JPH03182756A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH03182756A JPH03182756A JP1323024A JP32302489A JPH03182756A JP H03182756 A JPH03182756 A JP H03182756A JP 1323024 A JP1323024 A JP 1323024A JP 32302489 A JP32302489 A JP 32302489A JP H03182756 A JPH03182756 A JP H03182756A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- development
- isobutyl ketone
- methyl
- methyl isobutyl
- Prior art date
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- Granted
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
レジストパターンの形成方法に関し、
レジストの現像残を無くすることを目的とし、半導体基
板上にα−メチルスチレンとα−クロロアクリル酸メチ
ルとの共重合体よりなり、下記構造式で示されるポジ型
レジストを被覆した後、該レジストに電離放射線を照射
して該レジストを選択的に感光せしめ、現像してレジス
トパターンを形成する処理工程において、現像が終わっ
た後、四塩化炭素、キシレン、メチルイソブチルケトン
。
板上にα−メチルスチレンとα−クロロアクリル酸メチ
ルとの共重合体よりなり、下記構造式で示されるポジ型
レジストを被覆した後、該レジストに電離放射線を照射
して該レジストを選択的に感光せしめ、現像してレジス
トパターンを形成する処理工程において、現像が終わっ
た後、四塩化炭素、キシレン、メチルイソブチルケトン
。
メチルイソブチルケトンとイソプロピルアルコールの混
合液の何れか一つを使用してリンス処理を行うことを特
徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。
合液の何れか一つを使用してリンス処理を行うことを特
徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。
但し、
０〈ｍ。
ｎ＜１００
〔産業上の利用分野〕
本発明は感度を向上したレジストパターンの形成方法に
関する。
関する。
半導体集積回路は集積化が進んでＬＳＩやＶＬＳＩが実
用化されているが、これは導体線路や電極などの微細化
により実現されたものであり、現在では最少パターン幅
がｌｔ１ｍ１未満（サブミクロン）のものまで実用化さ
れている。
用化されているが、これは導体線路や電極などの微細化
により実現されたものであり、現在では最少パターン幅
がｌｔ１ｍ１未満（サブミクロン）のものまで実用化さ
れている。
こ覧で微細なレジストパターンを形成する露光光源とし
て当初は紫外線露光が行われていたが、波長による制限
から、最少線幅は１．５μ亀程度に制限されてしまう。
て当初は紫外線露光が行われていたが、波長による制限
から、最少線幅は１．５μ亀程度に制限されてしまう。
そこで、これに代わって電子線やＸ線などの電離放射線
露光が使用されるようになった。
露光が使用されるようになった。
こＸで、電子線の波長は加速電圧により異なるもの＼、
０．１入程度と格段に短いためにサブミクロン領域の微
細パターンの形成が可能となる。
０．１入程度と格段に短いためにサブミクロン領域の微
細パターンの形成が可能となる。
本発明は電子線露光を行ってレジストパターンを形成す
る際に現像残を無くして微細パターンを形成する処理方
法に関するものである。
る際に現像残を無くして微細パターンを形成する処理方
法に関するものである。
発明者等はサブミクロンパターンの形成に当たって解像
性がよく、且つドライエツチング耐性の優れたレジスト
として、上記（１）式で示すα−メチルスチレンとα−
クロロアクリル酸メチルの共重合体よりなる電子線用ポ
ジ型レジストを提案している。
性がよく、且つドライエツチング耐性の優れたレジスト
として、上記（１）式で示すα−メチルスチレンとα−
クロロアクリル酸メチルの共重合体よりなる電子線用ポ
ジ型レジストを提案している。
（特開昭６３−１３７２２７．昭和６１年１１月２９日
出Ｉｊｌ）このレジストは解像性と耐ドライエツチング
耐性については優れた性能を示しており、また適切な現
像液を使用することにより高感度化も達成することがで
きた。
出Ｉｊｌ）このレジストは解像性と耐ドライエツチング
耐性については優れた性能を示しており、また適切な現
像液を使用することにより高感度化も達成することがで
きた。
然し、非常に密度の高いパターンを形成する場合には現
像残が生じ易いと云う問題があった。
像残が生じ易いと云う問題があった。
（発明が解決しようとする課題〕
先に記したように、発明者等はα−メチルスチレンとα
−クロロアクリル酸メチルの共重合体よりなる電子線用
ポジ型レジストの使用を提案しているが、非常に高密度
のレジストパターンを形成する場合に現像残が多発し、
歩留まりが低下すると云う問題を生じていた。
−クロロアクリル酸メチルの共重合体よりなる電子線用
ポジ型レジストの使用を提案しているが、非常に高密度
