JPS6031032A - 半導体容量形圧力センサ - Google Patents
半導体容量形圧力センサInfo
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- JPS6031032A JPS6031032A JP13893483A JP13893483A JPS6031032A JP S6031032 A JPS6031032 A JP S6031032A JP 13893483 A JP13893483 A JP 13893483A JP 13893483 A JP13893483 A JP 13893483A JP S6031032 A JPS6031032 A JP S6031032A
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- JP
- Japan
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- electrode
- layer
- moving electrode
- semiconductor substrate
- moving
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、圧力、差圧等の被測定量に応じて１足電極に
対する移動電極が変位し、この変位ｖｃより電極間の静
電容量が変化するのを検出して圧力等を検出する半導体
容量膨圧力センｖｒｃ関するものである。
対する移動電極が変位し、この変位ｖｃより電極間の静
電容量が変化するのを検出して圧力等を検出する半導体
容量膨圧力センｖｒｃ関するものである。
容量形圧力七ンブにおいては、小型化をはかると感圧容
量の絶対値が、たとえば、５〜１５ＰＦと小さくなる。
量の絶対値が、たとえば、５〜１５ＰＦと小さくなる。
この場合、センｖｓ分に発生する浮遊容量の影響が問題
となり、通常においては、感圧容量より大きくなってし
まう。
となり、通常においては、感圧容量より大きくなってし
まう。
これ等の浮遊容量は、温度誤差、直線性の劣下となって
特性に悪影響を及ぼす。
特性に悪影響を及ぼす。
第１図、第２図は、従来より一般に使用されている従来
例の構成説明図で、第１図は平面図、第２図は側断面図
でおる。
例の構成説明図で、第１図は平面図、第２図は側断面図
でおる。
図において、１はＰ型シリコン単結晶の半導体基板であ
る。１１ は基板１に設けられ測定圧力ｐｍＩＬ ａ が導入される圧力導入孔である。２ａは基板１ａにＮ盤
シリコン単結轟膜をエピタキシャル成長させたエピタキ
シャル成長層でおる。３はエピクキシャル成長層２の一
部にＩＣ化して形成された増幅器でめる。４は透明なパ
イレックスガラスよ如なる絶縁カバーで、エピタキシャ
ル成長層２に陽極接続されている。４１ は絶縁カバー
４の増幅器３に対ａ ａ ａ 向する部分に設けられた空隙でおる。４２ａは絶縁カバ
ー４の圧力導入孔１１ に対向する位置に設け９Ｌ られた凹部でめる。５は凹部４２ａの表面にアルミ材が
蒸着されて形成された固定電極でｂる。固定電極５はエ
ピタキシャル成長層２を移動電極としａ ａ て可変静電容量Ｃを構成する。６はアルミ材が蒸ｍ ａ 着されて形成され増幅器３と固定電極５とを結ぶａ Ｂ リードでめる。７１ 、７２ は増幅器３より引き出さ
ａａ ａ れたリード層である。８１ 、８２はそれぞれリード
ａ 層７１．７２に接続された外部端子である。
る。１１ は基板１に設けられ測定圧力ｐｍＩＬ ａ が導入される圧力導入孔である。２ａは基板１ａにＮ盤
シリコン単結轟膜をエピタキシャル成長させたエピタキ
シャル成長層でおる。３はエピクキシャル成長層２の一
部にＩＣ化して形成された増幅器でめる。４は透明なパ
イレックスガラスよ如なる絶縁カバーで、エピタキシャ
ル成長層２に陽極接続されている。４１ は絶縁カバー
４の増幅器３に対ａ ａ ａ 向する部分に設けられた空隙でおる。４２ａは絶縁カバ
ー４の圧力導入孔１１ に対向する位置に設け９Ｌ られた凹部でめる。５は凹部４２ａの表面にアルミ材が
