JPS6032173B2 - 画像形成法 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
- G03F7/0955—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer one of the photosensitive systems comprising a non-macromolecular photopolymerisable compound having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
-
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- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は画像形成方法に関するもので、特に光重合性材
料を用いた乾式処理による画像形成法に関するものであ
る。
料を用いた乾式処理による画像形成法に関するものであ
る。
従来、プリント配線板を作成する為に使用されるホトレ
ジスト材料としては、重クロム酸塩とグルー、ポリビニ
ルアルコール等を組合わせた感光液、ポリ桂皮酸ビニル
と光増感剤からなる感光液、天然ゴム又は環化ゴムと架
橋剤を主成分とした感光液等の、いわゆる溶液現像処理
の施される記録材料が多量に使用されて来た。
ジスト材料としては、重クロム酸塩とグルー、ポリビニ
ルアルコール等を組合わせた感光液、ポリ桂皮酸ビニル
と光増感剤からなる感光液、天然ゴム又は環化ゴムと架
橋剤を主成分とした感光液等の、いわゆる溶液現像処理
の施される記録材料が多量に使用されて来た。
更に他のホトレジスト材料としては、二枚のプラスチッ
クフィルムの間に感光層が介在するものがある。使用者
は一方のプラスチックフィルムを剥がして感光層を露出
させ、この感光層を所望のプリント配線基板に積層した
のち、残りのプラスチックフィルムを通して画像露光し
たのち、プラスチックフィルムを除去し、有機溶剤、ア
ルカリ水溶液等の適当な現像を行う。露光によって硬化
した部分はプリント配線基板上に残り、非露光部分は現
像液によって溶解除去されて、プリント回路用のレジス
トバターンが作成される。しかし、上記の如き溶液現像
型の記録材料は、現像液を使用しなければならないため
に操作が煩雑であり、しかも現像液を使用することはそ
の廃液が公衆衛生を害する恐れのある点で好ましくない
。近年、このような溶液現像型記録材料に代って、乾式
現像可能な記録材料及び方法が提案されている。
クフィルムの間に感光層が介在するものがある。使用者
は一方のプラスチックフィルムを剥がして感光層を露出
させ、この感光層を所望のプリント配線基板に積層した
のち、残りのプラスチックフィルムを通して画像露光し
たのち、プラスチックフィルムを除去し、有機溶剤、ア
ルカリ水溶液等の適当な現像を行う。露光によって硬化
した部分はプリント配線基板上に残り、非露光部分は現
像液によって溶解除去されて、プリント回路用のレジス
トバターンが作成される。しかし、上記の如き溶液現像
型の記録材料は、現像液を使用しなければならないため
に操作が煩雑であり、しかも現像液を使用することはそ
の廃液が公衆衛生を害する恐れのある点で好ましくない
。近年、このような溶液現像型記録材料に代って、乾式
現像可能な記録材料及び方法が提案されている。
即ち、特公昭38−9663号、特公階43−2290
1号、特開昭47−7728号、特公昭48−4312
6号、特関昭47−33623号の各公報に記載されて
いるように、露光部分に於けるレジスト層の支持体又は
プリント配線基板との接着の大きさが未露光部における
接着力の大きさの順序と逆になる性質を利用することに
よって画像を形成する方法である。この方法は一般的に
は薄い透明なプラスチックフィルム等の支持体の上に、
付加重合性モノマー、光重合開始剤及び結合剤からなる
光重合性組成物(感光層)が設けられ、この感光層を金
属、プラスチック板又はプラスチックフィルム、紙等の
透明又は不透明なある種の基板の上に密着して積層し、
透明支持体の上から原稿を用いて画像露光し、次に支持
体を剥がすことによって感光層の露光部分又は未露光部
分のいずれか一方を基板上又は支持体上に残こし、基板
上と支持体上に各々、原稿に対して陰画と陽画(又は陽
画と陰画)を形成する方法である。この記録方法を用い
ると、前記の溶液現像型記録材料を使用する場合に比較
して、液体による現像工程が省略され、支持体を剥離す
るだけで、レジストパターン等の画像が形成される。従
って、プリント配線板作成の工程上大中な省力化がなさ
れ、かつ廃液を出さないため公衆衛生を害する恐れがな
い。プリント配線基板上にレジストパターンを作成する
場合、レジストパターンの部分が基板、例えば鋼板をプ
ラスチック板の上に張った基板の上に、全面的に密着さ
せる場合もあるが、他方、あらかじめプリント基板を通
して穴(スルーホールとよぶ)が設けられ、基板の表、
裏両面及びスルーホールの内部表面に銅などの金属層が
配置された基板を用い、最終的に基板の表裏両面にプリ
ント回路を作成し、かつスルーホール内部表面を通して
表裏両面の回路が電気的に導通されているようなプリン
ト回路を作る場合には、レジスト膜を全面金属表面に密
着させることなく、スルーホールの上又は下に、レジス
ト膜を張ることが必要である(これをテンティングと呼
ぶ)。
1号、特開昭47−7728号、特公昭48−4312
6号、特関昭47−33623号の各公報に記載されて
いるように、露光部分に於けるレジスト層の支持体又は
プリント配線基板との接着の大きさが未露光部における
接着力の大きさの順序と逆になる性質を利用することに
よって画像を形成する方法である。この方法は一般的に
は薄い透明なプラスチックフィルム等の支持体の上に、
付加重合性モノマー、光重合開始剤及び結合剤からなる
光重合性組成物(感光層)が設けられ、この感光層を金
属、プラスチック板又はプラスチックフィルム、紙等の
透明又は不透明なある種の基板の上に密着して積層し、
透明支持体の上から原稿を用いて画像露光し、次に支持
体を剥がすことによって感光層の露光部分又は未露光部
分のいずれか一方を基板上又は支持体上に残こし、基板
上と支持体上に各々、原稿に対して陰画と陽画(又は陽
画と陰画)を形成する方法である。この記録方法を用い
ると、前記の溶液現像型記録材料を使用する場合に比較
して、液体による現像工程が省略され、支持体を剥離す
るだけで、レジストパターン等の画像が形成される。従
って、プリント配線板作成の工程上大中な省力化がなさ
れ、かつ廃液を出さないため公衆衛生を害する恐れがな
い。プリント配線基板上にレジストパターンを作成する
場合、レジストパターンの部分が基板、例えば鋼板をプ
ラスチック板の上に張った基板の上に、全面的に密着さ
せる場合もあるが、他方、あらかじめプリント基板を通
して穴(スルーホールとよぶ)が設けられ、基板の表、
裏両面及びスルーホールの内部表面に銅などの金属層が
配置された基板を用い、最終的に基板の表裏両面にプリ
ント回路を作成し、かつスルーホール内部表面を通して
表裏両面の回路が電気的に導通されているようなプリン
ト回路を作る場合には、レジスト膜を全面金属表面に密
着させることなく、スルーホールの上又は下に、レジス
ト膜を張ることが必要である(これをテンティングと呼
ぶ)。
これは、エッチングによってプリント回路を作成する時
、スルーホール内部の金属層がエッチングされるのを防
ぐためである。このようなテンティングの場合、形成さ
れるレジスト膜は、スルーホールの出口のまわりの微少
面積の部分に於いてのみ基板と密着し、膜の他の部分は
、それ自体の凝集力によってスルーホールの上に保持さ
れ、かつ通常使われているスプレー式エッチング法のス
プレー圧による機械的衝撃に耐えるに十分な強度を有す
ることが要求される。従って、レジスト膜を構成する素
材、とりわけ結合剤として用いられるポリマーの皮膜強
度等の性質が重要である。今までに剥離現像型記録材料
として提案されているものは、良質の画像を得るために
、もっぱら塩素化ポリオレフィン(特願昭48−970
49号参照)や塩素化ゴム(特関昭47一772頚参照
)などのポリマーが結合剤として用いられている。
、スルーホール内部の金属層がエッチングされるのを防
ぐためである。このようなテンティングの場合、形成さ
れるレジスト膜は、スルーホールの出口のまわりの微少
面積の部分に於いてのみ基板と密着し、膜の他の部分は
、それ自体の凝集力によってスルーホールの上に保持さ
れ、かつ通常使われているスプレー式エッチング法のス
プレー圧による機械的衝撃に耐えるに十分な強度を有す
ることが要求される。従って、レジスト膜を構成する素
材、とりわけ結合剤として用いられるポリマーの皮膜強
度等の性質が重要である。今までに剥離現像型記録材料
として提案されているものは、良質の画像を得るために
、もっぱら塩素化ポリオレフィン(特願昭48−970
49号参照)や塩素化ゴム(特関昭47一772頚参照
)などのポリマーが結合剤として用いられている。
これらのポリマーを用いたレジストは、レジストパター
ンが全面基板上に密着している場合には、十分な耐エッ
チング性を有するが、テンティング用に用いた場合には
、エッチング時のスプレー圧に耐え得る十分な皮膜強度
を有せず、基板のスルーホール上にはられたテンティン
グレジスト膜のほとんどがエッチング工程で彼嬢されて
しまうことが分つた。本発明の目的は、剥離現像型の感
光材料を用いてレジスト等のパターンを形成する場合、
良質な画像性と共に、皮膜強度、特にテンティング用に
用いうるに十分な皮膜強度をもちあわせたパターン状の
レジストを作成する新規な方法を見出すことである。
ンが全面基板上に密着している場合には、十分な耐エッ
チング性を有するが、テンティング用に用いた場合には
、エッチング時のスプレー圧に耐え得る十分な皮膜強度
を有せず、基板のスルーホール上にはられたテンティン
グレジスト膜のほとんどがエッチング工程で彼嬢されて
しまうことが分つた。本発明の目的は、剥離現像型の感
光材料を用いてレジスト等のパターンを形成する場合、
良質な画像性と共に、皮膜強度、特にテンティング用に
用いうるに十分な皮膜強度をもちあわせたパターン状の
レジストを作成する新規な方法を見出すことである。
本発明者らは、このため種々の研究を重ねた結果「本発
明をなすに至ったものである。即ち本発明は、剥離現像
型の感光材料として従来提案されているような、一つの
感光層から成るものを用いるのでなく、二層以上の感光
層を含む感光材料を用いてパタ−ンの形成を行う方法で
ある。第1図に於ける透明支持体1と基板2の間に、付
加重合性モノマ−、光重合開始剤および結合剤からなり
、これらの成分の内いずれかの成分の種類又は含有比を
互いに異にする少くとも二つの感光層、好ましくは二層
又は三層からなる感光層3が互いに隣接して設けられて
おり(この感光層3は図示した如く3,,32,・・・
・・・3n(nは2以上の整数)の各層より構成される
)禾露光状態、即ち感光層中に付加重合性モノマーが全
く未反応で残存している状態における1と3の間の接着
力をA、2と3の間の接着力をB、少くとも二つの層か
ら成る感光層3の、3・,32,33…・・・等の各層
の相互間の接着力(より詳しくは、層3が三層以上の層
からなる場合には3,,32,33・・・・・・3nそ
れぞれの界面での接着力)の中で最も小さいものをCと
し、また、十分に露光された状態、即ち感光層中に付加
重合性モノマーがほとんど残存せず、感光層がモノマー
の重合反応によってポリマーになっている硬イ幻伏態に
於ける1と3の間の接着力A′、2と3の間の接着力を
B′、少くとも二つの層から成る感光層3の各層の相互
間の接着力(よりくわしくは層3が三層以上の層からな
る場合には、それぞれの界面の接着力の中で最も小さい
もの)をC′とする時、これらの接着力の間にC>A>
B及びC′>B>A′、より好ましくは前者の場合、夫
々の界面間の接着力の順序がC′>C>B>A>B>A
′、となるような大小関係が成立つような基板上に積層
された感光材料を用い、これを画像露光してのち、支持
体を剥離して、光硬化した届3の画像を基板上に接着し
た状態で形成させ、他方、未露光部分の感光層3は支持
体に接着されたまま基板上より除去する画像形成法にお
いて、前記透明支持体はプラスチックフィルムであり、
前記基板は金属板又は感光層側の表面に金属層を有する
積層板であり、前記感光層に含まれる結合剤は付加重合
性モノマーに対して重合比で2〜0.2であり、透明支
持体に隣接する感光層の結合剤の少なくとも1つは塩素
化ポリマーであり、透明支持体に隣接しない少なくとも
1つの感光層に結合剤として塩素化ポリマーより高強度
なポリマーを少なくとも1つ含有することを特徴とする
画像形成方法である。二つ以上の層からなる感光層の各
層即ち、図面に31,32…・・・3n‐,,3nで示
した各層は、一股には、その構成成分である付加重合性
モノマー、光重合開始剤、結合剤などの成分の種類や或
いはそれらの含有比が異っているが、本発明の目的から
して、特に結合剤ポリマーの種類またはそれらの含有比
が異る場合が一般的である。
明をなすに至ったものである。即ち本発明は、剥離現像
型の感光材料として従来提案されているような、一つの
感光層から成るものを用いるのでなく、二層以上の感光
層を含む感光材料を用いてパタ−ンの形成を行う方法で
ある。第1図に於ける透明支持体1と基板2の間に、付
加重合性モノマ−、光重合開始剤および結合剤からなり
、これらの成分の内いずれかの成分の種類又は含有比を
互いに異にする少くとも二つの感光層、好ましくは二層
又は三層からなる感光層3が互いに隣接して設けられて
おり(この感光層3は図示した如く3,,32,・・・
・・・3n(nは2以上の整数)の各層より構成される
)禾露光状態、即ち感光層中に付加重合性モノマーが全
く未反応で残存している状態における1と3の間の接着
力をA、2と3の間の接着力をB、少くとも二つの層か
ら成る感光層3の、3・,32,33…・・・等の各層
の相互間の接着力(より詳しくは、層3が三層以上の層
からなる場合には3,,32,33・・・・・・3nそ
れぞれの界面での接着力)の中で最も小さいものをCと
し、また、十分に露光された状態、即ち感光層中に付加
重合性モノマーがほとんど残存せず、感光層がモノマー
の重合反応によってポリマーになっている硬イ幻伏態に
於ける1と3の間の接着力A′、2と3の間の接着力を
B′、少くとも二つの層から成る感光層3の各層の相互
間の接着力(よりくわしくは層3が三層以上の層からな
る場合には、それぞれの界面の接着力の中で最も小さい
