JPS6327849A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6327849A JPS6327849A JP61172579A JP17257986A JPS6327849A JP S6327849 A JPS6327849 A JP S6327849A JP 61172579 A JP61172579 A JP 61172579A JP 17257986 A JP17257986 A JP 17257986A JP S6327849 A JPS6327849 A JP S6327849A
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- group
- charge
- photoreceptor
- charge transport
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B35/00—Disazo and polyazo dyes of the type A<-D->B prepared by diazotising and coupling
- C09B35/02—Disazo dyes
- C09B35/039—Disazo dyes characterised by the tetrazo component
- C09B35/24—Disazo dyes characterised by the tetrazo component the tetrazo component being a derivative of a diaryl amine
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は電子写真感光体に関し、さらに詳しくは特定の
分子構造から成るアゾ顔料を含有する感光層を有する感
光体に関する。
分子構造から成るアゾ顔料を含有する感光層を有する感
光体に関する。
「従来の技術」
従来、有機光導電体は、無機光導電体に較べて合成が容
゛易で、しかも分子設計により可視光感度に関しては感
光波長域を比較的容易に変えることができる為感色性の
コントロールができ、かつ無公害性で生産性、経済性も
無機半導体に比べ格段に優れているところから、近年各
社競って開発を急いでおり、感度、耐久性等実用のレベ
ルに達したものも少な(はないが、ま−だまだレベルア
ップが要求されている。
゛易で、しかも分子設計により可視光感度に関しては感
光波長域を比較的容易に変えることができる為感色性の
コントロールができ、かつ無公害性で生産性、経済性も
無機半導体に比べ格段に優れているところから、近年各
社競って開発を急いでおり、感度、耐久性等実用のレベ
ルに達したものも少な(はないが、ま−だまだレベルア
ップが要求されている。
一方、近年これら有機光導電体を近赤外の半導体レーザ
ーの波長(現状では75Qnm以上、特に780〜80
0nm付近が経済性、出力、感材とのマツチング等実用
上最も好ましい)にまで感光波長域を伸し、レーザープ
リンター等デジタル記録用の感光体として使用したいと
の要求も急速に高まってきた。この観点から従来の有機
光導電体を顧みるに、前出のフタロシアニン顔料、これ
を改良した米国特許第4426434号公報に示されて
いるアルミニウムフタロシアニン顔料、米国特許第44
36800号、同4439506号公報に記載のトリフ
ェニルアミン系トリスアゾ顔料、米国特許第44475
13号に示されたテトラキスアゾ顔料等が半導体レーザ
ーに光導電体として提案されている。
ーの波長(現状では75Qnm以上、特に780〜80
0nm付近が経済性、出力、感材とのマツチング等実用
上最も好ましい)にまで感光波長域を伸し、レーザープ
リンター等デジタル記録用の感光体として使用したいと
の要求も急速に高まってきた。この観点から従来の有機
光導電体を顧みるに、前出のフタロシアニン顔料、これ
を改良した米国特許第4426434号公報に示されて
いるアルミニウムフタロシアニン顔料、米国特許第44
36800号、同4439506号公報に記載のトリフ
ェニルアミン系トリスアゾ顔料、米国特許第44475
13号に示されたテトラキスアゾ顔料等が半導体レーザ
ーに光導電体として提案されている。
しかし半導体レーザー用の感光体として有機光導電体を
使用する場合は、まず感光波長域が長波長にまで伸びて
いること、次に感度、耐久性が良好であること、使用時
、温度によって半導体レーザーの波長が変わることから
、広い波長域に亘り感度が一定であること、更には生産
性の良いこと等が必要とされる。前出の有機光導電体は
これら諸条件を十分に満足するものではない。
使用する場合は、まず感光波長域が長波長にまで伸びて
いること、次に感度、耐久性が良好であること、使用時
、温度によって半導体レーザーの波長が変わることから
、広い波長域に亘り感度が一定であること、更には生産
性の良いこと等が必要とされる。前出の有機光導電体は
これら諸条件を十分に満足するものではない。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明の第1の目的は、新規な電子写真感光体を提供す
ることにある。
ることにある。
本発明の第2の目的は可視域における実用的な高感度特
性を繰り返し使用に際し、安定な電位特性を有する電子
写真感光体を提供することにある。
性を繰り返し使用に際し、安定な電位特性を有する電子
写真感光体を提供することにある。
本発明の第3の目的は新規な近赤外線用の光導電体を提
供することであり、本発明の第4の目的はレーザーコピ
ア、レーザービームプリンター等デジタル記録用感光体
に半導体レーザーを使2用するプロセスにおいて、−実
用的な高感度特性と繰り返し使用における電位特性の安
定な、電子写真感光体を提供することにある。
供することであり、本発明の第4の目的はレーザーコピ
ア、レーザービームプリンター等デジタル記録用感光体
に半導体レーザーを使2用するプロセスにおいて、−実
用的な高感度特性と繰り返し使用における電位特性の安
定な、電子写真感光体を提供することにある。
「問題点を解決するための手段」
すなわち、本発明は
一般式(1)
〔式中Ar、はアルコキシ基およびアルキル基が選ばれ
る基を1つ以上有するフェニル基、Ar2はニトロ基、
シアノ基およびハロゲン原子から選ばれる基を1つ以上
有するフェニル基R1,R2,R3゜R4+ R5+
R6+ R? + R8+ R9* R10+ R11
及びR12は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ラルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基。
る基を1つ以上有するフェニル基、Ar2はニトロ基、
シアノ基およびハロゲン原子から選ばれる基を1つ以上
有するフェニル基R1,R2,R3゜R4+ R5+
R6+ R? + R8+ R9* R10+ R11
及びR12は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ラルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基。
トリフルオロメチル基又は置換アミノ基を示す。
ただし、R5、R6、R6とR7、R7とR8、R9と
RIOlRIOとR11、R11とR12はカルバゾー