蒸着されて形成された固定電極でｂる。固定電極５はエ
ピタキシャル成長層２を移動電極としａ ａ て可変静電容量Ｃを構成する。６はアルミ材が蒸ｍ ａ 着されて形成され増幅器３と固定電極５とを結ぶａ Ｂ リードでめる。７１ 、７２ は増幅器３より引き出さ
ａａ ａ れたリード層である。８１ 、８２はそれぞれリード
ａ 層７１．７２に接続された外部端子である。
ａ
以上の構成において、圧力導入孔１１ に導入された測
定圧ｐの変化によって、エピタキシャル成長層２と固定
電極５との可変静電容量Ｃは変化す＋１ ａ ｍ る。この変化量を増幅器３によって電気信号に変換し外
部端子８１．８２ より出力することによシ、 ａ 圧力を検出することができる。
定圧ｐの変化によって、エピタキシャル成長層２と固定
電極５との可変静電容量Ｃは変化す＋１ ａ ｍ る。この変化量を増幅器３によって電気信号に変換し外
部端子８１．８２ より出力することによシ、 ａ 圧力を検出することができる。
このようなものにおいては、エピタキシャル成長層２と
増幅器３との間、また、リード６とエビａ ａ ａ タキシャル成長層２との間に絶縁をとらなければならな
い為、たとえば、エビクキシアル成長層２ＩＬをＮ型シ
リコン層とし増幅器３とリード６とをＰａ ＩＬ 型シリコン層とすることによりｐ−ｎ接合による絶縁を
はかつている。
増幅器３との間、また、リード６とエビａ ａ ａ タキシャル成長層２との間に絶縁をとらなければならな
い為、たとえば、エビクキシアル成長層２ＩＬをＮ型シ
リコン層とし増幅器３とリード６とをＰａ ＩＬ 型シリコン層とすることによりｐ−ｎ接合による絶縁を
はかつている。
しかし万がら、このようにｐ−ｎ接合による絶縁をする
と、Ｐ型とＮｆｉとの間に空乏層を生じ、との空乏層が
浮遊容量Ｃ′！ｉ−形成する。この浮遊容量Ｃは、半導
体基板１全面にわたって形成されているＳ ａ ため固定電極５とエピタキシャル成長層２とで構ＩＬ
ａ （コノ 成される可変静電容量Ｃよりも大きく、かつ、との浮遊
容量Ｃは周囲温度の変化によって変化してしまう為、正
確な圧力の測定ができない。
と、Ｐ型とＮｆｉとの間に空乏層を生じ、との空乏層が
浮遊容量Ｃ′！ｉ−形成する。この浮遊容量Ｃは、半導
体基板１全面にわたって形成されているＳ ａ ため固定電極５とエピタキシャル成長層２とで構ＩＬ
ａ （コノ 成される可変静電容量Ｃよりも大きく、かつ、との浮遊
容量Ｃは周囲温度の変化によって変化してしまう為、正
確な圧力の測定ができない。
また、このようにｐ−ｎ接合による絶縁を行っても、リ
ード層７１ と７２ との間に浮遊容量Ｃを形ａ ａ
Ｓ 成する。この浮遊容量Ｃｓは、固定電極４−エピタキシ
ャル成長層２とで構成される可変静電容量Ｃｍに並列に
入り、かつ周囲温度の変化によって変化してしまう為、
正確な圧力の測定ができない。
ード層７１ と７２ との間に浮遊容量Ｃを形ａ ａ
Ｓ 成する。この浮遊容量Ｃｓは、固定電極４−エピタキシ
ャル成長層２とで構成される可変静電容量Ｃｍに並列に
入り、かつ周囲温度の変化によって変化してしまう為、
正確な圧力の測定ができない。
本考案の目的は、浮遊容量が小さく周囲温度の変化の影
響が少い半導体容量形圧力七ン７を提供するにある。
響が少い半導体容量形圧力七ン７を提供するにある。
この目的を達成するために半導体基板と、該半導体基板
に設けられたＩＣ増幅器と、前記半導体基板にエピタキ
シャル成長によｐ形成された移動電極層と、該移動電極
層に対向して設けられ該移動電極層と可変静電容量を構
成し所要面積をなす固定電極と、前記移動電極層と前記
半導体基板との間の浮遊容量が小ざくなるように前記移
動電極層に不純物が拡算されて形成され該移動電極層の
前（４） 記固定電極に対向する所要部分のみを囲み残された他の
移動電極層から絶縁して移動電極を形成する絶縁層と、
前記半導体基板にエピタキシャル成長又は不純物拡散に
よって設けられ前記移動電極または前記固定電極と前記
ＩＣ増幅器とを接続するリードと、該リード間を絶縁す
