JPS6032261B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6032261B2 JPS6032261B2 JP14688176A JP14688176A JPS6032261B2 JP S6032261 B2 JPS6032261 B2 JP S6032261B2 JP 14688176 A JP14688176 A JP 14688176A JP 14688176 A JP14688176 A JP 14688176A JP S6032261 B2 JPS6032261 B2 JP S6032261B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- magnetic recording
- recording media
- oxide
- Prior art date
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- Expired
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主として磁気ディスクに用いる磁気記録媒体の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
このような磁気記録媒体はＡＩ基板上に薄い磁性膜を施
して構成され、この薄い磁性膜を形成するため従来一般
に粉末状のフェライトをスピンコートする塗膜法やメッ
キ法が用いられている。
して構成され、この薄い磁性膜を形成するため従来一般
に粉末状のフェライトをスピンコートする塗膜法やメッ
キ法が用いられている。
ところで記録媒体の記録密度を向上するには、情報を記
録するトラック相互の干渉を弱くすべく薄膜化し、コン
タクトスタート、ストップ方式の採用に伴って記録媒体
がスタートとストップ過程でヘッドと接触摩擦を生じる
点に鑑み所定の機械的強度を有し、更に磁気特性を向上
すること等が必要である。しかるに前述の従釆一般に行
われている塗膜法では薄膜化が困難であり、メッキ法で
は耐蝕性や耐摩性に欠け保護膜が必要になる等の問題が
ある。そこで近年か）る高密度磁気記録媒体の要求を満
たすべく、基板上に反応スパッタ法或いは気相成長法等
により鉄を含む非磁性酸化物のＱ−Ｆｅ２０３薄膜を形
成し、これを還元処理して磁性産化物のＦの０４薄膜に
するという製造方法が提案されている。
録するトラック相互の干渉を弱くすべく薄膜化し、コン
タクトスタート、ストップ方式の採用に伴って記録媒体
がスタートとストップ過程でヘッドと接触摩擦を生じる
点に鑑み所定の機械的強度を有し、更に磁気特性を向上
すること等が必要である。しかるに前述の従釆一般に行
われている塗膜法では薄膜化が困難であり、メッキ法で
は耐蝕性や耐摩性に欠け保護膜が必要になる等の問題が
ある。そこで近年か）る高密度磁気記録媒体の要求を満
たすべく、基板上に反応スパッタ法或いは気相成長法等
により鉄を含む非磁性酸化物のＱ−Ｆｅ２０３薄膜を形
成し、これを還元処理して磁性産化物のＦの０４薄膜に
するという製造方法が提案されている。
しかしこの方法により現在行われているものは、還元処
理時の温度が３５０ｏｏという高温でしかもその還元マ
ージンが小さく、磁気特性の保磁力（Ｈｃ）及び角型比
（Ｂｒ／段）が小さいという欠点がある。本発明はこの
ような欠点を解消すべ〈提案されたもので、反応スパッ
タ法等による非磁性酸化物のＱ−Ｆ財０３薄膜を処理し
て磁性酸化物の薄膜を形成する場合において、還元処理
温度範囲を広くし磁気特性の保磁力や角型比の高い製造
方法を提供することにある。
理時の温度が３５０ｏｏという高温でしかもその還元マ
ージンが小さく、磁気特性の保磁力（Ｈｃ）及び角型比
（Ｂｒ／段）が小さいという欠点がある。本発明はこの
ような欠点を解消すべ〈提案されたもので、反応スパッ
タ法等による非磁性酸化物のＱ−Ｆ財０３薄膜を処理し
て磁性酸化物の薄膜を形成する場合において、還元処理
温度範囲を広くし磁気特性の保磁力や角型比の高い製造
方法を提供することにある。
このため本発明によると、Ｑ−Ｆｅ２０３にＣｒ， Ｃ
ｕ，Ｃ。を所定量添加して、２００℃ないし３５０００
に越える広い温度範囲での還元処理を可能にすると共に
高保磁力を有するＦｅ３０４薄膜を形成する。またこう
して形成されるＦｅ３０４を所定の温度範囲で酸化処理
して、角型性及び下地との密着性を改善したッ−Ｆ財０
３薄膜を形成するものである。次いで本発明の製造方法
について詳細に説明すると、まずＡＩ基板上にＣｒ，Ｃ