もの)をC′とする時、これらの接着力の間にC>A>
B及びC′>B>A′、より好ましくは前者の場合、夫
々の界面間の接着力の順序がC′>C>B>A>B>A
′、となるような大小関係が成立つような基板上に積層
された感光材料を用い、これを画像露光してのち、支持
体を剥離して、光硬化した届3の画像を基板上に接着し
た状態で形成させ、他方、未露光部分の感光層3は支持
体に接着されたまま基板上より除去する画像形成法にお
いて、前記透明支持体はプラスチックフィルムであり、
前記基板は金属板又は感光層側の表面に金属層を有する
積層板であり、前記感光層に含まれる結合剤は付加重合
性モノマーに対して重合比で2〜0.2であり、透明支
持体に隣接する感光層の結合剤の少なくとも1つは塩素
化ポリマーであり、透明支持体に隣接しない少なくとも
1つの感光層に結合剤として塩素化ポリマーより高強度
なポリマーを少なくとも1つ含有することを特徴とする
画像形成方法である。二つ以上の層からなる感光層の各
層即ち、図面に31,32…・・・3n‐,,3nで示
した各層は、一股には、その構成成分である付加重合性
モノマー、光重合開始剤、結合剤などの成分の種類や或
いはそれらの含有比が異っているが、本発明の目的から
して、特に結合剤ポリマーの種類またはそれらの含有比
が異る場合が一般的である。
本発明の主たる目的の1つは既に上記した如く、スルー
ホールを有するプリント基板においてそのスルーホール
部におけるレジストの皮膜強度が、プリント基板上のレ
ジストされていない部分の金属(多くの場合銅)メッキ
部分をエッチングするためのエッチング処理に耐え得る
レジストパターンを剥離現像法によって形成することに
ある。
ホールを有するプリント基板においてそのスルーホール
部におけるレジストの皮膜強度が、プリント基板上のレ
ジストされていない部分の金属(多くの場合銅)メッキ
部分をエッチングするためのエッチング処理に耐え得る
レジストパターンを剥離現像法によって形成することに
ある。
この目的のためにレジスト層に要求される性質は既に特
願昭48−97049号において詳述される如く、良質
なるプリント配線パターンを形成するためには剥離現像
時、基板側に残留するレジスト層と基板との間の接着力
が十分大きくて剥離現像時、剥離されるレジスト部分に
影響されて決して部分的にも残留すべきレジスト層が基
板より剥離することがないことが必要である。又反対に
残留すべきレジスト層の剥離除去される支持体フィルム
との間の接着力は十分に小さいことが必要である。更に
又、露光部分と未露光部分の境界線部において非常に鋭
くレジストが破壊されて、基板に残留するレジストの画
線がキレのよい線状に画像現像されることが望ましい。
か)る画線のキレがよい画像を与える如きレジスト層は
、従釆の我々の研究によれば、往々にしてテンテイング
膜強度においては劣りスルーホール部におけるレジスト
がエッチング過程において破れることが経験された。上
記の欠点を改良することが本発明の一つの目的である。
願昭48−97049号において詳述される如く、良質
なるプリント配線パターンを形成するためには剥離現像
時、基板側に残留するレジスト層と基板との間の接着力
が十分大きくて剥離現像時、剥離されるレジスト部分に
影響されて決して部分的にも残留すべきレジスト層が基
板より剥離することがないことが必要である。又反対に
残留すべきレジスト層の剥離除去される支持体フィルム
との間の接着力は十分に小さいことが必要である。更に
又、露光部分と未露光部分の境界線部において非常に鋭
くレジストが破壊されて、基板に残留するレジストの画
線がキレのよい線状に画像現像されることが望ましい。
か)る画線のキレがよい画像を与える如きレジスト層は
、従釆の我々の研究によれば、往々にしてテンテイング
膜強度においては劣りスルーホール部におけるレジスト
がエッチング過程において破れることが経験された。上
記の欠点を改良することが本発明の一つの目的である。
数多くの研究の結果、支持体フィルムに直ちに隣接する
レジスト層(3,層)或いは基板に直ちに隣接するレジ
スト層3nにおいてシャープにレジスト層がパターン状
に破断された場合、それに隣接する32以下、3n‐,
までのレジスト層はそれ等の皮膜強度がエッチング過程
においてエッチング液のスプレーによって叩かれた場合
にも破壊されないようなテンティング膜強度を有するが
如き皮膜強度の強いレジスト層であっても、極めて良好
な画線のキレを示すことが判明した。従って、支持体フ
ィルムに隣接するレジスト層或いは基板に隣接するレジ
スト層の少くとも一層には剥離現像時、画像のキレのよ
いが皮膜強度としては必ずしもテンティング皮膜を形成
した時エッチング処理には耐え得ないが如きレジスト組
成の層を設け、それに隣接して少くとも1層の皮膜強度
の十分に大きいレジスト組成の層を設けて、これらの積
層構造を一体として画線のキレの良い、且つテンティン
グ皮膜強度の大きいレジスト層を構成せしめることに成
功した。感光層を構成する付加重合性モノマーとしては
、付加重合性不飽和結合性を少くとも一固有するモノマ
ーならば使用することができる。
レジスト層(3,層)或いは基板に直ちに隣接するレジ
スト層3nにおいてシャープにレジスト層がパターン状
に破断された場合、それに隣接する32以下、3n‐,
までのレジスト層はそれ等の皮膜強度がエッチング過程
においてエッチング液のスプレーによって叩かれた場合
にも破壊されないようなテンティング膜強度を有するが
如き皮膜強度の強いレジスト層であっても、極めて良好
な画線のキレを示すことが判明した。従って、支持体フ
ィルムに隣接するレジスト層或いは基板に隣接するレジ
スト層の少くとも一層には剥離現像時、画像のキレのよ
いが皮膜強度としては必ずしもテンティング皮膜を形成
した時エッチング処理には耐え得ないが如きレジスト組
成の層を設け、それに隣接して少くとも1層の皮膜強度
の十分に大きいレジスト組成の層を設けて、これらの積
層構造を一体として画線のキレの良い、且つテンティン
グ皮膜強度の大きいレジスト層を構成せしめることに成
功した。感光層を構成する付加重合性モノマーとしては
、付加重合性不飽和結合性を少くとも一固有するモノマ
ーならば使用することができる。
このようなモノマーとしては、例えばアクリル酸ェステ
ル類、アクリルアミド類、メタクリル酸ヱステル類、メ
タクリルアミド類、アリル化合物、ビニルヱーテル類、
N−ビニル化合物、スチレン類、クロトン酸、ェステル
類などがある。またアクリル酸又はメタクリル酸、多塩
基酸および多価アルコールをェステル化反応させて得ら
れるものであってポリエステル(メタ)アクリレートと
称され、推定構造式が次の一般式‘1)で表わされる一
群の化合物も本発明にモノマーとして好適に用いられる
。但し、Rは水素原子又はメチル基を表わし、×は、多
価アルコールと多塩基酸から成る、少くとも1つのェス
テル結合を含むェステル酸基を表わし、nは1〜6の整
数である。
ル類、アクリルアミド類、メタクリル酸ヱステル類、メ
タクリルアミド類、アリル化合物、ビニルヱーテル類、
N−ビニル化合物、スチレン類、クロトン酸、ェステル
類などがある。またアクリル酸又はメタクリル酸、多塩
基酸および多価アルコールをェステル化反応させて得ら
れるものであってポリエステル(メタ)アクリレートと
称され、推定構造式が次の一般式‘1)で表わされる一
群の化合物も本発明にモノマーとして好適に用いられる
。但し、Rは水素原子又はメチル基を表わし、×は、多
価アルコールと多塩基酸から成る、少くとも1つのェス
テル結合を含むェステル酸基を表わし、nは1〜6の整
数である。
付加重合性不飽和結合を1個有する化合物の具体例とし
ては、アクリル酸ェステル類、例えば、アクリル酸、ア
ルキルアクリレート(例えばアクリル酸プロピル、アク
リル酸プチル、アクリル酸アミル、アクリル酸エチルヘ
キシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−t−オクチ
ル、クロルェチルアクリレート、ヒドロキシエチルアク
リレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、2・2−
ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒドロ
キシベンチルアクリレ−ト、ジエチレングリコールモノ
アクリレート、トリメチルプロパンモノアクリレート、
ベンタエリスリトールモノアクリレート、グリシジルア
クリレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジル
アクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、など)、アリールアクリレー
ト(例えばフェニルアクリレートなど):.メタクリル
酸ェステル類、例えば、メタクリル酸、アルキルメタア
クリレート(例えばメチルメタクリレート、エチルメタ
クリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメ
タクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタク
リレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメ
タクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチ
ルメタクリレート、NーエチルーN−フエニルアミノエ
チルメタクリレート、エチレングリコールモノメタクリ
レート、2ーヒドロキシエチルメタクリレート、3ーヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、2ーヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、4ーヒドロキシブチルメタクリレ
ート、5ーヒドロキシベンチルメタクリレート、2・2
ージメチルー3ーヒドロキシプロピルメタクリレート、
ジエチレングリコールモノメタクリレ−ト、トリメチロ
ールプロパンモノメタクリレート、ベンタエリスリトー
ルモノメタクリレート、グリシジルメタクリレート、フ
ルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルアク
YJレートなど)、アリールメタクリレート(例えば、
フェニルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナ
フチルメタクリレートなど):アクリルアミド類、例え
ばアクリルアミド、Nーアルキルアクリルアミド、(該
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ブロ
ピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシメチ
ル基、ヒドロキシェチル基、ペンジル基などがある。
ては、アクリル酸ェステル類、例えば、アクリル酸、ア
ルキルアクリレート(例えばアクリル酸プロピル、アク
リル酸プチル、アクリル酸アミル、アクリル酸エチルヘ
キシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−t−オクチ
ル、クロルェチルアクリレート、ヒドロキシエチルアク
リレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、2・2−
ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒドロ
キシベンチルアクリレ−ト、ジエチレングリコールモノ
アクリレート、トリメチルプロパンモノアクリレート、
ベンタエリスリトールモノアクリレート、グリシジルア
クリレート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジル
アクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、など)、アリールアクリレー
ト(例えばフェニルアクリレートなど):.メタクリル
酸ェステル類、例えば、メタクリル酸、アルキルメタア
クリレート(例えばメチルメタクリレート、エチルメタ
クリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメ
タクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタク
リレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメ
タクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチ
ルメタクリレート、NーエチルーN−フエニルアミノエ
チルメタクリレート、エチレングリコールモノメタクリ
レート、2ーヒドロキシエチルメタクリレート、3ーヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、2ーヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、4ーヒドロキシブチルメタクリレ
ート、5ーヒドロキシベンチルメタクリレート、2・2
ージメチルー3ーヒドロキシプロピルメタクリレート、
ジエチレングリコールモノメタクリレ−ト、トリメチロ
ールプロパンモノメタクリレート、ベンタエリスリトー
ルモノメタクリレート、グリシジルメタクリレート、フ
ルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルアク
YJレートなど)、アリールメタクリレート(例えば、
フェニルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナ
フチルメタクリレートなど):アクリルアミド類、例え
ばアクリルアミド、Nーアルキルアクリルアミド、(該
アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ブロ
ピル基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシメチ
ル基、ヒドロキシェチル基、ペンジル基などがある。
)、N−アリールアクリルアミド(該アリ−ル基として
は、例えばフェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、
ナフチル基、ヒドロキシフェニル基などがある。)、N
・N−ジアルキルアクリルアミド(該アルキル基として
は、メチル基、エチル基、ブチル基、ィソブチル基、エ
チルヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。)N・
Nージアリールアクリルアミド(核アリール基としては
、例えばフェニル基などがある。
は、例えばフェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、
ナフチル基、ヒドロキシフェニル基などがある。)、N
・N−ジアルキルアクリルアミド(該アルキル基として
は、メチル基、エチル基、ブチル基、ィソブチル基、エ
チルヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。)N・
Nージアリールアクリルアミド(核アリール基としては
、例えばフェニル基などがある。
)、N−メチル一N−フエニルアクリルアミド、N−ヒ
ドロキシエチルーN−メチルアクリルアミド、N一2ー
アセトアミドエチル一N−アセチルアクリルアミドなど
:メタクリルアミド類、例えばメタクリルアミド、N−
アルキルメタクリルアミド(該アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、t−プチル基、エチルヘキシル基、
ヒドロキシヱチル基、シクロヘキシル基などがある。)
、Nーアリールメタクリルアミド(該アリール基として
は、フェニル基などがある。)、N・Nージアルキルメ
タクリレート(該ァルキル基としては、エチル基、ブロ
ピル基へ ブチル基などがある。)、N・N−ジアリー
ルメタクリルアミド(該アリール基としては、フヱニル
基などがある。)、Nーヒドロキシエチル−Nーメチル
メタクリルアミド、N−メチル一N−フエニルメタクリ
ルアミド、Nーエチル−Nーフエニルメタクリルアミド
など:アリル化合物、例えばアリルェステル類(例えば
酢酸アリル、カブロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラ
ウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸ア
リル、安息香酸ァリル、ァセト酢酸アリル、乳酸アリル
など)、アリルオキシエタノールなど:ビニルェーテル
類、例えばアルキルビニルェーテル(例えばへキシルビ
ニルェーテル、オクチルビニルエーテル、デーシルビニ
ルエーテル、エチルへキシルビニルエーテル、メトキシ
ヱチルビニルエーテル、エトキシヱチルビニルエーテル
、クロロヱチルビニルエーテル、1ーメチル−2・2−
ジメチルプロピルビニルエーテル、2一エチルプチルエ
ーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレン
グリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニ
ルエーテル、ジエチルアミノエチルビニノレエーテ′レ
、ブチルアミノエチルピニルエーテル、ペンジルピニル
エーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテルなど
)、ビニルアリールェーテル(例えばピニルフェニルェ
ーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロルフエニル
エーテル、ビニルー2・4ージクロルフエニルエーテル
、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルェーテ
ルなど):ビニルェステル類、例えばビニルプチレート
、ビニルイソブチレート、ピニルトリメチルアセテート
、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレレート、ビニ
ルカプロエート、ピニルクロルアセテート、ビニルジク
ロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブ
トキシアセテート、ビニルフエニルアセテ−ト、ビニル
アセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−8−フ
エニルブチレート、ピニルシクロヘキシルカルボキシレ
ート、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロル安息
香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトェ酸
ビニルなど:Nービニル化合物、例えばN−ビニルオキ
サゾリドン、Nービニルイミダゾール、Nービニルピロ
リドン、Nービニルカルバゾール、Nービニルェチルア
セトアミドなど、スチレン類、例えばスチレン、アルキ
ルスチレン(例えばメチルスチレン、ジメチルスチレン
、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチ
レン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシ
ルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デーシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど)、アルコキシスチレン(例
えばメトキシスチレン、4ーメトキシ−3ーメチルスチ
レン、ジメトキシスチレンなど)、ハロゲノスチレン(
例えばクロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロル
スチレン、テトラクロルスチレン、ベンタクロルスチレ
ン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレ
ン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2ーフ
ロム−4ートリフルオルメチルスチレン、4ーフルオル
ー3−トリフルオルメチルスチレンなど)、カルポキシ
スチレン類(例えば、ビニル安息香酸、ビニル安息香酸
メチルェステルなど):クロトン酸ェステル類、例えば
、クロトン酸アルキル(例えばクロトン酸プチル、クロ
トン酸へキシル、グリセリンモノクロトネートなど)、
ポリエステル(メタ)アクリレート(例えば構造式Y−
OCH2CH200C−CH=CH−COO−CQCH
20日、Y−○(CQCH20チ20C−C6日4−C
OOfOCH2C比)20日で表わされる化合物など。
ドロキシエチルーN−メチルアクリルアミド、N一2ー
アセトアミドエチル一N−アセチルアクリルアミドなど
:メタクリルアミド類、例えばメタクリルアミド、N−
アルキルメタクリルアミド(該アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、t−プチル基、エチルヘキシル基、
ヒドロキシヱチル基、シクロヘキシル基などがある。)
、Nーアリールメタクリルアミド(該アリール基として
は、フェニル基などがある。)、N・Nージアルキルメ
タクリレート(該ァルキル基としては、エチル基、ブロ
ピル基へ ブチル基などがある。)、N・N−ジアリー
ルメタクリルアミド(該アリール基としては、フヱニル
基などがある。)、Nーヒドロキシエチル−Nーメチル
メタクリルアミド、N−メチル一N−フエニルメタクリ
ルアミド、Nーエチル−Nーフエニルメタクリルアミド
など:アリル化合物、例えばアリルェステル類(例えば
酢酸アリル、カブロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラ
ウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸ア
リル、安息香酸ァリル、ァセト酢酸アリル、乳酸アリル
など)、アリルオキシエタノールなど:ビニルェーテル
類、例えばアルキルビニルェーテル(例えばへキシルビ
ニルェーテル、オクチルビニルエーテル、デーシルビニ
ルエーテル、エチルへキシルビニルエーテル、メトキシ
ヱチルビニルエーテル、エトキシヱチルビニルエーテル
、クロロヱチルビニルエーテル、1ーメチル−2・2−
ジメチルプロピルビニルエーテル、2一エチルプチルエ
ーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレン
グリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニ
ルエーテル、ジエチルアミノエチルビニノレエーテ′レ
、ブチルアミノエチルピニルエーテル、ペンジルピニル
エーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテルなど
)、ビニルアリールェーテル(例えばピニルフェニルェ
ーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロルフエニル
エーテル、ビニルー2・4ージクロルフエニルエーテル
、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルェーテ
ルなど):ビニルェステル類、例えばビニルプチレート
、ビニルイソブチレート、ピニルトリメチルアセテート
、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレレート、ビニ
ルカプロエート、ピニルクロルアセテート、ビニルジク
ロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブ
トキシアセテート、ビニルフエニルアセテ−ト、ビニル
アセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−8−フ
エニルブチレート、ピニルシクロヘキシルカルボキシレ
ート、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロル安息
香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトェ酸
ビニルなど:Nービニル化合物、例えばN−ビニルオキ
サゾリドン、Nービニルイミダゾール、Nービニルピロ
リドン、Nービニルカルバゾール、Nービニルェチルア
セトアミドなど、スチレン類、例えばスチレン、アルキ
ルスチレン(例えばメチルスチレン、ジメチルスチレン
、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチ
レン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシ
ルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デーシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど)、アルコキシスチレン(例
えばメトキシスチレン、4ーメトキシ−3ーメチルスチ
レン、ジメトキシスチレンなど)、ハロゲノスチレン(
例えばクロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロル
スチレン、テトラクロルスチレン、ベンタクロルスチレ
ン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレ
ン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2ーフ
ロム−4ートリフルオルメチルスチレン、4ーフルオル
ー3−トリフルオルメチルスチレンなど)、カルポキシ
スチレン類(例えば、ビニル安息香酸、ビニル安息香酸
メチルェステルなど):クロトン酸ェステル類、例えば
、クロトン酸アルキル(例えばクロトン酸プチル、クロ
トン酸へキシル、グリセリンモノクロトネートなど)、
ポリエステル(メタ)アクリレート(例えば構造式Y−
OCH2CH200C−CH=CH−COO−CQCH
20日、Y−○(CQCH20チ20C−C6日4−C
OOfOCH2C比)20日で表わされる化合物など。
但しYはC比=CH−CO−基又は基を表わす。
)がある。
次に、付加重合性不飽和結合を2個以上有する化合物の
具体例を示するが、これらは上記付加重合性不飽和結合
を1個有する化合物よりも、好適に使用される。
具体例を示するが、これらは上記付加重合性不飽和結合
を1個有する化合物よりも、好適に使用される。
先ずアクリル酸ェステル類及びメタクリル酸ェステル類
としては、多価アルコールのポリァクリレート類及びポ
リメタクリレート類(ここで「ポリ」とはジアクリレー
ト以上を指す。)がある。上記多価アルコールとしては
、ポリエチレングリコール、ポリプロピレンオキサイド
、プリブチレンオキサイド、ポリシクロヘキセンオキサ
イド、ポリエチレンオキサイドブロピレンオキサイド、
ポリスチレンオキサイド、ポリオキセタン、ポリテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサン・ジオール、キシリレン
・ジオール、ジ(8−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、
グリセリン、ジグリセリン、ネオベンチルグリコール、
トリメチルロールプロパン、トリエチロールプロパン、
ペンタエリスリトール、ジベンタエリスリトール、ソル
ビタン、ソルビトール、ブタンジオール、ブタントリオ
ール、2−ブテン−114ージオール、2一n−ブチル
−2−エチループロ/ぐンジオール、2ーブチン−1・
4ージオール、3ークロル−1・2−プロ/ゞンジオー
ル、104−シクロヘキサンジメタノール、3−シクロ
ヘキセン−111−ジメタノール、デカリンジオール、
2・3ージブロム−2−ブテン−1・4ージオール、2
・2−ジエチルー113−プロパンジオール、1・5−
ジヒドロキシ−112・314ーテトラヒドロナフタレ
ン、2・5ージメチル−205ーヘキサンジオール、2
・2−ジメチルー113−プロパンジオール、212−
ジフエニル−1・3−プロ/fンジオール、ドデカンジ
オール、メゾヱリスリトール、2−エチル一1・3−へ
キサンジオール、2−エチル−2−(ヒドロキシメチル
)一113−プロパンジオール、2ーエチル−2−メチ
ル一1・3−プロパンジオール、ヘプタンジオール、ヘ
キサンジオール、3−へキセンー2・5−ジオール、ヒ
ドロキシベンジルアルコール、ヒドロキシエチルレゾル
シノール、2−メチル−1・4−ブタンジオール、2−
メチル−2・4−ペンタンジオール、ノナンジオール、
オクタンジオール、ベンタンジオール、1ーフヱニル−
1・2−エタソジオール、プロ/ぐンジオール、2・2
・4・4ーテトラメチルー113−シクロブタンジオー
ル、2・3・5・6ーテトラメチル−p−キシレンーQ
