JPS59155151A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents

樹脂封止半導体装置

Info

Publication number
JPS59155151A
JPS59155151A JP58029814A JP2981483A JPS59155151A JP S59155151 A JPS59155151 A JP S59155151A JP 58029814 A JP58029814 A JP 58029814A JP 2981483 A JP2981483 A JP 2981483A JP S59155151 A JPS59155151 A JP S59155151A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
sealed semiconductor
glass layer
sealed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58029814A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58029814A priority Critical patent/JPS59155151A/ja
Publication of JPS59155151A publication Critical patent/JPS59155151A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H10W74/121—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by multiple encapsulations, e.g. by a thin protective coating and a thick encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止半導体装置の構造に関する。
従来、樹脂封止半導体装置は、８１図に示すごとき断面
構造を有していた。すなわち、リード・フレームには半
導体素子２が貼付けられると共に金線３により結線して
組立てられ、エポキシ樹脂４で封止されるのが通例であ
った。
しかし、上記従来技術では樹脂の耐湿性が悪く耐湿テス
トに於て、半導体素子の特性を劣化させるという欠点が
あ−た。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、耐湿性の優れ
た樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、樹
脂封止半導体装置に於て、樹脂封止された半導体装置の
樹脂表面と外部環り出し電極の接続部以外の一部にガラ
ス層が形成されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す樹脂封止半導体装買の
断面図である。リード・フレーム１１には半導体素子１
２が貼付けられ、金線１５によって組立てられ、エポキ
シ樹！１４によって封止された後、化学蒸着法、スパダ
タ法あるいは塗布ガラスの塗布によりガラス層１５が樹
脂表面及び。
リード・フレームの外部電葎との接続部を除く部分に被
れる。
第３図は、本発明のその他の実施例を示す断面図であ打
、セラミック基板２１の一生裏面に半導体素子２２が貼
付けられ、セラミック基板２１に印刷して形成されたリ
ード線２３と金＠２４により組立てられ、エポキシ樹＃
２５で封止された樹脂封止半導体装置の樹脂表面とリー
ド線２３の外部接続部以外の部分にガラス層２６を形成
した構造である。
尚、形成されるガラス層けＢｉ　Ｏ，−Ｂ、　Ｏ，系ガ
ラス。
８４　Ｑ、　−Ａ４０．系ガラス、あるいは七ラミック
。
Ａ４０ｓ’ｌ！及びＢｉｊｋｋ膜が可能である。
上２の如く、樹脂封止半導体装置の樹脂表面等にガラス
層を形成することによ抄、ガラス層が水分の樹脂への侵
入を防止し、耐湿性にすぐれた樹脂封止半導体装置を提
供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
ｔ４１図は従来技術による樹脂封止半導体装置の断面図
、第２図及びｆｓ３図は本発明による樹脂封止半導体装
置の断面図である、 １．１１・・・・・・リード・フレーム２．１２．２２
・・・・・・半導体素子３．１３．２４・・・・・・金
線 ４．１４．２５・・・・・・樹脂 １５．２６・・・・・・ガラス層 ２１　・・・・・・セラミック基板 ２３　・・・・・・リード線 以　　上 出願人　株式会社　諏訪精工舎

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　樹脂封止された半導体装置の樹脂表面と、外
    部環ね出し電極の接続部以外の一部分にガラス層が形成
    されて成ることを特徴とする樹脂封止半導体装置。
  2. （２）　　ガラス層を１Ｍ０２層となすことを特徴とす
    る特許請求範囲第１項記載の樹脂封止半導体装置。
  3. （３）　　ガラス層をＳｉＮ４層となすことを特徴とす
    る特許請求範囲第１項記載の樹脂封止半導体装ｔ（４）
    　　ガラス層をＡｔ２ａｓ層となすことを特徴とする特
    許請求範囲第１項記載の樹脂封止半導体装ｔ（５）　　
    ガラス層を多層となすことを特徴とする樹脂封止半導体
    装置。
JP58029814A 1983-02-24 1983-02-24 樹脂封止半導体装置 Pending JPS59155151A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58029814A JPS59155151A (ja) 1983-02-24 1983-02-24 樹脂封止半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58029814A JPS59155151A (ja) 1983-02-24 1983-02-24 樹脂封止半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59155151A true JPS59155151A (ja) 1984-09-04

Family

ID=12286483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58029814A Pending JPS59155151A (ja) 1983-02-24 1983-02-24 樹脂封止半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59155151A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9373558B2 (en) 2013-02-22 2016-06-21 Hitachi, Ltd. Resin-sealed electronic control device
JP2016527701A (ja) * 2013-04-12 2016-09-08 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 無機及び有機の過渡電子デバイス
CN110739277A (zh) * 2019-09-11 2020-01-31 珠海格力电器股份有限公司 一种封装结构及其制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9373558B2 (en) 2013-02-22 2016-06-21 Hitachi, Ltd. Resin-sealed electronic control device
JPWO2014128899A1 (ja) * 2013-02-22 2017-02-02 株式会社日立製作所 樹脂封止型電子制御装置
JP2016527701A (ja) * 2013-04-12 2016-09-08 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 無機及び有機の過渡電子デバイス
US10143086B2 (en) 2013-04-12 2018-11-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Transient electronic devices comprising inorganic or hybrid inorganic and organic substrates and encapsulates
CN110739277A (zh) * 2019-09-11 2020-01-31 珠海格力电器股份有限公司 一种封装结构及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6132535A (ja) センサの製造方法
JPS59155151A (ja) 樹脂封止半導体装置
JP2822670B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JPS61102758A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6329973A (ja) 電子写真複写装置
JPS63147339A (ja) 半導体装置
JPH02154482A (ja) 樹脂封止型半導体発光装置
JPS6027180A (ja) 磁電変換素子
JPS63114242A (ja) 半導体装置
JPH01257361A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6069524A (ja) 赤外線検出素子
JPH01255235A (ja) 半導体装置
JPH0536893A (ja) 混成集積回路
JPH03209823A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS5972184A (ja) 光電変換装置
JPS61207037A (ja) Ｉｃパツケ−ジ
JPS63288029A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS5937576B2 (ja) 半導体装置
JPS58186958A (ja) 半導体装置
JPH01286345A (ja) 樹脂封止半導体装置
JPH0648884Y2 (ja) 半導体装置の封止構造
JPH041737Y2 (ja)
JPS5810868B2 (ja) 半導体歪変換器
JPS58180075A (ja) 光電変換装置
JPS62180738U (ja)