JPS602946A - ポジ型レジスト材料 - Google Patents
ポジ型レジスト材料Info
- Publication number
- JPS602946A JPS602946A JP10925083A JP10925083A JPS602946A JP S602946 A JPS602946 A JP S602946A JP 10925083 A JP10925083 A JP 10925083A JP 10925083 A JP10925083 A JP 10925083A JP S602946 A JPS602946 A JP S602946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- positive type
- copolymer
- type resist
- resist material
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ケ発明の技術分野
本発明の１ ボノ型しジスト本４利に関し、より詐しく
述べるならは、十樽体装ｉ＋ｓｉ １□Ｘ′造での徽組
加ユ：にイＱー用さわる１ＩＪ子ビームなどの剣！波長
高エネルギ線用ボジ型しジスト材利に関１るものである
。
述べるならは、十樽体装ｉ＋ｓｉ １□Ｘ′造での徽組
加ユ：にイＱー用さわる１ＩＪ子ビームなどの剣！波長
高エネルギ線用ボジ型しジスト材利に関１るものである
。
（イ）発明の背景
ＩＣ，ＬＳＩなとの半尋体製止Ｉを高韮化丁るにはノぐ
ター／のな・細加工を豹なうことか必須の似求″ｃ４・
シ、ザブミクロンオーダーの従・却１力１１工ができる
１１１子ビーム，ｘＫｍ．紫外線などの短波長高エネル
ギ線を使用したリングラフィ技術が失用化嘔オ１るよう
になってきた。η！１子ビームを利用した做細加工にお
いても、レジストはその精度を左右するんも２ｒｌ扱な
四区ｊのひとつであ２。
ター／のな・細加工を豹なうことか必須の似求″ｃ４・
シ、ザブミクロンオーダーの従・却１力１１工ができる
１１１子ビーム，ｘＫｍ．紫外線などの短波長高エネル
ギ線を使用したリングラフィ技術が失用化嘔オ１るよう
になってきた。η！１子ビームを利用した做細加工にお
いても、レジストはその精度を左右するんも２ｒｌ扱な
四区ｊのひとつであ２。
（ウ）従来技術と問題点
レジストにね、重子ビーム照射によシ分８了反応を起こ
すポジ型レジストと架槁反比・を赴゛，こすネガ型レジ
ストとかメシ、それそれについてわ々の材料が析徐さノ
１ている。また、循細加工のエソチング何、ウエソトエ
ッナングよシも加工精度の良いドライエノテングによっ
て省なわれるようになシ、レソストｖｌ和の而＋ １”
ライエッナング刊も感度，′Ｍ像度と謳んで７１・みな
市イ（１となっている。従来から耐ドライエツチング［
１二の大きいαーメブーノレステレンがポジ型レジスト
として促１くことか知られているか、この相別は０！シ
度で套シ（ＩＸＩＯ Ｃ／Ｊ以下）互だ現像前に膨憫も
多少生じるために微細ノセターンヶ形成するのに不利で
ある。
すポジ型レジストと架槁反比・を赴゛，こすネガ型レジ
ストとかメシ、それそれについてわ々の材料が析徐さノ
１ている。また、循細加工のエソチング何、ウエソトエ
ッナングよシも加工精度の良いドライエノテングによっ
て省なわれるようになシ、レソストｖｌ和の而＋ １”
ライエッナング刊も感度，′Ｍ像度と謳んで７１・みな
市イ（１となっている。従来から耐ドライエツチング［
１二の大きいαーメブーノレステレンがポジ型レジスト
として促１くことか知られているか、この相別は０！シ
度で套シ（ＩＸＩＯ Ｃ／Ｊ以下）互だ現像前に膨憫も
多少生じるために微細ノセターンヶ形成するのに不利で
ある。
（ニ）発り」の目的
本発明の目的は、α−メチルスチレンを使用したレジス
トでｒ・度ｗ ｒｒｉ＋上芒ぜ〃）り膨潤のないポジ型
レジストを提供−Ｊ’ ；）ことである。
トでｒ・度ｗ ｒｒｉ＋上芒ぜ〃）り膨潤のないポジ型
レジストを提供−Ｊ’ ；）ことである。
（６）発明の４Ｖ？ Ｊｉ．’ｉ
上述の目的が、α−メチルスチレンとメタクリル酸との
共重合体からなるポジ型しジスト材利によってで一成さ
れる。
共重合体からなるポジ型しジスト材利によってで一成さ
れる。
この共重合体を化学式で示すと、
であり、共屯合比（式中のｍ：ｎ）は′電子ｉ１４＋！
に対する感度、現像液とのマツチング、ならびに塗布浴
ｆｌＡ等を考ある。また、共■合体の分子分（Δ４ｗ）
は数千々いし数十万であシ、好ましくは３０００ないし
２ｏ万である。
に対する感度、現像液とのマツチング、ならびに塗布浴
ｆｌＡ等を考ある。また、共■合体の分子分（Δ４ｗ）
は数千々いし数十万であシ、好ましくは３０００ないし
２ｏ万である。
本発明に係るポジ型しジスト相旧はメチルセロソルブ（
ＭＣ）、メチルセロソルブアセテート（ＭＣＡ ）など
のセルソルブ糸イＴ根溶媒に溶フｌＩ７するので、この
ような溶媒に溶解させたレジスト溶液を加工ジー；板上
に塗布してレジスト層を形成することができ、また、電
子ビームなどのに光によシ分解した（分子■（の低下し
た）部分の溶解除去（現像）にこれらの不杉処溶媒を使
用することができる。
ＭＣ）、メチルセロソルブアセテート（ＭＣＡ ）など
のセルソルブ糸イＴ根溶媒に溶フｌＩ７するので、この
ような溶媒に溶解させたレジスト溶液を加工ジー；板上
に塗布してレジスト層を形成することができ、また、電
子ビームなどのに光によシ分解した（分子■（の低下し
た）部分の溶解除去（現像）にこれらの不杉処溶媒を使
用することができる。
不発１明においては、メタクリル酸をα゛−，−，メナ