・Q′ージオール、1・1・4・4−テトラフエニルー
1・4ーブタンジオール、1・1・414−テトラフエ
ニルー2ーブチンー1・4−ジオール、1・2・6ート
リヒドロキシヘキサン、1・1′ービー2ーナフト−ル
、ジヒドロキシナフタレン、1・1′ーメチレンジー2
−ナフトール、1・214−ベンゼントリオール、ビフ
エノール、2・2−ビス(4ーヒドロキフエニル)ブタ
ン、1・1ービス(4−ヒドロキシフエニル)シクロヘ
キサン、ビス(ヒドロキシフエニル)メタン、力テコー
ル、4一クロルレゾルシノール、3・4ージヒドロキシ
ハイドロシンナミツクアシツド、ハイドロキノン、ヒド
ロキシベンジルアルコール、メチルハイドロキノン、メ
チル−2・416ートリヒドロキシベンゾエート、フロ
ログルシノール、ピロガロール、レゾルシノール、グル
コース、Q−(1ーアミノヱチル)−pーヒドロキシベ
ンジルアルコール「2−アミノー2ーエチルー1・3ー
プロ/ぐンジオール、2−アミノ−2ーメチル−1・3
ーフ。ロ/ぐンジオール、3ーアミノー1・2ープ。パ
ンジオール、N一(3−アミノプロピル)−ジエタノー
ルアミン、N・N′ービス−(2−ヒドロキシエチル)
ピベラジン、2・2−ビス(ヒドロキシメチル)2・2
・〆一二トリロトリエタノール、2・2−ビス(ヒドロ
キシメチル)プロピオニツクアシツド、1・3ービス(
ヒドロキシメチル)ウレア、112−ビス(4−ピリジ
ル)−1・2ーエタンジオール、N一n.ーブチルジエ
タノールアミン、ジエタノールアミン、N−エチルジエ
タノールアミン、3ーメルカプトー1・2ープロパンジ
オール、3ーピベリジノー112ープロパンジオール、
2−(2ーピリジル)−113−プロパンジオール、ト
リエタノールアミン「Q一(1−アミノエチル)−pー
ヒドロキシベンジルアルコール、3ーアミノ−4ーヒド
ロキシフエニル・スルホンなどがある。これらのアクリ
ル酸ェステル類、及びメタクリル酸ェステル類のうち、
最も好ましいものは、その入手の容易さから、エチレン
グリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメ
タクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート
、ベンタエリスリトールトリアクリレート、ベンタエリ
スリトールジメタクリレート、ジベンタエリスリトール
ベンタアクリレート、グリセリントリアクリレート、ジ
グリセリンジメタクリレート、1・3−プロ/ぐンジオ
ールジアクリレート、102・4ーブタントリオールト
リメタクリレート、1・4ーシクロヘキサンジオールジ
アクリレート、1・5−ペンタンジオールジアクリレー
ト、ネオベンチルグリコールジアクリレート、エチレン
オキサィド付加したトリメチロールプロパンのトリアク
リル酸ェステル等である。一方、アクリルアミド類、及
びメタクリルアミド類としては、メチレンビスアクリル
アミド、メチレンビスメタクリルアミドのほか、エチレ
ンジアミン、ジアミノプロパン、ジアミノブタン、ペン
タメチレンジアミン、ヘキサメチレン、ビス(2ーアミ
ノプロピル)アミン、ジエチレントリアミンジアミン、
ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン並び
に異種原子により中断されたポリアミン、環を有するポ
リアミン(例えばフエニレンジアミン、キシリレンジア
ミン、8一(4ーアミノフエニル)エチルアミン、ジア
ミノベンゾイツク・アシツド、ジアミノトルエン、ジア
ミノアントラキノン、ジアミノフルオレンなど)のポリ
アクリルアミド及びポリメタクリルアミドがある。
としては、多価アルコールのポリァクリレート類及びポ
リメタクリレート類(ここで「ポリ」とはジアクリレー
ト以上を指す。)がある。上記多価アルコールとしては
、ポリエチレングリコール、ポリプロピレンオキサイド
、プリブチレンオキサイド、ポリシクロヘキセンオキサ
イド、ポリエチレンオキサイドブロピレンオキサイド、
ポリスチレンオキサイド、ポリオキセタン、ポリテトラ
ヒドロフラン、シクロヘキサン・ジオール、キシリレン
・ジオール、ジ(8−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、
グリセリン、ジグリセリン、ネオベンチルグリコール、
トリメチルロールプロパン、トリエチロールプロパン、
ペンタエリスリトール、ジベンタエリスリトール、ソル
ビタン、ソルビトール、ブタンジオール、ブタントリオ
ール、2−ブテン−114ージオール、2一n−ブチル
−2−エチループロ/ぐンジオール、2ーブチン−1・
4ージオール、3ークロル−1・2−プロ/ゞンジオー
ル、104−シクロヘキサンジメタノール、3−シクロ
ヘキセン−111−ジメタノール、デカリンジオール、
2・3ージブロム−2−ブテン−1・4ージオール、2
・2−ジエチルー113−プロパンジオール、1・5−
ジヒドロキシ−112・314ーテトラヒドロナフタレ
ン、2・5ージメチル−205ーヘキサンジオール、2
・2−ジメチルー113−プロパンジオール、212−
ジフエニル−1・3−プロ/fンジオール、ドデカンジ
オール、メゾヱリスリトール、2−エチル一1・3−へ
キサンジオール、2−エチル−2−(ヒドロキシメチル
)一113−プロパンジオール、2ーエチル−2−メチ
ル一1・3−プロパンジオール、ヘプタンジオール、ヘ
キサンジオール、3−へキセンー2・5−ジオール、ヒ
ドロキシベンジルアルコール、ヒドロキシエチルレゾル
シノール、2−メチル−1・4−ブタンジオール、2−
メチル−2・4−ペンタンジオール、ノナンジオール、
オクタンジオール、ベンタンジオール、1ーフヱニル−
1・2−エタソジオール、プロ/ぐンジオール、2・2
・4・4ーテトラメチルー113−シクロブタンジオー
ル、2・3・5・6ーテトラメチル−p−キシレンーQ
・Q′ージオール、1・1・4・4−テトラフエニルー
1・4ーブタンジオール、1・1・414−テトラフエ
ニルー2ーブチンー1・4−ジオール、1・2・6ート
リヒドロキシヘキサン、1・1′ービー2ーナフト−ル
、ジヒドロキシナフタレン、1・1′ーメチレンジー2
−ナフトール、1・214−ベンゼントリオール、ビフ
エノール、2・2−ビス(4ーヒドロキフエニル)ブタ
ン、1・1ービス(4−ヒドロキシフエニル)シクロヘ
キサン、ビス(ヒドロキシフエニル)メタン、力テコー
ル、4一クロルレゾルシノール、3・4ージヒドロキシ
ハイドロシンナミツクアシツド、ハイドロキノン、ヒド
ロキシベンジルアルコール、メチルハイドロキノン、メ
チル−2・416ートリヒドロキシベンゾエート、フロ
ログルシノール、ピロガロール、レゾルシノール、グル
コース、Q−(1ーアミノヱチル)−pーヒドロキシベ
ンジルアルコール「2−アミノー2ーエチルー1・3ー
プロ/ぐンジオール、2−アミノ−2ーメチル−1・3
ーフ。ロ/ぐンジオール、3ーアミノー1・2ープ。パ
ンジオール、N一(3−アミノプロピル)−ジエタノー
ルアミン、N・N′ービス−(2−ヒドロキシエチル)
ピベラジン、2・2−ビス(ヒドロキシメチル)2・2
・〆一二トリロトリエタノール、2・2−ビス(ヒドロ
キシメチル)プロピオニツクアシツド、1・3ービス(
ヒドロキシメチル)ウレア、112−ビス(4−ピリジ
ル)−1・2ーエタンジオール、N一n.ーブチルジエ
タノールアミン、ジエタノールアミン、N−エチルジエ
タノールアミン、3ーメルカプトー1・2ープロパンジ
オール、3ーピベリジノー112ープロパンジオール、
2−(2ーピリジル)−113−プロパンジオール、ト
リエタノールアミン「Q一(1−アミノエチル)−pー
ヒドロキシベンジルアルコール、3ーアミノ−4ーヒド
ロキシフエニル・スルホンなどがある。これらのアクリ
ル酸ェステル類、及びメタクリル酸ェステル類のうち、
最も好ましいものは、その入手の容易さから、エチレン
グリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメ
タクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート
、ベンタエリスリトールトリアクリレート、ベンタエリ
スリトールジメタクリレート、ジベンタエリスリトール
ベンタアクリレート、グリセリントリアクリレート、ジ
グリセリンジメタクリレート、1・3−プロ/ぐンジオ
ールジアクリレート、102・4ーブタントリオールト
リメタクリレート、1・4ーシクロヘキサンジオールジ
アクリレート、1・5−ペンタンジオールジアクリレー
ト、ネオベンチルグリコールジアクリレート、エチレン
オキサィド付加したトリメチロールプロパンのトリアク
リル酸ェステル等である。一方、アクリルアミド類、及
びメタクリルアミド類としては、メチレンビスアクリル
アミド、メチレンビスメタクリルアミドのほか、エチレ
ンジアミン、ジアミノプロパン、ジアミノブタン、ペン
タメチレンジアミン、ヘキサメチレン、ビス(2ーアミ
ノプロピル)アミン、ジエチレントリアミンジアミン、
ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン並び
に異種原子により中断されたポリアミン、環を有するポ
リアミン(例えばフエニレンジアミン、キシリレンジア
ミン、8一(4ーアミノフエニル)エチルアミン、ジア
ミノベンゾイツク・アシツド、ジアミノトルエン、ジア
ミノアントラキノン、ジアミノフルオレンなど)のポリ
アクリルアミド及びポリメタクリルアミドがある。
アリル化合物としては、例えばフタル酸、テレフタル酸
、セバシソ酸、アジピン酸、グルタール酸、マロン酸、
複酸等のジカルボン酸のジアリルェステル、例えば、ア
ントラキノンジスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、2
・5ージヒド。
、セバシソ酸、アジピン酸、グルタール酸、マロン酸、
複酸等のジカルボン酸のジアリルェステル、例えば、ア
ントラキノンジスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、2
・5ージヒド。
キシーPーベンゼンジスルホン酸、ジヒドロキシナフタ
レンジスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸などのジス
ルホン酸のジアリルェステル、ジアリルアミドなどがあ
る。ビニルェーテル化合物としては、前記多価アルコー
ルのポリビニルェーテルがあり、例えばエチレングリコ
ールジビニルエーテル、1・3・5−トリー8ービニロ
キシエトキシベンゼン、1・3ージー8−ビニロキシエ
トキシベンゼン、グリセロールトリビニルエーテルなど
がある。
レンジスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸などのジス
ルホン酸のジアリルェステル、ジアリルアミドなどがあ
る。ビニルェーテル化合物としては、前記多価アルコー
ルのポリビニルェーテルがあり、例えばエチレングリコ
ールジビニルエーテル、1・3・5−トリー8ービニロ
キシエトキシベンゼン、1・3ージー8−ビニロキシエ
トキシベンゼン、グリセロールトリビニルエーテルなど
がある。
ビニルェステル類としては、ジビニルサクシネート、ジ
ビニルアジベート、ジビニルフタレート、ジビニルテレ
フタレート、ジピニルベンゼンー1・3−ジスルホネー
ト、ジビニルブタンー1・4−ジスルホネートなどがあ
る。
ビニルアジベート、ジビニルフタレート、ジビニルテレ
フタレート、ジピニルベンゼンー1・3−ジスルホネー
ト、ジビニルブタンー1・4−ジスルホネートなどがあ
る。
スチレン化合物としては、ジピニルベンゼン、pーアリ
ルスチレン、p−イソプロベンスチレンなどがある。
ルスチレン、p−イソプロベンスチレンなどがある。
更に、N−8ーヒドロキシヱチル−8一(メタクリルア
ミド)エチルアクリレート、N・Nービス(8一メタク
リロキシエチル)アクリルアミド、アリルメタクリレー
トなどの如き、異なった付加重合性不飽和結合を2個以
上有する化合物も、本発明に好適に用いられる。
ミド)エチルアクリレート、N・Nービス(8一メタク
リロキシエチル)アクリルアミド、アリルメタクリレー
トなどの如き、異なった付加重合性不飽和結合を2個以
上有する化合物も、本発明に好適に用いられる。
また付加重合性不飽和結合を2個以上有するポリエステ
ル(メタ)アクリレートとしては、アクリル酸又は/及
びメタクリル酸と、多価アルコール、多塩基酸とから合
成される多数のものがあるが、ここではそのごく一部の
具体例を構造式で示すと、例えば、Y 〔八CH2CH
200C−C6日4−COOCH2CH2〇−Y,Yf
OCH2CH200C−C6日4−COョ2ぴCH2C
H20−Y,Y「〜KCH2CH2ツヤC−CHニ℃H
−C0」8ぴCH2CH2ナナ〔「Y’Y舟側2CH2
サ似C4日2サ叫nW側2味Y’Y料柳2CH2秋瓜C
」6日4べ肘WCH2CH2牝Y’Y的肌2け柳川2」
ぴ岬CH2CH2味Y’などがある。
ル(メタ)アクリレートとしては、アクリル酸又は/及
びメタクリル酸と、多価アルコール、多塩基酸とから合
成される多数のものがあるが、ここではそのごく一部の
具体例を構造式で示すと、例えば、Y 〔八CH2CH
200C−C6日4−COOCH2CH2〇−Y,Yf
OCH2CH200C−C6日4−COョ2ぴCH2C
H20−Y,Y「〜KCH2CH2ツヤC−CHニ℃H
−C0」8ぴCH2CH2ナナ〔「Y’Y舟側2CH2
サ似C4日2サ叫nW側2味Y’Y料柳2CH2秋瓜C
」6日4べ肘WCH2CH2牝Y’Y的肌2け柳川2」
ぴ岬CH2CH2味Y’などがある。
(但しここでYは、Cは=CH一CO−基又は基のいず
れでもよく、或 いは両方を含んでいてもよい。
れでもよく、或 いは両方を含んでいてもよい。
また一〇C−C6日4一CO−基はフタル酸残基、ィソ
フタル酸残基又はテレフタル酸桟基のいずれでもよく、
また一OC−CH=CH−CO−基は、マレィン酸残基
又はフマル酸残基のいずれでもよい。)またポリェステ
ル(メタ)アクリレートとしては、市販品、例えば東亜
合成化学■より市販されているアロニツクス(商品名)
を本発明にモノマーとして用いることも出来る。かかる
モノマーは、二種以上を併用して用いることも出来る。
フタル酸残基又はテレフタル酸桟基のいずれでもよく、
また一OC−CH=CH−CO−基は、マレィン酸残基
又はフマル酸残基のいずれでもよい。)またポリェステ
ル(メタ)アクリレートとしては、市販品、例えば東亜
合成化学■より市販されているアロニツクス(商品名)
を本発明にモノマーとして用いることも出来る。かかる
モノマーは、二種以上を併用して用いることも出来る。
