JPS6060742A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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JPS6060742A
JPS6060742A JP58169652A JP16965283A JPS6060742A JP S6060742 A JPS6060742 A JP S6060742A JP 58169652 A JP58169652 A JP 58169652A JP 16965283 A JP16965283 A JP 16965283A JP S6060742 A JPS6060742 A JP S6060742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
resin
lead
nickel
present
Prior art date
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Pending
Application number
JP58169652A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomio Okamoto
岡本 富美夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPS6060742A publication Critical patent/JPS6060742A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/456Materials
    • H10W70/458Materials of insulating layers on leadframes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/071Connecting or disconnecting
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    • H10W72/07551Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • HELECTRICITY
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    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
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    • HELECTRICITY
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    • HELECTRICITY
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    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレ
ームの改良に関する。
従来例の構成とその問題点 樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームは一
般に、42アロイ(鉄・ニッケル合金)コバール(鉄・
ニッケル・コバ及l−合金)、Mあるいは銅を主体とす
る合金からなるフレームに、必要に応じて、素子載置部
やワイヤーポンディング部に金、銀等のメッキを選択的
に施したものが広く用いられて1いる。かかるリードフ
レームを用いた従来の半導体装置は完成後、第1図の断
面図のようになるが、リード1のインナーリード部と封
止樹脂2との界面を通して水分や不純物が侵入し、半導
体素子3の表面の配線金属が腐食したp、同素子3の特
性が変化するなどの問題があった。
また、リード1が外力を受けたり、装置がはんだ処理等
で熱衝撃をうけた後では、リード1と封止樹脂2との接
着がルーズとなるため、この問題は一層おこりやすかっ
た。なお、第1図中、4はワイヤー、6は素子載置部で
ある。
発、明の目的 本発明は以上述べたような問題点を解消するもので、樹
脂接着性ならびに耐水性のよいリードフレームを提供す
るものである。
発明の構成 本発明のリードフレームは、インナーリート部の封止樹
脂に接触する部分の表面に、金属酸化物の被膜を選択的
に設けたリードフレームで、これ((よれば、リードと
封止樹脂との密着がより良好となり、水分や不純物の侵
入が発生し難い樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。
実施例の説明 第2図に本発明によるリードフレームの一例を示すリー
ド部1を含むリードフレーム構体部6は従来のように、
4270イ、コバール、銅あるいは銅合金などの材料で
つくり必要に応じて金、銀などのメッキを選択的に施す
。つぎにリード部1の封止後樹脂と接する面のボンディ
ング部を除く部分に、リードフレーム構体材料よシ酸化
されやすい金属、たとえばニッケルをめっき形成してお
き、次にこのリードフレームを高温の酸化雰囲気中にさ
らしてニッケル層表面を酸化し、酸化二ソケル破膜7を
形成する。この際ニッケルめっきされた部分以外の表面
はほとんど酸化されない。このリードフレームを用いて
、従来同様半導体素子3を載置部ら上に固定しワイヤー
ボンディングを行ない、樹脂で封止すれば半導体装置が
完成する。
その断面図を第3図に示す。同装置において水分や不純
物の侵入経路はニッケルの酸化膜7と封止樹脂2との界
面を含む。ところが、ニッケルの酸化膜7と封止樹脂2
との密着性は、従来の4270イ、コバール、銅、ある
いは銅合金と封止間服の密着性に比べて、すぐれている
ため水分や不純物の侵入が発生し難い。なお、ニッケル
などのメッキおよび酸化膜の範囲が樹脂から突出したI
J−ド表面の一部にまで及んでも、本発明の効果をさ捷
たげるものではなく、本発明の範囲に含まれる。
また、本実施例では、装置内に中空を有しない、いわゆ
るポストモールド型の半導体装置に用いるリードフレー
ムの例を示したが、本発明はこれに限られず、外囲構体
にリードと樹脂の界面を有するような半導体装置に用い
るリードフレームすべてに応用でき、たとえばリードフ
レームと樹脂から、あらかじめ外囲器基台を構成し、素
子載置、ワイヤーボンディングの後、上面を別の蓋部材
で封じてなる、いわゆるプリモールド型の装置に用いる
リードフレームに適用しても有効である。
発明の効果 本発明によるリードフレームを用いることによって、封
止樹脂とリード部との接着性かよく、また、水分や不純
物の侵入の発生し難い、したがつて高信頼度の樹脂封止
型半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導
体装置の断面図、I第2図は本発明リードフレームの部
分斜視図、第3図は本発明リードフレームを用いた半導
体装置の断面図である。 1・・・・リード部、2・・・・・封止樹脂、3・・・
・半導体素子、4・・・ワイヤー、5・・・・・素子載
置部、6・・ ・リードフレーム構体L 7・・・ ・
ニッケルメッキの表面酸化被膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. インナーソード部の封止用樹脂と接する部分の表面に、
    金属酸化物の被膜を選択的に設けたリードフレーム。
JP58169652A 1983-09-14 1983-09-14 リ−ドフレ−ム Pending JPS6060742A (ja)

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