ルステレン合化させるので、α−メチルスチレンのホモ
ポリマーよＪｉ％度が向上しかつその共重合体の登信が
増大して溶貌ｅ（−よる膨潤を回避ブることかできる。
ルステレン合化させるので、α−メチルスチレンのホモ
ポリマーよＪｉ％度が向上しかつその共重合体の登信が
増大して溶貌ｅ（−よる膨潤を回避ブることかできる。
まブＣ１而ｊドライエツプーングりはα−メチルスチレ
ンのみの場合よりもやや低下するが、ポジ型レジストと
して良く知られたＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート
）よりも依然としてｔコ、るかにすぐねでいる。
ンのみの場合よりもやや低下するが、ポジ型レジストと
して良く知られたＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート
）よりも依然としてｔコ、るかにすぐねでいる。
（イ）発ＥｉｌＨ１のり：館例（
以下の牧加例によって本発すを烙らにｈ兄明する。
例１
前述した化与一式によって表わ芒シ′する共１合体（７
Ｊ？ ＩＪ （α−メチルスチレンーコーメタクリル酸
）。
Ｊ？ ＩＪ （α−メチルスチレンーコーメタクリル酸
）。
ｍ ： ｎ ＝３ ： ７ ＋篇−３０００、馬／応（
分散度）＝１．５１１メナルセロンノＬプアセテートに
氾が１シて約２０ｗｔ％溶液とした。とのポジ型レジス
ト溶液を加工基板上にスピンコードして０．８μｍ膜肝
０レジスト層を形成した。次に、１１１子＆１凭光装６
′）を用いて加速電圧２０ｋｖ′″Ｃ電子ビームをレジ
スト層に所定パターン照射し、メチルセロソルブアセテ
ートの沙１作液ｅして溶媒現化した。膨潤のηい飴明カ
ポジ型しジストノやターンが得られた。このレジストの
ＨＹ度ＤＯは２ Ｘ １０−５Ｃ／ｃｎｆで−ｐ、Ｈ１
０６μｍのラインアンドスペースの飼像度があった。す
た、レジスト層ぐターンのｉｌ？Ｇ、プラズマに文うす
るアッシング１ノートはＰへＩＭＡの釣五分の−でをノ
っノＣ０例２ 前述した化学式によって畝わされる共１Ｊ′台体〔ポリ
（α−メチルスチレンーコーメタクリル酸）。
分散度）＝１．５１１メナルセロンノＬプアセテートに
氾が１シて約２０ｗｔ％溶液とした。とのポジ型レジス
ト溶液を加工基板上にスピンコードして０．８μｍ膜肝
０レジスト層を形成した。次に、１１１子＆１凭光装６
′）を用いて加速電圧２０ｋｖ′″Ｃ電子ビームをレジ
スト層に所定パターン照射し、メチルセロソルブアセテ
ートの沙１作液ｅして溶媒現化した。膨潤のηい飴明カ
ポジ型しジストノやターンが得られた。このレジストの
ＨＹ度ＤＯは２ Ｘ １０−５Ｃ／ｃｎｆで−ｐ、Ｈ１
０６μｍのラインアンドスペースの飼像度があった。す
た、レジスト層ぐターンのｉｌ？Ｇ、プラズマに文うす
るアッシング１ノートはＰへＩＭＡの釣五分の−でをノ
っノＣ０例２ 前述した化学式によって畝わされる共１Ｊ′台体〔ポリ
（α−メチルスチレンーコーメタクリル酸）。
ｍ ： ｎ ＝ ４ ： ６ 、 Ｍｗ＝３３，０００
、 Ａｉｗ／Ｍｎ＝１．６１を用いて、ｆｌｌＪｌと
同じようにレジスト層を形成し、電子ビームＳＦ、九し
、セして溶媒現像した。例１と同様に膨潤のない鮮明な
ポジＲ」レジストパターンが得られ、＃度Ｄｏは２ ×
１０−５Ｃ／ｃｄであシ、股ｐ９０．５μｍＦＣ１０，
３μｍｎのラインアンドスペースの結像性であった。こ
のレジストパターンの酸紫プラズマに刻すおアッシング
レートにＰ■’ＩＡの約五分の−であった。
、 Ａｉｗ／Ｍｎ＝１．６１を用いて、ｆｌｌＪｌと
同じようにレジスト層を形成し、電子ビームＳＦ、九し
、セして溶媒現像した。例１と同様に膨潤のない鮮明な
ポジＲ」レジストパターンが得られ、＃度Ｄｏは２ ×
１０−５Ｃ／ｃｄであシ、股ｐ９０．５μｍＦＣ１０，
３μｍｎのラインアンドスペースの結像性であった。こ
のレジストパターンの酸紫プラズマに刻すおアッシング
レートにＰ■’ＩＡの約五分の−であった。
カ、」４１プラズマ性の担１］定仁ｊ、ＣＦ４１０２（
９５：５）プラズマ＋ １（ｆ ＝ ２００Ｗ ＋ Ｐ
＝ ０．３ ｔｏｒｒ １で行なった。Ｓｌウ−、−−
バー１１”：上ｉ；１゛ポリ１−とＲｅｆｅｒｅｎｃｅ
のＰＭへ’ｆＡ （ＤＡ／／ ＃ ２０万）を約１０μ
ｍ ｐに形成させ３分間エップング（ジのＨし５ルーを
飼定した。
９５：５）プラズマ＋ １（ｆ ＝ ２００Ｗ ＋ Ｐ
＝ ０．３ ｔｏｒｒ １で行なった。Ｓｌウ−、−−
バー１１”：上ｉ；１゛ポリ１−とＲｅｆｅｒｅｎｃｅ
のＰＭへ’ｆＡ （ＤＡ／／ ＃ ２０万）を約１０μ
ｍ ｐに形成させ３分間エップング（ジのＨし５ルーを
飼定した。
ポリマー（９１ｉ＋）、ポリマー（（４・す２ ） 、
ＰＭ、４Ａの平均ダ本・斤は（）；（Ｊわ旧３０μ、０
８２μ、Ｏ，＋４μｍであった。
ＰＭ、４Ａの平均ダ本・斤は（）；（Ｊわ旧３０μ、０
８２μ、Ｏ，＋４μｍであった。
／ｉ５片−１出願人
７；・１士ｊ〔Ｊ株式会社
栢１）出皺代理人
ヅ１胛士 官本 朗
す丹士 力舘和之
ヅ１゛理士 内 日」 曽・ 男
！Ｖｕｒ士 山 口 １１Ｌ１ 之
Claims (1)
- １、α−メチルスチレンとメタクリル酸との共重合体か
らなるポジ型レジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10925083A JPS602946A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ポジ型レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10925083A JPS602946A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ポジ型レジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602946A true JPS602946A (ja) | 1985-01-09 |
