JPS6028148B2 - フオトダイオ−ド - Google Patents
フオトダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6028148B2 JPS6028148B2 JP51007976A JP797676A JPS6028148B2 JP S6028148 B2 JPS6028148 B2 JP S6028148B2 JP 51007976 A JP51007976 A JP 51007976A JP 797676 A JP797676 A JP 797676A JP S6028148 B2 JPS6028148 B2 JP S6028148B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- filter
- coating layer
- layer
- phosphorus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトダィオード‘こ関し、フオトダィオード
‘こおけるフィル夕の改良された構造を提供することを
目的とする。
‘こおけるフィル夕の改良された構造を提供することを
目的とする。
フオトダイオードの一例のカメラ用フオトダイオ−ド‘
こシリコンのものが多く用いられている。
こシリコンのものが多く用いられている。
第1図aに示すシリコンフオトダィオードは、外囲器1
の本体laの受光面にガラスフィルタlbを備え、フオ
トダィオードベレツト2を外囲器内に配設する。そして
べレットの電極端子を外囲器の電極導出1」−ドlc,
lc′に夫々接続してなる。上記ガラスフィル夕はフオ
トダィオードベレットの分光感度特性9000Aにピー
クをもつなだらかな曲線であるところから、これを人間
の視感度(5600Aにピークをもつ)に合わせるため
7000A以上の長波長分をカットするものを適用する
。かかるガラスフィル夕には干渉型と吸収型とがある。
前者はガラスの片面に誘電体を通常13層程度蒸着する
必要があり、かっこの膜厚の制御が非常に繁雑で、製造
も難しく高価である。後者はガラスにリン系物質を添加
してなるが、この添加物のために吸湿しやすくガラスフ
ィル夕に白濁を生じ、光の透過率が低下する。これによ
りカメラにおける露出の過多、過少がおきる。さらに分
光感度が変化し、人間の視感度と少しずれる事によって
写真が赤味を帯びたり、青味を帯びたりする場合もある
。上記に対し、通常ガラスフィルタlbの両面に、第1
図bに示す如くフツ化マグネシウム3(MgF2)等を
被着することによって吸湿を防止してたいるが充分でな
く、白濁を生じ支障を来たすことが多い。
の本体laの受光面にガラスフィルタlbを備え、フオ
トダィオードベレツト2を外囲器内に配設する。そして
べレットの電極端子を外囲器の電極導出1」−ドlc,
lc′に夫々接続してなる。上記ガラスフィル夕はフオ
トダィオードベレットの分光感度特性9000Aにピー
クをもつなだらかな曲線であるところから、これを人間
の視感度(5600Aにピークをもつ)に合わせるため
7000A以上の長波長分をカットするものを適用する
。かかるガラスフィル夕には干渉型と吸収型とがある。
前者はガラスの片面に誘電体を通常13層程度蒸着する
必要があり、かっこの膜厚の制御が非常に繁雑で、製造
も難しく高価である。後者はガラスにリン系物質を添加
してなるが、この添加物のために吸湿しやすくガラスフ
ィル夕に白濁を生じ、光の透過率が低下する。これによ
りカメラにおける露出の過多、過少がおきる。さらに分
光感度が変化し、人間の視感度と少しずれる事によって
写真が赤味を帯びたり、青味を帯びたりする場合もある
。上記に対し、通常ガラスフィルタlbの両面に、第1
図bに示す如くフツ化マグネシウム3(MgF2)等を
被着することによって吸湿を防止してたいるが充分でな
く、白濁を生じ支障を来たすことが多い。
本発明は上記従来のフオトダィオ−ド‘こおける欠点を
除去するためになされたもので、改良された構造のフィ
ル夕を備えたフオトダィオードを提供する。
除去するためになされたもので、改良された構造のフィ
ル夕を備えたフオトダィオードを提供する。
本発明のフオトダィオードは、受光部にフィル夕を有す
るフオトダィオー日こして、フィル夕の両王面に気相成
長により形成された被覆層を有し、この被覆層がSi0
2−リン添加Si02−Si02の積層構造からなるこ
とを特徴とするものである。
るフオトダィオー日こして、フィル夕の両王面に気相成
長により形成された被覆層を有し、この被覆層がSi0
2−リン添加Si02−Si02の積層構造からなるこ
とを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例のフオトダィオード‘こかかる
一例のカメラ用フオトダィオード‘こつき詳細に説明す
る。第2図に本発明のかかるフオトダィオードのフィル
夕の一部を断面図で示す。
一例のカメラ用フオトダィオード‘こつき詳細に説明す
る。第2図に本発明のかかるフオトダィオードのフィル
夕の一部を断面図で示す。
即ち平板状のガラスフイルタlbの両主面にSi02(
二酸化ケイ素)の被覆層12を設ける。上記Si02層
は一般に用いられる気相成長の手段、即ち、シラン(S
i比)を酸素雰囲気中で加熱分解することにより次の化
学式の如く形成される。Si比十2仏→Si02十2日
20 そして層厚は多くの実験に基づき0.3〜2.0〃が好
適する。
二酸化ケイ素)の被覆層12を設ける。上記Si02層
は一般に用いられる気相成長の手段、即ち、シラン(S
i比)を酸素雰囲気中で加熱分解することにより次の化
学式の如く形成される。Si比十2仏→Si02十2日
