッ
チ構造とするごとで帯電特性と機械的強度を向上させた
ものである。従って、少ない種１９’ｔ（２種）の原料
ガスで成膜でき、かつ薄い膜厚で所望の帯電電位を得る
ことができる実用的なものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の電子写真感光体の構成を示す断面図で
あり、導電性支持体１１」二に、アモルファス水Ｒ化シ
リコンの窒化物で構成されるブロッキング層１２と、不
純物を添加せずに成膜されるアモルファス水素化シリコ
ンの感光層１３と、アモルファス水素化シリコンの窒化
物で構成される保護層１４とが、順次積層されて構成さ
れており、膜厚はブロックキング層が５０〜１ｏｏｏ人
、感光層が２〜１０μ側、保護層は１００〜数１０００
人が適性である。
あり、導電性支持体１１」二に、アモルファス水Ｒ化シ
リコンの窒化物で構成されるブロッキング層１２と、不
純物を添加せずに成膜されるアモルファス水素化シリコ
ンの感光層１３と、アモルファス水素化シリコンの窒化
物で構成される保護層１４とが、順次積層されて構成さ
れており、膜厚はブロックキング層が５０〜１ｏｏｏ人
、感光層が２〜１０μ側、保護層は１００〜数１０００
人が適性である。
第２図はこのような本発明の電子写真感光体を作成する
ための成膜装置の概要図であり、以下に感光体製造工程
を述べる。
ための成膜装置の概要図であり、以下に感光体製造工程
を述べる。
チャンバ２１内にアルミニウム（Ａ ｊ！ ）からなる
円筒形支持体２２を設置し、真空ポンプ２３により真空
度が１０−’ Ｔｏｒｒになるまで排気する。モータ２
４にて支持体２２を一定速度で回転させるとともに、ヒ
ータ２５により支持体２２を２００〜３００ ’Ｃに加
熱する。
円筒形支持体２２を設置し、真空ポンプ２３により真空
度が１０−’ Ｔｏｒｒになるまで排気する。モータ２
４にて支持体２２を一定速度で回転させるとともに、ヒ
ータ２５により支持体２２を２００〜３００ ’Ｃに加
熱する。
ジシラン（Ｓｉ ２ Ｌ ）ガスとアンモニア（ＩＩＮ
３ ）ガスをそれぞれボンベ２６．２７からパルプ２
８．２９を介してチャンバ２１内に導入し、内圧を１〜
２Ｔｏｒｒとした。高周波電源３０により内面に多数の
ガス噴出孔３１を有する放電電極３２と前記支持体２２
間に１３．５６ Ｍｌｌｚの高周波電力（３００〜４５
０ Ｗ）を投入してグロー放電を生起させ、まずアモル
ファス水素化シリコンの窒化物で構成されるブ［２ツク
キング層を成膜した。
３ ）ガスをそれぞれボンベ２６．２７からパルプ２
８．２９を介してチャンバ２１内に導入し、内圧を１〜
２Ｔｏｒｒとした。高周波電源３０により内面に多数の
ガス噴出孔３１を有する放電電極３２と前記支持体２２
間に１３．５６ Ｍｌｌｚの高周波電力（３００〜４５
０ Ｗ）を投入してグロー放電を生起させ、まずアモル
ファス水素化シリコンの窒化物で構成されるブ［２ツク
キング層を成膜した。
次ぎに、導入ガスをジシランガスのみとして、感光層を
成膜した。
成膜した。
その後、再びアンモニアガスをジシランガスとトモにチ
ャンバ２１内に導入し、アモルファス水素化シリコンの
窒化物で構成される保護層を成膜した。
ャンバ２１内に導入し、アモルファス水素化シリコンの
窒化物で構成される保護層を成膜した。
ここで、前記ブロックキング層および保護層の成膜時に
おいて、原料ガスの総流量に占めるアンモニアガスの割
合は６５〜９５ｍｏｊ＋％が適性であり、形成された膜
の比抵抗は１０゛′〜１０“ΩｃＩ１１と高抵抗であっ
た。
おいて、原料ガスの総流量に占めるアンモニアガスの割
合は６５〜９５ｍｏｊ＋％が適性であり、形成された膜
の比抵抗は１０゛′〜１０“ΩｃＩ１１と高抵抗であっ
た。
このようにして得られた電子写真感光体の諸性ｆ生につ
いて次に述べる。
いて次に述べる。
第３図は本発明の感光体（Ｉｔｉ厚２．４μ１１１）の
分光感度特性であり、図の横軸は波長（ｎ ｍ）を、縦
軸は半減露光量（μＪ／ｄ）を示す。
分光感度特性であり、図の横軸は波長（ｎ ｍ）を、縦
軸は半減露光量（μＪ／ｄ）を示す。
窒素とボロンをドーピングした従来の感光体（膜厚５．
９μｌ１１）に比べ、長波長側での感度が良くなってお
り、特に潜像形成用の半導体レーザの感度波長域である
７５０〜７８０ ｎｍの範囲では、従来のものが２μＪ
／−程度であったのがｌμＪ／ｃＪ以下と２倍以上改善
され、従来のように高感度化のためのゲルマニウムのド
ーピングは不要となった。
９μｌ１１）に比べ、長波長側での感度が良くなってお
