JPS6028285B2 - ポリオレフィンの製造方法 - Google Patents

ポリオレフィンの製造方法

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JPS6028285B2
JPS6028285B2 JP55137547A JP13754780A JPS6028285B2 JP S6028285 B2 JPS6028285 B2 JP S6028285B2 JP 55137547 A JP55137547 A JP 55137547A JP 13754780 A JP13754780 A JP 13754780A JP S6028285 B2 JPS6028285 B2 JP S6028285B2
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olefin
polyolefin
gas
polymerization
hydrogen
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亜土 森
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Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はチーグラー触媒を用いた、所定の物性を有する
ポリオレフィンの製造方法に関し、特に、ポリオレフィ
ンの物性に関与するパラメータをガスクロマトグラフィ
によって検知し、その検知信号をコンピュータにより演
算制御して所定の物性をもつポリオレフィンを製造する
方法に係わる。
ポリオレフィンの製造において、工業的には連続法によ
り、所定温度に保たれた重合反応器内で所定の生成速度
により、所定の規格則ち所定の物性のポリオレフィンが
生成するように運転されることが一般的には望ましい。
チーグラー触媒を用いてポリオレフィンを製造する際に
、制御すべき生成ポリオレフィンの物性は種々あり、中
でもメルトィンデックスおよび密度が最も重要な因子で
ある。このメルトインデツクスおよび密度はポリオレフ
ィンの分子量の目安で、ポリオレフィンの用途によって
適宜設定化され、需要者がポリオレフィンの銘柄を選択
する上で重要なインデックスである。
そしてメルトインデツクスは、ASTM D1238に
記載される方法によって測定され、通常ポIJエチレン
の場合190oo、ポリプロピレンの場合230qCで
測定される。
ポリオレフィンの生成速度は使用する溶媒の種類、重合
温度が決まれば、触媒濃度、オレフィン濃度にそれぞれ
独立に比例する。
触媒としてチーグラ一触煤を用いた場合、ポリオレフィ
ンのメルトィンデックスは連鎖移動剤としての水素ガス
により制御される。
そして生成するポリオレフインのメルトィンデツクスは
水素ガス濃度とオレフィン濃度の比によって定まる(使
用する触媒の種類、重合温度、重合反応器の大きさ、形
状などの因子はそのメルトィンデツクスに影響を与える
)。一方、ポリオレフィンの密度はASTMD1505
−67に記載される方法で測定される。
密度は、通常、オレフィンの重合に使用される触媒の種
類、重合温度、重合反応器の大きさ、コモノマーの量等
の因子により決定される。その密度の制御は、オレフィ
ンとコモノマーのモル比を調節することにより行なわれ
る。
通常、コモノマーの量が増加すれば、密度は低下する。
このような事情から、通常、ポリオレフィンの製造は連
続重合法により、所定温度に保たれた重合反応器内に所
定量の触媒、所定量のオレフィン、所定量の水素ガスを
供給して、所定の物性、したがって所定規格のポリオレ
フィンが生成するように運転される。前述の所定量の触
媒、所定量のオレフイン、所定量の水素ガスを供9巻す
ることは反応系を所定の状態に保つための方法であるが
、実際は供給量を所定の量とするだけでは反応系を所定
の状態に保つのは無理である。
例えば、触媒の微細な変化、活性の低下などによってオ
レフィン濃度が上昇して、生成するポリオレフィンのメ
ルトィンデツクスが低下する。このような理由の判然と
しない微細な外乱は多い。そして生成ポリオレフィンの
メルトィンデツクスの変動はオレフィン濃度と水素ガス
濃度の比の変動に対して敏感に変動する。
例えば、ポリエチレンの場合使用するチーグラー触媒の
種類、重合温度などの重合条件にもよるが工業的に採用
されている重合条件下では気相部分圧比の変化とそれに
応じるメルトィンデックス(M.1.)の変化は大略次
の如くである。
ポリエチレンの場合、通常、設定メルトィンデックス値
の±10%の範囲を越えるポリエチレンが製造された場
合、規格外品として処分される。したがって、この損失
を防ぐためには△(日2/C2)は土3%とする必要が
ある。
従来、生成するポリエチレンのメルトィンデックスを実
測し、その値に応じて水素供給弁、エチレン供給弁の操
