JPH0249732Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0249732Y2 JPH0249732Y2 JP1982069197U JP6919782U JPH0249732Y2 JP H0249732 Y2 JPH0249732 Y2 JP H0249732Y2 JP 1982069197 U JP1982069197 U JP 1982069197U JP 6919782 U JP6919782 U JP 6919782U JP H0249732 Y2 JPH0249732 Y2 JP H0249732Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- semiconductor
- diode
- pellets
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、高圧ダイオードを形成する半導体ペ
レツトの構造に関するものである。
レツトの構造に関するものである。
従来の高圧ダイオードは一般に第１図に示すよ
うな構造である。すなわち、第１図に示されるよ
うに約千〜千数百Ｖの逆耐電圧を有するダイオー
ドペレツト１を複数個、この場合は３個直列に接
続して、ダイオードの逆耐電圧も約３千Ｖ以上と
している。また、５ａ，５ｂは、外部引出しリー
ドを有するヒートシンクでありダイオードペレツ
トと熱膨張係数の近いタングステンまたはモリブ
デン等で形成されており６はダイオードペレツト
を外部から電気的、機械的に保護するための封止
ガラスであり、ヒートシンクと同様にダイオード
ペレツトと熱膨張係数の近い硼ケイ酸ガラスで形
成されており、２はダイオードペレツト上に形成
された２酸化シリコンであり、３はダイオードペ
レツトのPN接合端部を保護するパツシベーシヨ
ンガラスであり、４はダイオードペレツト同志お
よびヒートシンクを接続するための接続メタルで
ある。
うな構造である。すなわち、第１図に示されるよ
うに約千〜千数百Ｖの逆耐電圧を有するダイオー
ドペレツト１を複数個、この場合は３個直列に接
続して、ダイオードの逆耐電圧も約３千Ｖ以上と
している。また、５ａ，５ｂは、外部引出しリー
ドを有するヒートシンクでありダイオードペレツ
トと熱膨張係数の近いタングステンまたはモリブ
デン等で形成されており６はダイオードペレツト
を外部から電気的、機械的に保護するための封止
ガラスであり、ヒートシンクと同様にダイオード
ペレツトと熱膨張係数の近い硼ケイ酸ガラスで形
成されており、２はダイオードペレツト上に形成
された２酸化シリコンであり、３はダイオードペ
レツトのPN接合端部を保護するパツシベーシヨ
ンガラスであり、４はダイオードペレツト同志お
よびヒートシンクを接続するための接続メタルで
ある。
次に組立工程を説明する。
第１に所望の逆電圧を満足する数のダイオード
ペレツト１を積層し、さらに上下にヒートシンク
５ａ，５ｂをおき、接続メタルとダイオードペレ
ツト１のシリコンとの共晶温度以上に温度を上
げ、ダイオードペレツト同志間および端部にヒー
トシンクを接続するマウント工程、第２にダイオ
ードペレツトを外部から電気的，機械的に保護す
るために封止ガラス６により封止する封止工程か
らなる。
ペレツト１を積層し、さらに上下にヒートシンク
５ａ，５ｂをおき、接続メタルとダイオードペレ
ツト１のシリコンとの共晶温度以上に温度を上
げ、ダイオードペレツト同志間および端部にヒー
トシンクを接続するマウント工程、第２にダイオ
ードペレツトを外部から電気的，機械的に保護す
るために封止ガラス６により封止する封止工程か
らなる。
ここで第１図に示すように、従来のダイオード
ペレツト１は片主表面に２酸化シリコンを有して
いた。接続メタルは２酸化シリコンとは接着しな
いため２酸化シリコンの膜厚よりも厚くしなけれ
ば接続されなかつた。また該ペレツトの製造工程
で詳細に説明するが、パツシベーシヨンガラス３
を形成する時に、この２酸化シリコン上にも酸化
膜のピンホールやゴミ等の形成核のために極部的
にパツシベーシヨンガラスが形成されてしまうこ
とがあり、この場合この凸部のために接続面の平
行度が悪くなり隙間を生じ接続メタルの接着強度
が低下したり熱度疲労を生じるという不具合があ
つた。
ペレツト１は片主表面に２酸化シリコンを有して
いた。接続メタルは２酸化シリコンとは接着しな
いため２酸化シリコンの膜厚よりも厚くしなけれ
ば接続されなかつた。また該ペレツトの製造工程
で詳細に説明するが、パツシベーシヨンガラス３
を形成する時に、この２酸化シリコン上にも酸化