一方、本発明に用いられる光重合開始剤としては、従来
公知のものを好適に用いることが出来る。
公知のものを好適に用いることが出来る。
例えばJ.コーサー著「ライトセンシティブシステムズ
」第5章に記載されているようなカルボニル化合物、有
機硫黄化合物、過酸化物、レドックス系化合物、アゾ並
びにジアゾ化合物、ハロゲン化合物、光還元性色素、イ
ミダゾ−ル類などがある。代表的な具体例をあげれば、
カルポニル化合物としては、例えばペンゾィン、ベンゾ
ィンメチルエーテル、ベンゾフエノン、アンスラキノン
、2一メチルアンスラキノン、2一第3プチルーアンス
ラキノン、9・10ーフエナントレンキノン、ジアセチ
ル、ベンジル、更には下記一般式で示される化合物等が
有用である。式中R,は通常シアニン色素で知られてい
るアルキル基を示し、例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基などの未置換の低級アルキル基、例えば2ーヒド
ロキシェチル基などのヒドロキシアルキル基、例えば2
ーメトキシェチル基などのアルコキシアルキル基、例え
ばカルボキシメチル基、2ーカルボキシェテル基などの
カルボキシアルキル基、例えば2ースルホェチル基、3
ースルホブロピル基などのスルホアルキル基、例えばペ
ンジル基、フェネチル基、pースルホフェネチル基、p
−カルボキシフヱネチル基などのアラルキル基、ビニル
メチル基等が好ましい。R2はアルキル基(例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル基が好
ましい。
」第5章に記載されているようなカルボニル化合物、有
機硫黄化合物、過酸化物、レドックス系化合物、アゾ並
びにジアゾ化合物、ハロゲン化合物、光還元性色素、イ
ミダゾ−ル類などがある。代表的な具体例をあげれば、
カルポニル化合物としては、例えばペンゾィン、ベンゾ
ィンメチルエーテル、ベンゾフエノン、アンスラキノン
、2一メチルアンスラキノン、2一第3プチルーアンス
ラキノン、9・10ーフエナントレンキノン、ジアセチ
ル、ベンジル、更には下記一般式で示される化合物等が
有用である。式中R,は通常シアニン色素で知られてい
るアルキル基を示し、例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基などの未置換の低級アルキル基、例えば2ーヒド
ロキシェチル基などのヒドロキシアルキル基、例えば2
ーメトキシェチル基などのアルコキシアルキル基、例え
ばカルボキシメチル基、2ーカルボキシェテル基などの
カルボキシアルキル基、例えば2ースルホェチル基、3
ースルホブロピル基などのスルホアルキル基、例えばペ
ンジル基、フェネチル基、pースルホフェネチル基、p
−カルボキシフヱネチル基などのアラルキル基、ビニル
メチル基等が好ましい。R2はアルキル基(例えばメチ
ル基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル基が好
ましい。
)、アリール基(例えばフェニル基、pーヒドロキシフ
ェニル基、pーメトキシフェニル基、pークロロフェニ
ル基、ナフチル基などが好ましい。)又はチェニル基を
示す。Zは通常シアニン色素で用いられる窒素を含む複
素環核を形成するのに必要な非金属原子群、例えばペン
ゾチアゾール類(例えばペンゾチアゾ−ル、5ークロロ
ベンゾチアゾール、6ークロoベンゾチアゾール、4−
メチルベンゾチアゾール、6−メチルベンゾチアゾール
、5ーフエニルベンゾチアゾール、6−メトキシベンゾ
チアゾール、4−エトキシベンゾチアゾール、5−メト
キシベンゾチアゾール、5ーヒドロキシベンゾチアゾー
ル、5・6ージメチルベンゾチアゾール、5・6−ジメ
トキシベンゾチアゾールなど)、ナフトチアゾール類(
例えばQーナフトチアゾール、8−ナフトチアゾールな
ど)、ベンゾセレナゾール類(例えばペンゾセレナゾー
ル、5ークロベンゾセレナゾール、6ーメチルベンゾセ
レナゾール、6−メトキシベンゾセレナゾール、など)
、ナフトセレナゾール類(例えばQーナフトセレナゾー
ル、8ーナフトセレナゾールなど)、ベンゾオキサゾー
ル類(例えばペンゾオキサゾール、5ーメチルベンゾオ
キサゾール、5−フエニルベンゾオキサゾール、6ーメ
トキシベンゾオキサゾールなど)、ナフトオキサゾール
類(例えばQーナフトオキサゾール、3ーナフトオキサ
ゾールなど)を表わす。
ェニル基、pーメトキシフェニル基、pークロロフェニ
ル基、ナフチル基などが好ましい。)又はチェニル基を
示す。Zは通常シアニン色素で用いられる窒素を含む複
素環核を形成するのに必要な非金属原子群、例えばペン
ゾチアゾール類(例えばペンゾチアゾ−ル、5ークロロ
ベンゾチアゾール、6ークロoベンゾチアゾール、4−
メチルベンゾチアゾール、6−メチルベンゾチアゾール
、5ーフエニルベンゾチアゾール、6−メトキシベンゾ
チアゾール、4−エトキシベンゾチアゾール、5−メト
キシベンゾチアゾール、5ーヒドロキシベンゾチアゾー
ル、5・6ージメチルベンゾチアゾール、5・6−ジメ
トキシベンゾチアゾールなど)、ナフトチアゾール類(
例えばQーナフトチアゾール、8−ナフトチアゾールな
ど)、ベンゾセレナゾール類(例えばペンゾセレナゾー
ル、5ークロベンゾセレナゾール、6ーメチルベンゾセ
レナゾール、6−メトキシベンゾセレナゾール、など)
、ナフトセレナゾール類(例えばQーナフトセレナゾー
ル、8ーナフトセレナゾールなど)、ベンゾオキサゾー
ル類(例えばペンゾオキサゾール、5ーメチルベンゾオ
キサゾール、5−フエニルベンゾオキサゾール、6ーメ
トキシベンゾオキサゾールなど)、ナフトオキサゾール
類(例えばQーナフトオキサゾール、3ーナフトオキサ
ゾールなど)を表わす。
上記一般式で表わされる化合物の具体例としては、例え
ば2ーベンゾィルメチレン一3−メチル−8ーナフトチ
アゾリン、2ーベンゾイルメチレン一3ーエチルー8ー
ナフトチアゾリン、3ーエチル−2一(2ーテノイル)
メチレン−B−ナフトチアゾリン、3ーエチル−2一プ
ロピオニルメチレン−8ーナフトチアゾリン、5ークロ
ルー3−エチル一2一p−メトキシベンゾイルメチレン
ベンゾチアゾリンなどがある。
ば2ーベンゾィルメチレン一3−メチル−8ーナフトチ
アゾリン、2ーベンゾイルメチレン一3ーエチルー8ー
ナフトチアゾリン、3ーエチル−2一(2ーテノイル)
メチレン−B−ナフトチアゾリン、3ーエチル−2一プ
ロピオニルメチレン−8ーナフトチアゾリン、5ークロ
ルー3−エチル一2一p−メトキシベンゾイルメチレン
ベンゾチアゾリンなどがある。
有機硫黄化合物としては、ジーn一ブチルジサルフアイ
ド、ジーnーオクチルジサルフアイド、ジベンジルサル
フアイド、ジフエニルジサルフアイド、ジベンゾイルジ
サルフアイド、ジアセチルジサルフアイド、2−メルカ
プトベンゾチアゾール、2ーメルカプトベンゾオキサゾ
ール、2−メルカプトベンズイミダゾール、チオフエノ
ール、チオクレゾール、pーメトキシベンゼンチオール
、力ルボキシメチルーN・Nージメチルジチオカルバメ
ート、エチルートリクロルメタンスルフエネートなどが
ある。過酸化物としては、過酸化水素、ジーtーブチル
パーオキサィド、過酸化ペンゾイル、メチルエチルケト
ンパーオキサイドなどがある。レドックス系化合物は、
過酸化物と還元剤の組合わせからなるものであり、第1
鉄イオンと過酸化水素第1鉄イオンと過硫酸イオン、第
二鉄イオンと過酸化物などがある。
ド、ジーnーオクチルジサルフアイド、ジベンジルサル
フアイド、ジフエニルジサルフアイド、ジベンゾイルジ
サルフアイド、ジアセチルジサルフアイド、2−メルカ
プトベンゾチアゾール、2ーメルカプトベンゾオキサゾ
ール、2−メルカプトベンズイミダゾール、チオフエノ
ール、チオクレゾール、pーメトキシベンゼンチオール
、力ルボキシメチルーN・Nージメチルジチオカルバメ
ート、エチルートリクロルメタンスルフエネートなどが
ある。過酸化物としては、過酸化水素、ジーtーブチル
パーオキサィド、過酸化ペンゾイル、メチルエチルケト
ンパーオキサイドなどがある。レドックス系化合物は、
過酸化物と還元剤の組合わせからなるものであり、第1
鉄イオンと過酸化水素第1鉄イオンと過硫酸イオン、第
二鉄イオンと過酸化物などがある。
アゾ及びジアゾ化合物としては、Q・Q′−アゾビスイ
ソブチロニトリル、2ーアゾビスー2一メチルブチロニ
トリル、1ーアゾーピスーシクロへキサソカルボニトリ
ル、pーアミノジフエニルアミソのジアゾニウム塩など
がある。
ソブチロニトリル、2ーアゾビスー2一メチルブチロニ
トリル、1ーアゾーピスーシクロへキサソカルボニトリ
ル、pーアミノジフエニルアミソのジアゾニウム塩など
がある。
ハロゲン化合物としてはクロルメチルナフチルクロライ
ド、フエナシルクロライド、クロルアセトン、B−ナフ
タレンスルホニルクロライド、キシレンスルホニルクロ
ライドなどがある。
ド、フエナシルクロライド、クロルアセトン、B−ナフ
タレンスルホニルクロライド、キシレンスルホニルクロ
ライドなどがある。
光還元性色素としては、ローズベンガル、ェリスロシン
、エオシソ、アクリフラピン、リボフラビン、チオニン
などがある。
、エオシソ、アクリフラピン、リボフラビン、チオニン
などがある。
イミダゾール類としては、2−oークロルフェニル−4
15−ジフェニルィミダゾリル二量体、2−o−フルオ
ルフヱニル−4・5ージフエニルイミダゾリル二量体、
2一pーメチルメルカプトフェニル−415−ジェェニ
ルイミダゾリル二量体、ビス)2・4・5ートリフェニ
ルイミダゾリル)などがある。
15−ジフェニルィミダゾリル二量体、2−o−フルオ
ルフヱニル−4・5ージフエニルイミダゾリル二量体、
2一pーメチルメルカプトフェニル−415−ジェェニ
ルイミダゾリル二量体、ビス)2・4・5ートリフェニ
ルイミダゾリル)などがある。
これ等の光重合開始剤は単量体10の重量部に対して0
.1部から2の部の範囲で用いるが、好ましくは1部か
ら1疎部の範囲である。
.1部から2の部の範囲で用いるが、好ましくは1部か
ら1疎部の範囲である。
本発明に使用される光重合性組成物には、上記成分から
なるものであるが、更に熱重合防止剤を加えることが好
ましい。
なるものであるが、更に熱重合防止剤を加えることが好
ましい。
熱重合防止剤の具体例としては、例えばバラメトキシフ
ェノール、ハイドロキノン、アルキル若しくはアリール
置換ハイドロキノン、tーブチルカテコール、ピロガロ
−ル、塩化第1鋼、フェノチアジン、クロラニール、ナ
フチルアミン、8ーナフトール、2・6−ジーt−ブチ
ル−D−クレゾール、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニ
トロベンゼ・ン、p−トルイジン、メチレンブルー、有
機酸銅(例えば酢酸鋼など)などがある。これらの熱重
合防止剤は単量体10の重量部に対して0.001〜5
重量部の範囲で含有させるのが好ましい。本発明に結合
剤として用いられるポリマーは、広範な種類の合成、半
合成、天然の高分子物質の中からモノマーや光重合開始
剤との相港性が、塗布液の調合から塗布、乾燥に至る製
造工程中に脱混合を超さない程度に良いこと、またその
強度、延伸性、耐摩耗性、耐薬品性、軟化温度、結晶性
などを使用目的に応じて考慮して選ぶことが出釆る。
ェノール、ハイドロキノン、アルキル若しくはアリール
置換ハイドロキノン、tーブチルカテコール、ピロガロ
−ル、塩化第1鋼、フェノチアジン、クロラニール、ナ
フチルアミン、8ーナフトール、2・6−ジーt−ブチ
ル−D−クレゾール、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニ
トロベンゼ・ン、p−トルイジン、メチレンブルー、有
機酸銅(例えば酢酸鋼など)などがある。これらの熱重
合防止剤は単量体10の重量部に対して0.001〜5
重量部の範囲で含有させるのが好ましい。本発明に結合
剤として用いられるポリマーは、広範な種類の合成、半
合成、天然の高分子物質の中からモノマーや光重合開始
剤との相港性が、塗布液の調合から塗布、乾燥に至る製
造工程中に脱混合を超さない程度に良いこと、またその
強度、延伸性、耐摩耗性、耐薬品性、軟化温度、結晶性
などを使用目的に応じて考慮して選ぶことが出釆る。
結合剤に用いられるポリマーの具体例を挙げると、塩素
化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リアクリル酸アルキルェステル(アルキル基としては、
メチル基、エチル基、ブチル基等)、アクリル酸アルキ
ルェステル(アルキル基は同上)とアクリロニトリル、
塩化ビニル、塩化ビニリデン、スチレン、ブタジェン等
のモノマーの少くとも一種との共重合物、ポリ塩化ピニ
ル、塩化ビニルとアクリロニトリルの共重合物、ポリ塩
化ビニリデン、塩化ビニリデンとアクリロニトリルの共
重合物、ポリ酢酸ビニル、酢酸ビニルと塩化ビニルの共
重合物、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン
、ポリアクリロニトリル、アクリロニトリルとスチレン
の共重合物、アクリロニトリルとブタジェン及びスチレ
ンとの共重合物、ポリビニルアルキルェーテル(アルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、ィソプロピル基、
ブチル基等)、ポリメチルビニルケトン、ポリエチルビ
ニルケトン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテ
ン、ポリスチレン、ポリーQーメチルスチレン、ポリア
ミド(6ーナィロン、6・6−ナイロン等)、ポリ1・
3−ブタジエン、ポリイソプレン、ポリウレタン、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート
、塩化ゴム、環化ゴム、エチルセルローズ、アセチルセ
ルローズ、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、スチレンーブタジエンゴムなどのホモポリマー又は
共重合物がある。
化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リアクリル酸アルキルェステル(アルキル基としては、
メチル基、エチル基、ブチル基等)、アクリル酸アルキ
ルェステル(アルキル基は同上)とアクリロニトリル、
塩化ビニル、塩化ビニリデン、スチレン、ブタジェン等
のモノマーの少くとも一種との共重合物、ポリ塩化ピニ
ル、塩化ビニルとアクリロニトリルの共重合物、ポリ塩
化ビニリデン、塩化ビニリデンとアクリロニトリルの共
重合物、ポリ酢酸ビニル、酢酸ビニルと塩化ビニルの共
