JPS6294967A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS6294967A
JPS6294967A JP60235736A JP23573685A JPS6294967A JP S6294967 A JPS6294967 A JP S6294967A JP 60235736 A JP60235736 A JP 60235736A JP 23573685 A JP23573685 A JP 23573685A JP S6294967 A JPS6294967 A JP S6294967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
lead frame
inner leads
semiconductor device
lead
Prior art date
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Pending
Application number
JP60235736A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Miyazawa
宮澤　實
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60235736A priority Critical patent/JPS6294967A/ja
Publication of JPS6294967A publication Critical patent/JPS6294967A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/421—Shapes or dispositions
    • H10W70/435—Shapes or dispositions of insulating layers on leadframes, e.g. bridging members
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Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリードフレームに関する。
〔ｂ℃来の技術〕
従来、樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレー
ムは第４図及び第５図に示すごとく外部リー、ド２と一
体的に形成された内部リード３は半導体ナツプ４がマウ
ントされるアイランド部１２まで延びた構造となってお
り、この内部リード３の先端と半導体チップ４上のボン
ディングバット部が金属細線６で接続されるように構成
されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のリードフレームは、内部リード３が半導
体チップ４がマウントされるアイランド部１２近くまで
延びている構造となっている為、モールド樹脂１で封止
した場合内部リード３にそって水分が浸入し半導体装置
を劣化させるという問題がある。
内部リードを細くすれば水分の浸入は減少するが、内部
リードを細くしたリードフレームを用い、従来と同様の
方法で半導体チップをマウントし、金属細線をボンディ
ングした場合、金属細線の変形や断線等が生じ半導体装
置の歩留り低下の原因となる。
本発明の目的は°、田脂封止型半導体装置を製造した場
合、水分の浸入を少くできるリードフレームを提供する
ことにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のリードフレームは、外部リードと内部リードと
アイランド部からなるリードフレームであって、アイラ
ンド部近傍に金属細線の中継端子を設けたものである。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の一実施例の平面図であり半導体ベレ・
ソトを固定した場合を示している。第２図は第１図の実
施例のＡ−Ａ’線断面図、第３図は第２図の中継端子部
の拡大図である。
第１図及び第２図において、リードフレームは外部リー
ド２、内部リード３、アイランド１２及びアイランド近
傍に設けられた金属細線の中継端子５から構成されてい
る。
中継端子５は第３図に示したように、アイランド１２と
一体的に形成された中継端子支持フレーム１０上にＳＩ
Ｏ□等の絶縁層９を設け、この絶縁層９上に人。等の金
属層８を通釈的に形成した構造となっている。
このように構成されたり−ドーフレームにおいては、内
部リード３を半導体チップ４が固定されるアイランド１
２近くまで延在させる必要かなくなる。従って内部リー
ド３を細くかつ短く形成することができる。
このように内部リード３を細くし、アイランド１２より
離した構造のリードフレームを用いて樹脂封止型の半導
体装置を製造した場合、内部り一ド３にそって半導体装
置内部に浸入する水分は極めて少くなる。又、中継端子
５と内部リード３とを接続する金属細線６は内部リード
３より極めて細い為水分の浸入は更に阻止され、半導体
装置の耐湿性はより向上したものとなる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように、本発明によれば、リードフ
レームのアイランド近傍に金属細線の中継端子を設ける
ことにより、内部リードを細くかつ短く形成できる為、
樹脂封止型半導体装置を製造した場合水分の浸入を少く
できるという効果のあるリードフレームが得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のリードフレームの平面図、
第２図は第１図の実施例のＡ−Ａ′線断面図、第３図は
第２図の中継端子部の拡大図、第４図は従来のリードフ
レームの平面図、第５図は第４図のリードフレームのＢ
−Ｂ′線断面図である。 １・・・モールド樹脂、２・・・外部リード、３・・・
内部リード、４・・・半導体チップ、５・・・中継端子
、６・・・金属細線、８・・・金属層、９・・・絶縁層
、１０・・・中継端子支持フレーム、１２・・・アイラ
ンド。 蓮　３ｒｊ！Ｊ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　外部リードと内部リードとアイランド部からなるリー
    ドフレームにおいて、アイランド部近傍に金属細線の中
    継端子を設けたことを特徴とするリードフレーム。
JP60235736A 1985-10-21 1985-10-21 リ−ドフレ−ム Pending JPS6294967A (ja)

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JP60235736A JPS6294967A (ja) 1985-10-21 1985-10-21 リ−ドフレ−ム

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JP60235736A JPS6294967A (ja) 1985-10-21 1985-10-21 リ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6294967A true JPS6294967A (ja) 1987-05-01

Family

ID=16990458

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60235736A Pending JPS6294967A (ja) 1985-10-21 1985-10-21 リ−ドフレ−ム

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JP (1) JPS6294967A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168368A (en) * 1991-05-09 1992-12-01 International Business Machines Corporation Lead frame-chip package with improved configuration
JP2013062405A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168368A (en) * 1991-05-09 1992-12-01 International Business Machines Corporation Lead frame-chip package with improved configuration
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