ル環の一部と共に縮合芳香環を形成してもよい〕で示さ
れる化合物を感光層に含有することを特徴とする電子写
真感光体である。
RIOlRIOとR11、R11とR12はカルバゾー
ル環の一部と共に縮合芳香環を形成してもよい〕で示さ
れる化合物を感光層に含有することを特徴とする電子写
真感光体である。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明は左右非対称のカプラ一部分を有するアゾ顔料を
感光層に含有する光導電性被膜を一要素として構成され
るが、本発明に用いられるアゾ顔料とは下記一般式(1
)で示される化合物である。
感光層に含有する光導電性被膜を一要素として構成され
るが、本発明に用いられるアゾ顔料とは下記一般式(1
)で示される化合物である。
但し、式中Arlは、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等
のアルコキシ基、および/またはメチル。
のアルコキシ基、および/またはメチル。
エチル、プロピル、ブチル等のアルキル基を1つ以上有
するフェニル基を示し、Ar2はニトロ基。
するフェニル基を示し、Ar2はニトロ基。
シアノ基および/またはフッ素、塩素、臭素、沃素等の
ハロゲン原子を1つ以上有するフェニル基を示す。R1
,R2,R3,R4,R5,R6,R7゜R8+ R9
+ RIO+ R11及びR12は水素原子、フッ素。
ハロゲン原子を1つ以上有するフェニル基を示す。R1
,R2,R3,R4,R5,R6,R7゜R8+ R9
+ RIO+ R11及びR12は水素原子、フッ素。
塩素、臭素、沃素等のハロゲン原子、メチルエチル、プ
ロピル、ブチル等のアルキル基、ベンジル。
ロピル、ブチル等のアルキル基、ベンジル。
フェネチル、ナフチルメチル等のアラルキル基。
メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基。
ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基又はジメチ
ルアミノ、ジエチルアミノ、ピペツジノ等の置換アミン
基を示す。またR5とR6、R6とR7、R7とR8、
R8とRIO5RIOとR11、R11とRI2はカル
バゾール環の一部と共に下記の如き縮合芳香環を形成し
ても構わない。
ルアミノ、ジエチルアミノ、ピペツジノ等の置換アミン
基を示す。またR5とR6、R6とR7、R7とR8、
R8とRIO5RIOとR11、R11とRI2はカル
バゾール環の一部と共に下記の如き縮合芳香環を形成し
ても構わない。
本発明による効果は、本発明に用いられるカプラー骨格
が一方はドナー性置換基、他方はアクセプター性置換基
であるところから、中心骨格の不対電子対を有するジフ
ェニルアミン構造を通して、電荷が移動し易い構造にな
っている為、光照射時のキャリア生成効率が高くなりか
つ、キャリアの搬送性も良くなることに帰因していると
思われる。
が一方はドナー性置換基、他方はアクセプター性置換基
であるところから、中心骨格の不対電子対を有するジフ
ェニルアミン構造を通して、電荷が移動し易い構造にな
っている為、光照射時のキャリア生成効率が高くなりか
つ、キャリアの搬送性も良くなることに帰因していると
思われる。
また、分子間で見ても配向性(ドナ一部、アクセプタ一
部の規則的型なり)を良くする等の効果が生じて、特に
長波長化して大きな効果をもたらすものと考えられる。
部の規則的型なり)を良くする等の効果が生じて、特に
長波長化して大きな効果をもたらすものと考えられる。
一方ペンズカルバゾール骨格は顔料の大共役系を延伸し
、かつ平面性を付与する為に不可欠な要素となっている
。
、かつ平面性を付与する為に不可欠な要素となっている
。
本発明になるアゾ顔料を用いた電子写真感光体は、いず
れも感度や、耐久使用時における電位安定性が良好であ
り、かつ感光波長域の長波長化する傾向があるが特に、
一般式(1)中のAを電子供与性の2価の有機基とした
時に長波長化は著しく、多くは750nm以上にまで感
度を有し、中には800nmを越えるものも少なくない
。
れも感度や、耐久使用時における電位安定性が良好であ
り、かつ感光波長域の長波長化する傾向があるが特に、
一般式(1)中のAを電子供与性の2価の有機基とした
時に長波長化は著しく、多くは750nm以上にまで感
度を有し、中には800nmを越えるものも少なくない
。
本発明によるアゾ顔料を有機光導電体に用いることによ
り高感度化及び/又は感度域の長波長化が達成され、そ
の結果高速の複写機や、レーザービームプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター等への適用が可能とな
り、更に安定した電位が確保される為、画像的にも安定
した美しい画像が得られる様になった。
り高感度化及び/又は感度域の長波長化が達成され、そ
の結果高速の複写機や、レーザービームプリンター、L
EDプリンター、液晶プリンター等への適用が可能とな
り、更に安定した電位が確保される為、画像的にも安定
した美しい画像が得られる様になった。
以下ニ本発明に用いられるアゾ顔料の代表例を列挙する
。
。
B Cこれ
らのアゾ顔料は、1種または2種以上組合せて用いるこ
とができる。
らのアゾ顔料は、1種または2種以上組合せて用いるこ
とができる。
本発明において用いられるこれらの顔料は、4.4′−
ジアミノジフェニルアミン又はその誘導体をまず一10
℃にて常法により当モルの亜硝酸塩で処理してジアゾニ
ウム化し、次いで一般式(2)(但し、式中のAr1*
R5+ R6+ R7及びR8は一般式(1)
で示したとおりの意味を表わす)で示されるカプラーを
当モルのアルカリの存在下に水系カップリングし、更に
、温度を0℃として再び当モルの亜硝酸塩でジアゾニウ
ム化し、次いで一般式(3)(但し、式中のAr2 +
R9+ R10+ R11及びRI2は一般式(1)
で示したとおりの意味を表わす)で示される。
ジアミノジフェニルアミン又はその誘導体をまず一10
℃にて常法により当モルの亜硝酸塩で処理してジアゾニ
ウム化し、次いで一般式(2)(但し、式中のAr1*
R5+ R6+ R7及びR8は一般式(1)
で示したとおりの意味を表わす)で示されるカプラーを
当モルのアルカリの存在下に水系カップリングし、更に
、温度を0℃として再び当モルの亜硝酸塩でジアゾニウ
ム化し、次いで一般式(3)(但し、式中のAr2 +
R9+ R10+ R11及びRI2は一般式(1)
で示したとおりの意味を表わす)で示される。
RII R12
カプラーを当モルのアルカリの存在下に水系カップリン
グするという、2段カップリング法により製造すること
ができる。
グするという、2段カップリング法により製造すること
ができる。
次に、本発明で用いるアゾ顔料の代表的な合成例を下記
に示す。
に示す。
合成例1(前記例示のアゾ顔料No、1の合成)11ビ
ーカーに水80mjl’、濃塩酸16.6mf(0,1
9モル)を入れ、冷浴で3℃に冷却しなから4,4′−
ジアミノジフェニルアミン5.75g (0,029モ
ル)を加え、撹拌しつつ液温を3℃とした。次に亜硝酸
ソーダ2.2g (0,032モル)を水5mA’に溶
かした液を液温5℃以下にコントロールしながら10分
間で滴下し、滴下終了後頁に30分撹拌した後−10℃
とした。一方llビーカーにジメチルホルムアミド20
0m1と水200mfを入れ、水酸化ナトリウム11.