るように不純物が拡散されて形成嘔れた絶縁体と、前記
リードの外表面に絶縁膜を介して設けられ該リードをシ
ールドする導電性のシールド膜とを具備してなる半導体
容量膨圧力センｔを構成して、半導体基板と移動電極と
の間の浮遊容量を小さくするようにすると共に、七ンプ
内のリード間の浮遊容量を小さくするようにして、周囲
温度の変化の影響を少くしたものである。
に設けられたＩＣ増幅器と、前記半導体基板にエピタキ
シャル成長によｐ形成された移動電極層と、該移動電極
層に対向して設けられ該移動電極層と可変静電容量を構
成し所要面積をなす固定電極と、前記移動電極層と前記
半導体基板との間の浮遊容量が小ざくなるように前記移
動電極層に不純物が拡算されて形成され該移動電極層の
前（４） 記固定電極に対向する所要部分のみを囲み残された他の
移動電極層から絶縁して移動電極を形成する絶縁層と、
前記半導体基板にエピタキシャル成長又は不純物拡散に
よって設けられ前記移動電極または前記固定電極と前記
ＩＣ増幅器とを接続するリードと、該リード間を絶縁す
るように不純物が拡散されて形成嘔れた絶縁体と、前記
リードの外表面に絶縁膜を介して設けられ該リードをシ
ールドする導電性のシールド膜とを具備してなる半導体
容量膨圧力センｔを構成して、半導体基板と移動電極と
の間の浮遊容量を小さくするようにすると共に、七ンプ
内のリード間の浮遊容量を小さくするようにして、周囲
温度の変化の影響を少くしたものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
第３図、第４図、第５図は、本発明の一実施例る。
図において、１はＰ型シリコン単結晶の半導体基板であ
る。１１は基板１に設けられ測定圧力ｐがｍ 導入される圧力導入孔である。２は基板１にＮＷシリコ
ン単結晶膜をエピタキシャル成長させたエピタキシャル
成長層で、移動電極層を構成する。
る。１１は基板１に設けられ測定圧力ｐがｍ 導入される圧力導入孔である。２は基板１にＮＷシリコ
ン単結晶膜をエピタキシャル成長させたエピタキシャル
成長層で、移動電極層を構成する。
３は半導体基板１に形成されたＩＣ増幅器である。
４は透明なパイレックスガラスよりなる絶縁カバーで、
エピタキシャル成長層？に陽極接続されている。２１は
エピタキシャル成長層２の圧力導入孔１１に対向する位
置に設けられ、絶縁カバー４と基準室２２を構成し、基
準圧力Ｐの導入される凹部である。４１は絶縁カバー５
の基準室２２に面する面に設けられた固定電極でａる。
エピタキシャル成長層？に陽極接続されている。２１は
エピタキシャル成長層２の圧力導入孔１１に対向する位
置に設けられ、絶縁カバー４と基準室２２を構成し、基
準圧力Ｐの導入される凹部である。４１は絶縁カバー５
の基準室２２に面する面に設けられた固定電極でａる。
４２は絶縁カバー４に設けられ固定電極４１と同心円状
に設けられた比較電極でおる。比較電極４２は固定電極
４１による検出値に対する温度補償等のために用いられ
る。４３は絶縁カバー４に設けられ、固定電極４１と比
較電極４２金囲んで設けられたガード電極で、固定電極
４１゜４１と比較電極４２とガード電極４３とに対向す
る必要最小限部分を囲み、残された他のエピタキシアル
層２から絶縁し移動電極２３を構成するリング状の絶縁
層である。絶縁層５は移動電極２３と半導体基板１との
間の浮遊容量Ｃが小さくなるように構成されている。絶
縁層５はエピタキシアル層２に不純物が拡算されてＰ型
半導体として形成されている。２４は移動電極２３と半
導体基板１との電気的接続抵抗を少くするために設けら
れた埋込みｎ層である。５１はエピタキシャル成長層２
に設けられ、Ｎ型半導体で構成され移動電極２３とＩＣ
増幅器３とを接続する接続リードである。５２．５３は
、エピタキシャル成長層２に設けられ、Ｎ型半導体で構
成され、それぞれ、ＩＣ増幅器３と固定電極４１、ＩＣ
増幅器と比較電極４２とをアルミニウム材よりなるバッ
ド６を介して接続するリードでおる。５４．５５゜５６
は、それぞれ、リード５１．５２．５３ を、エピタキ
