JPS602667A - 固体原料の昇華供給装置 - Google Patents
固体原料の昇華供給装置Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子の電極配線材料として用いられる
Ｍｏ（モリブデン）等の金属膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によっ
て生成させる場合、その原料となるＭＯＣｔ５等の固体
原料を反応室に供給するための固体原料の昇華供給装置
に関するものである。
Ｍｏ（モリブデン）等の金属膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によっ
て生成させる場合、その原料となるＭＯＣｔ５等の固体
原料を反応室に供給するための固体原料の昇華供給装置
に関するものである。
ＭＯ等の高融点金属膜を常圧ＯＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、
プラズマＯＶＤ法等によって生成させろ場合、Ｍｏ Ｏ
１ｓ等塩化物の水素還元による方法が用いられている。
プラズマＯＶＤ法等によって生成させろ場合、Ｍｏ Ｏ
１ｓ等塩化物の水素還元による方法が用いられている。
このような塩化物は一般に常温では固体であって、これ
を反応室内に供給するためには、加熱昇華させてキャリ
アガス（例えばＨｅ）とともに送り込むことが必要であ
る。第１図は従来の減圧ＣＶＤ法によるＭｏ膜生成装置
の例である。原料のＭｏＣ４５は昇華装置の原料容器１
の中に入れられており、ヒータ２によって１００〜２０
０℃程度に加熱される。キャリアガス供給源（Ｈｅガス
ボンベ）６から供給されたＨｅ ガスは、マスフローコ
ントローラ４（どれは流体の重量流量を設定値に対して
一定に保つように自動制御する装置であって、出口側の
ガスの熱伝導を計測してガスの流量を検知した結果を負
帰還して自動的に弁の開度を調節し、通過するガスの流
量をある設定値に保つ。）によって流量調節されて原料
容器１に入り、原料容器１の中で昇華したＭｏ０Ａｓ蒸
気を反応室（石英反応管）５に送り込む。原料容器１か
ら石英反応管５−１８での配管は、恒温槽６及びテープ
ヒータ７で原料容器１よりも高い温度になるように加熱
されており、ＭｏＣ！ｔｓの管壁への析出を防いでいる
。一方還元ガス供給源（Ｈ２ボンベ）８から供給された
Ｈ２ ガスは別の配管を通って石英反応管５に送り込ま
れる。石英反応管５の中にはウェーハ９が置かれていて
、石英反応管５内は真空ポンプ１１で０１〜１０ Ｔｏ
ｒｒ程度の減圧状態に保たれ、かつ外側をとり囲むよう
に置かれた加熱炉１０によって５００〜８００℃程度に
加熱されて、多数枚のウェーハ９の表面に均一なＭＯ膜
が生成される。
を反応室内に供給するためには、加熱昇華させてキャリ
アガス（例えばＨｅ）とともに送り込むことが必要であ
る。第１図は従来の減圧ＣＶＤ法によるＭｏ膜生成装置
の例である。原料のＭｏＣ４５は昇華装置の原料容器１
の中に入れられており、ヒータ２によって１００〜２０
０℃程度に加熱される。キャリアガス供給源（Ｈｅガス
ボンベ）６から供給されたＨｅ ガスは、マスフローコ
ントローラ４（どれは流体の重量流量を設定値に対して
一定に保つように自動制御する装置であって、出口側の
ガスの熱伝導を計測してガスの流量を検知した結果を負
帰還して自動的に弁の開度を調節し、通過するガスの流
量をある設定値に保つ。）によって流量調節されて原料
容器１に入り、原料容器１の中で昇華したＭｏ０Ａｓ蒸
気を反応室（石英反応管）５に送り込む。原料容器１か
ら石英反応管５−１８での配管は、恒温槽６及びテープ
ヒータ７で原料容器１よりも高い温度になるように加熱
されており、ＭｏＣ！ｔｓの管壁への析出を防いでいる
。一方還元ガス供給源（Ｈ２ボンベ）８から供給された
Ｈ２ ガスは別の配管を通って石英反応管５に送り込ま
れる。石英反応管５の中にはウェーハ９が置かれていて