膜のピンホールやゴミ等の形成核のために極部的
にパツシベーシヨンガラスが形成されてしまうこ
とがあり、この場合この凸部のために接続面の平
行度が悪くなり隙間を生じ接続メタルの接着強度
が低下したり熱度疲労を生じるという不具合があ
つた。
本考案は、かかる不具合を排除し、信頼性の高
い高圧ダイオードを得るためのダイオードペレツ
トの構造に関するものである。
い高圧ダイオードを得るためのダイオードペレツ
トの構造に関するものである。
本考案によれば、メサ型の半導体ペレツトが複
数個積層された高圧ダイオードにおいて、該半導
体ペレツトは、一導電型の半導体基板と、前記半
導体基板の一主面の中央部上に設けられた前記一
導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層
上に設けられた他の導電型の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の表面の中央部上に設けられ
た前記他の導電型の第３の半導体層と、前記第２
の半導体層の前記表面の周辺部、前記第２の半導
体層の側面、前記第１の半導体層の側面及び前記
半導体基板の前記一主面の周辺部を覆つて設けら
れ、前記第３の半導体層よりも薄い膜厚を有する
パツシベーシヨン膜と、前記第３の半導体層上の
全面に前記第３の半導体層と直接接して設けられ
た接続金属とを有して形成されていることを特徴
とする高圧ダイオードが得られる。
数個積層された高圧ダイオードにおいて、該半導
体ペレツトは、一導電型の半導体基板と、前記半
導体基板の一主面の中央部上に設けられた前記一
導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層
上に設けられた他の導電型の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の表面の中央部上に設けられ
た前記他の導電型の第３の半導体層と、前記第２
の半導体層の前記表面の周辺部、前記第２の半導
体層の側面、前記第１の半導体層の側面及び前記
半導体基板の前記一主面の周辺部を覆つて設けら
れ、前記第３の半導体層よりも薄い膜厚を有する
パツシベーシヨン膜と、前記第３の半導体層上の
全面に前記第３の半導体層と直接接して設けられ
た接続金属とを有して形成されていることを特徴
とする高圧ダイオードが得られる。
以下、図面により詳細に説明する。
第２図５は従来のダイオードペレツトであり第
２図ａ〜ｅ工程により製造される。第２図ａは両
面に２酸化シリコンを有するPN接合形成済ウエ
ハを写真触刻法により各チツプに分離するための
溝形成部の２酸化シリコン膜を除去したものであ
る。
２図ａ〜ｅ工程により製造される。第２図ａは両
面に２酸化シリコンを有するPN接合形成済ウエ
ハを写真触刻法により各チツプに分離するための
溝形成部の２酸化シリコン膜を除去したものであ
る。
次に第２図ｂのごとく、硝酸と弗酸の混合シリ
コンエツチン液により２酸化シリコン膜をマスク
としてPN接合を分離すべくPN接合深さより深
く溝７を形成する。
コンエツチン液により２酸化シリコン膜をマスク
としてPN接合を分離すべくPN接合深さより深
く溝７を形成する。
次に第２図ｃのごとく、ウエハをパツシベーシ
ヨンガラスの粉末を溶媒に懸濁させた液に浸漬
し、電界をかけ電気泳動法により２酸化シリコン
をマスクとしてパツシベーシヨンガラス粉末を溝
部のシリコン露出部のみに形成し、電気炉に入れ
粉末ガラスを溶融しパツシベーシヨンガラス膜３
を形成する。
ヨンガラスの粉末を溶媒に懸濁させた液に浸漬
し、電界をかけ電気泳動法により２酸化シリコン
をマスクとしてパツシベーシヨンガラス粉末を溝
部のシリコン露出部のみに形成し、電気炉に入れ
粉末ガラスを溶融しパツシベーシヨンガラス膜３
を形成する。
次に第２図ｄのごとく接続メタル形成個所の２
酸化シリコンを写真蝕刻法により除去し、第２図
ｅのごとく該部と裏面全面に接続メタルを蒸着法
により形成する。
酸化シリコンを写真蝕刻法により除去し、第２図
ｅのごとく該部と裏面全面に接続メタルを蒸着法
により形成する。
次にウエハの溝中央部にレーザーまたはダイサ
ースクライブにより刻み目を入れ個々のペレツト
に分離しダイオードペレツト５を得ていた。
ースクライブにより刻み目を入れ個々のペレツト
に分離しダイオードペレツト５を得ていた。
以上のごとく、従来の構造においては、接続メ
タルと２酸化シリコンが同一面上に存在するた
め、また第２図ｃの工程において２酸化シリコン
のピンホール、微細な２酸化シリコン表面の凹
凸、２酸化シリコン上のゴミ等により２酸化シリ
