JPS6027180A - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
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- JPS6027180A JPS6027180A JP58134632A JP13463283A JPS6027180A JP S6027180 A JPS6027180 A JP S6027180A JP 58134632 A JP58134632 A JP 58134632A JP 13463283 A JP13463283 A JP 13463283A JP S6027180 A JPS6027180 A JP S6027180A
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- Japan
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- ferromagnetic thin
- thin film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁電変換素子に係り、特に、その電極構造に
関する。
関する。
第１図は磁気センサとして用いられる従来の磁電変換素
子を示している。シリコン等の半導体で形成された基板
２の表面には絶縁層４が形成されている。基板２がシリ
コンである場合ルこは、この絶縁層４は酸化シリコン（
ＳｉＯｚ）で形成される。
子を示している。シリコン等の半導体で形成された基板
２の表面には絶縁層４が形成されている。基板２がシリ
コンである場合ルこは、この絶縁層４は酸化シリコン（
ＳｉＯｚ）で形成される。
この絶縁層４の表面にはニッケルコバルト等の強磁イタ
。薄膜６．８が形成されている。各強磁性薄膜６．８は
作用する磁気の方向に対応して構成され、両者は互いに
直角方向の磁気を検知するように設置されるとともに、
磁気感度を向上させるために細い帯状を成し、しかもジ
グザグ状に形成されている。各強磁性薄膜６．８の端部
にはアルミニウム等からなる電極１Ｏ１１２，１４が形
成され、電極１０は各強磁性薄膜６．８の接続手段を兼
用している。
。薄膜６．８が形成されている。各強磁性薄膜６．８は
作用する磁気の方向に対応して構成され、両者は互いに
直角方向の磁気を検知するように設置されるとともに、
磁気感度を向上させるために細い帯状を成し、しかもジ
グザグ状に形成されている。各強磁性薄膜６．８の端部
にはアルミニウム等からなる電極１Ｏ１１２，１４が形
成され、電極１０は各強磁性薄膜６．８の接続手段を兼
用している。
そして、基板２は金−シリコンペースト等の固着剤１６
でリードフレーム１８のマウント部２０に固定されてい
る。マウント部２０のリード部２２と電極ｌＯとの間に
はリードワイヤ２４が接続され、マウント部２０の両側
部に所定の絶縁間隔を置いて設置されたリード部２６．
２８と電極１２．１４との間にもリードワイヤ３０．３
２が溶接等の手段で接続されている。
でリードフレーム１８のマウント部２０に固定されてい
る。マウント部２０のリード部２２と電極ｌＯとの間に
はリードワイヤ２４が接続され、マウント部２０の両側
部に所定の絶縁間隔を置いて設置されたリード部２６．
２８と電極１２．１４との間にもリードワイヤ３０．３
２が溶接等の手段で接続されている。
第２図はこの磁電変換素子の等価回路を示し、この磁電
変換素子は２組の強磁性薄膜６．８を用いて差動回路を
構成させるように成っている。
変換素子は２組の強磁性薄膜６．８を用いて差動回路を
構成させるように成っている。
磁気センサに用いる磁電変換素子は、２素子３端子型で
あり、第１図に示すように、３箇所でワイヤポンディン
グを施している。このような構造では、樹脂モールド又
は塗装で外装被覆を施す場合、中央の電極１０ （バッ
ト）からのリードワイヤ２４の溶接部が存在しているた
め、その溶接部分を被覆しようとすると、外装被覆が大
きくなり、大型化する欠点がある。
あり、第１図に示すように、３箇所でワイヤポンディン
グを施している。このような構造では、樹脂モールド又
は塗装で外装被覆を施す場合、中央の電極１０ （バッ
ト）からのリードワイヤ２４の溶接部が存在しているた
め、その溶接部分を被覆しようとすると、外装被覆が大
きくなり、大型化する欠点がある。
また、この磁電変換素子の製造にトランジスタの製造工
程を利用する場合、そのワイヤボンディングは極力削減
することが経済的である。
程を利用する場合、そのワイヤボンディングは極力削減
することが経済的である。
ごの発明は、ワイヤボンディング箇所を削減し、小型化
した磁電変換素子の提供を目的とする。
した磁電変換素子の提供を目的とする。
この発明は、基板の絶縁層上に形成された強磁性薄膜の
少なくとも１つの電極を前記基板に設定したことを特徴
とする。
少なくとも１つの電極を前記基板に設定したことを特徴
とする。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第３図及び第４図はこの発明の磁電変換素子の実施例を
示し、第１図に示ず磁電変換素子と同一部分には同一符
号を付しである。図において、強磁性薄膜６．８の共通
端子部には電極３４が形成されている。第４図は第３図
の１ｖ−ＩＶ線に沿う断面を示し、この電極３４は絶縁
層４の開口３６から基板２の表面に到達しており、各強
磁性＊１Ｉｔｉ６．８の共通端子部は基板２を介してリ
ードフレーム１８のマウント部２０に電気的に接続され
ている。
示し、第１図に示ず磁電変換素子と同一部分には同一符
号を付しである。図において、強磁性薄膜６．８の共通
端子部には電極３４が形成されている。第４図は第３図
の１ｖ−ＩＶ線に沿う断面を示し、この電極３４は絶縁
層４の開口３６から基板２の表面に到達しており、各強