り、特に潜像形成用の半導体レーザの感度波長域である
７５０〜７８０ ｎｍの範囲では、従来のものが２μＪ
／−程度であったのがｌμＪ／ｃＪ以下と２倍以上改善
され、従来のように高感度化のためのゲルマニウムのド
ーピングは不要となった。
第４図はブロックキング層の膜厚を２５０人、感光層を
２．４μｍ、保護層を３７０人としたときの本発明の感
光体の帯電特性であり、ｆａｌは帯電露光特性（７５０
ｎｍの波長光で露光）を、（ｂｌは帯電暗減衰特性を示
し、ｆａｔ、 （ｂｌとも縦軸は帯電電圧（ν）を、横
軸は時間（Ｓｅｃ）を示す。
２．４μｍ、保護層を３７０人としたときの本発明の感
光体の帯電特性であり、ｆａｌは帯電露光特性（７５０
ｎｍの波長光で露光）を、（ｂｌは帯電暗減衰特性を示
し、ｆａｔ、 （ｂｌとも縦軸は帯電電圧（ν）を、横
軸は時間（Ｓｅｃ）を示す。
第４図ｆａｔから分かるように、本実施例の感光体は帯
電電位が１９８Ｖ 、残留電位が２９νであり、その帯
電能は７０ｖ／μｍと高く、また帯電電位が半減する暗
減衰時間も４９５ｅｃと長く、十分実用に耐える。
電電位が１９８Ｖ 、残留電位が２９νであり、その帯
電能は７０ｖ／μｍと高く、また帯電電位が半減する暗
減衰時間も４９５ｅｃと長く、十分実用に耐える。
第５図は各層の膜厚をさらに厚くし、ブロックキング層
を３７０人、感光層を４．９μｍ、保護層を６３０人と
した感光体の場合の特性で、帯電電位が４２０９、残留
電位が３５Ｖとなり、その帯電能は７７ｖ／μｍとさら
に向」ニした。また半減暗減衰時間も前記実施例と同程
度の５０ Ｓｅｃと長かった。
を３７０人、感光層を４．９μｍ、保護層を６３０人と
した感光体の場合の特性で、帯電電位が４２０９、残留
電位が３５Ｖとなり、その帯電能は７７ｖ／μｍとさら
に向」ニした。また半減暗減衰時間も前記実施例と同程
度の５０ Ｓｅｃと長かった。
比較のために、従来のアモルファス水素化シリコン感光
体の帯電特性について以下に述べる。
体の帯電特性について以下に述べる。
第６図はアルミニウムの支持体−１−に直接感光層を２
．４μｍｒＩｉ、ＩＩ＊シ、この上にアモルファス水素
化シリコンの窒化物で構成される保護層を３７０人成膜
した感光体の帯電特性であり、ｒａｔは帯電露光特性を
、（ト））は帯電暗減衰特性を示す。図のように従来の
感光体は帯電電位が７５ｖ、残留電位が３４Ｖとなり、
その帯電能は１７ｖ／μｍと低く、また半減暗減衰時間
も８５ｅｃと短い。
．４μｍｒＩｉ、ＩＩ＊シ、この上にアモルファス水素
化シリコンの窒化物で構成される保護層を３７０人成膜
した感光体の帯電特性であり、ｒａｔは帯電露光特性を
、（ト））は帯電暗減衰特性を示す。図のように従来の
感光体は帯電電位が７５ｖ、残留電位が３４Ｖとなり、
その帯電能は１７ｖ／μｍと低く、また半減暗減衰時間
も８５ｅｃと短い。
第７図はブロックキング層としてアルミナ層を３００人
成膜し、その後上記実施例と同様に感光層を２．４μ剛
成膜し、この」二にアモルファス水素化シリコンの窒化
物で構成される保護層を３７０人成膜した感光体の帯電
特性であり、その特性は帯電電位が１１２Ｖ 、残留電
位が３０Ｖとなり、その帯電能は１７ Ｖ／７７１１１
、また帯電１１１１ｆｉｌ衰時間も約２０３ｅｃと、
ブロックキング層の効果は現れているが、本発明の感光
体の特性には到底及ばない。
成膜し、その後上記実施例と同様に感光層を２．４μ剛
成膜し、この」二にアモルファス水素化シリコンの窒化
物で構成される保護層を３７０人成膜した感光体の帯電
特性であり、その特性は帯電電位が１１２Ｖ 、残留電
位が３０Ｖとなり、その帯電能は１７ Ｖ／７７１１１
、また帯電１１１１ｆｉｌ衰時間も約２０３ｅｃと、
ブロックキング層の効果は現れているが、本発明の感光
体の特性には到底及ばない。
以上に述べた本発明の電子写真感光体をプリンタに絹み
込み用紙に印字したところ、高品位の印字像を得た。
込み用紙に印字したところ、高品位の印字像を得た。
なお、本実施例では原料ガスの１つとしてジシランガス
を用いたが、本発明はジンランガスに限らず、モノシラ
ン（Ｓｉｌｌｑ）は勿論のこと、ジシランより高次のシ
ランガス５１３１１ｇ ・・・・等を用いても同等の効
果が得られる。
を用いたが、本発明はジンランガスに限らず、モノシラ
ン（Ｓｉｌｌｑ）は勿論のこと、ジシランより高次のシ
ランガス５１３１１ｇ ・・・・等を用いても同等の効
果が得られる。
以上説明したように本発明の電子写真感光体はブロック