コン上にも極部的にパツシベーシヨンガラスが形
成されしまうという不具合が最終ペレツトにその
まま残つてしまいダイオードの組立工程で前述の
ごとき不具合を生じていた。
タルと２酸化シリコンが同一面上に存在するた
め、また第２図ｃの工程において２酸化シリコン
のピンホール、微細な２酸化シリコン表面の凹
凸、２酸化シリコン上のゴミ等により２酸化シリ
コン上にも極部的にパツシベーシヨンガラスが形
成されしまうという不具合が最終ペレツトにその
まま残つてしまいダイオードの組立工程で前述の
ごとき不具合を生じていた。
第４図ａ〜ｈにより本考案を説明する。第４図
ａは従来の工程と同じであり、次に第４図ｂにお
いて所望する深さよりも浅く（第４図ｅにおいて
て形成するパツシベーシヨンガラス３の厚さより
少し厚い分だけ）溝を形成する。次に第４図ｃの
ごとく、写真蝕刻法により２酸化シリコン２ａを
該２酸化シリコン下のＰ拡散層の表面積より小さ
く形成するため不用の２酸化シリコンを除去す
る。次に第４図ｄのごとく再度溝部をエツチング
し所望の深さの溝部を形成する。この時に追加さ
れた溝深さの分の段差８が形成される。該段差の
深さは前述の理由により次に形成されるパツシベ
ーシヨン膜厚よりも大きくなる。次に第４図ｅの
ごとく従来方法と同様にパツシベーシヨンガラス
３を形成する。この時段差部に形成されたパツシ
ベーシヨンガラス３は前述の理由によりＰ拡散層
の表面よりも低く形成される。次に第４図ｆのご
とく、写真蝕刻法により２酸化シリコンのすべて
と段差中央部から内側の部分のパツシベーシヨン
ガラスをも除去し、第４図ｇのごとく該部と裏面
全面に蒸着法により接続メタルを形成する。
ａは従来の工程と同じであり、次に第４図ｂにお
いて所望する深さよりも浅く（第４図ｅにおいて
て形成するパツシベーシヨンガラス３の厚さより
少し厚い分だけ）溝を形成する。次に第４図ｃの
ごとく、写真蝕刻法により２酸化シリコン２ａを
該２酸化シリコン下のＰ拡散層の表面積より小さ
く形成するため不用の２酸化シリコンを除去す
る。次に第４図ｄのごとく再度溝部をエツチング
し所望の深さの溝部を形成する。この時に追加さ
れた溝深さの分の段差８が形成される。該段差の
深さは前述の理由により次に形成されるパツシベ
ーシヨン膜厚よりも大きくなる。次に第４図ｅの
ごとく従来方法と同様にパツシベーシヨンガラス
３を形成する。この時段差部に形成されたパツシ
ベーシヨンガラス３は前述の理由によりＰ拡散層
の表面よりも低く形成される。次に第４図ｆのご
とく、写真蝕刻法により２酸化シリコンのすべて
と段差中央部から内側の部分のパツシベーシヨン
ガラスをも除去し、第４図ｇのごとく該部と裏面
全面に蒸着法により接続メタルを形成する。
次に従来と同様に溝中央部にレーザーまたはダ
イオースクライブにより刻み目を入れ個々のペレ
ツトに分離し第４図ｈに示すダイオードペレツト
を得る。
イオースクライブにより刻み目を入れ個々のペレ
ツトに分離し第４図ｈに示すダイオードペレツト
を得る。
以上のごとく、本考案によるダイオードペレツ
トを用いることにより第３図のようにダイオード
ペレツトの主表面すなわち接着面には２酸化シリ
コンが存在せず、接着面はシリコンサブストレー
トのみであり、またパツシベーシヨンガラスもシ
リコン接着面よりも低いため、従来の高圧ダイオ
ードに生じていた前述のごとき不具合は発生せ
ず、信頼性の高い高圧ダイオードを得ることがで
きる。
トを用いることにより第３図のようにダイオード
ペレツトの主表面すなわち接着面には２酸化シリ
コンが存在せず、接着面はシリコンサブストレー
トのみであり、またパツシベーシヨンガラスもシ
リコン接着面よりも低いため、従来の高圧ダイオ
ードに生じていた前述のごとき不具合は発生せ
ず、信頼性の高い高圧ダイオードを得ることがで
きる。
第１図は従来の高圧ダイオードの断面図であ
り、第２図ａ〜ｆは該ダイオードペレツトの製造
工程を示す断面図である。第３図は本考案による
高圧ダイオードの断面図であり、第４図ａ〜ｈは
該ダイオードペレツトの製造工程を示す断面図で
ある。 なお、図において、１……ダイオードペレツ
ト、２ａ，２ｂ……２酸化シリコン、３……パツ
シベーシヨンガラス膜、４……接続メタル、５
ａ，５ｂ……ヒートシンク、６……封止ガラス、
７……PN接合分離溝、８……PN接合分離溝段
差、である。
り、第２図ａ〜ｆは該ダイオードペレツトの製造
工程を示す断面図である。第３図は本考案による
高圧ダイオードの断面図であり、第４図ａ〜ｈは
該ダイオードペレツトの製造工程を示す断面図で
ある。 なお、図において、１……ダイオードペレツ
ト、２ａ，２ｂ……２酸化シリコン、３……パツ