4g(0,285モル)を加え、2−ヒドロキシ−3−
ベンズアジリック酸−4′−メトキシアニリド11.1
g(0,029モル)を添加して溶解した。このカプラ
ー液を一10℃に冷却し、先のジアゾニウム液中に約1
0分間にて適下し、更に1時間撹拌放置した。次に反応
液を0℃とし、濃塩酸24.9mj! (0,285モ
ル)を加え、前と同様に亜硝酸ソーダ2.2g (0,
032モル)を水5ml!に溶かした液を10分間にて
加えて再びジアゾニウム塩溶液とした。
ーカーに水80mjl’、濃塩酸16.6mf(0,1
9モル)を入れ、冷浴で3℃に冷却しなから4,4′−
ジアミノジフェニルアミン5.75g (0,029モ
ル)を加え、撹拌しつつ液温を3℃とした。次に亜硝酸
ソーダ2.2g (0,032モル)を水5mA’に溶
かした液を液温5℃以下にコントロールしながら10分
間で滴下し、滴下終了後頁に30分撹拌した後−10℃
とした。一方llビーカーにジメチルホルムアミド20
0m1と水200mfを入れ、水酸化ナトリウム11.
4g(0,285モル)を加え、2−ヒドロキシ−3−
ベンズアジリック酸−4′−メトキシアニリド11.1
g(0,029モル)を添加して溶解した。このカプラ
ー液を一10℃に冷却し、先のジアゾニウム液中に約1
0分間にて適下し、更に1時間撹拌放置した。次に反応
液を0℃とし、濃塩酸24.9mj! (0,285モ
ル)を加え、前と同様に亜硝酸ソーダ2.2g (0,
032モル)を水5ml!に溶かした液を10分間にて
加えて再びジアゾニウム塩溶液とした。
次にI!!ビーカーにジメチルホルムアミド200m1
と水200mj!を入れ、水酸化ナトリウム11.4g
(0,285モル)を加え、2−ヒドロキシ−3−ベン
ズアジリック酸−3′−ニトロアニリド11.5g (
0゜029モル)を添加して溶解し0°Cに冷却した。
と水200mj!を入れ、水酸化ナトリウム11.4g
(0,285モル)を加え、2−ヒドロキシ−3−ベン
ズアジリック酸−3′−ニトロアニリド11.5g (
0゜029モル)を添加して溶解し0°Cに冷却した。
このカプラー液中に先のジアゾニウム塩溶液を3℃以下
で30分かけて添加し、その後、室温にて2時間撹拌し
、更に1晩放置した。反応液を濾過後、水洗濾過し、固
形分換算で粗製顔料26.9gの水ペーストを得た。
で30分かけて添加し、その後、室温にて2時間撹拌し
、更に1晩放置した。反応液を濾過後、水洗濾過し、固
形分換算で粗製顔料26.9gの水ペーストを得た。
次に400mji’のN、N−ジメチルホルムアミドを
用い室温で撹拌濾過を4回繰り返した。その後、400
mj2のメチルエチルケトンでそれぞれ2回撹拌、濾過
を繰り返した後室温で減圧乾燥し精製顔料 24.7g
を得た。収率は850%であった。融点250°以上 元素分析 計算値(%) 実験値(%)
C70,7270,60 H4,124,1O N 13.98 13
.80以上、代表的な顔料の合成法について述べたが一
般式(1)で示される他のアゾ顔料も同様にして合成さ
れる。
用い室温で撹拌濾過を4回繰り返した。その後、400
mj2のメチルエチルケトンでそれぞれ2回撹拌、濾過
を繰り返した後室温で減圧乾燥し精製顔料 24.7g
を得た。収率は850%であった。融点250°以上 元素分析 計算値(%) 実験値(%)
C70,7270,60 H4,124,1O N 13.98 13
.80以上、代表的な顔料の合成法について述べたが一
般式(1)で示される他のアゾ顔料も同様にして合成さ
れる。
前述のアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従って
下達する電子写真感光体の感光層に用いることができる
。
下達する電子写真感光体の感光層に用いることができる
。
すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のアゾ顔料を適当なバインダー中に分散含有させて被膜
形成することにより感光体を調製することができる。
のアゾ顔料を適当なバインダー中に分散含有させて被膜
形成することにより感光体を調製することができる。
本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光
体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を適
用することができる。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示すアゾ顔料を含有し、且つ発
生した電荷キャリアが電荷輸送層との界面ないしは導電
性基板との界面まで効率的に輸送されるために薄膜層、
例えば5μ以下、好ましくは0.01−1μの膜厚をも
つ薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量
の大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリ
アを生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結
合や捕獲(トラップ)により失活することなく電荷輸送
層に注入する必要があることに起因している。
多くの前述の光導電性を示すアゾ顔料を含有し、且つ発
生した電荷キャリアが電荷輸送層との界面ないしは導電
性基板との界面まで効率的に輸送されるために薄膜層、
例えば5μ以下、好ましくは0.01−1μの膜厚をも
つ薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光量
の大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリ
アを生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再結
合や捕獲(トラップ)により失活することなく電荷輸送
層に注入する必要があることに起因している。
電荷発生層は、前述のアゾ顔料を適当なバインダーに分
散させ、これを基体の上に塗工することによって形成で
きる。電荷発生層を塗工によって形成する際に用いうる
バインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、ま
たポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラ
センやポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーか
ら選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルベンザール、ボリアリレート(ビスフェノール
Aとフタル酸の縮重合体など。)、ポリカーボネート、
ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アク
リル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポリ
ビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エ
ポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる
。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好
ましくは40重量%以下が適している。
散させ、これを基体の上に塗工することによって形成で
きる。電荷発生層を塗工によって形成する際に用いうる
バインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、ま
たポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラ
センやポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーか
ら選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルベンザール、ボリアリレート(ビスフェノール
Aとフタル酸の縮重合体など。)、ポリカーボネート、
ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アク
リル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポリ
ビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エ
ポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる
。電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好
ましくは40重量%以下が適している。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくまた
その下に積層されていてもよい。
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくまた
その下に積層されていてもよい。
電荷輸送、1が電荷発生層の上に形成される場合電荷輸
送層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、単に
電荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する
電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好まし
い。ここで言う「電磁波」とは、γ線、X線、紫外線、
可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する
広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバーラツ
プする時には、両者で発生した電荷キャリアが相互に捕
獲し合い、結果的には感度の低下の原因となる。
送層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、単に
電荷輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する
電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好まし
い。ここで言う「電磁波」とは、γ線、X線、紫外線、
可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する
広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバーラツ
プする時には、両者で発生した電荷キャリアが相互に捕
獲し合い、結果的には感度の低下の原因となる。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、テト