重合物、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン
、ポリアクリロニトリル、アクリロニトリルとスチレン
の共重合物、アクリロニトリルとブタジェン及びスチレ
ンとの共重合物、ポリビニルアルキルェーテル(アルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、ィソプロピル基、
ブチル基等)、ポリメチルビニルケトン、ポリエチルビ
ニルケトン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテ
ン、ポリスチレン、ポリーQーメチルスチレン、ポリア
ミド(6ーナィロン、6・6−ナイロン等)、ポリ1・
3−ブタジエン、ポリイソプレン、ポリウレタン、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート
、塩化ゴム、環化ゴム、エチルセルローズ、アセチルセ
ルローズ、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、スチレンーブタジエンゴムなどのホモポリマー又は
共重合物がある。
共重合物の場合、その成分モノマ−の含有比は広範囲の
値をとりうるが、一般には、少量モノマー成分がモル比
で10%〜50%の範囲のものが好適である。これらの
ポリマーの中から、前に記した、少くとも二つの層から
成る感光層を構成する各層に適したものを選んで用いる
ことが出釆る。
値をとりうるが、一般には、少量モノマー成分がモル比
で10%〜50%の範囲のものが好適である。これらの
ポリマーの中から、前に記した、少くとも二つの層から
成る感光層を構成する各層に適したものを選んで用いる
ことが出釆る。
各層に一種のポリマーのみ用いてもよいし、また二種以
上を併用してもよい。即ち、本発明のパターン形成方法
に於いては、まず第一に剥離現像により、露光部分の層
は基板へ、非露光部分は支持体へつよく接着した画像が
形成する場合は、これが完全に行なわれ、かぶりのない
良質な画像が得られるためには、支持体と感光層との接
着力Aが、露光後、大中に減少してA′になることが必
要であり、さらに、剥離現像時、露光部と未露光部の境
界で、感光層が容易に切断され、分離されることが必要
である。このような性質を有するには支持体に隣接する
感光層の結合剤として、塩素化ポリスチレン、塩素化ポ
リプロピレン、塩素化ゴム、塩化ビニリデンを主成分と
するポリマー、塩化ビニルなどの塩素化ポリマー単独で
用いるか又は他のポリマーと併用して用いることが特に
望ましい。またこれらの塩素化ポリマーの分子量は、比
較的低い値、一般には、5000〜500000特には
5000〜100000の範囲のものが好適である。こ
のようなポリマーを結合剤の一成分とした層を感光層全
体を構成する層の中で直接支持体と接する層として配す
るのが望ましいが、或いは、このような層を基板に直接
接する層として配するか、或いは、支持体及び基板の両
方にそれぞれ接するように二層を配してもよい。本発明
のパターン形成方法に於いて、第二に重要なことは、レ
ジスト膜の強度を高くするため、高強度のポリマーを結
合剤として用いた層を、感光層を構成する一つの又はそ
れ以上の層として配することである。
上を併用してもよい。即ち、本発明のパターン形成方法
に於いては、まず第一に剥離現像により、露光部分の層
は基板へ、非露光部分は支持体へつよく接着した画像が
形成する場合は、これが完全に行なわれ、かぶりのない
良質な画像が得られるためには、支持体と感光層との接
着力Aが、露光後、大中に減少してA′になることが必
要であり、さらに、剥離現像時、露光部と未露光部の境
界で、感光層が容易に切断され、分離されることが必要
である。このような性質を有するには支持体に隣接する
感光層の結合剤として、塩素化ポリスチレン、塩素化ポ
リプロピレン、塩素化ゴム、塩化ビニリデンを主成分と
するポリマー、塩化ビニルなどの塩素化ポリマー単独で
用いるか又は他のポリマーと併用して用いることが特に
望ましい。またこれらの塩素化ポリマーの分子量は、比
較的低い値、一般には、5000〜500000特には
5000〜100000の範囲のものが好適である。こ
のようなポリマーを結合剤の一成分とした層を感光層全
体を構成する層の中で直接支持体と接する層として配す
るのが望ましいが、或いは、このような層を基板に直接
接する層として配するか、或いは、支持体及び基板の両
方にそれぞれ接するように二層を配してもよい。本発明
のパターン形成方法に於いて、第二に重要なことは、レ
ジスト膜の強度を高くするため、高強度のポリマーを結
合剤として用いた層を、感光層を構成する一つの又はそ
れ以上の層として配することである。
特に支持体又は基板に接触しない層として用いるのがよ
い。このためのポリマーとしては、種々のものが好適に
用いられるが、比較的高分子量のものを用いるのがよく
、一般には分子量10000〜5000000、特には
100000〜2000000の範囲のものが好適であ
る。ポリマーは一種でもよく二種以上を併用してもよい
。一般に高強度ポリマーを用いれば、剥離現像時、露光
部と非露光部の境界での感光層の破壊がおこりにくくな
り、従って切れのよい良質な画像が得ることが困難な場
合があるが、かかる場合には少量の前記塩素化ポリマー
を併用することにより画像性が改善される。以上のべた
ごとく、感光眉を構成する各層に異る種類又は組成又は
分子量のポリマーを結合剤として用いることにより、良
質な画像性を与えるように機能する層、強じんなしジス
ト膜を与えるように機能する層等のようにそれぞれの層
が一定の特徴のある機能をはたし、その総合された機能
が感光層全体に与えられて、各層を単独で用いた剥離現
像型感光材料では得がたい性能を発揮するように感光層
を構成させることが本発明の最も大きな特長である。
い。このためのポリマーとしては、種々のものが好適に
用いられるが、比較的高分子量のものを用いるのがよく
、一般には分子量10000〜5000000、特には
100000〜2000000の範囲のものが好適であ
る。ポリマーは一種でもよく二種以上を併用してもよい
。一般に高強度ポリマーを用いれば、剥離現像時、露光
部と非露光部の境界での感光層の破壊がおこりにくくな
り、従って切れのよい良質な画像が得ることが困難な場
合があるが、かかる場合には少量の前記塩素化ポリマー
を併用することにより画像性が改善される。以上のべた
ごとく、感光眉を構成する各層に異る種類又は組成又は
分子量のポリマーを結合剤として用いることにより、良
質な画像性を与えるように機能する層、強じんなしジス
ト膜を与えるように機能する層等のようにそれぞれの層
が一定の特徴のある機能をはたし、その総合された機能
が感光層全体に与えられて、各層を単独で用いた剥離現
像型感光材料では得がたい性能を発揮するように感光層
を構成させることが本発明の最も大きな特長である。
感光層と支持体又は基板との接着力は、結合剤の種類、
及び異種結合剤の混合比、モノマーの種類によって広範
囲に調節することが出来る。
及び異種結合剤の混合比、モノマーの種類によって広範
囲に調節することが出来る。
さらにまた上記の接着力はモノマーと結合剤の比をかえ
ることによっても調節出来る。一般に結合剤のモノマー
に対する重量比は、2〜0.2、特に好ましくは1.5
〜0.3の範囲である。本発明に使用される光重合性組
成物には、更に着色剤、可塑性、樹脂などの各種添加剤
を含有させることができる。
ることによっても調節出来る。一般に結合剤のモノマー
に対する重量比は、2〜0.2、特に好ましくは1.5
〜0.3の範囲である。本発明に使用される光重合性組
成物には、更に着色剤、可塑性、樹脂などの各種添加剤
を含有させることができる。
着色剤としては、例えば酸化チタン、カーボンブラック
、酸化鉄、フタロシアニン系顔料、アゾ系顔料などの顔
料や、メチレンフルー、クリスタルバイオレット、ロー
ダミンB、フクシン、オーラミン、アゾ系顔料、アント
ラキノン系染料などの染料があるが、使用される着色剤
が光重合開始剤の吸収波長の光を吸収しないものが好ま
しい。かかる着色剤は、バインダーと単量体の合計量1
0の重量部に対して顔料の場合は0.1〜3の重量部、
染料の場合は0.01〜10重量部、好ましくは0.1
〜3重量部の範囲含有させるのが好ましい。可塑剤とし
ては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジブ
チルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジオクチル
フタレート、オクチルカプリールフタレート、ジシクロ
ヘキシルフタレート、ジトリデシルフタレート、プチル
ベンジルフタレート、ジイソデシルフタレート、ジアリ
ールフタレートなどのフタル酸ェステル類、ジメチルグ
リコールフタレート、エチルフタリールエチルグリコレ
ート、メチルフタリールエチルグリコレート、ブチルフ
タリールブチルグリコレート、トリエチレングリコール
ジカプリル酸ェステルなどのグリコールヱステル類トリ
クレジールホスフエート、トリフエニルフオスヘートな
どの燐酸ェステル類、ジィソプチルアジベート、ジオク
チルアジベート、ジメチルセ/ゞケート、ジブチルセバ
ケート、ジオクチルアゼレート、ジブチルマレートなど
の脂肪族二塩基酸ェステル類、クエン酸トリェチル、グ
リセリントリアセチルェステル、ラウリン酸ブチルなど
がある。本発明に使用される光重合性組成物は溶剤に溶
解して塗布液となし、これを適当な支持体に塗布し、乾
燥される。塗布液の溶剤としては、例えばアセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン、ジィソブチルケトンなどの如きケトン類、例
えば酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−nーアミル、蟻酸
〆チル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息
香酸エチルなどの如きェステル類、例えばトルェン、キ
シレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの如き芳香族炭
化水素、例えば四塩化炭素、トリクロルェチレン、クロ
ロホルム、1・1・1ートリクロルエタン、モノクロル
ベソゼン、クロルナフタリンなどの如きハロゲン化炭化
水素、例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、
エチレングリコ一ルモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーブルアセテートなどの如きエーテ
ル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド
などがある。
、酸化鉄、フタロシアニン系顔料、アゾ系顔料などの顔
料や、メチレンフルー、クリスタルバイオレット、ロー
ダミンB、フクシン、オーラミン、アゾ系顔料、アント
ラキノン系染料などの染料があるが、使用される着色剤
が光重合開始剤の吸収波長の光を吸収しないものが好ま
しい。かかる着色剤は、バインダーと単量体の合計量1
0の重量部に対して顔料の場合は0.1〜3の重量部、
染料の場合は0.01〜10重量部、好ましくは0.1
〜3重量部の範囲含有させるのが好ましい。可塑剤とし
ては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジブ
チルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジオクチル
フタレート、オクチルカプリールフタレート、ジシクロ
ヘキシルフタレート、ジトリデシルフタレート、プチル
ベンジルフタレート、ジイソデシルフタレート、ジアリ
ールフタレートなどのフタル酸ェステル類、ジメチルグ
リコールフタレート、エチルフタリールエチルグリコレ
ート、メチルフタリールエチルグリコレート、ブチルフ
タリールブチルグリコレート、トリエチレングリコール
ジカプリル酸ェステルなどのグリコールヱステル類トリ
クレジールホスフエート、トリフエニルフオスヘートな
どの燐酸ェステル類、ジィソプチルアジベート、ジオク
チルアジベート、ジメチルセ/ゞケート、ジブチルセバ
ケート、ジオクチルアゼレート、ジブチルマレートなど
の脂肪族二塩基酸ェステル類、クエン酸トリェチル、グ
リセリントリアセチルェステル、ラウリン酸ブチルなど
がある。本発明に使用される光重合性組成物は溶剤に溶
解して塗布液となし、これを適当な支持体に塗布し、乾
燥される。塗布液の溶剤としては、例えばアセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン、ジィソブチルケトンなどの如きケトン類、例
えば酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−nーアミル、蟻酸
〆チル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息
香酸エチルなどの如きェステル類、例えばトルェン、キ
シレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの如き芳香族炭
化水素、例えば四塩化炭素、トリクロルェチレン、クロ
ロホルム、1・1・1ートリクロルエタン、モノクロル
ベソゼン、クロルナフタリンなどの如きハロゲン化炭化
水素、例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、
エチレングリコ一ルモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーブルアセテートなどの如きエーテ
ル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド
などがある。
支持体の表面には必要に応じて結合を容易にする為に必
要な他の塗布層或いはハレーション防止層を設けること
もできる。本発明に用いられる支持体は光の透過性が良
好であること及び表面が均一であることが必要である。
要な他の塗布層或いはハレーション防止層を設けること
もできる。本発明に用いられる支持体は光の透過性が良
好であること及び表面が均一であることが必要である。
具体的にはポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレ
ン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロー
ス、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカー
ボネート、ポリスチレン、セロフアン、ポリ塩化ビニリ
デン共重合物、ポリアミド、ポリィミド、塩酢ビ共重合
物、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレ
ン等の多種のプラスチックフィルムが使用できる。更に
これ等の二種以上からなる複合材料も使用することがで
きる。支持体は、一般的には10〜150〃のもの、好
ましくは20〜50ムのものが使用されるが、上記範囲
以外のものでも使用することができる。
ン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロー
ス、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカー
ボネート、ポリスチレン、セロフアン、ポリ塩化ビニリ
デン共重合物、ポリアミド、ポリィミド、塩酢ビ共重合
物、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレ
ン等の多種のプラスチックフィルムが使用できる。更に
これ等の二種以上からなる複合材料も使用することがで
きる。支持体は、一般的には10〜150〃のもの、好
ましくは20〜50ムのものが使用されるが、上記範囲
以外のものでも使用することができる。
本発明に用いる感光材料は次のようにして作られる。
即ち、モノマー、光重合開始剤、結合剤その他の成分か
らなる、感光層を構成する各層の組成物を溶剤に溶解又
は分散し、これを所望の感光層の構成に従って、支持体
上に、適当な方法で一層づつ順次所望の量を塗布、乾燥
をくりかえして、最終的に透明支持体上に二つ以上の層
として積層された感光層を設けて感光材料が得られる。
塗布後の乾燥は、一般には3ぴ0〜130℃、特に50
℃〜10ぴ0で行うのがよい。支持体上に設けられた感
光層全体の、乾燥後の厚さは最終的に形成されるレジス
トパターンが所望の機能をはたすように設定されるが、
一般には5〜100山、より好ましくは10〜60山の
範囲である。こうして得られた感光材料の感光層表面は
、一般にかなり高い粘着性を有するため、このままの形
で重ねて又は巻取って保存することは困難である。
らなる、感光層を構成する各層の組成物を溶剤に溶解又
は分散し、これを所望の感光層の構成に従って、支持体
上に、適当な方法で一層づつ順次所望の量を塗布、乾燥
をくりかえして、最終的に透明支持体上に二つ以上の層
として積層された感光層を設けて感光材料が得られる。
塗布後の乾燥は、一般には3ぴ0〜130℃、特に50
℃〜10ぴ0で行うのがよい。支持体上に設けられた感
光層全体の、乾燥後の厚さは最終的に形成されるレジス
トパターンが所望の機能をはたすように設定されるが、
一般には5〜100山、より好ましくは10〜60山の
範囲である。こうして得られた感光材料の感光層表面は
、一般にかなり高い粘着性を有するため、このままの形
で重ねて又は巻取って保存することは困難である。
従って保存又は他の目的で、必要に応じて透明支持体層
の(レジスト層の反対面)バック面に離形処理を施して
巻取るか或は感光層上に保護フィルムを設けることが出
釆る。かかる保護フィルムとしては前記支持体に使用さ
れるものおよび、紙、例えばポリエチレン、ポリプロピ
レンなどがラミネートされた紙などの中から適宜選ぶこ
とができる。
の(レジスト層の反対面)バック面に離形処理を施して
巻取るか或は感光層上に保護フィルムを設けることが出
釆る。かかる保護フィルムとしては前記支持体に使用さ
れるものおよび、紙、例えばポリエチレン、ポリプロピ
レンなどがラミネートされた紙などの中から適宜選ぶこ
とができる。
厚さは8〜80ムが一般的であり10〜50rがより好
ましい。その際、光重合性組成物と支持体の接着力Aと
光重合性組成物と保護フィルムの接着力BがA>Bとな
るようにする必要がある。例えば、次の第1表の如き組
み合わせで、支持体と保護フィルムを使用することがで
きる。・ 上記の如き支持体と保護フィルムを相互に異種のものか
ら選ぶ方法のほかに、支持体および保護フィルムの少な
くとも一方を表面処理することにより、前記の如く接着
力の関係を満たすようにすることができる。
ましい。その際、光重合性組成物と支持体の接着力Aと
光重合性組成物と保護フィルムの接着力BがA>Bとな
るようにする必要がある。例えば、次の第1表の如き組
み合わせで、支持体と保護フィルムを使用することがで
きる。・ 上記の如き支持体と保護フィルムを相互に異種のものか
ら選ぶ方法のほかに、支持体および保護フィルムの少な
くとも一方を表面処理することにより、前記の如く接着
力の関係を満たすようにすることができる。
支持体の表面処理は光重合性組成物との接着力を高める
為に施されるのが一般的であり、例えば下塗層の塗設、
コロナ放電処理、火焔処理、紫外線照射処理、高周波照
射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、
レーザー光線照射処理などがある。また、保護フィルム
の表面処理は、上記支持体の表面処理とは逆に、光重合
性組成物との接着力を低めるために施されるが一般的で
あり、例えばポリオルガノシロキサン、弗秦化ポリオレ
フィン、ポリフルオルェチレンなどを下塗り層として設
ける方法がある。
為に施されるのが一般的であり、例えば下塗層の塗設、
コロナ放電処理、火焔処理、紫外線照射処理、高周波照
射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、
レーザー光線照射処理などがある。また、保護フィルム
の表面処理は、上記支持体の表面処理とは逆に、光重合
性組成物との接着力を低めるために施されるが一般的で
あり、例えばポリオルガノシロキサン、弗秦化ポリオレ
フィン、ポリフルオルェチレンなどを下塗り層として設
ける方法がある。
次に前述の感光材料を用いてパターンを作成する工程を
説明する。
説明する。
感光材料が保護フィルムを有する場合には、それをはが
して感光層表面を露出させ、これを所望の清浄化した基
板表面に加圧して積層する。積層時の温度は、感光層の
組成によってさまる表面物性、例えば粘着性、熱可塑性
などによって広範囲に選ぶことが出来るが、ふつう15
00〜60COの範囲で行うのが好適である。基板とし
ては、本発明の使用目的に応じて種々のものが用いられ
、例えば、支持体に用いたものとは異った感光層との接
着力を有する金属板又は感光層側の表面に金属肩を有す
る積層板などが用いられる。特に本発明をプリント回路
作成用のホトレジスト画像形成に用いる場合には、金属
、例えば銅、アルミ、銀などの薄い層をプラスチック板
の上又は下、或いはプラスチック板を通してあげられた
穴、即ちスルーホールの内壁表面にはり合わせた、或い
はメッキで付着させたプリント配線用基板、或し、はう
すし、プラスチックフィルム上に金属の薄い層を蒸着又
はメッキ等の方法で設けた基板などが用いられ、さらに
本発明を平版用印刷版の製版に用いる場合には、金属板
、例えばアルミ板、アルミ層を設けたプラスチックフィ
ルムなどが用いられる。この場合、アルミ等の金属表面
は陽極酸化、シリケート処理等の親水処理がほどこされ
たものでもよい。かくして基板上に積層された感光材料
を、次に透明支持体を通して、一般には原稿を通して画
像状に露光する。
して感光層表面を露出させ、これを所望の清浄化した基
板表面に加圧して積層する。積層時の温度は、感光層の
組成によってさまる表面物性、例えば粘着性、熱可塑性
などによって広範囲に選ぶことが出来るが、ふつう15
00〜60COの範囲で行うのが好適である。基板とし
ては、本発明の使用目的に応じて種々のものが用いられ
、例えば、支持体に用いたものとは異った感光層との接
着力を有する金属板又は感光層側の表面に金属肩を有す
る積層板などが用いられる。特に本発明をプリント回路
作成用のホトレジスト画像形成に用いる場合には、金属
、例えば銅、アルミ、銀などの薄い層をプラスチック板
の上又は下、或いはプラスチック板を通してあげられた
穴、即ちスルーホールの内壁表面にはり合わせた、或い
はメッキで付着させたプリント配線用基板、或し、はう
すし、プラスチックフィルム上に金属の薄い層を蒸着又
はメッキ等の方法で設けた基板などが用いられ、さらに
本発明を平版用印刷版の製版に用いる場合には、金属板
、例えばアルミ板、アルミ層を設けたプラスチックフィ
ルムなどが用いられる。この場合、アルミ等の金属表面
は陽極酸化、シリケート処理等の親水処理がほどこされ
たものでもよい。かくして基板上に積層された感光材料
を、次に透明支持体を通して、一般には原稿を通して画
像状に露光する。
光源としては透明支持体を透過し、かつ感光層に用いら
れている光重合開始剤に対して活性な電磁波;例えば3
00〜700のム、より好ましくは350〜500仇仏
の範囲の波長の紫外線〜可視光線を発する光源が用いら
れる。例えば高圧水銀燈、キセノンランプ、カーボンア
ーク燈、ハロゲンランプ、複写用の後光管などが用いら
れる。この他にレーザー光源、電子線、X線源を用いて
照射してもよい。次に、支持体を剥離すると支持体側に
は未露光部分の感光層が接着したまま基板より除去され
、他方基板上には露光部分の感光届く重合して硬化した
ポリマー層)が接着して残こり、このようにして支持体
上に露光画像に対して陽画像が、基板上には陰画質が形
嫁される(この場合をネガタィプレジストと呼ぶ。
れている光重合開始剤に対して活性な電磁波;例えば3
00〜700のム、より好ましくは350〜500仇仏
の範囲の波長の紫外線〜可視光線を発する光源が用いら
れる。例えば高圧水銀燈、キセノンランプ、カーボンア
ーク燈、ハロゲンランプ、複写用の後光管などが用いら
れる。この他にレーザー光源、電子線、X線源を用いて
照射してもよい。次に、支持体を剥離すると支持体側に
は未露光部分の感光層が接着したまま基板より除去され
、他方基板上には露光部分の感光届く重合して硬化した
ポリマー層)が接着して残こり、このようにして支持体
上に露光画像に対して陽画像が、基板上には陰画質が形
嫁される(この場合をネガタィプレジストと呼ぶ。
)。本発明によって得られる効果は、乾式処理の剥離現
像型感光材料を用いてパターン形成をさせるに際して、
良質な画像性と、強い膜・性をかねそなえたパターン、
特にレジストパターンが得られることである。
像型感光材料を用いてパターン形成をさせるに際して、
良質な画像性と、強い膜・性をかねそなえたパターン、
特にレジストパターンが得られることである。
本発明のパターン形成方法は、このように特にプリント
配線板作成に好適に用いられるが、さらに平版又は凸版
印刷板の作成、レリーフ型の作成、光学的複製、写真等
の広範囲のパターン形成目的に使用することが出来る。
以下に本発明を実施例にもとづいて具体的に説明する。
配線板作成に好適に用いられるが、さらに平版又は凸版
印刷板の作成、レリーフ型の作成、光学的複製、写真等
の広範囲のパターン形成目的に使用することが出来る。
以下に本発明を実施例にもとづいて具体的に説明する。
なお実施例中の組成比は、特に記載のないかぎり重量部
を表わす。実施例 1 塩素化ポリエチレン(山陽国策パルプ■製、スーパーク
ロンCPE−907LTA)2.5部、ベンタェリスリ
トールトリメタクリレート(モノマー)3.$部、1−
メチル一2ーベンゾイルメチレン−3−ナフトチアゾリ
ン(光重合開始剤)0.1部、フェノチアジン(熱重合
防止剤)0.2部、銅フタロシアニン顔料(着色剤)0
.2部をジクロルェタン5部に溶解及び分散して塗布液
1とした。
を表わす。実施例 1 塩素化ポリエチレン(山陽国策パルプ■製、スーパーク
ロンCPE−907LTA)2.5部、ベンタェリスリ
トールトリメタクリレート(モノマー)3.$部、1−
メチル一2ーベンゾイルメチレン−3−ナフトチアゾリ
ン(光重合開始剤)0.1部、フェノチアジン(熱重合
防止剤)0.2部、銅フタロシアニン顔料(着色剤)0
.2部をジクロルェタン5部に溶解及び分散して塗布液
1とした。
これを厚さ25ムのポリエチレンテレフタレートフイル
ム(支持体)の上に、あらかじめ塗布及び乾燥後の層の
厚さが15rlこなるように選んだ塗布榛を用いて塗布
し、80℃で20分乾燥した。次にポリメチルメタクリ
レート(住友イb学工業■製、スミベックスBLG)1
.8部、上記の塩素化ポリエチレン0.8部を結合剤と
して用いる他は塗布液1と同じ組成の塗布液2を調整し
、これを塗布液1より作った第一層の上に、塗布液2の
塗布及び乾燥後の層、即ち第二層の厚さが15ムになる
ように塗布し、第一層と同様に乾燥して感光材料を作っ
た。感光層全体の厚さは30ムであった。次に、この感
光材料の感光層面を、清浄化された50N固の直径1.
5風の穴(スルーホール)が基板を通して設けられてい
るプリント配線用鋼基板(ェポキシ樹脂坂上に薄い鋼板
を設けたもの)上に250Cで加圧下で積層した。次に
支持体側に、配線パターンをもった陰画原稿を密着させ
、この上から2kWの高圧水銀灯の光源より5比〆の距
離において1分間露光した。なお用いた配線パターン原
稿とは、線中0.3肌〜2肋の一般的なパターンの他、
基板の穴の位置にあわせて、直径2.5胸の無色の円が
黒色のバックの中に配置されているものであり、従って
原稿をその円が基板の穴にあうように支持体上に密着し
て露光すれば一般パターンの他に、基板にあげられてい
るすべての穴の上及びまわりをおおうレジストパターン
も基板上に形成される。次に2鰭○で支持体を剥離する
と、鋼基板上に光硬化した陽画像が形成され、未露光部
分は支持体に接着したまま銅基板より完全に除去された
。また基板の穴はすべて硬化膜によってふさがれていた
。次にこうして得られたレジストパターンをもつ基板を
、400Be′の塩化第二鉄水溶液を用いて、通常使わ
れているスプレー式エッチング法により4000でエッ
チング処理を行ったが、この処理により、基板のスルー
ホール上部以外の部分のレジスト膜は全くはがれること
はなかった。
ム(支持体)の上に、あらかじめ塗布及び乾燥後の層の
厚さが15rlこなるように選んだ塗布榛を用いて塗布
し、80℃で20分乾燥した。次にポリメチルメタクリ
レート(住友イb学工業■製、スミベックスBLG)1
.8部、上記の塩素化ポリエチレン0.8部を結合剤と
して用いる他は塗布液1と同じ組成の塗布液2を調整し
、これを塗布液1より作った第一層の上に、塗布液2の
塗布及び乾燥後の層、即ち第二層の厚さが15ムになる
ように塗布し、第一層と同様に乾燥して感光材料を作っ
た。感光層全体の厚さは30ムであった。次に、この感
光材料の感光層面を、清浄化された50N固の直径1.