のレジストパターンを形成する場合に現像残が多発し、
歩留まりが低下すると云う問題を生じていた。
そこで、この現像残を無くすることが課題である。
上記の課題は半導体基板上にα−メチルスチレンとα−
クロロアクリル酸メチルとの共重合体よりなり、下記構
造式で示されるポジ型レジストを被覆した後、このレジ
ストに電離放射線を照射してレジストを選択的に感光せ
しめ、現像してレジストパターンを形成する処理工程に
おいて、現像後に引き続いて行うリンス処理に使用する
リンス液としてレジストの未露光部を溶かし出さない程
度の溶解力をもつ溶剤例えば、四塩化炭素、キシレン、
メチルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトンとイ
ソプロピルアルコールの混合液の何れか一つを使用する
ことを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成す
ることにより解決することができる。
クロロアクリル酸メチルとの共重合体よりなり、下記構
造式で示されるポジ型レジストを被覆した後、このレジ
ストに電離放射線を照射してレジストを選択的に感光せ
しめ、現像してレジストパターンを形成する処理工程に
おいて、現像後に引き続いて行うリンス処理に使用する
リンス液としてレジストの未露光部を溶かし出さない程
度の溶解力をもつ溶剤例えば、四塩化炭素、キシレン、
メチルイソブチルケトン、メチルイソブチルケトンとイ
ソプロピルアルコールの混合液の何れか一つを使用する
ことを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成す
ることにより解決することができる。
本発明に力へり上記（１）式で表されるレジストは高感
度で用いるために非常に強い現像条件を使用している。
度で用いるために非常に強い現像条件を使用している。
このため、現像した後に窒素（Ｎｔ）ガスのブロー或い
はスピンオフなどの方法により急激に現像液を蒸発させ
て除去すると、現像液に溶解していた重合体が析出して
現像残となる。
はスピンオフなどの方法により急激に現像液を蒸発させ
て除去すると、現像液に溶解していた重合体が析出して
現像残となる。
そこで、リンス処理によって基板上にある重合体を含ん
だ現像液を洗い出した後に乾燥することが必要となる。
だ現像液を洗い出した後に乾燥することが必要となる。
こ＼でリンス液は通常、重合体を溶かさないものを使用
しているが、重合体を全く溶かさない溶液を使用する場
合は、溶解性が極端に低下するため現像残を生じる。
しているが、重合体を全く溶かさない溶液を使用する場
合は、溶解性が極端に低下するため現像残を生じる。
そこで、本発明は未露光部を溶かし出さない程度の溶解
力を持つ溶剤を使用することが望ましく、か＼る溶剤と
しては四塩化炭素、キシレン、メチルイソブチルケトン
（略称ＭＩＢＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ
）とイソプロピルアルコール（略称ＩＰ＾）の混合液の
何れかり適しており、これをリンス液として使用するこ
とにより現像残を無くすることができる。
力を持つ溶剤を使用することが望ましく、か＼る溶剤と
しては四塩化炭素、キシレン、メチルイソブチルケトン
（略称ＭＩＢＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ
）とイソプロピルアルコール（略称ＩＰ＾）の混合液の
何れかり適しており、これをリンス液として使用するこ
とにより現像残を無くすることができる。
α−メチルスチレンとα−クロロアクリル酸メチルとの
ｔｉｔ共重合体（平均重量分子量５６０００゜分散度２
．０）をＯ−ジクロロベンゼンに溶解してレジスト液を
作り、スピンコード法によりレチクル基板上に５ｏｏｏ
人の厚さに塗布し、ホットプレートで２００°Ｃで１０
分間に亙ってベーキングした後、加速電圧２０ＫＶで電
子線露光を行った。
ｔｉｔ共重合体（平均重量分子量５６０００゜分散度２
．０）をＯ−ジクロロベンゼンに溶解してレジスト液を
作り、スピンコード法によりレチクル基板上に５ｏｏｏ
人の厚さに塗布し、ホットプレートで２００°Ｃで１０
分間に亙ってベーキングした後、加速電圧２０ＫＶで電
子線露光を行った。
これをエチルベンゼンで１０分間スベレー現像を行った
後、第１表に示す溶剤をリンス液として現像残を調べた
。
後、第１表に示す溶剤をリンス液として現像残を調べた
。
第１表
その結果は第１表に示すようにキシレン、四塩化炭素、
ＭＩＢＫ、ＭＩＢＫとＩＰＡの混液をリンス液として
使用した場合には現像残はないが、アセトン。
ＭＩＢＫ、ＭＩＢＫとＩＰＡの混液をリンス液として
使用した場合には現像残はないが、アセトン。
イソオクタン、シクロヘキサン／エチルベンゼンのよう
に重合体が全く溶けない溶剤をリンス液として使用する
場合には現像残が発生した。
に重合体が全く溶けない溶剤をリンス液として使用する
場合には現像残が発生した。
なお、第１表に挙げた溶剤について、リンス時間を３０
秒に短縮した場合も結果は全く同様であった。
秒に短縮した場合も結果は全く同様であった。
以上記したようにα−メチルスチレンとα−クロロアク
リル酸メチルとの共重合体からなるレジストを現像する
場合にリンス液としてキシレン。
リル酸メチルとの共重合体からなるレジストを現像する
場合にリンス液としてキシレン。
四塩化炭素、 ？ＩＩＢＫ、？ＩＩＢＫとＩＰＡの混液