シベーシヨンガラス膜、４……接続メタル、５
ａ，５ｂ……ヒートシンク、６……封止ガラス、
７……PN接合分離溝、８……PN接合分離溝段
差、である。
Claims (1)
- メサ型の半導体ペレツトが複数個積層された高
圧ダイオードにおいて、該半導体ペレツトは、一
導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一主面
の中央部上に設けられた前記一導電型の第１の半
導体層と、前記第１の半導体層上に設けられた他
の導電型の第２の半導体層と、前記第２の半導体
層の表面の中央部上に設けられた前記他の導電型
の第３の半導体層と、前記第２の半導体層の前記
表面の周辺部、前記第２の半導体層の側面、前記
第１の半導体層の側面及び前記半導体基板の前記
一主面の周辺部を覆つて設けられ、前記第３の半
導体層よりも薄い膜厚を有するパツシベーシヨン
膜と、前記第３の半導体層上の全面に前記第３の
半導体層と直接接して設けられた接続金属とを有
して形成されていることを特徴とする高圧ダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982069197U JPS58173249U (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 高圧ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982069197U JPS58173249U (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 高圧ダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173249U JPS58173249U (ja) | 1983-11-19 |
| JPH0249732Y2 true JPH0249732Y2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=30078934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982069197U Granted JPS58173249U (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 高圧ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173249U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5557571B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-07-23 | 新電元工業株式会社 | ダイオードモジュール |
| US8530902B2 (en) * | 2011-10-26 | 2013-09-10 | General Electric Company | System for transient voltage suppressors |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995585A (ja) * | 1973-01-12 | 1974-09-10 | ||
| JPS5832507B2 (ja) * | 1975-05-16 | 1983-07-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5827347B2 (ja) * | 1975-08-26 | 1983-06-08 | カブシキガイシヤ カタヤマカガクコウギヨウケンキユウシヨ | ジユンカンケイコウノウシユクスイヨウボウシヨクザイ |
| US4047196A (en) * | 1976-08-24 | 1977-09-06 | Rca Corporation | High voltage semiconductor device having a novel edge contour |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP1982069197U patent/JPS58173249U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58173249U (ja) | 1983-11-19 |
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