JPS60260142A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS60260142A JPS60260142A JP59116057A JP11605784A JPS60260142A JP S60260142 A JPS60260142 A JP S60260142A JP 59116057 A JP59116057 A JP 59116057A JP 11605784 A JP11605784 A JP 11605784A JP S60260142 A JPS60260142 A JP S60260142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- parts
- lead
- lead frame
- gaps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
- H10W70/042—Etching
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームに関し、一層詳細には、必要部
にのみ好適に部分めっきを施すことのできるリードフレ
ームに関するものである。
にのみ好適に部分めっきを施すことのできるリードフレ
ームに関するものである。
半導体装置用のリードフレームに施されるめっきは、銀
めっき、金めつき等の高価な貴金属めっきが多用される
ことから、コスト低減を図るべく、部分めっきが普及し
てきている。この部分めっきを行う場合、必要な部分の
みにめっきを施すために、一般にリードフレームの表面
側にはめっきエリアを囲んでマスク板で覆い、裏面側に
はめっき液が回らぬようにシールする裏当て板を押し当
ててめっきを行うようにしている。
めっき、金めつき等の高価な貴金属めっきが多用される
ことから、コスト低減を図るべく、部分めっきが普及し
てきている。この部分めっきを行う場合、必要な部分の
みにめっきを施すために、一般にリードフレームの表面
側にはめっきエリアを囲んでマスク板で覆い、裏面側に
はめっき液が回らぬようにシールする裏当て板を押し当
ててめっきを行うようにしている。
第１図はこの場合のめっき装置であり、裏当て板１０と
マスク板１２とにより、リードフレーム１４をシールし
ながら、ノズル１６からめっき液を噴出させて部分めっ
きを行うものである。
マスク板１２とにより、リードフレーム１４をシールし
ながら、ノズル１６からめっき液を噴出させて部分めっ
きを行うものである。
ところでリードフレーム１４は第２図に示すように、リ
ード部ｌ゛８間に間隙があることから、破線で示すめっ
きエリアを除いて上記の裏当て板１０とマスク板１２と
を押し当てて弾性的にシールしても、上記間隙内入口部
分までは有効にシールが行えない。そのために上記間隙
を伝わってめっき液が矢印Ａ方向に漏れ出し、第２図（
ｂｌに示されるようにめっきエリア外のリード部１８端
面にまではみ出してめっきが施されることとなる。そし
てこのようなはみ出し部におけるめっき液は、両側を裏
当て板１０とマスク板１２とで囲まれているから、攪拌
条件や温度条件等のめっき条件に欠け、はめ出し部にお
けるめっき皮膜は密着性に劣るものとなり、そのために
同図ｆｃｌに示されるように、半導体装置組立時の衝撃
などやサイクル的な熱変動などによって剥げて、リード
部間の短絡事故を招来する原因となっている。まためっ
きエリア外にまではみ出してめっきされるから、金ある
いは銀１等のめっき皮膜がそれだけ余計に付着し、コス
トの低減が図れないという欠点もある。
ード部ｌ゛８間に間隙があることから、破線で示すめっ
きエリアを除いて上記の裏当て板１０とマスク板１２と
を押し当てて弾性的にシールしても、上記間隙内入口部
分までは有効にシールが行えない。そのために上記間隙
を伝わってめっき液が矢印Ａ方向に漏れ出し、第２図（
ｂｌに示されるようにめっきエリア外のリード部１８端
面にまではみ出してめっきが施されることとなる。そし
てこのようなはみ出し部におけるめっき液は、両側を裏
当て板１０とマスク板１２とで囲まれているから、攪拌
条件や温度条件等のめっき条件に欠け、はめ出し部にお
けるめっき皮膜は密着性に劣るものとなり、そのために
同図ｆｃｌに示されるように、半導体装置組立時の衝撃
などやサイクル的な熱変動などによって剥げて、リード
部間の短絡事故を招来する原因となっている。まためっ
きエリア外にまではみ出してめっきされるから、金ある
いは銀１等のめっき皮膜がそれだけ余計に付着し、コス
トの低減が図れないという欠点もある。
本発明は上記難点を解消すべくなされたものであり、そ
の目的とすることろは、必要なめっきエリア部にのみ好
適に部分めっきが行え、半導体装置としての信頼性向上
にも資することができ、さらにはコストの低減化を図る
ことのできるリードフレームを提供するにあり、その特
徴は、表側と裏側から挾まれて、マスク板で覆われない
めっきエリア部分が部分めっきされるリードフレームに
おいて、めっき液がリードフレームのリード間空隙に流
れ出さないように、前記めっきエリア外縁に当たる部位
に、隣接するリード部等のリードフレームパターン間の
空隙を埋めるタイバーを設けて成るところにある。
の目的とすることろは、必要なめっきエリア部にのみ好
適に部分めっきが行え、半導体装置としての信頼性向上
にも資することができ、さらにはコストの低減化を図る
ことのできるリードフレームを提供するにあり、その特
徴は、表側と裏側から挾まれて、マスク板で覆われない
めっきエリア部分が部分めっきされるリードフレームに
おいて、めっき液がリードフレームのリード間空隙に流
れ出さないように、前記めっきエリア外縁に当たる部位
に、隣接するリード部等のリードフレームパターン間の
空隙を埋めるタイバーを設けて成るところにある。
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づき詳細に説
明する。
明する。
第３図にリードフレーム２０を示す。２２はリード部、
２４はステージ部、２６はステージ部２４を支持するス
テージサポートパーである。破線内は部分めっきを施す
部位のめっきエリアを示す。
２４はステージ部、２６はステージ部２４を支持するス
テージサポートパーである。破線内は部分めっきを施す
部位のめっきエリアを示す。