シアル成長層２から絶縁する絶縁体で、エピタキシアル
成長層２に、不純物が拡散されて形成され、この場合は
、Ｐ型半導体で形成されている。６１〜６４はＩＣ増幅
器３に接続された外部接続端子である。
に設けられた比較電極でおる。比較電極４２は固定電極
４１による検出値に対する温度補償等のために用いられ
る。４３は絶縁カバー４に設けられ、固定電極４１と比
較電極４２金囲んで設けられたガード電極で、固定電極
４１゜４１と比較電極４２とガード電極４３とに対向す
る必要最小限部分を囲み、残された他のエピタキシアル
層２から絶縁し移動電極２３を構成するリング状の絶縁
層である。絶縁層５は移動電極２３と半導体基板１との
間の浮遊容量Ｃが小さくなるように構成されている。絶
縁層５はエピタキシアル層２に不純物が拡算されてＰ型
半導体として形成されている。２４は移動電極２３と半
導体基板１との電気的接続抵抗を少くするために設けら
れた埋込みｎ層である。５１はエピタキシャル成長層２
に設けられ、Ｎ型半導体で構成され移動電極２３とＩＣ
増幅器３とを接続する接続リードである。５２．５３は
、エピタキシャル成長層２に設けられ、Ｎ型半導体で構
成され、それぞれ、ＩＣ増幅器３と固定電極４１、ＩＣ
増幅器と比較電極４２とをアルミニウム材よりなるバッ
ド６を介して接続するリードでおる。５４．５５゜５６
は、それぞれ、リード５１．５２．５３ を、エピタキ
シアル成長層２から絶縁する絶縁体で、エピタキシアル
成長層２に、不純物が拡散されて形成され、この場合は
、Ｐ型半導体で形成されている。６１〜６４はＩＣ増幅
器３に接続された外部接続端子である。
（７）
７１は移動電極２３を覆って設けられ移動電極２３と固
定電極４１との間の電極間の誘電率とほぼ等しく、かつ
、絶縁性が高い誘電体膜で、この場合は、約１ｏｏｏ
Ｘの厚さに管理された酸化珪素膜（ｓｉｏ９）が用いら
れている。？２．７３．７４はエピタキシアル層２の外
気接触部分ヶ保護する保護膜で、この場合は、７２は酸
化珪素膜（Ｓ１０□）、７３は窒化−珪素膜（Ｓｊ３Ｎ
４）、７４は酸化珪素が用いられている。７５は、第５
図に示す如く、リード５２と５３を覆ってシールドし、
保護膜７３と７４との間に設けられたアルミニウム材よ
りなるシールド膜である。８は半導体基板１の圧力導入
孔１１が設けられている側に取付けられた、この場合は
、パイレックスガラスよりなる絶縁カバーである。
定電極４１との間の電極間の誘電率とほぼ等しく、かつ
、絶縁性が高い誘電体膜で、この場合は、約１ｏｏｏ
Ｘの厚さに管理された酸化珪素膜（ｓｉｏ９）が用いら
れている。？２．７３．７４はエピタキシアル層２の外
気接触部分ヶ保護する保護膜で、この場合は、７２は酸
化珪素膜（Ｓ１０□）、７３は窒化−珪素膜（Ｓｊ３Ｎ
４）、７４は酸化珪素が用いられている。７５は、第５
図に示す如く、リード５２と５３を覆ってシールドし、
保護膜７３と７４との間に設けられたアルミニウム材よ
りなるシールド膜である。８は半導体基板１の圧力導入
孔１１が設けられている側に取付けられた、この場合は
、パイレックスガラスよりなる絶縁カバーである。
以上の構成において、移動電極２３はエビメキシャル層
２のうち固定電極４１と比較電極４２とガード電極４３
とに対向する必要最小限部分のみで構成されるように、
絶縁層５により区切られ、工６シャル層２の他の部分か
ら絶縁されているので、エビメキシャル層２と半導体基
板１との間の浮遊容（８） 量Ｃを小さくすることができる０まだ、リード５２゜５
３はシールド膜７５と絶縁体５５．５６によシ周囲をシ
ールドされているので、リード５２とリード５３との間
等の浮遊容量Ｃを零とすることができるので、移動電極
４１と比較電極４２間の浮遊容量を最小限にすることが
できる。
２のうち固定電極４１と比較電極４２とガード電極４３
とに対向する必要最小限部分のみで構成されるように、
絶縁層５により区切られ、工６シャル層２の他の部分か
ら絶縁されているので、エビメキシャル層２と半導体基