作を指示するという技法が採用されていた。しかしなが
ら、この方法では、測定に1時間程度必要とし応答が遅
いという重大な難点を有していた。したがって、直接反
応系内を監視する方法が提案されているが、その方法は
液相部についてオレフィン濃度、水素ガス濃度を実測す
る方法である。
この方法は次の理由で好適なものではない。
川 重合部が固液混合のスラリーであるため、固液の分
離操作が必要であり、このとき液から被測定成分の飛散
が生じやすいためにオレフィン濃度、水素濃度の絶対値
を知ることが難かしい。【21試料を採取するにはサン
プリングラインを備える必要があるが、重合反応器から
サンプル採取に致るまでに重合が生じて反応系内の状態
を正確に把握できない。
(米国特許第3835106号)。また、ポリエチレン
の密度の制御にあたっては、生成するポリエチレンの密
度を実測し、その値に応じてエチレンおよびコモノマー
の供給弁の操作を指示するという技法が用いられていた
しかしながら、この方法でも測定に1時間程度必要とし
応答が遅いという極めて重大な欠点を有していた。この
場合、メルトィンデックスと同様に、直接反応系内を監
視する方法が提案されているが、メルトィンデックスの
場合について上述した理由により好ましい技法ではない
。なお、反応系内を監視し、その圧力を測定して最終製
品であるエチレン共重合体の組成を均質化する技術も知
られているが(米国特許3691142号)、所望の物
性、特に、メルトィンデックスおよび(または)密度を
有するポリオレフィンを製造するのに好適な技法はいま
だ存しないのが実情である。
したがって、本発明の目的は、チーグラー触媒および水
素の存在下にオレフィンを重合して所定の物性を有する
ポリオレフィンを製造するにあたり、重合反応器に設け
た気相部成分を測定する技法を採用するこにより、前述
の液相部を測定する方法の欠点を完全に解消せしめ、も
って極めて安定して所定の物性を有するポリオレフィン
の製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、チーグラー触媒および水素の存在
下にオレフィンを重合して所定のメルトィンデックスを
有するポリオレフィンを製造するにあたり、重合反応器
に設けた気相部成分を測定することにより、極めて安定
した所定のメルトィンデックスを有するポリオレフィン
の製造方法を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、チーグラー触媒および水素
の存在下にオレフィンを重合して所定の密度を有するポ
リオレフィンを製造するにあたり、重合反応器に設けた
気相部成分を測定することにより、極めて安定した所定
の密度を有するボリオレフィンの製造方法を提供するこ
とである。
即ち、本発明は、チーグラー触媒および水素の存在下に
オレフィンを重合して所定の物性を有するポリオレフィ
ンを製造する方法である。重合反応器内の1種または2
種以上のオレフィンの濃度および水素ガス濃度の少なく
とも2個のパラメータがガスクロマトグラフィにより検
知される。該パラメータに相関する検知せられた信号は
、コンピュータに入力され、該信号は前記物性に対応し
て予じめ定められた設定値と対比されて遂行される該コ
ンピュータの演算制御出力により、重合反応器への水素
供給量、重合反応器内の圧力、重合反応器への該オレフ
ィンの供給量および(または)触媒供給量が調節されて
、該所定の物性を有するポリオレフィンを生成するよう
に該オレフィン濃度および(または)水素ガス濃度が制
御される。このように、オレフィン濃度および水素ガス
濃度の測定にはガスクロマトグラフィを使用し、そのガ
スクロマトグラフィとしては高速ガスクロマトグラフィ
を用い例えば1分間毎に気相部を測定して応答を行なう
とほとんどの物性のハンチングが認められなくなる。ま
た高速ガスクロマトグラフィで測定した測定値に基づき
水素供給量、圧力、オレフィン供給量などの調節を手動
により行なうことは無理であり(せっかく高速ガスクロ
マトグラフィで例えば1分間毎に測定を行なつても手動
コントロールではそれに従造できず物性のハンチングを
生じる。)、本発明方法ではコンピュータを組込み、自
動の供給量および圧力の制御を行なう。また、本発明に
よれば、チーグラ一触煤および水素の存在下にオレフィ
ン重合して所定のメルトィンデックスを有するポリオレ
フィンを製造するにあたり、重合反応器内のオレフィン
の濃度と水素ガス濃度とのパラメータがガスクロマトグ
ラフィにより検知される。
該パラメータに相関する検知せられた信号はコンピュー
タに入力され、該信号は前記メルトィンデックスに対応
して予じめ定められた設定値と対比されて遂行される該
コンピュータの演算制御出力により、重合反応器への水
素供給量、重合反応器内の圧力、および場合によっては
触媒供V給量が調節されて、該所定のメルトインデック