ｕ，Ｃ。
ｕ，Ｃ。を所定量添加して、２００℃ないし３５０００
に越える広い温度範囲での還元処理を可能にすると共に
高保磁力を有するＦｅ３０４薄膜を形成する。またこう
して形成されるＦｅ３０４を所定の温度範囲で酸化処理
して、角型性及び下地との密着性を改善したッ−Ｆ財０
３薄膜を形成するものである。次いで本発明の製造方法
について詳細に説明すると、まずＡＩ基板上にＣｒ，Ｃ
ｕ，Ｃ。
の添加元素が金属イオン濃度で所定量含まれる膜厚ｌＡ
ｍ以下のＱ−Ｆ財０３薄膜を反応スパッタして形成し、
次いでこれを比の還元雰囲気中で、所定の温度範囲にて
還元処理することによりＦｅ３０４薄膜を形成するもの
である。するとＣｕの添加により還元温度が下がって還
元マージンが大きくなり、Ｃｒの添加により還元マージ
ンが更に広がり、Ｃ。の添加により保磁力が高くなる。
これについて第１図及び第２図の特性曲線により詳細に
説明する。第１図の特性曲線は前述の還元マージンにつ
いて示したもので電気抵抗約７０ないし６００００の範
囲がＦ錨０４の領域であり、破線の無添加のものは還元
温度が３００ｏｏ前後の非常に狭い範囲の値でしかＦｅ
３Ｑになり得ないことがわかる。これに対し一点鎖線の
Ｃｕのみが添加するものは、Ｆｅ３０４になり得る還元
温度が２００ｑｏから３００ｏ０を少し越えた温度範囲
に迄広がり、更にＣｕとＣｒを添加したものは実線で示
されるように還元温度が更に３５０ｑｏを越えた値に広
がる。このような特性はＣｕの場合金属イオン濃度で１
５％迄、Ｃｒの場合には同じように金属イオン濃度で１
０％迄可能である。また第２図に特性曲線は保磁力につ
いて示したもので、この線図からＣｏの添加量が増加す
るのに従っては）、比例的に保磁力も増大し、これから
最適な保磁力を任意に設定することができるが、実際に
は金属イオン濃度１０％以下で充分である。なお、この
Ｃ。の存在は還元性にほとんど影響しないので、Ｆの０
４の形成において別個に取扱うことができて非常に都合
が良い。またこうして形成されたＦ鰭０４薄膜を、更に
１５０ｑｏないし４５０『０の温度範囲の空気または酸
化雰囲気中で熱処理することによりｙ−Ｆｅ２Ｑの薄膜
を形成するものである。
ｍ以下のＱ−Ｆ財０３薄膜を反応スパッタして形成し、
次いでこれを比の還元雰囲気中で、所定の温度範囲にて
還元処理することによりＦｅ３０４薄膜を形成するもの
である。するとＣｕの添加により還元温度が下がって還
元マージンが大きくなり、Ｃｒの添加により還元マージ
ンが更に広がり、Ｃ。の添加により保磁力が高くなる。
これについて第１図及び第２図の特性曲線により詳細に
説明する。第１図の特性曲線は前述の還元マージンにつ
いて示したもので電気抵抗約７０ないし６００００の範
囲がＦ錨０４の領域であり、破線の無添加のものは還元
温度が３００ｏｏ前後の非常に狭い範囲の値でしかＦｅ
３Ｑになり得ないことがわかる。これに対し一点鎖線の
Ｃｕのみが添加するものは、Ｆｅ３０４になり得る還元
温度が２００ｑｏから３００ｏ０を少し越えた温度範囲
に迄広がり、更にＣｕとＣｒを添加したものは実線で示
されるように還元温度が更に３５０ｑｏを越えた値に広
がる。このような特性はＣｕの場合金属イオン濃度で１
５％迄、Ｃｒの場合には同じように金属イオン濃度で１
０％迄可能である。また第２図に特性曲線は保磁力につ
いて示したもので、この線図からＣｏの添加量が増加す
るのに従っては）、比例的に保磁力も増大し、これから
最適な保磁力を任意に設定することができるが、実際に
は金属イオン濃度１０％以下で充分である。なお、この
Ｃ。の存在は還元性にほとんど影響しないので、Ｆの０
４の形成において別個に取扱うことができて非常に都合
が良い。またこうして形成されたＦ鰭０４薄膜を、更に
１５０ｑｏないし４５０『０の温度範囲の空気または酸
化雰囲気中で熱処理することによりｙ−Ｆｅ２Ｑの薄膜
を形成するものである。
これによるｙ−Ｆｅ２０３もＦの０４と同じように磁性
酸化物で磁気記録媒体を構成することができ、この酸化
処理過程でＣｒにより角型比が非常に向上し、更に下地
との密着性も改善される。続いて本発明の製造方法の−
実施例について説明すると、３％Ｃｒ，２％Ｃｕ，２％
Ｃ。
酸化物で磁気記録媒体を構成することができ、この酸化
処理過程でＣｒにより角型比が非常に向上し、更に下地
との密着性も改善される。続いて本発明の製造方法の−
実施例について説明すると、３％Ｃｒ，２％Ｃｕ，２％
Ｃ。
を含むＦ９ターゲットを用い５０％０２−５０％Ａｒ混
合ガス中で反応スパッタして、アルマイト処理を施した
ＡＩ基板上にＱ−Ｆ既０３薄膜を膜厚１仏肌以下で形成