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4
,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,
5.7−チトラニトロキサントン、2.4.8− トリ
ニドロチオキサントン等の電子吸引性物質やこれら電子
吸引性物質を高分子化したもの等がある。
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、テト
ラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4
,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,
5.7−チトラニトロキサントン、2.4.8− トリ
ニドロチオキサントン等の電子吸引性物質やこれら電子
吸引性物質を高分子化したもの等がある。
正孔輸送性物質としては、ピレン、N−エチルカルバゾ
ール、N−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバゾール、NlN−ジフェニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−10−二チルフエノチア
ジン、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N 、
N−ジフェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアル
デヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、P−ジエチル
ベンズアルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2
−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビス(P−ジ
エチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、l−フェニル−3−(P−ジエチルアミノスチリル
)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、
l−〔ピリジル(2))−3−(P−ジエチルアミノス
チリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、1−(ピリジル(3):l −3−(P−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、l−〔ピリジル(2)) −3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、l−フェニル−
3−(P−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5
−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、スピロ
ピラゾリンなどのピラゾリン類、2−(P−ジエチルア
ミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオキサゾー
ル、2−(P−ジエチルアミノフェニル)−4−(P−
ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフェニル
)オキサ/−ル等のオキサゾール系化合物、2−(P−
ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンゾ
チアゾール等のチアゾール系化合物、ビス(4−ジエチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタン等の
トリアリールメタン系化合物、1.1−ビス(4−N、
N−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)へブタン、
1,1,2.2−テトラキス(4−N、 N−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)エタン等のポリアリー
ルアルカン類、トリフェニルアミン、スチルベン誘導体
、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ
−9−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムア
ルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹
脂等がある。
ール、N−メチル−N−フェニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバゾール、NlN−ジフェニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−10−二チルフエノチア
ジン、P−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N 、
N−ジフェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアル
デヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、P−ジエチル
ベンズアルデヒド−3−メチルベンズチアゾリノン−2
−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、2,5−ビス(P−ジ
エチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、l−フェニル−3−(P−ジエチルアミノスチリル
)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、
l−〔ピリジル(2))−3−(P−ジエチルアミノス
チリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、1−(ピリジル(3):l −3−(P−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(P−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、l−〔ピリジル(2)) −3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、l−フェニル−
3−(P−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5
−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、スピロ
ピラゾリンなどのピラゾリン類、2−(P−ジエチルア
ミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオキサゾー
ル、2−(P−ジエチルアミノフェニル)−4−(P−
ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフェニル
)オキサ/−ル等のオキサゾール系化合物、2−(P−
ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンゾ
チアゾール等のチアゾール系化合物、ビス(4−ジエチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタン等の
トリアリールメタン系化合物、1.1−ビス(4−N、
N−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)へブタン、
1,1,2.2−テトラキス(4−N、 N−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)エタン等のポリアリー
ルアルカン類、トリフェニルアミン、スチルベン誘導体
、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ
−9−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムア
ルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹
脂等がある。
これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。
また、これらの電荷輸送物質は、1種または2種以上組
合せて用いることができる。
合せて用いることができる。
電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁
性樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーを挙げることができる。
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、
アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニル
ブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁
性樹脂、あるいはポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーを挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、5μ〜30μであるが、好ましい範囲は8μ〜2
0μである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には
、前述した様な適当なコーティング法を用いることがで
きる。
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、5μ〜30μであるが、好ましい範囲は8μ〜2
0μである。塗工によって電荷輸送層を形成する際には
、前述した様な適当なコーティング法を用いることがで
きる。
この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム金、酸化イン
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真
空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチッ
ク(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポ
リフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、アルミ