スを有するポリオレフィンを生成するように該オレフィ
ン濃度と水素ガス濃度とが制御される。
更に本発明によれば、チーグラー触媒および水素の存在
下に2種類以上のオレフィンを重合して所定の密度を有
するポリオレフィンを製造するにあたり、重合反応器内
の該オレフィンの濃度のパラメータがガスクロマトグラ
フィにより検知される。
該パラメータに相関する検知せられた信号はコンピュー
タに入力され、該信号は前記密度に対応して予じめ定め
られた設定値と対比されて遂行される該コンピュータの
演算制御出力により、重合反応器への該オレフィンの供
給量が調節されて、該所定の密度を有するポリオレフィ
ンを生成するように該オレフィンの濃度が制御される。
本発明方法においては、気相部を重合反応器に設け、気
相部成分についてオレフイン濃度および(または)水素
ガス濃度をガスクロマトグラフィにより測定する。反応
器内での重合温度は一定に保持され、該重合温度で所定
のメルトィンデツクスおよび(または)密度等の物性の
ポリオレフィンを生成するようにオレフィン濃度および
(または)水素ガス濃度が制御される。
なお、ガスクロマトグラフィはオレフィンを検知するま
での時間が10分以下、好ましくは、5秒ないし1分で
ある如く設定されたガスクロマトグラフイが使用される
本発明のポリオレフィンの製法におけるオレフインとは
、エチレン、プロピレン、1ーブテン、4ーメチルー1
−ペンテンなどのQーオレフイン、好ましくは、炭素数
2なし、し6のQーオレフィンをいう。
また、オレフィンとは、上記オレフィンの単独重合体、
オレフィン相互の共重合体、または上記オレフィンの少
なくとも1種とジオレフィンとの共重合体をいう。また
、本発明においてモノマーとは、重合系におけるオレフ
ィン中主たる割合を占めるオレフインを意味し、コモノ
マーとは、モノマー以外の少」割合を占めるオレフィン
および(または)ジオレフィンを意味する。
モノマーをコモノマーの共重合によりポリオレフィンを
製造する場合、コモノマーは、モノマーに対して30モ
ル%以下、好ましくは10モル%以下であることが好ま
しい。
ジオレフインとしては、ブタジエン、イソプレンの如き
共役ジオレフイン、ジシクロベンタジェン、ェチリヂン
ノルボルネンの如き非共役ジオレフインを例示すること
ができる。
特に好ましいオレフインはエチレンまたはエチレンとエ
チレンに対して30モル%以下、好ましくは10モル%
以下の他のオレフインおよび(または)ジオレフィンと
の混合物である。
本発明のポリオレフィンの製造に使用されるチーグラー
触媒は、通常(amendeleieffの周期律表W
ないしの族の遷移金属の化合物と、【b}周期率表第1
なし、しm族の有機金属化合物または水素化合物を主成
分とする触媒である。特に好ましくは、チタンまたはバ
ナジウムのハロゲン化合物と、アルミニウムの有機金属
化合物を主成分とする触媒を挙げることができる。上記
成分‘alおよび(または)【bーが担体に担持されて
いてもよく、電子供与体等の変性剤で処理されていても
よい。このようなチーグラー触媒としては、例えば米国
特許第3257332号、米国特許第3826792号
、米国特許第3113115号、米国特許第35461
33号、米国特許第4125698号、米国特許第40
71672号、米国特許第4071674号、米国特許
第3642746号、米国特許第305169び号、米
国特許第30斑9筋号、および英国特許第114064
y戦こ記載された触媒を使用することができる。
オレフィンの重合に当って使用される触媒‘a’成分の
使用量は、一般に重合溶剤1そ当りチタン原子に換算し
て0.001ないし100ミリモル、触媒の助成分であ
る第1族ないしm族金属の有機金属化合物または水素化
合物の使用量は‘机こ対して0.1ないし1000モル
倍、好ましくは0.2なし、し100モル倍に選ぶ。
本発明の触媒を使用してのオレフィン重合反応は通常の
チーグラ−触媒によるオレフィンの重合反応と同様にし
て行なわれ得る。
即ち、反応はすべて実質的に酸素、水などを絶った状態
で行なわれる。適当な不活性溶媒、例えばへキサン、ヘ
プタン、灯油などの脂肪族炭化水素が使用され、この中
に触媒およびオレフィン、必要に応じて更にジオレフイ
ンを送入して重合が進められる。オレフィンの重合に際
し重合温度は通常20なし、し200Q○、好ましくは
50なし、し18000がいまいま採用される。重合は
加圧下に進められるのが好ましく、2ないし100k9
/めで行なうのが一般的である。以下、図面を参照して
本発明の好ましい実施例を詳述する。
添付した図面の第1図は本発明のポリオレフィンの製造
方法を実施したブロック図を示し、一定の温度に保持さ
れた重合反応器1は液相部laと気相部lbを備えてい
る。
重合反応器1には重合反応器1へ水素ガスを供給する水
素供給ライン2、オレフィンを供給するオレフィン供給