| JPH0377986B2 JPH0377986B2 (ja) | 1991-12-12 |
Family
ID=14505414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10925083A Granted JPS602946A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ポジ型レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602946A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000010057A1 (en) * | 1998-08-11 | 2000-02-24 | International Business Machines Corporation | Single component developer for copolymer resists |
| JP2001318472A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法 |
| US6426177B2 (en) | 1998-08-11 | 2002-07-30 | International Business Machines Corporation | Single component developer for use with ghost exposure |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54133322A (en) * | 1978-04-07 | 1979-10-17 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Positive type ionizing radiation sensitive resist |
| JPS5615804A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-16 | Toray Ind Inc | Semipermeable composite membrane having stable selective separation capacity |
| JPS5848046A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 遠紫外線露光用レジスト材料 |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP10925083A patent/JPS602946A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54133322A (en) * | 1978-04-07 | 1979-10-17 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Positive type ionizing radiation sensitive resist |
| JPS5615804A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-16 | Toray Ind Inc | Semipermeable composite membrane having stable selective separation capacity |
| JPS5848046A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 遠紫外線露光用レジスト材料 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000010057A1 (en) * | 1998-08-11 | 2000-02-24 | International Business Machines Corporation | Single component developer for copolymer resists |
| US6270949B1 (en) | 1998-08-11 | 2001-08-07 | International Business Machines Corporation | Single component developer for copolymer resists |
| US6426177B2 (en) | 1998-08-11 | 2002-07-30 | International Business Machines Corporation | Single component developer for use with ghost exposure |
| JP2001318472A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377986B2 (ja) | 1991-12-12 |
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