20 そして層厚は多くの実験に基づき0.3〜2.0〃が好
適する。
この限界は防湿能力の発生する下限が0.3ムであり、
光の透過性を維持できる限界が2ムであることに基づく
。次に第2図における被覆層12は、これを拡大して示
す第3図からわかるように、リンを添加したSi02層
1 2aを挟んで二つのSi02層1 2b,12b′
で形成された積層機構となっている。
光の透過性を維持できる限界が2ムであることに基づく
。次に第2図における被覆層12は、これを拡大して示
す第3図からわかるように、リンを添加したSi02層
1 2aを挟んで二つのSi02層1 2b,12b′
で形成された積層機構となっている。
このリン添力ロSi02層12aは、前述のシランの加
熱分解による気相成長工程の途中でその雰囲気中にリン
を添加するという簡単な操作で形成される。このような
被覆層12はガラスフィル夕の湿気による自濁を防止す
るとともに、それ自身熱的影響によるクラックが防止さ
れ、常時フィル夕の白濁防止効果を失うことがないなど
、種々の効果がある。
熱分解による気相成長工程の途中でその雰囲気中にリン
を添加するという簡単な操作で形成される。このような
被覆層12はガラスフィル夕の湿気による自濁を防止す
るとともに、それ自身熱的影響によるクラックが防止さ
れ、常時フィル夕の白濁防止効果を失うことがないなど
、種々の効果がある。
第1図aはフオトダィオードの断面図を示し、図bはフ
ィルタ部の一部の断面図、第2図は本発明の一実施例の
フオトダィオードのフィルタ部の一部の断面図、第3図
は第2図の被覆層部を拡大して示す断面図である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すも
のとする。1・・・・・・フィル夕、12・・・・・・
被覆層、12a・・・・・・リン添加Si02層、12
b……Si02層。 第1図第2図 第3図
ィルタ部の一部の断面図、第2図は本発明の一実施例の
フオトダィオードのフィルタ部の一部の断面図、第3図
は第2図の被覆層部を拡大して示す断面図である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すも
のとする。1・・・・・・フィル夕、12・・・・・・
被覆層、12a・・・・・・リン添加Si02層、12
b……Si02層。 第1図第2図 第3図
Claims (1)
- 1 受光部にフイルタを有するフオトダイオードにおい
て、フイルタの両主面に気相成長により形成された被覆
層を有し、この被覆層がSiO_2−リン添加SiO_
2−SiO_2の積層構造からなることを特徴とするフ
オトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51007976A JPS6028148B2 (ja) | 1976-01-29 | 1976-01-29 | フオトダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51007976A JPS6028148B2 (ja) | 1976-01-29 | 1976-01-29 | フオトダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5291665A JPS5291665A (en) | 1977-08-02 |
| JPS6028148B2 true JPS6028148B2 (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=11680475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51007976A Expired JPS6028148B2 (ja) | 1976-01-29 | 1976-01-29 | フオトダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028148B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230448U (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-27 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176502U (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | ||
| JPH0517891Y2 (ja) * | 1986-12-27 | 1993-05-13 | ||
| JP2542003Y2 (ja) * | 1988-11-21 | 1997-07-23 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子モジュール |
| JPH07297493A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光装置 |
-
1976
- 1976-01-29 JP JP51007976A patent/JPS6028148B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230448U (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5291665A (en) | 1977-08-02 |
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