JPS6057211B2 - 磁気記録媒体の製作法 - Google Patents
磁気記録媒体の製作法Info
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- JPS6057211B2 JPS6057211B2 JP7890477A JP7890477A JPS6057211B2 JP S6057211 B2 JPS6057211 B2 JP S6057211B2 JP 7890477 A JP7890477 A JP 7890477A JP 7890477 A JP7890477 A JP 7890477A JP S6057211 B2 JPS6057211 B2 JP S6057211B2
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- magnetic
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ディスク装置などに用いる’高密度磁
気記録媒体の製作法に関する。
気記録媒体の製作法に関する。
磁気記録装置では高密度記録が１つの重要な問題であ
り、そして高密度記録には記録媒体の厚みを薄くし、保
磁力Ｈｃを大にすることが必要である。
り、そして高密度記録には記録媒体の厚みを薄くし、保
磁力Ｈｃを大にすることが必要である。
磁気ディスクでは媒体形成には塗布つまり円盤上にγＦ
ｅ。Ｏ。の微粒子とバインダーとの混合物を塗布して磁
性膜を作る方式が広く用いられている。しかしこの方法
ではバインダーがあるので薄膜化に限度があり、０．５
〜０．７μｍ以下にするのは難しい。媒体形成にはこの
他に、反応スパッタ法、反応蒸着法、ＣＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＣＶＤ（Ｃｈｅ−ｍ
ｉｃａｌＶａｐｏｒｅｄＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法など
があり、これらの方法によると更に薄い連続媒体薄膜の
形成が可能であり、例えば前者のスパッタ法、蒸着法な
どでは０．０５μｍ程度、実用的には０．１５μｍのも
のが得られる。 しかしながら、かゝる磁気記録媒体薄
膜を従来Ｊ法で作ると、その製造工程および得られる媒
体の磁気特性に種々難点がある。例えば前述の反応スパ
ッタ法では、１０−゜Ｔｏｒｒ程度の酸素を含むアルゴ
ンガス雰囲気中で鉄（Ｆｅ）をスパッタして基板にα−
Ｆｅ２Ｏ３非磁性膜を被着し、この膜を還元してＦｅ３
Ｏ４（マグネタイト）磁性膜を作るが、この還元工程の
温度マージンが狭く、還元温度も高く、しかも保磁力お
よび角形比も比較的小さいという欠点がある。本発明は
か）る点を改善しようとするもので、鉄（Ｆｅ）に銅（
Ｃｕ）およびコバルト（ＣＯ）、それにマンガン（Ｍｎ
）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｅ）、亜鉛（
Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、錫（Ｓｎ）、タンタル
（Ｔａ）の１つ以上を添加してなる鉄合金を用いて反応
スパッタ法などにより膜厚１μｍ以下のα−Ｆｅ２Ｏ３
膜形成を行なうことを特徴とするものである。
ｅ。Ｏ。の微粒子とバインダーとの混合物を塗布して磁
性膜を作る方式が広く用いられている。しかしこの方法
ではバインダーがあるので薄膜化に限度があり、０．５
〜０．７μｍ以下にするのは難しい。媒体形成にはこの
他に、反応スパッタ法、反応蒸着法、ＣＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＣＶＤ（Ｃｈｅ−ｍ
ｉｃａｌＶａｐｏｒｅｄＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法など
があり、これらの方法によると更に薄い連続媒体薄膜の
形成が可能であり、例えば前者のスパッタ法、蒸着法な
どでは０．０５μｍ程度、実用的には０．１５μｍのも
のが得られる。 しかしながら、かゝる磁気記録媒体薄
膜を従来Ｊ法で作ると、その製造工程および得られる媒
体の磁気特性に種々難点がある。例えば前述の反応スパ
ッタ法では、１０−゜Ｔｏｒｒ程度の酸素を含むアルゴ
ンガス雰囲気中で鉄（Ｆｅ）をスパッタして基板にα−
Ｆｅ２Ｏ３非磁性膜を被着し、この膜を還元してＦｅ３
Ｏ４（マグネタイト）磁性膜を作るが、この還元工程の
温度マージンが狭く、還元温度も高く、しかも保磁力お
よび角形比も比較的小さいという欠点がある。本発明は
か）る点を改善しようとするもので、鉄（Ｆｅ）に銅（
Ｃｕ）およびコバルト（ＣＯ）、それにマンガン（Ｍｎ