リードフレーム２０は通當のごとくプレス加工あるいは
エツチングによって形成する。
エツチングによって形成する。
本発明において特徴的なことは、上記のめっきエリア外
縁に当たる部位に、隣接するり一ド部２２間、およびリ
ード部２２とステージサポートパー２６との間の間隙を
埋めるタイバー２８を残して、プレス加工あるいはエツ
チング処理しであることにある。
縁に当たる部位に、隣接するり一ド部２２間、およびリ
ード部２２とステージサポートパー２６との間の間隙を
埋めるタイバー２８を残して、プレス加工あるいはエツ
チング処理しであることにある。
しかして上記のタイバー２８によってリード部２２問お
よびリード部２２とステージサポートパー２６との間の
間隙が埋められているから、前記の裏当て板１０によっ
てリードフレーム２０の裏面側をシールし、また表面側
は上記のめっきエリアを残してマスク板１２によってシ
ールすることによって、めっきエリアが完全にシールさ
れ、めっき不要部のリード部２２間等の間隙にめっき液
が漏れ出ることがなく、必要な部分のみに部分めっきを
行うことができるものである。
よびリード部２２とステージサポートパー２６との間の
間隙が埋められているから、前記の裏当て板１０によっ
てリードフレーム２０の裏面側をシールし、また表面側
は上記のめっきエリアを残してマスク板１２によってシ
ールすることによって、めっきエリアが完全にシールさ
れ、めっき不要部のリード部２２間等の間隙にめっき液
が漏れ出ることがなく、必要な部分のみに部分めっきを
行うことができるものである。
なおめっき終了後タイバー２８を除去する必要があるも
のであるが、タイバー２８の各リード部２２およびステ
ージサポートパー２６との接続基部に、リードフレーム
２０を形成する際のプレス加工時に半剪断加工を施して
おくことによって、めっき終了後備かな外力によって容
易に除去することが可能である。
のであるが、タイバー２８の各リード部２２およびステ
ージサポートパー２６との接続基部に、リードフレーム
２０を形成する際のプレス加工時に半剪断加工を施して
おくことによって、めっき終了後備かな外力によって容
易に除去することが可能である。
半剪断加工とは、第４図に概略的に示すように、タイバ
−２８基部に、リード部２２およびステージサポートパ
ー２６との組織が不連続となるが破断には至らないよう
な剪断力を加えて段差を形成したのち押し戻す加工をい
う。
−２８基部に、リード部２２およびステージサポートパ
ー２６との組織が不連続となるが破断には至らないよう
な剪断力を加えて段差を形成したのち押し戻す加工をい
う。
第５図はさらに他の実施例を示す。
本実施例においては、プレス加工等によってリード部２
２と連続する金属のタイバー２８を残すのではなく、従
来のリードフレーム成形終了後に、めっきエリア外縁に
当たる部分に、リード部２２間、リード部２２とステー
ジサポートパー２６間の間隙を埋めるように合成樹脂な
どによってブリッジしてタイバー３０を設けたものであ
る。
２と連続する金属のタイバー２８を残すのではなく、従
来のリードフレーム成形終了後に、めっきエリア外縁に
当たる部分に、リード部２２間、リード部２２とステー
ジサポートパー２６間の間隙を埋めるように合成樹脂な
どによってブリッジしてタイバー３０を設けたものであ
る。
本実施例においても前記と同様の作用効果を奏すること
は明らかである。
は明らかである。
また本実施例においては、合成樹脂等が絶縁性を有する
ことからめっき終了後においてもタイバー３０を除去す
る必要がないのみならず、リード部２２を束ねる効果を
有し、特に昨今のようにリード部２２が狭小な間隔で多
数本設けられているものにあっては、リード部２２の変
形が防止され、リード部２２相互間の短絡が阻止しうる
という相乗効果を奏するものである。
ことからめっき終了後においてもタイバー３０を除去す
る必要がないのみならず、リード部２２を束ねる効果を
有し、特に昨今のようにリード部２２が狭小な間隔で多
数本設けられているものにあっては、リード部２２の変
形が防止され、リード部２２相互間の短絡が阻止しうる
という相乗効果を奏するものである。
以上のように本発明によれば、必要なめっきエリア部の
みに好適に部分めっきが行え、コストの低減化を図るこ
とができるうえに、従来のようにめっきエリア外にはみ
出してめっきされためつき皮膜が剥がれて、リード部を
短絡するというおそれもなく、信頼性の高い半導体装置
として供することができるという著効を奏する。
みに好適に部分めっきが行え、コストの低減化を図るこ
とができるうえに、従来のようにめっきエリア外にはみ
出してめっきされためつき皮膜が剥がれて、リード部を
短絡するというおそれもなく、信頼性の高い半導体装置
として供することができるという著効を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
第１図は部分めっき装置の概要を示す説明図、第２図は
リードフレームの従来の部分めっきの状態を示す説明図
、第３図は本発明に係るリード部し・−ムの部分図、第
４図は半剪断加工の状態を示す説明図、第５図はリード
フレームのさらに他の実施例を示す部分図である。 １０・・・裏当て板、１２・・・マスク板。 １４・・・リードフレーム、１６・・・ノズル。 １８・・・リードｓ、 ２０・−・リードフレーム、２
２・・・リード部、２４・・・ステージ部、２６・・・
ステージサポートハー、２８・・・タイバー、３０・・
・タイバー。
リードフレームの従来の部分めっきの状態を示す説明図
、第３図は本発明に係るリード部し・−ムの部分図、第
４図は半剪断加工の状態を示す説明図、第５図はリード
フレームのさらに他の実施例を示す部分図である。 １０・・・裏当て板、１２・・・マスク板。 １４・・・リードフレーム、１６・・・ノズル。 １８・・・リードｓ、 ２０・−・リードフレーム、２
２・・・リード部、２４・・・ステージ部、２６・・・
ステージサポートハー、２８・・・タイバー、３０・・
・タイバー。
Claims (1)
- １、表側と裏側から挾まれて、マスク板で覆われないめ
っきエリア部分が部分めっきされるリードフレームにお
いて、めっき液がリードフレームのリード間空隙に流れ
出さないように、前記めっきエリア外縁に当たる部位に
、隣接するリード部等のリードフレームパターン間の空