ライン3、触媒を供給する触媒供給ライン4、溶媒を供
給する溶媒供給ライン5、脱圧を行なう脱庄ライン6お
よび重合反応器1から生成物であるポリオレフインを取
出す出口ライン7がそれぞれ設けられている。そして水
素供給ライン2には水素供給量を制御する制御弁2aが
、オレフィン供給ライン3にはオレフィン供給量を制御
する制御弁3aが、触媒供給ライン4には触媒供給量を
制御する制御弁傘が、溶媒供給ライン5には溶媒供給量
を制御する制御弁5aが、脱圧ライン6には反応器内の
圧力を制御する脱圧弁6aが、出口ライン7には開閉弁
7aがそれぞれ設けられており、このうち水素供給弁2
a、オレフィン供給弁3a、脱圧弁6a、場合によって
触媒供給弁4aは後述するコンピュータからの制御信号
により、所定のメルトィンデックスのポリオレフィンを
生成するようにオレフィン濃度および水素ガス濃度を変
更すべくその開度が制御される。
重合反応器1の気相部lbにはサンプリングライン8が
設けられており、気相部lbの水素ガスおよびオレフィ
ンは開閉弁8aを経てガスクロマトグラフィ9に導びか
れ、ガスクロマトグラフイ9により水素ガス濃度および
オレフィン濃度を測定する。
ガスクロマトグラフイとしてはそれがオレフィンを検出
するまでの時間(保持時間)が重合反応器内で反応物の
滞留時間以下である如く設定された高速ガスクロマトグ
ラフイを使用する(オレフィン検知時間10分以下、好
ましくは5秒ないし1分のガスクロマトグラフイ)。ガ
スクロマトグラフィ9で測定した水素ガス濃度およびオ
レフィン濃度に基づく測定成分信号がコンビユー夕11
に入力される。コンピュータ11には所定メルトィンデ
ックスのポリオレフィンを生成するための重合条件がプ
ログラムされていて信号量の変化に応じて演算を行ない
、コンピュータ11からの信号により水素供給弁2a、
脱庄弁6a、オレフィン供給弁3a、場合によって触媒
供給弁4aを操作し、所定のメルトィンデツクスのポリ
オレフィンを生成するようにオレフィン濃度および水素
ガス濃度を制御する。この際ガスクロマトグラフィ9の
測定値を記録計10で記録し、またコンピュータ11の
制御信号を記録計12で記録する。第3a−3b図は、
本発明方法を遂行する制御装置の好ましい一実施例を示
す。
第3a−3b図において第1図に示す要素と同じ要素は
対応する参照符号によって示してある。概略的に言って
、本発明方法では、重合反応器1の気相部lbからサン
プリングライン8を介してオレフインガスおよび水素ガ
スをサンプリングし、これをプロセスガスクロマトグラ
フイ9により検出し、その検出信号をコンピュータ11
に入力させ、コンピュータの演算制御出力により水素供
給弁2a、脱圧弁6a、オレフィン供給弁3aを操作し
、オレフィンおよび水素ガスの各濃度を制御し、もって
所定の物性を有するポリオレフィンを製造せんとするも
のである。
先ず、サンプリングライン8について説明する。
第3a図に示すように、サンプリングライン8は2系統
のサンプリングライン8a′,8a″を億えている。基
本的には、反応器1の気相部lbのガスを直接測定する
ためにサンプリングライン8a′が使用される。
このラインでは、サンプルガスはサンプリングライン8
a″に切換えるためのブロック弁13を通過し、サンプ
ルガス圧を所定の値に減圧させる圧力制御弁14によっ
て減圧フラッシュされた後、サンプル気化器15によっ
て完全に気化される。なお、16はサンプルガスの圧力
をトランスミツター17によって検出して圧力制御弁1
4をPID(proponioMI一pl雌−inte
gral−pl瓜−derivative)制御するP
IDコントローラである。このラインでのサンプルガス
はオリフィス流量計のような流量トランスミッター18
により流量が規定値以内に流れているか否か流量ィンジ
ケータ19により監視される。そして、サンプルガスは
2段階の減圧弁20、フィルター21と減圧弁20a、
フィルター21aから成る前処理ユニット22によって
前処理を施され、プロセスガスクロマトグラフィ9の運
転条件に設定される。この前処理ユニット22はサンプ
ルの凝縮を防止させるために、陣温層23の中で組立て
られており、この恒温槽23は40〜150ooの範囲
内のある一定温度に温度コントローラ24によって保温
されている。このように、サンプルライン8a′によれ
ば、溶媒と同程度の沸点を有するモノマーを使用する運
転時においても、プロセスガスクロマトグラフィ9の検
出器25に常に乾燥したガスを注入することができる。
また、生成せんとするポリオレフィンの規格または銘柄
によっては、溶媒とは大きな沸点差を有事亭雲事藁鶴亀
芸事鶴亀圭三議事に安定なプロセスガスクロマトグラフ
ィ測定を可能にする。
即ち、サンプリングライン8a″においては、反応器1
の気相部lbから採取されたサンプルガスはサンプルコ
ンデンサ26とサンプルレシーバ27によってサンプル
