JPS60257531A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60257531A JPS60257531A JP11420384A JP11420384A JPS60257531A JP S60257531 A JPS60257531 A JP S60257531A JP 11420384 A JP11420384 A JP 11420384A JP 11420384 A JP11420384 A JP 11420384A JP S60257531 A JPS60257531 A JP S60257531A
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- resin
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Links
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、樹脂封止の半導体装置、特に、シリコン樹脂
などの内層樹脂で半導体チップを直接色種し、さらにそ
の外側をエポキシ樹脂などの外層樹脂で包覆保護した二
層樹脂封止の半導体装置を製造する方法に関する。
などの内層樹脂で半導体チップを直接色種し、さらにそ
の外側をエポキシ樹脂などの外層樹脂で包覆保護した二
層樹脂封止の半導体装置を製造する方法に関する。
口、従来の技術
このような二層樹脂構造の半導体装置は、半導体チップ
を直接包む内層樹脂としては、半導体チップに影響を及
ばず不純物をできるだけ含まない純度の尚いシリコン樹
脂を用い、外側の外層樹脂としては、純度の高いことを
必要としない、比較的安価で構造的強度を有するエポキ
シ樹脂などが生に用いられている。
を直接包む内層樹脂としては、半導体チップに影響を及
ばず不純物をできるだけ含まない純度の尚いシリコン樹
脂を用い、外側の外層樹脂としては、純度の高いことを
必要としない、比較的安価で構造的強度を有するエポキ
シ樹脂などが生に用いられている。
ハ１発明が解決しようとする問題点
このような二層樹脂の半導体装置では、封止樹脂からの
半導体チップが汚染されることは防止されているが、し
かし、外部湿気の浸入防止特性は十分とはいい難く、一
層の改善が望まれていた。
半導体チップが汚染されることは防止されているが、し
かし、外部湿気の浸入防止特性は十分とはいい難く、一
層の改善が望まれていた。
二１問題点を解決するための技術手段
本発明では、内側の保護層、すなわち内層樹脂の表面に
有機金属膜を被層し、熱処理によって透湿率の低い保護
膜を形成し、この保護膜により外部湿気の侵入を防止し
ている。
有機金属膜を被層し、熱処理によって透湿率の低い保護
膜を形成し、この保護膜により外部湿気の侵入を防止し
ている。
ホ、実施例
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明方法によシ製造された半導体装置の断面
図である。第１図において、１は外部雰囲気から保護す
べき半導体チップで、リードフレームのアイランド２に
固着している０そして、半導体チップ１の電極と外部リ
ード３との間を金属細線４で接続したのち、アイランド
２を含む半導体チップ１および金族細線４は、チップを
汚染するような不純物を含ま々い、すなわち純度の高い
シリコン樹脂５で包んで保護する。それから、シリコー
ン樹脂層５の外面に有機金塊化合物、例えば有機チタン
を塗布し、しかる後熱処理を施すことによシリコーン樹
脂層と反応させて透湿率の極めて小さい保＠膜６を形成
する。さらに保護膜６の外面を外層樹脂、例えばエポキ
シ樹脂層で包んで外装を完成する。
図である。第１図において、１は外部雰囲気から保護す
べき半導体チップで、リードフレームのアイランド２に
固着している０そして、半導体チップ１の電極と外部リ
ード３との間を金属細線４で接続したのち、アイランド
２を含む半導体チップ１および金族細線４は、チップを
汚染するような不純物を含ま々い、すなわち純度の高い
シリコン樹脂５で包んで保護する。それから、シリコー
ン樹脂層５の外面に有機金塊化合物、例えば有機チタン
を塗布し、しかる後熱処理を施すことによシリコーン樹
脂層と反応させて透湿率の極めて小さい保＠膜６を形成
する。さらに保護膜６の外面を外層樹脂、例えばエポキ
シ樹脂層で包んで外装を完成する。
へ０発明の効果
本発明方法によれは、内層樹脂と外層樹脂の間に透湿率
の極めて小さい保護膜を備えしめているので、この保護
膜により外部湿気の侵入は阻止されて、半導体チップは
外部湿気から十分に保護される。なお、この保護膜の形
成は、有機金塊化合物の塗布熱処理という簡単な追加工
程だけでできるので、それ程大きなコストアップになら
ず、信頼性の勝れた二層樹脂封止の半導体装置を安価に
提供できるという効果が得られる。
の極めて小さい保護膜を備えしめているので、この保護
膜により外部湿気の侵入は阻止されて、半導体チップは
外部湿気から十分に保護される。なお、この保護膜の形
成は、有機金塊化合物の塗布熱処理という簡単な追加工
程だけでできるので、それ程大きなコストアップになら
ず、信頼性の勝れた二層樹脂封止の半導体装置を安価に
提供できるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例方法により製造された半導体
装置の断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・リードフ
レームのアイランド、３・・・・・・外部リード、４・
・・・・・金塊細線、５・・・・・・内層樹脂、６・・
・・・・保護膜、７・・・・・・外層樹脂。
装置の断面図である。 １・・・・・・半導体チップ、２・・・・・・リードフ
レームのアイランド、３・・・・・・外部リード、４・
・・・・・金塊細線、５・・・・・・内層樹脂、６・・
・・・・保護膜、７・・・・・・外層樹脂。
Claims (1)
- 半導体チップと外部リードとの間を金属細線で接続し、
前記チップをシリコン樹脂などの内層樹脂で包覆し、こ
の内層樹脂表面に鳴後金属を塗布し、熱処理により透湿
率の低い保護膜を形成し、さらに前記保護膜の外向を外
層樹脂で包覆することを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11420384A JPS60257531A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11420384A JPS60257531A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257531A true JPS60257531A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14631787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11420384A Pending JPS60257531A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257531A (ja) |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP11420384A patent/JPS60257531A/ja active Pending
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