隙を埋めるタイバーを設けて成るリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116057A JPS60260142A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59116057A JPS60260142A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260142A true JPS60260142A (ja) | 1985-12-23 |
| JPH022293B2 JPH022293B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=14677633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59116057A Granted JPS60260142A (ja) | 1984-06-06 | 1984-06-06 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60260142A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63148668A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| US5014112A (en) * | 1985-11-12 | 1991-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit device having mirror image circuit bars bonded on opposite sides of a lead frame |
| US5082802A (en) * | 1985-11-12 | 1992-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a memory device by packaging two integrated circuit dies in one package |
| US6656275B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-12-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Partial plating system |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223270A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing lead frames for semiconductors |
| JPS53125938A (en) * | 1977-04-12 | 1978-11-02 | Toshiba Corp | Plating method of lead frame |
| JPS5891650A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS58127356A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | Nippon Texas Instr Kk | 半導体集積回路の樹脂封止法およびそのために用いるリ−ドフレ−ム |
-
1984
- 1984-06-06 JP JP59116057A patent/JPS60260142A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223270A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing lead frames for semiconductors |
| JPS53125938A (en) * | 1977-04-12 | 1978-11-02 | Toshiba Corp | Plating method of lead frame |
| JPS5891650A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS58127356A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | Nippon Texas Instr Kk | 半導体集積回路の樹脂封止法およびそのために用いるリ−ドフレ−ム |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014112A (en) * | 1985-11-12 | 1991-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit device having mirror image circuit bars bonded on opposite sides of a lead frame |
| US5082802A (en) * | 1985-11-12 | 1992-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a memory device by packaging two integrated circuit dies in one package |
| JPS63148668A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| US6656275B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-12-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Partial plating system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH022293B2 (ja) | 1990-01-17 |
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