中の溶媒が凝縮分離される。
サンプルコンデンサ26の出口におけるサンプル温度コ
ントローラ28によって−15〜1000の範囲のある
定められた値に自動的に調整されている。このため、サ
ンプルレシーバー27から出るガスは圧力制御弁14に
よって減圧フラッシュされ、気化器15で加熱すると、
簡単に完全気化する。一方、分離された溶媒はライン8
bを介して反応器1へ帰流する。なお、サンプリングラ
イン8a′の手前にはブロック弁13aが介挿されてお
り、ブロック弁13と共にライン8a′,8a″を選択
的に使用するための切換を行う。このようなサンプリン
グ方法を採用することにより、サンプリングラインの状
況に大きな考慮を払うことなく、プロセスガスクロマト
グラフイの正常な作動が確保できるという利点をもたら
す。
ただし、この場合、サンプルガス組成と反応器内のガス
組成とは異っている。しかしながら、本実施例のように
、反応器の温度とサンプルコンデンサ26の出口温度が
各別に制御されているので、簡単な気液平衡計算を事前
に行なっておけば、サンプルガスより得られた組成から
反応器のガス組成は簡単に推算できる。このように、本
実施例では、プロセスガスクロマトグラフィへのサンプ
ルガスは完全に気化される。
したがって、従来のように反応器ガス中の高沸点成分が
、液としてサンプリングラインに流入してきたり、サン
プリングライン中で凝縮した場合、ガスクロマトグラフ
ィのサンプルガスに液滴が含まれることとなり、ガスク
ロマトグラフイはその指示変動を呈したり、ときにはラ
インに詰まりが生じて測定不能になるということは完全
に解消される。このことは、ガスクロマトグラフィの運
転の安定性が向上し、ひいては反応器の気相部における
ガス濃度を正確に測定できることを意味する。しかも、
本実施例では、サンプリングライン8a′,8a″を生
成させるべきオレフィンの規格毎に切換えて使用するか
ら、そのような規格毎に異つたモノマーを使用する中広
い運転方法に対処できる。
要すれば、本実施例に用いたガスサンプリング方法は、
ガス濃度を検出するためのガスクロマトグラフィの要求
事項と、生成されるポリオレフィンの規格に応じた生産
プロセス要求事項とも同時に満足させるものである。次
に、プロセスガスクロマトグラフイ9の検出器25につ
いてエチレンの重合を例にとって説明する。
サンプル前処理ユニット22によってガスクロマトグラ
フィの仕様条件に調整されたサンプルガスは検出器25
の分離カラムに注入される。次いで、サンプルガス中の
各成分は、抵抗ブリッジによって構成されるサーマルコ
ンタクトデテクタによって検出され、その検出出力は第
4図に示すような応答を示す。例えば、エチレン(C2
日4)をモノマーとして使用した場合、本来は、水素(
日2)、メタン(CH4)、ェタン(C2比)、エチレ
ン(C2日4)の経時形態で応答を示すものであるが、
ガスクロマトグラフイに3個の分離カラムを直並列接続
したものを用い、ヱタン、エチレンを応答速度の速い分
離カラムにバイパスされて、これらの応答ピークを水素
、メタンの応答ピークの間に介在させる図示のような順
序で応答が表われるように構成されている。
この結果、検出時間を短縮化することができる。この応
答出力は制御部28に印加される。
第4図に示す、例えば水素(日2)およびエチレン(C
2日)の応答出力は、検出部25の固有の特性によりそ
れぞれ一定の経時間隔をもって定つた時間に順次生じる
ので、制御部28において、対応する時間にタイミング
を合わせて各ガス成分毎に応答出力のピーク値を計測し
、夫々個別に直流電圧信号として出力させる。この各成
分のピーク値がそれぞれのガス濃度のパラメータを示す
。この直流電圧信号は、ピーク値の大小に応じて1〜5
Vの直流電圧に変換されて各成分毎にYI′,Y2′と
して出力される。なお、ポリオレフィンを連続重合法で
生成するには、ガスクロマトグラフィ9の測定周期は、
前述のように高速である必要があり、サンプルガスあた
り1正分以下、好ましくは5秒ないし3分であることが
好ましい。
本実施例において、ガスクロマトグラフィとしては日本
国東京在、山武ハネウエル株式会社、型式H−100m
Fを採用した。本発明方法において用いた型式H−10
00TEは2分以下の高速の測定周期を有しており、実
施にあたっては第4図に示すように6の砂の周期でサン
プル計測を自動的に繰返すことができた。したがって、
この測定周期毎に第4図のような応答が検出器25から
得られ、次いで制御部28によってその応答のピーク値
が各ガス成分毎に分離させて計測され、ピーク値の大小
に応じて1〜5Vの直流電圧信号として各測定周期毎に
ホールドごせて連続出力される。
本例で用いた型式H−100mEでは、1つのサンプル
ガスあたり、例えば、水素m2)、モノマーA、モノマ
−B、モノマ−Cを測定することができ、それぞれの連