磁性＊１Ｉｔｉ６．８の共通端子部は基板２を介してリ
ードフレーム１８のマウント部２０に電気的に接続され
ている。
即ち、マウント部２０ばワイヤボンディングを経ること
なく、電極３４の形成のみで強磁性薄膜６．８の共通電
極に設定されている。
なく、電極３４の形成のみで強磁性薄膜６．８の共通電
極に設定されている。
このように構成すれば、ワイヤボンディング箇所を削減
することができ、その製造価格を低減できるとともに、
その分だけ外装被覆を小さくすることができ、小型化を
図ることができる。
することができ、その製造価格を低減できるとともに、
その分だけ外装被覆を小さくすることができ、小型化を
図ることができる。
また、絶縁Ｎ４の開口３６ば、従来のスクライブライン
の形成と同時に行うことができるので、工程数の増加を
伴うことなく、容易に強磁性薄膜６．８の共通端子をリ
ードフレーム１８のリード部２２に接続することができ
る。
の形成と同時に行うことができるので、工程数の増加を
伴うことなく、容易に強磁性薄膜６．８の共通端子をリ
ードフレーム１８のリード部２２に接続することができ
る。
第５図はその製造方法を示している。即ち、Ａに示すよ
うに、基板２の表面に絶縁層４を形成した後、Ｂに示す
ように、強磁性薄膜６．８を形成する。
うに、基板２の表面に絶縁層４を形成した後、Ｂに示す
ように、強磁性薄膜６．８を形成する。
次に、Ｃに示すように、基板２に形成するスクライブラ
インと同様に開口３６を形成し、Ｄに示すよう謡、この
開口３６の部分に開口３６を全面的に且つ強磁性薄膜６
．８の一部を被うようにし°ζ電極３４を形成すれば、
強磁性薄膜６．８と基板２とを電極３４を介して電気的
に接続することができる。そして、基板２は導電性接着
剤を介してソー１ζフレーム１８のマウント部２０に固
着され、同時に電気的に接続されることになる。
インと同様に開口３６を形成し、Ｄに示すよう謡、この
開口３６の部分に開口３６を全面的に且つ強磁性薄膜６
．８の一部を被うようにし°ζ電極３４を形成すれば、
強磁性薄膜６．８と基板２とを電極３４を介して電気的
に接続することができる。そして、基板２は導電性接着
剤を介してソー１ζフレーム１８のマウント部２０に固
着され、同時に電気的に接続されることになる。
このような方法によれば、極めて容易に強磁性薄膜６．
８と基板２とをワ−（−１−ボンディングを経ることな
く電気的に接続することができる。
８と基板２とをワ−（−１−ボンディングを経ることな
く電気的に接続することができる。
なお、各実施例では２絹の強磁性薄膜の共通電極を基板
に設定したが、■又は２以上の強磁性薄膜の少なくとも
１つの端子を基板に設定することができ、この発明は実
施例の磁電変換素子に限定されるものではない。
に設定したが、■又は２以上の強磁性薄膜の少なくとも
１つの端子を基板に設定することができ、この発明は実
施例の磁電変換素子に限定されるものではない。
以上説明したようにこの発明によれば、強磁性薄膜の１
つの端子をリードフレームの基板に設定したので、ワイ
ヤボンディング数を削減でき、製造価格の低減とともに
、外装被覆を小さくできるため、素子の小型化を図るこ
とができる。
つの端子をリードフレームの基板に設定したので、ワイ
ヤボンディング数を削減でき、製造価格の低減とともに
、外装被覆を小さくできるため、素子の小型化を図るこ
とができる。
第１図は従来の磁電変換素子を示す斜視図、第２図はそ
の等価回路を示す回路図、第３図はこの発明の磁電変換
素子の実施例を示す斜視図、第４図は第３図のＩＶ−Ｉ
Ｖ線に沿う断面図、第５図は製造方法を示す説明図であ
る。 ２・・・基板、４・・・絶縁層、６．８・・・強磁性薄
膜、３４・・・電極。 第３図 第５図 ５ｔ） ′ｔ
の等価回路を示す回路図、第３図はこの発明の磁電変換
素子の実施例を示す斜視図、第４図は第３図のＩＶ−Ｉ
Ｖ線に沿う断面図、第５図は製造方法を示す説明図であ
る。 ２・・・基板、４・・・絶縁層、６．８・・・強磁性薄
膜、３４・・・電極。 第３図 第５図 ５ｔ） ′ｔ
Claims (1)
- 基板の絶縁層上に形成された強磁性薄膜の少なくとも１
つの電極を前記基板に設定したことを特徴とする磁電変
換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134632A JPS6027180A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58134632A JPS6027180A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 磁電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027180A true JPS6027180A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15132907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58134632A Pending JPS6027180A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348170U (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 |
-
1983
- 1983-07-22 JP JP58134632A patent/JPS6027180A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348170U (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 |
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