ニウム粉末、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛、カーボン
ブラック、銀粒子など)を適当なバインダーとともにプ
ラスチック又は前記導電性基体の上に被覆した基体、導
電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や導電性ポ
リマーを有するプラスチックなどを用いることができる
。
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム金、酸化イン
ジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを真
空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチッ
ク(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポ
リフッ化エチレンなど)、導電性粒子(例えば、アルミ
ニウム粉末、酸化チタン、酸化錫、酸化亜鉛、カーボン
ブラック、銀粒子など)を適当なバインダーとともにプ
ラスチック又は前記導電性基体の上に被覆した基体、導
電性粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や導電性ポ
リマーを有するプラスチックなどを用いることができる
。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
っ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン6、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。
っ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド(ナイロン6、ナイ
ロン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど)、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。
下引層の膜厚は、0.1〜5μ、好ましくは0.5〜3
μが適当である。
μが適当である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチックフィルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視像が得
られる。これを直接定着するか、あるいはトナー像を紙
やプラスチックフィルム等に転写後、現像し定着するこ
とができる。
また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。一
方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、゛電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場合
とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。一
方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、゛電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場合
とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。
導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があり帯電後露光すると、露光部では電荷発生層におい
て生成した電子は電荷輸送層に注入されそのあと基盤に
達する。一方電荷発生層において生成した正孔は表面に
達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷電
性のトナーで現像すれば可視像が得られる。これを直接
定着するか、あるいはトナー像を紙やプラスチックフィ
ルム等に転写後現像し定着することができる。また、感
光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現像し、
定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法、定着
方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用してもよ
く、特定のものに限定されるものではない。
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があり帯電後露光すると、露光部では電荷発生層におい
て生成した電子は電荷輸送層に注入されそのあと基盤に
達する。一方電荷発生層において生成した正孔は表面に
達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正荷電
性のトナーで現像すれば可視像が得られる。これを直接
定着するか、あるいはトナー像を紙やプラスチックフィ
ルム等に転写後現像し定着することができる。また、感
光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現像し、
定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法、定着
方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用してもよ
く、特定のものに限定されるものではない。
一方、電荷輸送層が正孔輸送性物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入され、その後基盤に達する。一方電荷発生
層において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像
時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性ト
ナーを用いる必要がある。
荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔は電荷
輸送層に注入され、その後基盤に達する。一方電荷発生
層において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像
時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性ト
ナーを用いる必要がある。
本発明の別の具体例としては、前述の一般式(1)で示
されるアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有さ
せた感光体を挙げることができる。この際、前述の電荷
輸送物質の他にポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニ
トロフルオレノンからなる電荷移動錯体化合物を用いる
ことができる。この例の電子写真感光体は前述のアゾ顔
料と電荷移動錯体化合物をテトラヒドロフランに溶解さ
れたポリエステル溶液中に分散させた後、被膜形成させ
て調製できる。
されるアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有さ
せた感光体を挙げることができる。この際、前述の電荷
輸送物質の他にポリ−N−ビニルカルバゾールとトリニ
トロフルオレノンからなる電荷移動錯体化合物を用いる
ことができる。この例の電子写真感光体は前述のアゾ顔
料と電荷移動錯体化合物をテトラヒドロフランに溶解さ
れたポリエステル溶液中に分散させた後、被膜形成させ
て調製できる。
いずれの感光体においても用いる顔料は一般式(1)で
示されるアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類の顔料
を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶質であっ
てもよい。
示されるアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類の顔料
を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶質であっ
てもよい。
又、必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて使用し
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式(I)で示されるアゾ顔料を2
種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から選ば
れた電荷発生物質と組合せて使用することも可能である
。
感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を
得るなどの目的で一般式(I)で示されるアゾ顔料を2
種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料から選ば
れた電荷発生物質と組合せて使用することも可能である
。
本発明の電子写真感光体は電子写真複写機に利用するの
みならず、デジタル用電子写真複写機やレーザービーム
プリンター、CRTプリンター、LEDプリンター、液
晶プリンター、レーザー製版等の近赤外光源を用いたデ
ジタル記録システムの多数の応用分野にも広く用いるこ
とができる。
みならず、デジタル用電子写真複写機やレーザービーム
プリンター、CRTプリンター、LEDプリンター、液
晶プリンター、レーザー製版等の近赤外光源を用いたデ
ジタル記録システムの多数の応用分野にも広く用いるこ
とができる。
「実施例」
以下本発明を実施例によって説明する。
実施例1〜15
アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1.2%、アンモニア水1g、水222m!りをマイヤ
ーバーで乾燥後の膜厚が1.0μとなる様に塗布し乾燥
した。
1.2%、アンモニア水1g、水222m!りをマイヤ
ーバーで乾燥後の膜厚が1.0μとなる様に塗布し乾燥
した。
次に、前記例示のアゾ顔料No、1 5gをエタノール
、95mI!にブチラール樹脂(ブチラール化度63モ
ル%)2gを溶かした液に加え、サンドミルで2時間分
散した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾
燥後の膜厚が0.5μとなる様にマイヤーバーで塗布し
乾燥して電荷発生層を形成、した。
、95mI!にブチラール樹脂(ブチラール化度63モ
ル%)2gを溶かした液に加え、サンドミルで2時間分
散した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾
燥後の膜厚が0.5μとなる様にマイヤーバーで塗布し
乾燥して電荷発生層を形成、した。
次いで構造式
のヒドラゾン化合物5gとポリメチルメタクリレート樹
脂(数平均分子量1100000)5をベンゼン70m
j!に溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が
20μとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷
輸送層を形成し実施例1の感光体を作成した。アゾ顔料
No、1に代えて第1表に示す他の例示顔料を用い実施
例2〜15に対応する感光体を全く同様にして作成した
。
脂(数平均分子量1100000)5をベンゼン70m
j!に溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が
20μとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷
輸送層を形成し実施例1の感光体を作成した。アゾ顔料
No、1に代えて第1表に示す他の例示顔料を用い実施
例2〜15に対応する感光体を全く同様にして作成した
。
この様にして作成した電子写真感光体を静電複写紙試験
装置(川口電機■製M o d e l S P −
428)を用いてスタティック方式で一5KVでコロナ
帯電し暗所で1秒間保持した後、照度24!uxで露光
し帯電特性を調べた。帯電特性としては表面電位(vo
)と1秒間暗減衰させた時の電位をAに減衰するに必要
な露光量(8%)を測定した。
装置(川口電機■製M o d e l S P −
428)を用いてスタティック方式で一5KVでコロナ
帯電し暗所で1秒間保持した後、照度24!uxで露光
し帯電特性を調べた。帯電特性としては表面電位(vo
)と1秒間暗減衰させた時の電位をAに減衰するに必要
な露光量(8%)を測定した。
比較例1〜4
実施例1に用いた顔料の代りに予め合成した以下に示す
構造のアゾ顔料を用いて、同様に感光体を作成し、同様
に評価した。比較例1〜4までの評価結果は、実施例1
〜15の結果と共に第1表にまとめ示した。
構造のアゾ顔料を用いて、同様に感光体を作成し、同様
に評価した。比較例1〜4までの評価結果は、実施例1
〜15の結果と共に第1表にまとめ示した。
比較顔料No、 構 造第1
表 1 1 700 1.8 2 2 700 2.0 3 3 700 2.0 4 4 695 1.9 5 5 685 2.3 6 6 705 1.6 7 7 700 1.6 8 8 705 2.2 9 9 695 1.9 10 13 690 2.611 14
700 1.812 16 700
1.713 17 710 2.814
20 700 1.615 22 7
05 1.6比較例 比較アゾ顔料
V。 E3No、 例示N
o、 (V) (1! 、s
)1 1 655
8.82 2
705 6.53 3
700 5.54
4 705
5.5第1表の結果から本発明になる感光体はいずれも
十分な帯電能と十分な感度を有している事が判る。
表 1 1 700 1.8 2 2 700 2.0 3 3 700 2.0 4 4 695 1.9 5 5 685 2.3 6 6 705 1.6 7 7 700 1.6 8 8 705 2.2 9 9 695 1.9 10 13 690 2.611 14
700 1.812 16 700
1.713 17 710 2.814
20 700 1.615 22 7
05 1.6比較例 比較アゾ顔料
V。 E3No、 例示N
o、 (V) (1! 、s
)1 1 655
8.82 2
705 6.53 3
700 5.54
4 705
5.5第1表の結果から本発明になる感光体はいずれも
十分な帯電能と十分な感度を有している事が判る。
実施例16〜39
前記例示のアゾ顔料No、7 5gをメチルイソブチル
ケトン95mAにベンザール樹脂(ベンザールと重合度
500のポバールから合成、ベンザール化度70モル)
2gを溶かした液に加えサンドミルで4時間分散した。
ケトン95mAにベンザール樹脂(ベンザールと重合度
500のポバールから合成、ベンザール化度70モル)
2gを溶かした液に加えサンドミルで4時間分散した。
この分散液をアルミ板上に乾燥後の膜厚が0.5μとな
る様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を形成
した。次いで構造式のスチルベン型化合物5gとポリメ
チルメタクリレート樹脂(数平均分子fi100000
) 5gをベンゼン70m1に溶解しこれを電荷発生層
の上に乾燥後の膜厚が20μとなる様にマイヤーバーで
塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成し実施例16の感光
体を作成した。アゾ顔料No、7に代えて第2表に示す
他の例示顔料を用い実施例16に対応する感光体を全く
同様にして作成した。
る様にマイヤーバーで塗布し乾燥して電荷発生層を形成
した。次いで構造式のスチルベン型化合物5gとポリメ
チルメタクリレート樹脂(数平均分子fi100000
) 5gをベンゼン70m1に溶解しこれを電荷発生層
の上に乾燥後の膜厚が20μとなる様にマイヤーバーで
塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成し実施例16の感光
体を作成した。アゾ顔料No、7に代えて第2表に示す
他の例示顔料を用い実施例16に対応する感光体を全く
同様にして作成した。
この様にして作成した感光体を780nmの半導体レー
ザー及びそのスキャニングユニットをタングステン光源
に置きかえた静電複写紙試験装置(川口電機■製M o
d e l S P −428)の改造機を用いて
スタティック方式で一5KVでコロナ帯電し暗所で1秒
間保持した後、レーザー光で露光し帯電特性を調べた。
ザー及びそのスキャニングユニットをタングステン光源
に置きかえた静電複写紙試験装置(川口電機■製M o
d e l S P −428)の改造機を用いて
スタティック方式で一5KVでコロナ帯電し暗所で1秒
間保持した後、レーザー光で露光し帯電特性を調べた。
帯電特性としては表面電位(VO)と1秒間暗減衰させ
た時の電位を115に減衰するに必要な露光量(E11
5)を測定した。
た時の電位を115に減衰するに必要な露光量(E11
5)を測定した。
また、上記感光体の分光吸収率をユニオン技研型の瞬間
マルチ測定検出器MCPD−1ooを用いて測定し、分
光吸収波形で急峻に立ち下がりを示す波長λdと分光吸
収の800nmにおける波高と、760nmにおける波
高の比即ち(Hλ800/Hλ760)X100=F(
フラットネス)の数値をもって感光波長域の評価を行っ
た。因みにMCPD−100の測定波形と、フィルター
を交換しつつ改造前の上記M o d e I S
P −428を用いて得た感光波形とは極めてよい一致
を示す。
マルチ測定検出器MCPD−1ooを用いて測定し、分
光吸収波形で急峻に立ち下がりを示す波長λdと分光吸
収の800nmにおける波高と、760nmにおける波
高の比即ち(Hλ800/Hλ760)X100=F(
フラットネス)の数値をもって感光波長域の評価を行っ
た。因みにMCPD−100の測定波形と、フィルター
を交換しつつ改造前の上記M o d e I S
P −428を用いて得た感光波形とは極めてよい一致
を示す。
上記電位特性と感光波長域測定の結果を第2表に示す。
比較例5〜8
実施例16に用いた顔料の代りに前出の比較顔料1〜4
を用いて、同様に感光体を作成し、同様に評価した。
を用いて、同様に感光体を作成し、同様に評価した。
第2表
16 7 680 1.3 780 9317 1
680 1.3 780 9018 2 680
1.9 740 8219 3 680 1.7
750 8520 4 675
1.9 740 8021
5 665 1.6 7
50 8322 6 685
1.2 780 8923
8 665 1.1
780 9124 9 675
1.4 760 8525
10 670 1.0
780 9426 11 68
5 2.0 740 8027
12 680 2.1
740 7828 13 670
2.0 740 7729
14 680 1.1
780 9230 15 690
1.4 760 8531
16 700 1.8 74
0 8032 17 690
1.2 780 8833
18 670 2.3 740
7834 19 680
2.0 750 8235 20
680 1.2 780
9336 21 665 0.
85 780 9537 22
685 2.2 740 783
8 23 695 2.6
740 7539 24
695 1.8 760 84比較例
黒 比較アゾ顔料Nα 5 1 645 5.5
750356 2 685
18.2 600 58 4
685 7.2 650 15第2
表の結果から本発明になる感光体はいずれも十分な感度
、電位特性と、実用上760〜800nm間にフラット
な感光波長域を有していることが明らかであるが、比較
例は特に感光波長域において大きな欠陥のあることが判
る。
680 1.3 780 9018 2 680
1.9 740 8219 3 680 1.7
750 8520 4 675
1.9 740 8021
5 665 1.6 7
50 8322 6 685
1.2 780 8923
8 665 1.1
780 9124 9 675
1.4 760 8525
10 670 1.0
780 9426 11 68
5 2.0 740 8027
12 680 2.1
740 7828 13 670
2.0 740 7729
14 680 1.1
780 9230 15 690
1.4 760 8531
16 700 1.8 74
0 8032 17 690
1.2 780 8833
18 670 2.3 740
7834 19 680
2.0 750 8235 20
680 1.2 780
9336 21 665 0.
85 780 9537 22
685 2.2 740 783
8 23 695 2.6
740 7539 24
695 1.8 760 84比較例
黒 比較アゾ顔料Nα 5 1 645 5.5
750356 2 685
18.2 600 58 4
685 7.2 650 15第2
表の結果から本発明になる感光体はいずれも十分な感度
、電位特性と、実用上760〜800nm間にフラット
な感光波長域を有していることが明らかであるが、比較
例は特に感光波長域において大きな欠陥のあることが判
る。
実施例40〜47
実施例1. 3. 8. 10. 15. 22. 3
0. 35に用いた感光体を用い、繰返し使用時の明部
電位と暗部電位の変動を測定した。
0. 35に用いた感光体を用い、繰返し使用時の明部
電位と暗部電位の変動を測定した。
方法としては−5,6kVのコロナ帯電器、露光光学系
、現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り