続した直流電圧信号をYI′,Y2′,Y3′,Y4′
とする。
このように、検出器25からの応答出力信号を制御部2
81こて各ガス成分毎に分離し、ホールドして連続出力
させることにより、コンピュータ側にてその複雑な処理
を行なう必要がなくなり、システムが簡便になり、費用
の低下をもたらし、全体の信頼性も向上する。
制御部28にて各成分毎に分離された信号は記録計29
にて記録される。
直流電圧信号YI′〜Y4′はコンピュータ11(第3
b図)に印加されると共に、マルチポイント記録計10
にも接続されて記録される。
次に、第3b図を参照してプロセスコンピュータ制御装
置について説明する。
以上述べたガスクロマトグラフイ9から出力される各成
分日2、モノマーA、モノマーB、モノマーC毎の連続
電圧信号YI′,Y2′,Y3′,Y4′(各1〜5V
)および反応器1の圧力トランスミッター30からの出
力電圧信号(1〜5V)は、コンピュータ11の入力端
子部32に接続される。
コンピュータ11は、以上の5種類の信号を自動的に周
期的にスキャンニングするスキャンニング部(図示せず
)と、A/D(アナログ/デジタル)コンバータ部34
と、コンバータからの信号を線形処理する線形処理部3
5,36,37と、その出力信号を演算処理する演算部
38,39,40と、演算部からの信号と予じめ定めら
れた基準設定値を対比制御する制御部41,42,43
とを備えている。
本実施例において、このようなコンピュータ11として
は、日本国東京在、山武ハネウエル株式会社の型式TD
CS−2000を採用した。
次に、このプロセスコンピュータ制御装置を用いて生成
されるポIJオレフィンの物性の制御について具体的に
説明することとする。最初にポリオレフインのメルトィ
ンデツクス(M.1.)の制御ループについてエチレン
の重合を例にとって詳述する。
既述のように、ポリマーのM.1.値は基本的には反応
器1の気相部lbの水素とモノマーAのモル比の函数と
なる。以下、水素(比)と、モノマーAとしてのエチレ
ン(C2日4)とを用いてポリエチレンを製造するにつ
き、所定のM.1.を与える水素/エチレンモル比(以
下均/C6と表示する。)制御ループについて述べる。
コンバータ34によってA/D変換された日2モル%を
示す信号YI′とC2のモル%を示す信号Y2′はそれ
ぞれ線形処理部35,36に印加される。ガスクロマト
グラフィ9の出力信号は第4図に示す応答のピーク・/
・ィトを計測したものであるので、線形処理部35,3
6において線形処理部をしてそれぞれ正確なモル%濃度
に鮫正される。なお、ガスクロマトグラフイ9の制御部
28で、検出部25からの信号を積分処理している場合
には、正確なモル%濃度が計測できるから、このような
場合にはコンピュータ側で線形化処理は不必要となる。
線形処理部35,36における線形化処理には折れ線近
似演算手法が採用されている。
これらの線形処理部35,36の出力信号Y1,Y2は
それぞれ水素(日2)、エチレン(C2日4)の各成分
のモル%濃度を正しく指示する。
これらの信号Y1,Y2,はD/Aコンバータ34を通
して再びアナログ化されて1〜5Vの電圧信号として取
り出されマルチポイント記録計12に記録されると共に
、演算部38に入力される。演算部38では、YI/Y
2の演算を行ない、そのYI/Y2の出力は日2/C6
値としてD/Aコンバータ34を介してマルチポイント
記録計12に入力されて記録されると共に、Pm制御部
41にプロセス変数として印加される。PID制御部4
1には、所定のメルトィンデックスに対応して予じめ定
められた設定値mが、運転員によるデータェントリパネ
ル44の操作によって入力されている。そして、PID
制御部41は、この設定値mと入力信号(日2/C6値
)を対比して合致するように自動的にPID制御し、両
者の差異に応じて4〜20肌Aの電流信号として出力す
る。
この電流信号はその電流信号の値に応じて電流/空気圧
コンバータ46により、0.2〜1.0k9/塊Gの空
気信号に変換されて水素供給弁2aおよび脱圧弁6aの
両者のポジショナーに供給される。弁2a,6aのポジ
ショナーの制御においては、いわゆるスプリットレンジ
と称する制御方法を用いる。即ち、第5図に示す如く、
脱庄弁6aの弁ポジショナーを入力空気信号圧0.2k
9/地○以下で全開、0.6k9′地G以上で全閉、0
.6k9/仇G以上で全開、また、水素供給弁2aを0
.6k9/洲○以下で全閉、1.0k9/地○以上で全
開になるように設定し、1つの制御信号圧によって2個
の制御弁を操作するものである。なお、基準比/C2の
設定値は、データェントリパネル44によってコンピュ
ータ11の制御部41に入力してもよいが、アナログデ
ィスプレイ装置48の日2/C2アナログ表示計49に
よって行なってもできる。この表示計49は同時に設定
されたり/C2とガスクロマトグラフィにより検知され
