JPS60257182A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置、特にショットキ・バリア・ダイ
オードの製造に適用して有効な技術に関する。

〔背景技術〕

半導体に金属電極を接合して構成される、いわゆるショ
ットキ・バリア・ダイオードの製造方法としては次のよ
うなものが考えらねる。

すなわち、導電型シリコン基板上に形成される導電型の
エピタキシャル層を、電極形成領域を除いて二酸化シリ
コン（Ｓｉｎ、）膜等からなる絶縁膜で被ったのち、前
記電極形成領域にたとえばタングステン（Ｗ）からなる
金属電極を形成する方法である。

上記の方法において、絶縁膜の一部に電極形成領域を形
成する方法としては、たとえばフォトエツチングによっ
て電極形成領域に相当する絶縁膜を除去し、金属電極と
接合部を構成する前記エピタキシャル層を露出させ、洗
浄液で洗浄することによって浄化したのち金属電極をた
とえは真空蒸着によって所定の厚さ、所定の形状に形成
することが行なわれる。

しかしながら上記の方法では、絶縁膜に形成される電極
形成領域が凹状であるため前記の洗浄作業に際し、電極
形成領域内の底部周辺に異物が残存しやすいという欠点
がある。

この結果接合部には異物が介在することと１．【す、安
定なショットキ接合が１月害さオ１．逆方向宵１王印加
時のリーク宵筺、の増加などに起因する製品不良の発生
があることを本発明者は見い出した。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、安定なショットキ接合を有する半導体
装置の製造技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は５本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、半導体表面に絶縁膜を形成する前に金属電極
を形成することによって、金属電極と半導体の接合部に
異物が介在することを防止し、前記目的を達成するもの
である。

〔実施例１〕 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例であるショッ
トキ・バリア・ダイオードの製造方法を工程順に示す断
面図である。

第１図（ａ）に示されるように、導電型のシリコン基板
１の一主面には導電型のシ１）コンのエピタキシャル層
２が形成される。

このエピタキシャル層２の表面は、たとえば洗浄等の方
法によって清浄とされた後、たとえばタングステン（Ｗ
’）からなる金属電極層３が形成される。

この場合、前記洗浄時において、エピタキシャル層２の
表面には凹凸がないため、異物等が残存しに（く、エピ
タキシャル層２０表面に形成される金属電極層３との界
面に異物が介在することが防止される。

次に真空中で所定の温度で所定時間加熱処理されること
によってエピタキシャル層２と金属電極層３の接合部は
定定化される。

その後、同図（ｂ）に示されるように、金属電極層３は
、たとえばフォトエツチングの方法によって。

金属電極３ａとなる部分を残して除去される。

また、金属電極層３が除去された部分のエピタキシャル
層２の表面部はさらに所定の厚さだけ、たとえばエツチ
ングの方法によって除去され、金属電極層３を構成する
金属原子がエピタキシャル層２０表面に拡散されること
によって形成される固相拡散層が取り除かれる。

次に同図（ｃ）に示されるように、たとえば化学気相成
長（ＣＶＤ）法によって、金属電極３ａおよびエビ４キ
シャル層２０表面には、たとえば酸化シリコンからなる
絶縁膜４が形成される。

この絶縁膜４の一部は、たとえばフォトエツチングの方
法によって除去され、取り出し電極形成窓５が形成され
る。

次に同図（ｄ）に示されるように、たとえばアルミニウ
ム（Ａｌｌ　）で構成される取り出し電極６が形成され
、ショットキ・バリア・ダイオード７がつくられる。

本実施例の方法によれば、エピタキシャル層２０表面が
清浄な状態で金属電極層３が形成されるため、エピタキ
シャル層２と金属電極３ａとの接合部に異物が介在する
ことが防止され、安定なシ（５） ョットキ接合が得られる。

〔実施例２〕 第２図は本発明の他の実施例であるショットキ・バリア
・ダイオードの製造方法を工程順に示す断面図である。

本実施例においては、第２図（ａｌで示されるように、
金属電極層３０表面に、酸化防止のため、たとえば白金
（Ｐｔ）で構成される金属層８が設けられているところ
が前記の実施例１とは異なる。

すなわち、金属電極層３に、たとえば真空蒸着の方法で
形成される金属層８は、同図（ｂｌで示されるように、
金属電極３ａの形成時においても、酸化防止層８ａとし
て残され、同図（ｃｌにおいて絶縁膜４が形成される際
に金属電極３ａが酸化されることを防止する。

この酸化防止層８ａは同図（ｄ）で示されるように。

取り出し電極形成窓５が形成されたのち、絶縁膜４で覆
われた周辺部を除いて除去される。

次に同図ｔｅｌで示されるように、露出される金属電極
３ａＫ取り出し電極６が形成され、ショット（６） キ・バリア・ダイオード７ａがつくられる。

本実施例の方法によれば、エピタキシャル層２と金属１
を鞭３ａとの間に安定なショットキ接合が得られること
は、前記実施例１の場合と同様であるが、さら知、金属
電極３ａの表面の酸化が防止されるため、取り出しｔ極
６との間に良好なオーム接合が得られ、順方向の駆動電
圧が所定の値以」１に増大することが防止される。

〔効果］ （１）半導体表面に金属電極が形成されたのち忙絶縁膜
が形成されるため、絶縁膜形成過程において半導体表面
と金属電極との間に異物が介在することが防止され、安
定なショットキ接合が得られる。

（２）金属ＩｆＩＬ極の表面に金属層が形成されたのち
に絶縁膜が形成されるため、金ＰＡｔ極の酸化が防止さ
れ、良好な順方向特性が得られる。

（３）前記（１１、＋２１の結果、電気的特性の良好な
半導体装置が製造可能となり、製品の歩留りが向上する
。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが２本発明は前記実施例に限定さ４るも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、金属電極の表面に形成される金属層を除去せ
ずに、そのまま積層宵１極として用いることも可能であ
る。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるショットキ・バリア
・ダイオードの製造方法に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、安定
なショット接合を必要とする半導体装置等の製造に広く
適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）ないしくｄ）　ｋ’！、本発明の一実施例
であるショットキ・バリア・ダイオードの製造方法を工
程順に示す断面図。 第２図（ａ）ないしｔｅｌは本発明の他の実施例である
ショットキ・バリア・ダイオードの製造方法を工程順に
示す断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・エピタキシャル層、３
金属電極層、３ａ・・・金回電極、４・・・絶縁膜、５
・・・取り出し電極形成窓、６・・・取り用し電極、’
１，７ａ・・・ショットキ・バリア・ダイオード、８・
・・金属層、８ａ・・・酸化防止層。 代理人　弁理士　高　橋　明　夫 ）、 （、パ ３．４−゛づ・ 第　１　図 ６反）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体の一主面に部分的に金属電極を取り付けてな
   る半導体装置の製造方法において、絶縁膜形成前に金属
   電極を形成することを特徴とする。 半導体装置の製造方法。 ２、絶縁膜形成前に金属電極表面に金属層を形成するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
   の製造方法。 ３、半導体装置がショットキ・バリア・ダイオードであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
   装置の製造方法。