、石英反応管５内は真空ポンプ１１で０１〜１０ Ｔｏ
ｒｒ程度の減圧状態に保たれ、かつ外側をとり囲むよう
に置かれた加熱炉１０によって５００〜８００℃程度に
加熱されて、多数枚のウェーハ９の表面に均一なＭＯ膜
が生成される。
しかしながら、このような装置では原料容器１の中のＭ
ｏ０Ａｓが消費されるにつれてＭｏ０Ｌ５の総表面積が
減少することになる。すなわち原料容器１中のＭｏ０Ａ
ｓの現在量の多少によってその昇華量が変化し、また原
料容器１中の温度変動によっても昇華量の変化が生じ、
石英反応管に送り込まれるＭｏ０ｔｓの量が変わり生成
される。Ｍｏ膜の生成速度にばらつきが生じる。
ｏ０Ａｓが消費されるにつれてＭｏ０Ｌ５の総表面積が
減少することになる。すなわち原料容器１中のＭｏ０Ａ
ｓの現在量の多少によってその昇華量が変化し、また原
料容器１中の温度変動によっても昇華量の変化が生じ、
石英反応管に送り込まれるＭｏ０ｔｓの量が変わり生成
される。Ｍｏ膜の生成速度にばらつきが生じる。
このようなばらつきをなくするためには、送り込まれる
ＭｏＣ１５の量をモニタし制御する必要がある。従来、
このような制御装置としては、質量分析計による方法や
熱伝導度検知法、赤外線吸収法などによるものがある。
ＭｏＣ１５の量をモニタし制御する必要がある。従来、
このような制御装置としては、質量分析計による方法や
熱伝導度検知法、赤外線吸収法などによるものがある。
質量分析計による方法は装置が高価となり実際の量産ラ
イン用としては適当でない。また熱伝導検知法によるも
のは装置は安価であるが、細い配管を通過させて気体の
熱伝導度の変化を測定しなければならないので、長時間
使用すれば配管が詰まりやすく正常な制御ができなくな
るという欠点がある。
イン用としては適当でない。また熱伝導検知法によるも
のは装置は安価であるが、細い配管を通過させて気体の
熱伝導度の変化を測定しなければならないので、長時間
使用すれば配管が詰まりやすく正常な制御ができなくな
るという欠点がある。
第２図は従来の赤外線吸収法による制御装置を用いた固
体原料の昇華供給装置の構成側図である。
体原料の昇華供給装置の構成側図である。
原料容器１から石英反応管５までの間に赤外線吸光セル
１２が置かれ、その検知信号で原料容器に入るＨｅ ガ
スの流量を制御するように構成されたことを除けば基本
的に第１図と同様である。赤外 ５− 繊成光セル１２は赤外線分光光度計１４に収納されてお
り、その両端にはＫＢｒなどの赤外線に対して透明な材
料でできた窓１３が設けられている。
１２が置かれ、その検知信号で原料容器に入るＨｅ ガ
スの流量を制御するように構成されたことを除けば基本
的に第１図と同様である。赤外 ５− 繊成光セル１２は赤外線分光光度計１４に収納されてお
り、その両端にはＫＢｒなどの赤外線に対して透明な材
料でできた窓１３が設けられている。
一方の窓１３から赤外線吸光セル１２内に赤外線を照射
１−て、もう一方の窓から出ろ赤外線スペクトルのうち
ＭｏＣ６５の吸収波長における赤外線の強度と吸収波長
からはずれた領域での強度とを比較すれば、赤外線吸光
セル１２中を流れるガスのＭｏ Ｏ１５濃度を測定でき
る。このＭｏＯ／−５濃度を示す赤外線分光光度計１４
の出力信号を制御回路１５を介して制御用流量コントロ
ーラ４ｂにフィードバックすることによって原料容器１
に入ろＨｅ ガスの流量を制御すれば、赤外線吸光セル
１２を流れるＭＯＯｌ ５の濃度を一定に保つことがで
きる。
１−て、もう一方の窓から出ろ赤外線スペクトルのうち
ＭｏＣ６５の吸収波長における赤外線の強度と吸収波長
からはずれた領域での強度とを比較すれば、赤外線吸光
セル１２中を流れるガスのＭｏ Ｏ１５濃度を測定でき
る。このＭｏＯ／−５濃度を示す赤外線分光光度計１４
の出力信号を制御回路１５を介して制御用流量コントロ
ーラ４ｂにフィードバックすることによって原料容器１
に入ろＨｅ ガスの流量を制御すれば、赤外線吸光セル
１２を流れるＭＯＯｌ ５の濃度を一定に保つことがで
きる。