キング層をアモルファス水素化シリコンの窒化物で形成
し、感光層を不純物を添加しない純度の高いアモルファ
ス水素化シリコンで形成したので、帯電特性および長波
長域での分光感度特性が飛躍的に向上するとともに、機
械的強度の優れた感光体を得ることができる。
キング層をアモルファス水素化シリコンの窒化物で形成
し、感光層を不純物を添加しない純度の高いアモルファ
ス水素化シリコンで形成したので、帯電特性および長波
長域での分光感度特性が飛躍的に向上するとともに、機
械的強度の優れた感光体を得ることができる。
また、使用する原料ガスが２種類と少なく、薄い膜厚で
十分な帯電特性が得られるので、短時間に安価な感光体
を製造できる効果がある。
十分な帯電特性が得られるので、短時間に安価な感光体
を製造できる効果がある。
第１図は本発明の電子写真感光体の構成を示す断面図、
第２図は本発明の電子写真感光体を製造するための成膜
装置の概要図、 第３図は本発明の感光体の分光感度特性、第４図および
第５図は第１実施例および第２実施例の帯電特性を示す
図であり、それぞれ＋Ｉｌ＋は帯電露光特性を、（ｂｌ
は帯電暗減衰特性を示す図、第６図および第７図は従来
のアモルファス水素化シリコン感光体の帯電特性を示す
図であり、それぞれｆａｌは帯電露光特性を、山）は帯
電暗減衰特性を示す図である。 図中、１１．２２は導電性支持体、１２はブロックキン
グ層、１３は感光層、１４は保護層、２１はチャンバ、
３１はガス噴出孔、３２は放電電極をそれぞれ示す。 （へ膜シ≧１．４１４ｋ （Ａ）現ｌｌ音 ４１９− （八）唄：４．ｊミう［
装置の概要図、 第３図は本発明の感光体の分光感度特性、第４図および
第５図は第１実施例および第２実施例の帯電特性を示す
図であり、それぞれ＋Ｉｌ＋は帯電露光特性を、（ｂｌ
は帯電暗減衰特性を示す図、第６図および第７図は従来
のアモルファス水素化シリコン感光体の帯電特性を示す
図であり、それぞれｆａｌは帯電露光特性を、山）は帯
電暗減衰特性を示す図である。 図中、１１．２２は導電性支持体、１２はブロックキン
グ層、１３は感光層、１４は保護層、２１はチャンバ、
３１はガス噴出孔、３２は放電電極をそれぞれ示す。 （へ膜シ≧１．４１４ｋ （Ａ）現ｌｌ音 ４１９− （八）唄：４．ｊミう［
Claims (1)
- 導電性支持体」二に、アモルファス水素化シリコンの窒
化物で構成されるブロッキング層と、不純物を添加せず
に成膜されるアモルファス水素化シリコンの感光層と、
アモルファス水素化シリコンの窒化物で構成される保護
層とが、順次積層されていることを特徴とする電子写真
感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11223984A JPS60256151A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11223984A JPS60256151A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60256151A true JPS60256151A (ja) | 1985-12-17 |
Family
ID=14581726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11223984A Pending JPS60256151A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60256151A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758160A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Canon Inc | Photoconductive member |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11223984A patent/JPS60256151A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758160A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 | Canon Inc | Photoconductive member |
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