コンピュータによって演算された日2/C2との一致ま
たは差異をアナログ表示する。このようにして、比/C
2制御ループによれば、反応器1の気相部lbの日2/
C2濃度は自動的にその設定値に調節され、したがって
所望のM.1.を有するポリエチレンが連続的に生産で
きるので実質的にはM.1.を制御していることになり
M.1.制御ループと呼んでいる。
而して、反応器1に気相部lbを設けて、モノマ−(エ
チレン)を所望供給する場合には、溶媒供給ライン5を
介して導入されるチーグラー触媒の活性変化等の外乱が
生じると、モノマ−(C2)分圧が変化し、その分圧に
相関したモノマーの溶媒への溶解量が変動し、その溶解
モノマーは溶媒と共に未反応モノマーとして系外へ流出
する。
換言すれば、モノマーの供給量は一定でも重合速度は変
化することになる。従来は、このような外乱発生時には
モノマー(C2)分圧だけが単独に変化するため日2/
C2値が変動し、M.1.が変ってしまうという結果を
招来していた。しかしながら、本発明においては、前述
のように、日2/C2値は自動的に水素供給弁2aおよ
び脱圧弁6aによって制御されるから、M.1.はその
ような外乱発生時にも一定に保持される。しかし、その
結果、このような状態を保持すると、オレフインの重合
速度が所定の値より外れたままになるので、モノマー(
C2)分圧を元に戻すように触媒供給量を操作して触媒
活性変化をその触媒供給量によって消去して重合速度を
所定の値に復帰させるようにしている。以下、このC2
分圧制御ループについて説明する。反応器1の圧力Po
の圧力トランスミッタ30からの出力電圧信号(1〜5
V)と、線形処理部36からのエチレンモル%を示す出
力信号Y2とは演算部40‘こ入力され、(Po十1.
03)Y2の演算が行なわれる。
この式において、カッコ( )で示す部分は絶対圧力へ
の換算を行なうもので、1.03は大気圧を示し、反応
器1のトランスミッタ30に絶対圧力計を使用する場合
には( )内の1.03の値は不要となる。演算部40
かの出力はD/Aコンバータ34を介してマルチポイン
ト記録計12に記録され、C2分圧の運転指標として利
用される。
一方、このC2分圧信号は、前述の日2/C2制御ルー
プと同様に、Pm制御部43に印加され、運転員がデー
タェントリパネル44またはアナログディスプレイ装置
48のC2分圧アナログ表示器50によって与えられた
反応器のC2分圧pの基準設定値に合格するようにPI
D制御され、そのため出力信号(4〜20のA)をD/
Aコンバータ34を介し電流/空気圧コンバータ52に
入力し、空気信号として触媒供給ポンプ4a″のストロ
ーク制御ユニット4a′の操作信号となる。
このようにして、比/C2濃度を所定の値とすると共に
、触媒活性変化等の外乱が生じた場合にC2分圧をも所
定圧に調節することができる。なお、他のオレフィンの
重合についても、上述と同様の操作で物性を制御するこ
とができる。
最後に、前述のように、生成されるべきポリオレフィン
の規格、銘柄によってはモノマーA(例えば、エチレン
)とコモノマーB(例えば、プロピレン)、あるいはモ
ノマーAとコモノマ−C(例えば、1ーブテン)の比を
一定に保持して所定の物性、殊に所定の密度を有するポ
リオレフィンを製造することが要求される。このような
コモノマ−比制御は、前述のは/C2値制御ループと同
じ構成によって達成される。
モノマーA、コモノマーB、C成分のガスクロマトグラ
フイ9からの信号をそれぞれY2′,Y3′,Y4′と
する。
信号Y3′,Y4′は切換スイッチ手段(図示せず)に
よって択一的にA/○コンバータ34に入力される。以
下、信号Y3くを選択した場合について説明する。モノ
マーA、Bの信号Y2′,Y3′はそれぞれ線形処理部
36,37に入力されて線形化処理され、その出力信号
Y2,Y3はD/Aコンバータ34を介して記録計12
によって記録されると共に、演算部39に印加される。
演算部39においては、Y2/Y3の演算を行ない、こ
の演算部39からの出力はD/Aコンバータ34を介し
て記録計12によって記録されると共に、制御部42に
入力される。制御部42においては、この入力信号は運
転員がデータェントリパネル44またはアナログディス
プレイ装置のコモノマ−比アナログ表示器51によって
与えられたコモノマ−比の基準設定値dに合致するよう
にPm制御され、そのための出力信号(4〜20のA)
をD/Aコンバータ34を介してカスケード型のコント
ローラ54で制御し、コモノマー供給弁3a′を操作し
てコモノマーの供給量を調節する。このようにして、モ
ノマーとコモノマーの各濃度を制御して所定の密度を有
するポリオレフィンを連続製造することができる。なお
、以上の実施例において、モノマーとしてのオレフィン
供給量および溶媒の供給量はそれぞれオレフィン供給弁
3aおよび溶媒供給弁5aを介しその流量指示制御装置