しかしながら、このままの装置では原料容器１中のＭｏ
ＣＡ３の量が減少するにつれて制御用流量コントローラ
４ｂを流れるＨｅ ガスの流量は増加する。したがって
、希釈用マスクローコントローラ４ａを流れるＨｅ ガ
スの流量を一定とすれ（ゲ、赤外線吸光セル１２に流れ
るＨｅ ガスの流量が増加 ６− することになる。すなわち、反応室に送り込まれるＭＯ
Ｏ４５の濃度を一定に保つことができたとしても、Ｈｅ
ガスの流量が変化するので、ＭＯ膜の生成条件が変化
してしまうという欠点があった。また、長時間使用する
うちには窓１３の内面にＭ ＯＯｔ ５が析出して、そ
れによる吸収のためにＭｏＯ２５濃度測定の誤差が生じ
やすいという欠点があった。
ＣＡ３の量が減少するにつれて制御用流量コントローラ
４ｂを流れるＨｅ ガスの流量は増加する。したがって
、希釈用マスクローコントローラ４ａを流れるＨｅ ガ
スの流量を一定とすれ（ゲ、赤外線吸光セル１２に流れ
るＨｅ ガスの流量が増加 ６− することになる。すなわち、反応室に送り込まれるＭＯ
Ｏ４５の濃度を一定に保つことができたとしても、Ｈｅ
ガスの流量が変化するので、ＭＯ膜の生成条件が変化
してしまうという欠点があった。また、長時間使用する
うちには窓１３の内面にＭ ＯＯｔ ５が析出して、そ
れによる吸収のためにＭｏＯ２５濃度測定の誤差が生じ
やすいという欠点があった。
本発明ではＭＯ等の高融点金属膜を固体を原料としてＣ
ＶＤ法などによって生成するに当って赤外線吸収法によ
って原料濃度を制御して供給する装置において、固体原
料の量のいかんにかかわらず反応室に送り込む原料濃度
及び生成条件を一定に維持するとともに、赤外線吸光セ
ルの窓に固体原料が付着することなく長時間の使用に耐
える装置を提供することを目的としている。
ＶＤ法などによって生成するに当って赤外線吸収法によ
って原料濃度を制御して供給する装置において、固体原
料の量のいかんにかかわらず反応室に送り込む原料濃度
及び生成条件を一定に維持するとともに、赤外線吸光セ
ルの窓に固体原料が付着することなく長時間の使用に耐
える装置を提供することを目的としている。
第６図は本発明の一実施例の構成図である。
第６図において原料容器１、ヒータ２、並びに原料容器
１から反応室に至るガス配管及び赤外線吸光セル１２が
恒温槽６の中に収納されていること、赤外線分光光度計
１４の出力信号を制御回路１５を介して制御用流量コン
トローラにフィー°バック、へ していることなどは第２図と同様である。赤外線吸光セ
ル１２の窓１３はＫＢｒＯような赤外線に対してほとん
ど透明な材料で作られており、２つの窓１６の内側に絞
り１６が設けられている。
１から反応室に至るガス配管及び赤外線吸光セル１２が
恒温槽６の中に収納されていること、赤外線分光光度計
１４の出力信号を制御回路１５を介して制御用流量コン
トローラにフィー°バック、へ していることなどは第２図と同様である。赤外線吸光セ
ル１２の窓１３はＫＢｒＯような赤外線に対してほとん
ど透明な材料で作られており、２つの窓１６の内側に絞
り１６が設けられている。
この実施例においてはＨｅ ガスボンベ６かう供給され
たＨｅ ガスは固定設定されたマスフローコントローラ
４Ｃを通った後、６つに分けられろ。
たＨｅ ガスは固定設定されたマスフローコントローラ
４Ｃを通った後、６つに分けられろ。
第１の配管には制御用流量コントローラ４ｂが設けられ
ており、これを通ったＨｅ ガスは原料容器１に入り、
昇華したＭＯＯＬ５とともに第２の配管のＨｅ ガスと
、合流して赤外線吸光セル１２に入る。
ており、これを通ったＨｅ ガスは原料容器１に入り、
昇華したＭＯＯＬ５とともに第２の配管のＨｅ ガスと
、合流して赤外線吸光セル１２に入る。
第２の配管は希釈用Ｈｅ ガスの配管であってマスフロ
ーコントローラは含まれない。第５の配管には窓パージ
用マスフローコントローラ４ｄが設けられており、これ
を通ったＨｅ ガスは赤外線吸光セル１２の２つの窓１
３と絞り１６の間の隙間に導入されろ。原料容器１の中