の何れかを使用することにより現像残を無くすことがで
きる。
の何れかを使用することにより現像残を無くすことがで
きる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上にα−メチルスチレンとα−クロロアクリ
ル酸メチルとの共重合体よりなり、下記構造式で示され
るポジ型レジストを被覆した後、該レジストに電離放射
線を照射して該レジストを選択的に感光せしめ、現像し
てレジストパターンを形成する処理工程において、 現像が終った後、四塩化炭素、キシレン、メチルイソブ
チルケトン、メチルイソブチルケトンとイソプロピルア
ルコールの混合液の何れか一つを使用してリンス処理を
行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） 但し、０＜ｍ、ｎ＜１００
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323024A JP2867509B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | レジストパターンの形成方法 |
| DE69032464T DE69032464T2 (de) | 1989-10-19 | 1990-10-19 | Verfahren zur Herstellung von Photolackmustern |
| EP90311533A EP0424182B1 (en) | 1989-10-19 | 1990-10-19 | Process for formation of resist patterns |
| US08/100,343 US5403699A (en) | 1989-10-19 | 1993-08-02 | Process for formation of resist patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1323024A JP2867509B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182756A true JPH03182756A (ja) | 1991-08-08 |
| JP2867509B2 JP2867509B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=18150271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1323024A Expired - Lifetime JP2867509B2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-12-13 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2867509B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163391A (ja) * | 1992-05-13 | 1994-06-10 | Soltec:Kk | レジストパターン形成方法 |
| JP2012173510A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | 有機現像処理方法及び有機現像処理装置 |
| WO2016208312A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | リンス液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP1323024A patent/JP2867509B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163391A (ja) * | 1992-05-13 | 1994-06-10 | Soltec:Kk | レジストパターン形成方法 |
| JP2012173510A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | 有機現像処理方法及び有機現像処理装置 |
| WO2016208312A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | リンス液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| JPWO2016208312A1 (ja) * | 2015-06-23 | 2018-02-22 | 富士フイルム株式会社 | リンス液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| US10599038B2 (en) | 2015-06-23 | 2020-03-24 | Fujifilm Corporation | Rinsing liquid, pattern forming method, and electronic device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2867509B2 (ja) | 1999-03-08 |
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