56,58によって自動制御される。しかしながら、こ
れらの制御は前述のプロセスコンピュータ制御と同様に
、コンピューター1からの出力によって、あるいは流量
指示制御装置56,58とコンピュータ11からの出力
制御との併用によって遂行してもよい。以上説明したよ
うに本発明によるポリオレフィンの製法は気相部を測定
するようにしているので反応系内の状態を正確に把握す
ることができ、高速ガスクロマトグラフィを使用して例
えば1分間毎に気相部を測定して応答(第4図)を行な
うことによりほとんどメルトインデツクスおよび(また
は)密度などの物性のハンチングが認められなくなる。
また本発明はコンピュータ制御を行なうようにしている
ので運転員の感に頼る手動コントロールの場合のように
不安定性はなくなり、気相部を測定すること、高速ガス
クロマトグラフィを使用することと相まって所定のメル
トィンデックスおよび(または)密度などの物性の均一
なポリオレフィンを得ることができるものである。第2
図の実線Aは本発明の方法により連続的にポリエチレン
を製造したときのメルトィンデツクス値と重合時間との
関係を示し、点線Bは4時間毎に測定されたメルトィン
デツクス値に基づき、作業者が水素供給弁、エチレン供
給弁等の操作を指示してメルトィンデックスの制御を行
なったときのメルトインデツクスと重合時間との関係を
示したものである。なお、第2図の機軸の重合時間は重
合開始時間から起算したものではなく、定常運転時の任
意の時間から起算したものである。第2図からも明らか
な如く、本発明の方法によれば極めて安定して一定のメ
ルトィンデックス値を有するポリオレフインが製造され
ることがわかる。また、第6図の実線Cは本発明の方法
により連続的にポリエチレンを製造したときの密度と重
合時間との関係を示し、点線Dは1幼時間毎に測定され
た密度の値に基づき、作業者がモノマーとしてのエチレ
ン供給弁およびコモノマーとしてのプロピレン供給弁等
の操作を指示して密度の制御を行なったときの密度と重
合時間との関係を示したものである。なお、第6図の機
軸の重合時間は重合開始時間から起算したものではなく
、定常運転時の任意の時間から起算したものである。第
6図からも明らかな如く、本発明の方法によれば極めて
安定して一定の密度値を有するポリオレフィンが製造さ
れることがわかる。以上の実施例からも明らかなように
、本発明は、チーグラー触媒および水素の存在下でオレ
フィンを重合してポリオレフィンを製造するに際し、所
定の物性、競中、所定のメルトィンデックスおよび(ま
たは)密度を有するポリオレフィンの製法技術として有
用であり、極めて安定した所望の物性、殊に、所望のメ
ルトィンデックスおよび(または)密度を有する規格品
のポリオレフィンを提供する技法として好適なものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を実施したブロック図、第2図は重
合時間と製造されたポリオレフィンのメルトィンデック
ス値との関係を示した図、第3a図および第3b図は本
発明方法を遂行する制御装置の一実施例を示すブロック
図、第4図は制御装置におけるガスクロマトグラフィの
検出器の応答を示す図、第5図は制御装置における水素
供給弁と脱圧弁の制御方式を示す図、第6図は重合時間
と製造されたポリエチレンの密度との関係を示した図で
ある。 1・・・・・・重合反応器、lb・・・・・・気相部、
9・・・・・・ガスクロマトグラフイ、11……コンピ
ュータ。 多〆図第2図 多6図 多3仏函 多3ク図 多々図 多づ顔

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 チーグラー触媒および水素の存在下にオレフインを
    重合して所定のメルトインデツクスおよび(または)密
    度を有するポリオレフインを製造するにあたり、重合反
    応器に気相部を設け、かつ重合温度を一定に保持すると
    共に、該気相部成分についてオレフイン濃度および(ま
    たは)水素ガス濃度をガスクロマトグラフイにより検知
    し、該濃度に相関する検知せられた信号をコンピユータ
    に入力し、該信号を前記メルトインデツクス、密度に対
    応して予め定められた設定値と対比して遂行される該コ
    ンピユータの演算制御出力により、重合反応器への水素
    供給量、重合反応器内の圧力、重合反応器への該オレフ
    インの供給量および(または)触媒供給量を調節して、
    前記一定に保持された重合温度で該所定のメルトインデ
    ツクスおよび(または)密度を有するポリオレフインを
    生成するように該オレフイン濃度および(または)水素
    ガス濃度を制御することを特徴とするポリオレフインの
    製造方法。
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