のＭｏｃｚ５が消費されて減少したり、温度の変動など
によつ°Ｃ赤外線吸光セルを通るＭｏＣ４５の濃度が変
動すると赤外線の吸収率が変動する。赤外線分光光度計
７４はこれを検知し、その出力信号は制御回路１５を介
して制御用流量コントローラ４ｂにフィードバンクされ
るから、制御用流量コントローラ４ｂは原料容器１を通
過するＨｅ ガスの量を制御する。６つの配管を流れる
Ｈｅ ガスの流量の和は、マスフローコントローラ４Ｃ
の設定値に応じた一定値をとるから、制御用流量コント
ローラ４ｂを流れるＨｅガスの流量の変動につれて希釈
用配管を流れるＨｅガスの流量も変動することになる。
ーコントローラは含まれない。第５の配管には窓パージ
用マスフローコントローラ４ｄが設けられており、これ
を通ったＨｅ ガスは赤外線吸光セル１２の２つの窓１
３と絞り１６の間の隙間に導入されろ。原料容器１の中
のＭｏｃｚ５が消費されて減少したり、温度の変動など
によつ°Ｃ赤外線吸光セルを通るＭｏＣ４５の濃度が変
動すると赤外線の吸収率が変動する。赤外線分光光度計
７４はこれを検知し、その出力信号は制御回路１５を介
して制御用流量コントローラ４ｂにフィードバンクされ
るから、制御用流量コントローラ４ｂは原料容器１を通
過するＨｅ ガスの量を制御する。６つの配管を流れる
Ｈｅ ガスの流量の和は、マスフローコントローラ４Ｃ
の設定値に応じた一定値をとるから、制御用流量コント
ローラ４ｂを流れるＨｅガスの流量の変動につれて希釈
用配管を流れるＨｅガスの流量も変動することになる。
このようにすることによって赤外線吸光セル１２を通過
するＭｏＣ６５の濃度を一定に保ちつつ同時に赤外線吸
光セル１２を流れるＨｅ ガスの総流量を一定に保ち、
常に同一条件で反応室におけるＭｏ膜の生成を行うこと
ができる。また、マスフローコントローラ４ｄを通った
窓パージ用Ｈｅ ガスは窓１６の内面に吹き付けられる
ので、窓１３の内面近傍にはＭｏＣｌ５濃度の極めて小
さい層を形成するのみである。これは窓１３の内面にＭ
ＯＯｔ５が付着することを妨げるのに極めて有効であっ
て、前述の従来の ９− 装置の欠陥であった窓１３の内面へのＭｏＣ４５の付着
によるＭｏＯ４５濃度の検知誤差を極めて小さくでき、
長時間にわたって安定した膜の生成が可能となる。
するＭｏＣ６５の濃度を一定に保ちつつ同時に赤外線吸
光セル１２を流れるＨｅ ガスの総流量を一定に保ち、
常に同一条件で反応室におけるＭｏ膜の生成を行うこと
ができる。また、マスフローコントローラ４ｄを通った
窓パージ用Ｈｅ ガスは窓１６の内面に吹き付けられる
ので、窓１３の内面近傍にはＭｏＣｌ５濃度の極めて小
さい層を形成するのみである。これは窓１３の内面にＭ
ＯＯｔ５が付着することを妨げるのに極めて有効であっ
て、前述の従来の ９− 装置の欠陥であった窓１３の内面へのＭｏＣ４５の付着
によるＭｏＯ４５濃度の検知誤差を極めて小さくでき、
長時間にわたって安定した膜の生成が可能となる。
なお、前記制御用流量コントローラとしては、前述のマ
スフローコントローラの設定値に対して赤外線分光光度
計１４の出力信号をフィードバンクして使用すればよい
が、これに限定されるものではなく、弁の開度などガス
の流量を制御するアクチュエータに直接フィードバック
して流量を制御する装置を採用することもできる。
スフローコントローラの設定値に対して赤外線分光光度
計１４の出力信号をフィードバンクして使用すればよい
が、これに限定されるものではなく、弁の開度などガス
の流量を制御するアクチュエータに直接フィードバック
して流量を制御する装置を採用することもできる。
また、本発明の詳細な説明に用いた減圧ＯＶＤ装置など
ＯＶＤ装置だけでなく、拡散炉、気相エピタキシャル装
置などにおいて固体原料を昇華して使用する場合に対し
ても適用できる。
ＯＶＤ装置だけでなく、拡散炉、気相エピタキシャル装
置などにおいて固体原料を昇華して使用する場合に対し
ても適用できる。
以上の説明から明らかなように、本発明を実施すること