付けて測定した。実施例1i5. 22゜30.35の
感光体については7’80 n mの半導体レーザーを
露光光学系として測定した。この複写機はシリンダーの
駆動に伴い、転写紙上に画像が得られる構造になってい
る。この複写機を用いて初期の明部電位(VL)と暗部
電位(Vn)をそれぞれ−100V。
、現像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナ
ーを備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り
付けて測定した。実施例1i5. 22゜30.35の
感光体については7’80 n mの半導体レーザーを
露光光学系として測定した。この複写機はシリンダーの
駆動に伴い、転写紙上に画像が得られる構造になってい
る。この複写機を用いて初期の明部電位(VL)と暗部
電位(Vn)をそれぞれ−100V。
−600V付近に設定して初期Vr)、 Vt、を測
定し、更に5000回使用した後のVo、 Vt、を測
定した。この結果を第3表に示す。
定し、更に5000回使用した後のVo、 Vt、を測
定した。この結果を第3表に示す。
第3表
比較例9〜10
実施例40で行ったのと同様の方法で、比較例3及び8
で作成した感光体の電位耐久特性を評価した。
で作成した感光体の電位耐久特性を評価した。
それぞれ比較例9.lOとする。
比較例10には780nmの半導体レーザーを露光光学
系とした。比較例、9は初期はVo−600VのvL−
100V テあったが連続5000回使用後VDは一5
00vに、■しは一220Vに変動した。更に比較例1
0にツイテは、初期Vl)−590V VL −10
0Vが5000回後Vo−490,Vt、280Vに変
動した。これは半導体レーザーの温度が上り、発振波長
が長波シフトして感度ダウンしたことが一因と思われる
。
系とした。比較例、9は初期はVo−600VのvL−
100V テあったが連続5000回使用後VDは一5
00vに、■しは一220Vに変動した。更に比較例1
0にツイテは、初期Vl)−590V VL −10
0Vが5000回後Vo−490,Vt、280Vに変
動した。これは半導体レーザーの温度が上り、発振波長
が長波シフトして感度ダウンしたことが一因と思われる
。
いずれにしても本発明になる感光体の電位の安定性が良
好であることは十分に理解されよう。
好であることは十分に理解されよう。
実施例48
実施例1で作成した電荷発生層の上に、2,4.7−ド
リニトロー9−フルオレイン5gとポリ−4゜4′−ジ
オキシジフェニル−2,2′−プロバンカーポート(分
子量300,000) 5gをテトラ・ヒドロフランフ
0mlに溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工量が1
0g/rrrとなる様に塗布し、乾燥した。
リニトロー9−フルオレイン5gとポリ−4゜4′−ジ
オキシジフェニル−2,2′−プロバンカーポート(分
子量300,000) 5gをテトラ・ヒドロフランフ
0mlに溶解して作成した塗布液を乾燥後の塗工量が1
0g/rrrとなる様に塗布し、乾燥した。
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様の方
法で帯電測定を行った。この時、帯電極性は■とした。
法で帯電測定を行った。この時、帯電極性は■とした。
この結果を第4表に示す。
第4表
vo ■ 660ポルト
E ’7% 2.54!ux sec実施例49
アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液(カゼイン11.2g、 28%アンモニア水Ig、
水22.2m l )を浸漬コーティング法で塗工し、
乾燥して塗工量1.0g/rrrの下引層を形成した。
液(カゼイン11.2g、 28%アンモニア水Ig、
水22.2m l )を浸漬コーティング法で塗工し、
乾燥して塗工量1.0g/rrrの下引層を形成した。
次に、前述のアゾ顔料No、18の1重量部、ブチラー
ル樹脂(エスレツクBM−2:積木化学(株制)1重量
部とイソプロピルアルコール30重量部をボールミル分
散機で4時間分散した。この分、散液を先に形成した下
引層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して電荷
発生層を形成した。この時の膜厚は0.3ミクロンであ
った。
ル樹脂(エスレツクBM−2:積木化学(株制)1重量
部とイソプロピルアルコール30重量部をボールミル分
散機で4時間分散した。この分、散液を先に形成した下
引層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して電荷
発生層を形成した。この時の膜厚は0.3ミクロンであ
った。
次に、4−ジフェニルアミノ−4′−メトキシスチルベ
ンゼン1重量部、ポリスルホン樹脂(P1700:ユニ
オンカーバイド社製)、1重量部とモノクロルベンゼン
6重量部を混合し、撹拌機で撹拌溶解した。
ンゼン1重量部、ポリスルホン樹脂(P1700:ユニ
オンカーバイド社製)、1重量部とモノクロルベンゼン
6重量部を混合し、撹拌機で撹拌溶解した。
この液を電荷発生層の上に浸漬コーティング法で塗工し
、乾燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚は、1
5ミクロンであった。
、乾燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚は、1
5ミクロンであった。
こうして調整した感光体に一5kVのコロナ放電を行な
った。この時の表面電位を測定した(初期電位VO)。
った。この時の表面電位を測定した(初期電位VO)。
さらに、この感光体を5秒間暗所で放置した後の表面電
位を測定した(暗減衰VK)。感度は、暗減衰した後の
電位Vkを各に減衰するに必要な露光量(E%マイクロ
ジュール/c r+f)を測定することによって評価し
た。この際、光源としてガリウム/アルミニウム/上素
の三元素半導体レーザー(出カニ5mW;発振波長78
0nm)を用いた。これらの結果は、次のとおりであっ
た。
位を測定した(暗減衰VK)。感度は、暗減衰した後の
電位Vkを各に減衰するに必要な露光量(E%マイクロ
ジュール/c r+f)を測定することによって評価し
た。この際、光源としてガリウム/アルミニウム/上素
の三元素半導体レーザー(出カニ5mW;発振波長78
0nm)を用いた。これらの結果は、次のとおりであっ
た。
Vo: −660ボルト
電位保持率=94%
E% 二0.9マイクロジュール/crd次に同上の半
導体レーザーを備えた反転現像方式の電子写真方式プリ
ンタであるレーザービームプリンター(キャノン製LB
P−CX)に上記感光体をLBP−CXの感光体に置き
換えてセットし、実際の画像形成テストを行った。条件
は以下の通りである。
導体レーザーを備えた反転現像方式の電子写真方式プリ
ンタであるレーザービームプリンター(キャノン製LB
P−CX)に上記感光体をLBP−CXの感光体に置き
換えてセットし、実際の画像形成テストを行った。条件
は以下の通りである。
一次帯電後の表面電位、−700V、像露光後の表面電
位、 −150V (露光量1.2 al/crrr
)、転写電位; +700V、現像剤極性;負極性、プ
ロセススピード; 50 mm/sec s現像条件(
現像バイアス) ; −450V、像露光スキャン方式
;イメージスキャン、−次帯電前露光;50j7uX−
8ecの赤色全面露光画像形成はレーザービームを文字
信号及び画像信号に従ってラインスキャンして行ったが
、文字、画像共に良好なプリントが得られた。
位、 −150V (露光量1.2 al/crrr
)、転写電位; +700V、現像剤極性;負極性、プ
ロセススピード; 50 mm/sec s現像条件(
現像バイアス) ; −450V、像露光スキャン方式
;イメージスキャン、−次帯電前露光;50j7uX−
8ecの赤色全面露光画像形成はレーザービームを文字
信号及び画像信号に従ってラインスキャンして行ったが
、文字、画像共に良好なプリントが得られた。
実施例50
アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚のポリビニルアルコールの被膜を形成した
。
ミ面上に膜厚のポリビニルアルコールの被膜を形成した
。
次に、実施例1で用いたアゾ顔料の分散液を先に形成し
たポリビニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が0.
5ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して
電荷発生層を形成した。
たポリビニルアルコール層の上に、乾燥後の膜厚が0.
5ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥して
電荷発生層を形成した。
次いで、構造式
のピラゾリン化合物5gとボリアリレート樹脂(ビスフ
ェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)
5gをテトラヒドロフラン70m1に溶かした液を電荷
発生層の上に乾燥後の膜厚が10ミクロンとなる様に塗
布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。
ェノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)
5gをテトラヒドロフラン70m1に溶かした液を電荷
発生層の上に乾燥後の膜厚が10ミクロンとなる様に塗
布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。
こうして調整した感光体の帯電特性および耐久特性を実
施例1及び実施例40と同様の方法によって測定した。
施例1及び実施例40と同様の方法によって測定した。
この結果を第5表に示す。
第5表
”o : −690V
E ’A : 2.3 l1uxIIsec耐久特性
初 期 5000枚耐久後VD
VL VD VL−600V
−100V −585V −125V第5
表の結果より感度も良(耐久使用時の電位安定性も良好
である。
VL VD VL−600V
−100V −585V −125V第5
表の結果より感度も良(耐久使用時の電位安定性も良好
である。
実施例51
厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚0.5 ミクロンの
下引層を形成した。
ニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚0.5 ミクロンの
下引層を形成した。
次に、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン5g
とポリ−N−ビルカルバゾール(数平均分子量300.