し、これを比中で２５０℃、１時間還元処理してＦ凶０
４の薄膜を形成する。その後更にこのＦｅ３０４を空気
中３０ぴ０で熱処理してｙ−Ｆ班０３の薄膜を形成する
ものである。この結果保磁力７００Ｑ、角型比０．８の
磁気特性が得られた。以上説明したように本発明の製造
方法によると、非磁性酸化膜を温度範囲の広い雰囲気中
で還元することができて、薄い磁性酸化膜を容易に得る
ことが可能になり、更に磁気特性も向上するので、磁気
記録媒体の高密度化が達成される。
合ガス中で反応スパッタして、アルマイト処理を施した
ＡＩ基板上にＱ−Ｆ既０３薄膜を膜厚１仏肌以下で形成
し、これを比中で２５０℃、１時間還元処理してＦ凶０
４の薄膜を形成する。その後更にこのＦｅ３０４を空気
中３０ぴ０で熱処理してｙ−Ｆ班０３の薄膜を形成する
ものである。この結果保磁力７００Ｑ、角型比０．８の
磁気特性が得られた。以上説明したように本発明の製造
方法によると、非磁性酸化膜を温度範囲の広い雰囲気中
で還元することができて、薄い磁性酸化膜を容易に得る
ことが可能になり、更に磁気特性も向上するので、磁気
記録媒体の高密度化が達成される。
第１図は従来と本発明による還元マージンの状態を示す
特性線図、第２図は本発明による保磁力の状態を示す特
性線図である。 Ｑ−Ｆ２０３・・・・・・非磁性酸化物、Ｆｅ３０４，
ッーＦ２０３・・・・・・磁性酸化物。 ※２図 籍１図
特性線図、第２図は本発明による保磁力の状態を示す特
性線図である。 Ｑ−Ｆ２０３・・・・・・非磁性酸化物、Ｆｅ３０４，
ッーＦ２０３・・・・・・磁性酸化物。 ※２図 籍１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にＣｒ，Ｃｕ，Ｃｏを添加する非磁性酸化物
のα−Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜を形成し、次いでこれを還元
処理して磁性酸化物のＦｅ＿３Ｏ＿４薄膜を得ることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ２ 基板上にＣｒ，Ｃｕ，Ｃｏを添加する非磁性酸化物
のα−Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜を形成し、次いでこれを還元
処理して磁性酸化物のＦｅ＿３Ｏ＿４薄膜になし、更に
熱処理して酸化することにより磁性酸化物のα−Ｆｅ＿
２Ｏ＿３薄膜を得ることを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14688176A JPS6032261B2 (ja) | 1976-12-07 | 1976-12-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14688176A JPS6032261B2 (ja) | 1976-12-07 | 1976-12-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5370804A JPS5370804A (en) | 1978-06-23 |
| JPS6032261B2 true JPS6032261B2 (ja) | 1985-07-26 |
Family
ID=15417673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14688176A Expired JPS6032261B2 (ja) | 1976-12-07 | 1976-12-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032261B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57205826A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Hitachi Condenser Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1976
- 1976-12-07 JP JP14688176A patent/JPS6032261B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5370804A (en) | 1978-06-23 |
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