によって、Ｍｏｃｔ５のように常温で固体である物質を
原料としてＣＶＤ法などによってＭ。
によって、Ｍｏｃｔ５のように常温で固体である物質を
原料としてＣＶＤ法などによってＭ。
のような高融点金属の膜を生成する場合に、固体原料を
長時間にわたって生成条件に悪影響を与え−１０− ることなく一定の濃度で反応室に供給することができ、
したがって均一な高融点金属膜を再現性良く得ることが
できる。また、キャリアガスを用いて固体原料を昇華し
て使用するその他の反応炉に対しても、安定な固体原料
の昇華供給装置を提供することができるので本発明の効
果は太きい。
長時間にわたって生成条件に悪影響を与え−１０− ることなく一定の濃度で反応室に供給することができ、
したがって均一な高融点金属膜を再現性良く得ることが
できる。また、キャリアガスを用いて固体原料を昇華し
て使用するその他の反応炉に対しても、安定な固体原料
の昇華供給装置を提供することができるので本発明の効
果は太きい。
第１図は従来の減圧ＯＶＤ法によるＭＯ膜生成装置の構
成例図、第２図は従来の赤外線吸収法によって固体原料
の濃度を制御する固体原料の昇華供給装置の構成例図、
第６図は本発明による赤外線吸収法によって固体原料の
濃度を制御する固体原料の昇華供給装置の構成例図であ
る。 １・・・原料容器、２・・・ヒータ、６・・・キャリア
ガス供給源（ＨＳカスボンベ）、 ４・・・マスフロー
コントローラ、４α・・・希釈用マスフローコントロー
ラ、４ｂ・・・制御用流量コントローラ、４Ｃ・・・固
定設定マスフローコントローラ、４ｄ・・・窓バージ用
マスフローコントローラ、５・・・反応室、６・・・恒
温槽、７・・・テープヒータ、１２・・・赤外線吸光セ
ル、１３・・・窓、１４・・・赤外線分光光度計、 １
５・・・制御回路、１６・・・絞り０ 出 願 人 国際電気株式会社 代理人 弁理士 犬 塚 学 外１名
成例図、第２図は従来の赤外線吸収法によって固体原料
の濃度を制御する固体原料の昇華供給装置の構成例図、
第６図は本発明による赤外線吸収法によって固体原料の
濃度を制御する固体原料の昇華供給装置の構成例図であ
る。 １・・・原料容器、２・・・ヒータ、６・・・キャリア
ガス供給源（ＨＳカスボンベ）、 ４・・・マスフロー
コントローラ、４α・・・希釈用マスフローコントロー
ラ、４ｂ・・・制御用流量コントローラ、４Ｃ・・・固
定設定マスフローコントローラ、４ｄ・・・窓バージ用
マスフローコントローラ、５・・・反応室、６・・・恒
温槽、７・・・テープヒータ、１２・・・赤外線吸光セ
ル、１３・・・窓、１４・・・赤外線分光光度計、 １
５・・・制御回路、１６・・・絞り０ 出 願 人 国際電気株式会社 代理人 弁理士 犬 塚 学 外１名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）昇華装置によって昇華した固体原料の濃度を計測
して得られる信号をフィードバックし前記昇華装置に供
給されるキャリアガスの流量を制御することによって反
応室に供給する固体原料の濃度を制御するように構成さ
れた固体原料の昇華供給装置において、前記固体原料の
昇華装置に供給されろキャリアガス用の配管と前記固体
原料の昇華装置を通過しないキャリアガスの他の配管と
に共通ナマスフローコントローラをキャリアガス供給源
側に設け、該マスフローコントローラによって昇華した
固体原料とともに反応室に供給するキャリアガスの総流
量を制御することを特徴とする固体原料の昇華供給装置
。 （２） キャリアガスとともに反応室に供給される昇華
した固体原料の濃度を赤外線吸収法によって検知１−て
フィードバックし前記固体原料の昇華装置に供給される
キャリアガスの流量を制御することによって前記反応室
に供給される昇華した固体原料の濃度を前記昇華装置内
の固体原料の量や温度の変化にかかわらず一定に保つこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体原料の