000) 5gをテトラヒドロフラン70m I!に溶
かして電荷移動錯化合物を形成した。この電荷移動錯化
合物と前記例示のアゾ顔料No、5 1gを、ポリエス
テル樹脂(バイロン東洋紡製)5gをテトラヒドロフラ
ン70m I!に溶かした液に加え、分散した。この分
散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が12ミクロンとなる
様に塗布し、乾燥した。
とポリ−N−ビルカルバゾール(数平均分子量300.
000) 5gをテトラヒドロフラン70m I!に溶
かして電荷移動錯化合物を形成した。この電荷移動錯化
合物と前記例示のアゾ顔料No、5 1gを、ポリエス
テル樹脂(バイロン東洋紡製)5gをテトラヒドロフラ
ン70m I!に溶かした液に加え、分散した。この分
散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が12ミクロンとなる
様に塗布し、乾燥した。
こうして調製した感光体の帯電特性を実施例1と同様の
方法によって測定した。この結果を第6表に示す。但し
、帯電極性はθとした。
方法によって測定した。この結果を第6表に示す。但し
、帯電極性はθとした。
第6表
■o二〇640v
E S’2 : 3.Ofux−sec実施例52
実施例1で用いたカゼイン層を施したアルミ基板のカゼ
イン層上に実施例1の電荷輸送層、電荷発生層を順次積
層し、層構成を異にする以外は実施例1と全く同様にし
て感光層を形成し、実施例1と同様に帯電測定した。但
し帯電極性を■とした。帯電極性を第7表に示す。
イン層上に実施例1の電荷輸送層、電荷発生層を順次積
層し、層構成を異にする以外は実施例1と全く同様にし
て感光層を形成し、実施例1と同様に帯電測定した。但
し帯電極性を■とした。帯電極性を第7表に示す。
第7表
■o:■635v
E ’/2 : 2.81ux・sec更に実施例40
と帯電を■にした他は同様にして耐久安定性を評価した
ところ 初 期 5000枚後
VD VL VD
VL+600V +100V
+580V +115Vであった。
と帯電を■にした他は同様にして耐久安定性を評価した
ところ 初 期 5000枚後
VD VL VD
VL+600V +100V
+580V +115Vであった。
「発明の効果」
以上から明らかな如(、本発明によれば特定のアゾ顔料
を感光層に用いることにより、当該のアゾ顔料を含む感
光層内部に於けるキャリヤー発生効率ないしはキャリヤ
ー輸送効率のいずれか一方ないしは双方が改善され感度
や耐久使用時に於ける電位安定性のすぐれた感光体が得
られる。更には長波長域にまで感度を有する優れた感光
体が得られる。
を感光層に用いることにより、当該のアゾ顔料を含む感
光層内部に於けるキャリヤー発生効率ないしはキャリヤ
ー輸送効率のいずれか一方ないしは双方が改善され感度
や耐久使用時に於ける電位安定性のすぐれた感光体が得
られる。更には長波長域にまで感度を有する優れた感光
体が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ar_1はアルコキシ基およびアルキル基から選
ばれる基を1つ以上有するフェニル基、Ar_2はニト
ロ基、シアノ基およびハロゲン原子から選ばれる基を1
つ以上有するフェニル基R_1、R_2、R_3、R_
4、R_5、R_6、R_7、R_8、R_9、R_1
_0、R_1_1及びR_1_2は水素原子、ハロゲン
原子、アルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、トリフルオロメチル基又は置換アミノ
基を示す。 ただしR_5とR_6、R_6とR_7、R_7とR_
8、R_9とR_1_0、R_1_0とR_1_1、R
_1_1とR_1_2はカルバゾール環の一部と共に縮
合芳香環を形成してもよい〕 で示される化合物を有することを特徴とする電子写真感
光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172579A JPS6327849A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 電子写真感光体 |
| US07/073,174 US4820602A (en) | 1986-07-22 | 1987-07-14 | Electrophotographic photosenitive member comprising disazo compounds having non-symetric coupler portions |
| DE19873723973 DE3723973A1 (de) | 1986-07-22 | 1987-07-20 | Elektrofotografisches, lichtempfindliches material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61172579A JPS6327849A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327849A true JPS6327849A (ja) | 1988-02-05 |
| JPH055348B2 JPH055348B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15944455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61172579A Granted JPS6327849A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4820602A (ja) |
| JP (1) | JPS6327849A (ja) |
| DE (1) | DE3723973A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1098752C (zh) * | 1996-09-09 | 2003-01-15 | 京都度器株式会社 | 裁切刀 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6174637B1 (en) | 2000-01-19 | 2001-01-16 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member and process of making |
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| JPS6143662A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Ricoh Co Ltd | ジスアゾ化合物およびその製造方法 |
| JPS61246754A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4439506A (en) * | 1981-05-28 | 1984-03-27 | Ricoh Co., Ltd. | Multilayer electrophotographic element containing a trisazo charge carrier generating substance and an anthracene or divinyl benzene charge carrier transfer substance |
| DE3230208A1 (de) * | 1982-08-13 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zur auswertung eines von einem pruefling, z.b. einer flachbaugruppe, abgegebenen testsignals |
| DE3447685A1 (de) * | 1983-12-28 | 1985-07-18 | Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Disazoverbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und ein diese verbindungen enthaltendes elektrophotographisches element |
| US4631242A (en) * | 1984-09-13 | 1986-12-23 | Mitsubishi Paper Mills, Ltd. | Bisazo electrophotographic sensitive materials with --CF3 group |
| US4702982A (en) * | 1985-05-31 | 1987-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member comprising disazo pigment |
-
1986
- 1986-07-22 JP JP61172579A patent/JPS6327849A/ja active Granted
-
1987
- 1987-07-14 US US07/073,174 patent/US4820602A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-20 DE DE19873723973 patent/DE3723973A1/de active Granted
Patent Citations (2)
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| CN1098752C (zh) * | 1996-09-09 | 2003-01-15 | 京都度器株式会社 | 裁切刀 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3723973C2 (ja) | 1990-02-08 |
| US4820602A (en) | 1989-04-11 |
| DE3723973A1 (de) | 1988-01-28 |
| JPH055348B2 (ja) | 1993-01-22 |
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