5風の穴(スルーホール)が基板を通して設けられてい
るプリント配線用鋼基板(ェポキシ樹脂坂上に薄い鋼板
を設けたもの)上に250Cで加圧下で積層した。次に
支持体側に、配線パターンをもった陰画原稿を密着させ
、この上から2kWの高圧水銀灯の光源より5比〆の距
離において1分間露光した。なお用いた配線パターン原
稿とは、線中0.3肌〜2肋の一般的なパターンの他、
基板の穴の位置にあわせて、直径2.5胸の無色の円が
黒色のバックの中に配置されているものであり、従って
原稿をその円が基板の穴にあうように支持体上に密着し
て露光すれば一般パターンの他に、基板にあげられてい
るすべての穴の上及びまわりをおおうレジストパターン
も基板上に形成される。次に2鰭○で支持体を剥離する
と、鋼基板上に光硬化した陽画像が形成され、未露光部
分は支持体に接着したまま銅基板より完全に除去された
。また基板の穴はすべて硬化膜によってふさがれていた
。次にこうして得られたレジストパターンをもつ基板を
、400Be′の塩化第二鉄水溶液を用いて、通常使わ
れているスプレー式エッチング法により4000でエッ
チング処理を行ったが、この処理により、基板のスルー
ホール上部以外の部分のレジスト膜は全くはがれること
はなかった。
又スルホ−ル上部にはられた(テンティングされた)レ
ジスト膜が破壊されずに残った数の割合(これをテンテ
ィング率と称する)は98%であった。次にメチルエチ
ルケトンで洗浄すると、レジスト膜は容易に鋼板上より
溶出されて、かくしてェポキシ板上に明瞭な銅配線が得
られた。実施例 2(比較例) 実施例1の塗布液1を、厚さ25ムのポリエチレンテレ
フタレートフィルム上塗布棒で塗布して80℃で2び分
乾燥し、厚さ30仏の感光層を設け、以下実施例1と同
様に銅基板上に積層、露光、剥離現像を行ったところ、
実施例1と同様の良質なしジストパターンが得られたが
、エッチング処理を実施例1と同様に行ったところ、テ
ンティング率は10%にすぎなかった。
ジスト膜が破壊されずに残った数の割合(これをテンテ
ィング率と称する)は98%であった。次にメチルエチ
ルケトンで洗浄すると、レジスト膜は容易に鋼板上より
溶出されて、かくしてェポキシ板上に明瞭な銅配線が得
られた。実施例 2(比較例) 実施例1の塗布液1を、厚さ25ムのポリエチレンテレ
フタレートフィルム上塗布棒で塗布して80℃で2び分
乾燥し、厚さ30仏の感光層を設け、以下実施例1と同
様に銅基板上に積層、露光、剥離現像を行ったところ、
実施例1と同様の良質なしジストパターンが得られたが
、エッチング処理を実施例1と同様に行ったところ、テ
ンティング率は10%にすぎなかった。
次に実施例1の塗布液2を厚さ25ムのポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に上記のように塗布、乾燥して
厚さ30ムの感光層を設け、以下同様に銅基板上に積層
、露光し、支持体を剥離したところ、露光部の他、夫露
光部の一部、特に露光部のパターンに近い部分の感光層
が、支持体とともに除去されず、基板上にのこり、不完
全な画像しか得られなかった。
レフタレートフィルム上に上記のように塗布、乾燥して
厚さ30ムの感光層を設け、以下同様に銅基板上に積層
、露光し、支持体を剥離したところ、露光部の他、夫露
光部の一部、特に露光部のパターンに近い部分の感光層
が、支持体とともに除去されず、基板上にのこり、不完
全な画像しか得られなかった。
エッチング処理後のテンティング率は90%であった。
実施例 3 塩素化ポリエチレン(実施例1と同じもの)2.5部、
ベンタェリスリトールトリアクリレート(モ/マー)3
$部、2一tーブチルアンスラキ/ン(光重合開始剤)
0.1部、フェノチアジン0.02部、鋼フタロシアニ
ン顔料0.2部をジクロルェタン5部に溶解及び分散し
て塗布液1とした。
実施例 3 塩素化ポリエチレン(実施例1と同じもの)2.5部、
ベンタェリスリトールトリアクリレート(モ/マー)3
$部、2一tーブチルアンスラキ/ン(光重合開始剤)
0.1部、フェノチアジン0.02部、鋼フタロシアニ
ン顔料0.2部をジクロルェタン5部に溶解及び分散し
て塗布液1とした。
またポリメチルメタクリレート(実施例1と同じもの)
2.5部を塩素化ポリエチレンの代りに用い、溶解のジ
クロルェタンを6部用いる他は塗布液1と同じ組成の塗
布液2を調整した。塗布液1、同2及び同1をポリエチ
レンテレフタレートフィルム(厚さ25ム)上に各層の
乾燥後の厚さが10ムになるように塗布棒によって順次
塗布及び乾燥(80℃20分)をくりかえして、最終的
に全体の厚さが30rの、三層から成る感光層を有する
感光材料を作った。次にこの感光層を、清浄化された実
施例1と同じ鋼基板上に40午○で済層し「実施例1と
同様に露光(1分間)し、ついで260で剥離現像した
ところ、実施例1と同様に良質なしジストパターンが銅
基板上に形成された。次に実施例1と同様にエッチング
処理をしたところ、レジスト膜のはがれもなく、テンテ
イング率は100%であった。さらにメチルェチケトン
でレジストは容易にに除去された。実施例 4(比較例
)実施例3の塗布液2を、厚さ25山のポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に塗布して感光層の厚さ30一
の感光材料を作った。
2.5部を塩素化ポリエチレンの代りに用い、溶解のジ
クロルェタンを6部用いる他は塗布液1と同じ組成の塗
布液2を調整した。塗布液1、同2及び同1をポリエチ
レンテレフタレートフィルム(厚さ25ム)上に各層の
乾燥後の厚さが10ムになるように塗布棒によって順次
塗布及び乾燥(80℃20分)をくりかえして、最終的
に全体の厚さが30rの、三層から成る感光層を有する
感光材料を作った。次にこの感光層を、清浄化された実
施例1と同じ鋼基板上に40午○で済層し「実施例1と
同様に露光(1分間)し、ついで260で剥離現像した
ところ、実施例1と同様に良質なしジストパターンが銅
基板上に形成された。次に実施例1と同様にエッチング
処理をしたところ、レジスト膜のはがれもなく、テンテ
イング率は100%であった。さらにメチルェチケトン
でレジストは容易にに除去された。実施例 4(比較例
)実施例3の塗布液2を、厚さ25山のポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に塗布して感光層の厚さ30一
の感光材料を作った。
これを、実施例3と同様に銅基板上に40つ○で横層し
、同様に露光後、25q0で支持体で剥離したところ、
露光部、禾露光部ともに感光層全面が基板上にうつり、
画像は全く得られなかった。実施例 5 塩素化ポリプロピレン(山陽国策パルプ■製、スーパー
クロンCPP)2.5部、ポリエステル(メタ)アクリ
レートモノマー(東亜合化学■製、アロニックスM−8
030)2部、ポリエステル(メタ)アクリレートモノ
マー(同アロニツクスM−6100)1部、ベンゾィン
(光重合開始剤)0.2部、pーメトキシフェノール(
熱重合防止剤)、0.03部、カーボンブラック(着色
剤)0.1部をメチルエチルケトン5部に溶解及び分散
して塗布液1を作った。
、同様に露光後、25q0で支持体で剥離したところ、
露光部、禾露光部ともに感光層全面が基板上にうつり、
画像は全く得られなかった。実施例 5 塩素化ポリプロピレン(山陽国策パルプ■製、スーパー
クロンCPP)2.5部、ポリエステル(メタ)アクリ
レートモノマー(東亜合化学■製、アロニックスM−8
030)2部、ポリエステル(メタ)アクリレートモノ
マー(同アロニツクスM−6100)1部、ベンゾィン
(光重合開始剤)0.2部、pーメトキシフェノール(
熱重合防止剤)、0.03部、カーボンブラック(着色
剤)0.1部をメチルエチルケトン5部に溶解及び分散
して塗布液1を作った。
また結合剤として塩素化ポリプロピレンの代りに、アク
リロニトリループタジェン−スチレン共重合物(三井東
圧化学■製、ラィタックA茂3100)2.5部を用い
る他は、塗布液1と同組成の塗布液2を作った。さらに
、結合剤として塩素化ポリプロピレンの代りに、エチル
セルローズ(ハーキュレス車製 ェトセルT−50)2
.5部を用いる他は、塗布液1と同組成の塗布液3を作
った。次に塗布液1,2及び3をポリエチレンテレフタ
レートフィルム(厚さ25ム)上に、各層の乾燥後の厚
さが10山になるように順次、塗布、乾燥(80q○2
ぴ分)をくりかえして、最終的に、全体の厚さが30ム
の三層から成る感光層を有する感光材料を作った。次に
この感光層を実施例1と同様に銅基板上に25℃で積層
し、琢光(1分間)をし、50qoで剥離現像を行った
ところ、ほぼ実施例1と同様な良質なしジストパターン
を得た。実施例1と同様にエッチング処理をしたところ
、レジスト膜のはがれることもなく、テンティング率は
100%であった。メチルエチルケトンによるレジスト
除去性も良好であった。実施例 6 ポリメチルメタアクリレート(実施例1参照)2.3部
、塩素化ポリエチレン(実施例1と同じもの)0.2部
、ァロニックスM−80301.5部、アロニックスM
−63001.5部(いずれも東亜合成化学欄製)、ベ
ンジル(光重合開始剤)0.2部、p−メトキシフェノ
ール0.03部、カーボンブラック0.2部をメチルエ
チルケトン6部に溶解及び分散して、塗布液1とした。
リロニトリループタジェン−スチレン共重合物(三井東
圧化学■製、ラィタックA茂3100)2.5部を用い
る他は、塗布液1と同組成の塗布液2を作った。さらに
、結合剤として塩素化ポリプロピレンの代りに、エチル
セルローズ(ハーキュレス車製 ェトセルT−50)2
.5部を用いる他は、塗布液1と同組成の塗布液3を作
った。次に塗布液1,2及び3をポリエチレンテレフタ
レートフィルム(厚さ25ム)上に、各層の乾燥後の厚
さが10山になるように順次、塗布、乾燥(80q○2
ぴ分)をくりかえして、最終的に、全体の厚さが30ム
の三層から成る感光層を有する感光材料を作った。次に
この感光層を実施例1と同様に銅基板上に25℃で積層
し、琢光(1分間)をし、50qoで剥離現像を行った
ところ、ほぼ実施例1と同様な良質なしジストパターン
を得た。実施例1と同様にエッチング処理をしたところ
、レジスト膜のはがれることもなく、テンティング率は
100%であった。メチルエチルケトンによるレジスト
除去性も良好であった。実施例 6 ポリメチルメタアクリレート(実施例1参照)2.3部
、塩素化ポリエチレン(実施例1と同じもの)0.2部
、ァロニックスM−80301.5部、アロニックスM
−63001.5部(いずれも東亜合成化学欄製)、ベ
ンジル(光重合開始剤)0.2部、p−メトキシフェノ
ール0.03部、カーボンブラック0.2部をメチルエ
チルケトン6部に溶解及び分散して、塗布液1とした。
また、塩化ビニリデンーアクリロニトリル共重合物(旭
ダゥ■製 サランF−220)2部、アロニツクスM−
80301.5部、アロニックスM−63001.5部
、ベンジル0.2部、pーメトキシフェノール0.03
部をメチルエチルケトン7部に溶解及び分散して塗布液
2とした。次に塗布液1及び2を、厚さ30〃のトリア
セチルセルロースフィルム上に、各層の乾燥後の厚さが
15仏になるように順次、塗布、乾燥(800020分
)をくりかえして、最終的に全体の厚さが30仏の二層
から成る感光層を有する感光材料を作った。この感光層
面を実施例1と同じ鋼基基板上に40つ0で積層し、同
様に露光(1分間)をし、5び○で剥離現像を行ったと
ころ、実施例1と同様な良質なしジストパターンが形成
された。エッチング後、レジストパターンのはがれもな
く、テンテイング率は100%であった。メチルエチル
ケトンによるレジスト除去性も良好であった。実施例
7 実施例1に於いて作られた感光材料の感光層の上に厚さ
20rのポリエチレンフィルムを保護フィルムとして密
着させ、室内、階所にーケ月間放置した。
ダゥ■製 サランF−220)2部、アロニツクスM−
80301.5部、アロニックスM−63001.5部
、ベンジル0.2部、pーメトキシフェノール0.03
部をメチルエチルケトン7部に溶解及び分散して塗布液
2とした。次に塗布液1及び2を、厚さ30〃のトリア
セチルセルロースフィルム上に、各層の乾燥後の厚さが
15仏になるように順次、塗布、乾燥(800020分
)をくりかえして、最終的に全体の厚さが30仏の二層
から成る感光層を有する感光材料を作った。この感光層
面を実施例1と同じ鋼基基板上に40つ0で積層し、同
様に露光(1分間)をし、5び○で剥離現像を行ったと
ころ、実施例1と同様な良質なしジストパターンが形成
された。エッチング後、レジストパターンのはがれもな
く、テンテイング率は100%であった。メチルエチル
ケトンによるレジスト除去性も良好であった。実施例
7 実施例1に於いて作られた感光材料の感光層の上に厚さ
20rのポリエチレンフィルムを保護フィルムとして密
着させ、室内、階所にーケ月間放置した。
然る後、保護フィルムを除去して、以下実施例1と全く
同様にして銅基板上に積層し、露光、剥離現像を行った
ところ、実施例1と全く同様な良質な画像が得られた。
エッチング後もしジスト膜のはがれはなく、テンテイン
グ率は97%であった。実施例 8 実施例6の塗布液1と同じものを作った。
同様にして銅基板上に積層し、露光、剥離現像を行った
ところ、実施例1と全く同様な良質な画像が得られた。
エッチング後もしジスト膜のはがれはなく、テンテイン
グ率は97%であった。実施例 8 実施例6の塗布液1と同じものを作った。
一方、塩化ビニルを主成分とする共重合体(電気化学工
業■製 テンカビニル100の)2部を結合剤として用
いる他は、実施例6の塗布液1と同じ組成をもつ塗布液
2を作った。次に塗布液1及び2を厚さ25仏のポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に、各層の厚さが10
仏になるように順次、塗布、乾燥(80午C2G分)を
くりかえし、支持体上に厚さ20ムの感光層を有する感
光材料を作った。次に、この感光層面を、シリケート処
理を施した平版印刷用のアルミ坂上に、25qoで加圧
下積層し、支持体上に活字状パターンをもった陰画原稿
をおいて、その上より松Wの高圧水銀燈の光源より5比
又の距離に於いて3現皆・間露光したのち、25qCで
支持体を剥離すると、アルミ坂上に光硬化した陽画のパ
ターンが形成され、未露光部の感光層は、支持体に接着
したままアルミ基板より除去された。こうして得られた
印刷版を用いて、油塔性インクを用いてオフセット印刷
をしたところ、3万枚印刷した時点でも、活字のとび、
かけなどもなく、良好な印刷物が得られた。
業■製 テンカビニル100の)2部を結合剤として用
いる他は、実施例6の塗布液1と同じ組成をもつ塗布液
2を作った。次に塗布液1及び2を厚さ25仏のポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に、各層の厚さが10
仏になるように順次、塗布、乾燥(80午C2G分)を
くりかえし、支持体上に厚さ20ムの感光層を有する感
光材料を作った。次に、この感光層面を、シリケート処
理を施した平版印刷用のアルミ坂上に、25qoで加圧
下積層し、支持体上に活字状パターンをもった陰画原稿
をおいて、その上より松Wの高圧水銀燈の光源より5比
又の距離に於いて3現皆・間露光したのち、25qCで
支持体を剥離すると、アルミ坂上に光硬化した陽画のパ
ターンが形成され、未露光部の感光層は、支持体に接着
したままアルミ基板より除去された。こうして得られた
印刷版を用いて、油塔性インクを用いてオフセット印刷
をしたところ、3万枚印刷した時点でも、活字のとび、
かけなどもなく、良好な印刷物が得られた。
図面は、本発明に使用される感光材料の断面図である。
Claims (1)
- 1 透明支持体1と基板2の間に、付加重合性モノマー
、光重合開始剤および結合剤からなり、相互にその構成
する成分の内の少なくとも1つが異なつているか又は含
有比を異にする少くとも二つ感光層から成る層3が互い
に隣接して設けられており、1と3の間の接着力をA、
2と3の間の接着力をB、少くとも二つの層から成る層
3の各層の相互間の接着力の内、最小のものをCとし、
また露光後の1と3の間の接着力をA′、2と3の間の
接着力をB′、少くとも二つの層から成る層3の各層の
相互間の接着力の内、最小のものをC′とする時、C>
A>B及びC′>B′>A′なる関係が成立つような感
光材料を画像露光してのち、支持体を剥離して感光層3
の露光部分を基板上に残留させる画像形成法において、
前記透明支持体はプラスチツクフイルムであり、前記基
板は金属板又は感光層側の表面に金属層を有する積層板
であり、前記感光層に含まれる結合剤は付加重合性モノ
マーに対して重量比で2〜0.2であり、透明支持体に
隣接する感光層の結合剤の少なくとも1つは塩素化ポリ
マーであり、透明支持体に隣接しない少なくとも1つの
感光層に結合剤として塩素化ポリマーより高強度なポリ
マーを少なくとも1つ含有することを特徴とする画像形
成方法。
Priority Applications (4)
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| JP75300A JPS6032173B2 (ja) | 1974-12-28 | 1974-12-28 | 画像形成法 |
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