JPS6031285A - モニタ−付半導体レ−ザ - Google Patents

モニタ−付半導体レ−ザ

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Publication number
JPS6031285A
JPS6031285A JP58139011A JP13901183A JPS6031285A JP S6031285 A JPS6031285 A JP S6031285A JP 58139011 A JP58139011 A JP 58139011A JP 13901183 A JP13901183 A JP 13901183A JP S6031285 A JPS6031285 A JP S6031285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
semiconductor laser
heat sink
monitor
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58139011A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiro Mitsunari
光成　敏博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58139011A priority Critical patent/JPS6031285A/ja
Publication of JPS6031285A publication Critical patent/JPS6031285A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H—ELECTRICITY
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  • Electromagnetism (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、モニター付半導体レーザに関するものである
。
一般に、半導体レーザを使用する際には、パッケージの
外へ放出される光ビームを主光ビームとし、パッケージ
の内側へ放出される光ビーム（以下モニター光と呼ぶ）
を光出力の監視用とするために同一パンケージ内に受光
半導体素子を内蔵する方式が採られている。
従来は、第１図に示すように、モニター光の進行方向の
延長上に受光半導体素子を設置し、光出力を監視する方
式が採用されていたが、この方式では、モニター光の一
部が受光半導体素子の表面で反射し、その反射光が主光
ビームに重畳され、雑音の原因となシ、特に雑音をきら
うビデオ・ディスクでは画像が飛ぶという不具合が生じ
る。
また、半導体レーザは、受光半導体素子に対して９０°
ずれて設置しであるので、電極を取るためボンディング
する際も、半導体レーザ側をボンディングした後ステム
を９０°回転してから受光半導体素子側のボンディング
を行なうという手間がかかった。
本発明の目的は、従来のこのような欠点を解決すること
のできるモニタ・−封手導体レーザを提供することにあ
る。
本発明によれば、５字をに加工したヒートシンクの凸部
に半導体レーザを設置し、そのヒートシンクの凸部の表
面よシ低い面に受光面が位置するようにモニター用の受
光半導体素子を設置したことを特徴とするモニター付半
導体レーザが得られる。
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は従来のパッケージ内部の断面図である。
第２図は本発明によるパッケージ内部の断面図の１例で
ある。第３図はヒートシンク部分の拡大図である。第３
図に示すように、Ｌ字賊に加工したヒートシンク３の凸
部に半導体レーザ１を設置しヒートシンク３の凸部の表
面の延長面よシ下面に受光面が位置するようにモニター
用の受光半導体素子２を設置し、従来の受光半導体素子
２の設置場所である第２図の６の箇所にモニター光のス
テムからの反射を防止するために無反射コートをほどこ
すことによシモニター光の反射による雑昔を防ぐことが
できる。
なお、半導体レーザｌの垂直方向の光ビームの放射角は
、３０°〜５０°の広がりをもつので。
受光半導体素子の受光面がヒートシンク３の凸部の表面
よシ下方に位置していれば、十分にモニター光を受光で
きるので、従来と同様に光出力の監視も可能である。
また、半導体レーザと、−受光半導体素子が同一ヒート
シンク上の同一方向の面に設置しであるので電極を取る
ためのボンディングをステムを回転することなく一度に
行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のパッケージ内の断面図である。 第２図は本発明によるモニター付半導体レーザのパッケ
ージ内の断面図である。第３図はヒートシンク部分の拡
大図である。 ｌ・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・受光半導
体素子、３・・・・・・ヒートシンク、４・・・・・・
キャップ、５・・・・・°ガラス、６・・・・・・ステ
ム（無反射コートをほどこす場所） 代理人　弁理士　内　原　−′、＝’：）＋＞：停・“
（ぐ、、゛

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. り字型に加工したヒートシンクの凸部に半導体レーザを
    設置し、前記ヒートシンクの凸部の表面よシ低い面に受
    光面が位置するようにモニター用の受光半導体素子を設
    置したことを特徴とするモニター付半導体レーザ。
JP58139011A 1983-07-29 1983-07-29 モニタ−付半導体レ−ザ Pending JPS6031285A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58139011A JPS6031285A (ja) 1983-07-29 1983-07-29 モニタ−付半導体レ−ザ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58139011A JPS6031285A (ja) 1983-07-29 1983-07-29 モニタ−付半導体レ−ザ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6031285A true JPS6031285A (ja) 1985-02-18

Family

ID=15235391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58139011A Pending JPS6031285A (ja) 1983-07-29 1983-07-29 モニタ−付半導体レ−ザ

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JP (1) JPS6031285A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5675597A (en) * 1994-11-16 1997-10-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS543660U (ja) * 1977-06-13 1979-01-11
JPS5474687A (en) * 1977-11-26 1979-06-14 Sharp Corp Monitor construction for photo semiconductor
JPS55148482A (en) * 1979-05-08 1980-11-19 Canon Inc Semiconductor laser device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS543660U (ja) * 1977-06-13 1979-01-11
JPS5474687A (en) * 1977-11-26 1979-06-14 Sharp Corp Monitor construction for photo semiconductor
JPS55148482A (en) * 1979-05-08 1980-11-19 Canon Inc Semiconductor laser device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5675597A (en) * 1994-11-16 1997-10-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device

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