板１との間の浮遊容（８） 量Ｃを小さくすることができる０まだ、リード５２゜５
３はシールド膜７５と絶縁体５５．５６によシ周囲をシ
ールドされているので、リード５２とリード５３との間
等の浮遊容量Ｃを零とすることができるので、移動電極
４１と比較電極４２間の浮遊容量を最小限にすることが
できる。
この結果、周囲温度の変化の影響が少ない半導体容量膨
圧力センｔｉ得ることができる。
圧力センｔｉ得ることができる。
更に、移動電極２３の表面には移動電極２３と固定電極
４１との間の電極間の誘電率とほぼ等しく、かつ絶縁性
が高い誘電体膜７１が形成されているので、可変静電容
量電極としての機能を損わずに、固定電極４１と移動電
極２３間の直流抵抗に影響を受けないものが得られる。
４１との間の電極間の誘電率とほぼ等しく、かつ絶縁性
が高い誘電体膜７１が形成されているので、可変静電容
量電極としての機能を損わずに、固定電極４１と移動電
極２３間の直流抵抗に影響を受けないものが得られる。
なお、前述の実施例においては、リード５１〜５４を、
エピタキシャル成長層２中に構成したが、半導体基板１
に不純物拡散によりシールドされたリードを構成しても
よいことは勿論でろる。
エピタキシャル成長層２中に構成したが、半導体基板１
に不純物拡散によりシールドされたリードを構成しても
よいことは勿論でろる。
なお、本考案は、ガード電極４３を使用した、いわゆる
三端子構造の静電容量検出方式を採用したものである。
三端子構造の静電容量検出方式を採用したものである。
以上説明したように、本発明によれば、周囲温度の変化
の影響が少ない半導体容量膨圧力センプを実現すること
ができる。
の影響が少ない半導体容量膨圧力センプを実現すること
ができる。
第１図、第２図は従来より一般に使用されている従来例
の構成説明図で、第１図は平面図、第２図は側断面図、
第３図、第４図、第５図は本発明の一実施例の構成説明
図で、第３図は正面図、第４図は第５図のＡ−Ａ断面図
、第５図は第５図のＢ−Ｂ断面図でるる。 １・・・半導体基板、１１・・・圧力導入孔、２・・・
エビクキクヤル成長層、２１・・・凹部、２２・・・基
準室、２３・・・移動電極、２４・・・ｎ層、３・・・
ＩＣ増幅器、４・・・絶縁カバー、４１・・・固定電極
、４２・・・比較電極、４３・・・ガード電極、５・・
・絶縁層、５１．５２．５３・・・リード、５４．５５
゜５６・・・絶縁体、６…パツド、６１．６２．６３．
６４…外部接続端子、７１・・・誘電体膜、？２．７３
．７４・・・保護膜、（１１） ＋１０
の構成説明図で、第１図は平面図、第２図は側断面図、
第３図、第４図、第５図は本発明の一実施例の構成説明
図で、第３図は正面図、第４図は第５図のＡ−Ａ断面図
、第５図は第５図のＢ−Ｂ断面図でるる。 １・・・半導体基板、１１・・・圧力導入孔、２・・・
エビクキクヤル成長層、２１・・・凹部、２２・・・基
準室、２３・・・移動電極、２４・・・ｎ層、３・・・
ＩＣ増幅器、４・・・絶縁カバー、４１・・・固定電極
、４２・・・比較電極、４３・・・ガード電極、５・・
・絶縁層、５１．５２．５３・・・リード、５４．５５
゜５６・・・絶縁体、６…パツド、６１．６２．６３．
６４…外部接続端子、７１・・・誘電体膜、？２．７３
．７４・・・保護膜、（１１） ＋１０
Claims (2)
- （１）半導体基板と、該半導体基板に設けられたＩＣ増
幅器と、前記半導体基板にエピタキシャル成長により形
成された移動電極層と、該移動電極層に対向して設けら
れ該移動電極層と可変静電容量を構成し所要面積をなす
固定電極と、前記移動電極層と前記半導体基板との間の
浮遊容量が小さくなるように前記移動電極層に不純物が
拡散されて形成され該移動電極層の前記固定電極に対向
する所要部分のみを囲み残された他の移動電極層から絶
縁して移動電極を形成する絶縁層と、前記半導体基板に
エピタキシャル成長又は不純物拡散によって設けられ前
記移動電極または前記固定電極と前記ＩＣ増幅器とを接
続するリードと、該リード間を絶縁するように不純物が
拡散されて形成された絶縁体と、前記リードの外表面に
絶縁膜を介して設けられ該リードをシールドする導電性
のシールド膜とを具備してなる半導体容量形圧力七ンブ
。 - （２）移動電極表面を固定電極との間の電極間の誘電率
と同様でかつ絶縁性の高い絶縁被覆で覆ったことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体容量膨圧力セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13893483A JPS6031032A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 半導体容量形圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13893483A JPS6031032A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 半導体容量形圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031032A true JPS6031032A (ja) | 1985-02-16 |
| JPH0420132B2 JPH0420132B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=15233556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13893483A Granted JPS6031032A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 半導体容量形圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031032A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716492A (en) * | 1986-05-05 | 1987-12-29 | Texas Instruments Incorporated | Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer |
| US4774626A (en) * | 1986-05-05 | 1988-09-27 | Texas Instruments Incorporated | Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer |
| JPS645138U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | ||
| JP2005214735A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 圧力検出装置用パッケージ |
| CN104395721A (zh) * | 2012-03-16 | 2015-03-04 | 维塔尔传感器控股有限公司 | 介电常数屏蔽 |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP13893483A patent/JPS6031032A/ja active Granted
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
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| US4774626A (en) * | 1986-05-05 | 1988-09-27 | Texas Instruments Incorporated | Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer |
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