昇華供給装置。 （６）昇華した固体原料の濃度を赤外線吸収法によって
検知するための赤外線吸光セルの窓の内側に窓の裏面か
られずかに離して絞りを設け、窓と絞りの隙間に前記固
体原料の昇華装置を通過しないキャリアガスの一部を導
入することによって前記赤外線吸光セルの窓に固体原料
が付着することを防止したことを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載の固体原料の昇華供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10792283A JPS602667A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 固体原料の昇華供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10792283A JPS602667A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 固体原料の昇華供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602667A true JPS602667A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14471446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10792283A Pending JPS602667A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 固体原料の昇華供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602667A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0651245A1 (en) * | 1993-10-29 | 1995-05-03 | International Business Machines Corporation | Fluid delivery apparatus and method having an infrared feedline sensor |
| JP2016172902A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給装置及び成膜装置 |
| WO2019146636A1 (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | 日本板硝子株式会社 | 被膜付き基板及び被膜付き基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4710730U (ja) * | 1971-03-03 | 1972-10-07 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10792283A patent/JPS602667A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4710730U (ja) * | 1971-03-03 | 1972-10-07 |
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| US5534066A (en) * | 1993-10-29 | 1996-07-09 | International Business Machines Corporation | Fluid delivery apparatus having an infrared feedline sensor |
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