）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｅ）、亜鉛（
Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、錫（Ｓｎ）、タンタル
（Ｔａ）の１つ以上を添加してなる鉄合金を用いて反応
スパッタ法などにより膜厚１μｍ以下のα−Ｆｅ２Ｏ３
膜形成を行なうことを特徴とするものである。
こうして得られたα一Ｆｅ２Ｏ３膜を還元してＦｅ３Ｏ
４膜にすると高保磁力の磁性膜が得られ、しかもその還
元工程の所要温度が低くかつ許容温度範囲が広いので基
板に悪影響を与えず、還元処理が容易であり、高い歩留
りが得られる。更にこのＦｅ３Ｏ４高保磁力膜を空気中
で熱処理すると酸化してγ−Ｆｅ２Ｏ３膜になり、これ
は基板との密着性がよくかつ角型比も従来法ではＯゐ程
度てあるのに対しＯ名程度と高くなる。次に実施例を参
照しながらこれを詳細に説明する。第１図はα−Ｆｅ２
Ｏ３からＦｅ３Ｏ４への還元工程の温度対電気抵抗の関
係を示す。曲線Ｃ１は無添加のＦｅをターゲットとして
０２−Ｎ混合ガス中で反応スパッタリンク几てアルミニ
ウム基板上にα−Ｆｅ２Ｏ，膜を作り、水蒸気を含む水
素ガス中でこれを還元した場合、また曲線Ｃ２は３％（
重量％、以下同じ）Ｍｎｌ２％Ｃｕ、２％ＣＯを含むＦ
ｅ合金をターゲットとして同じ条件で反応スパッタリン
グし、かつ生成したα−Ｆｅ２Ｏ３膜を還元した楊合の
還元温度対電気抵抗特性である。点線間の１σ〜１０４
Ω−Ｃｍの範囲がＦｅ３Ｏ４の領域であり、１０１Ω−
Ｃｍ以上の範囲（まα−Ｆｅ２Ｏ３の領域、１σΩ−Ｃ
ｍ以の範囲はＦｅの領域である。これらの曲線Ｃｌ，．
Ｃ２から明らかなように、無添加Ｆｅ使用の場合は還元
温度マージンは２８０〜３２５℃と非常に狭く、これ以
下の温度ては非磁性かつ絶縁性のα−Ｆｅ２Ｏ３のま）
てあり、これ以上の温度では単なるＦｅ金属になつてし
まう。熱処理温度の許容変動範囲が，約５０℃というの
は実際には可成り厳しく、精密な温度制御を必要とする
。これに対して曲線Ｃ２のＦｅ−Ｍｎ−Ｃｕ−ＣＯ合金
使用の場合は還元温度マージンは２００〜３７５℃に拡
大し、温度管理が容易である。またこのグラフから明ら
かなように上記鉄合金使用の場合は還元温度が低く、即
ち無添加Ｆｅの場合は３００℃程度であるのに対して、
２００℃程度でもよくなり、これは大きな利点である。
４膜にすると高保磁力の磁性膜が得られ、しかもその還
元工程の所要温度が低くかつ許容温度範囲が広いので基
板に悪影響を与えず、還元処理が容易であり、高い歩留
りが得られる。更にこのＦｅ３Ｏ４高保磁力膜を空気中
で熱処理すると酸化してγ−Ｆｅ２Ｏ３膜になり、これ
は基板との密着性がよくかつ角型比も従来法ではＯゐ程
度てあるのに対しＯ名程度と高くなる。次に実施例を参
照しながらこれを詳細に説明する。第１図はα−Ｆｅ２
Ｏ３からＦｅ３Ｏ４への還元工程の温度対電気抵抗の関
係を示す。曲線Ｃ１は無添加のＦｅをターゲットとして
０２−Ｎ混合ガス中で反応スパッタリンク几てアルミニ
ウム基板上にα−Ｆｅ２Ｏ，膜を作り、水蒸気を含む水
素ガス中でこれを還元した場合、また曲線Ｃ２は３％（
重量％、以下同じ）Ｍｎｌ２％Ｃｕ、２％ＣＯを含むＦ
ｅ合金をターゲットとして同じ条件で反応スパッタリン
グし、かつ生成したα−Ｆｅ２Ｏ３膜を還元した楊合の
還元温度対電気抵抗特性である。点線間の１σ〜１０４
Ω−Ｃｍの範囲がＦｅ３Ｏ４の領域であり、１０１Ω−
Ｃｍ以上の範囲（まα−Ｆｅ２Ｏ３の領域、１σΩ−Ｃ
ｍ以の範囲はＦｅの領域である。これらの曲線Ｃｌ，．
Ｃ２から明らかなように、無添加Ｆｅ使用の場合は還元
温度マージンは２８０〜３２５℃と非常に狭く、これ以
下の温度ては非磁性かつ絶縁性のα−Ｆｅ２Ｏ３のま）
てあり、これ以上の温度では単なるＦｅ金属になつてし
まう。熱処理温度の許容変動範囲が，約５０℃というの
は実際には可成り厳しく、精密な温度制御を必要とする
。これに対して曲線Ｃ２のＦｅ−Ｍｎ−Ｃｕ−ＣＯ合金
使用の場合は還元温度マージンは２００〜３７５℃に拡
大し、温度管理が容易である。またこのグラフから明ら
かなように上記鉄合金使用の場合は還元温度が低く、即
ち無添加Ｆｅの場合は３００℃程度であるのに対して、
２００℃程度でもよくなり、これは大きな利点である。
即ち熱処理温度が３００℃を越えると大面積のアルミニ
ウム基板では円板に反りが発生して磁気ヘッドが媒体か
ら一定の間隔を保つてトラック追跡することができなく
なるので、還元処理温度は３００℃以下でノよいことが
望ましい。この点、上記鉄合金の場合２００℃程度でよ
いということは極めて好ましいことであり、媒体基板に
アルミニウムの使用を可能にし、還元温度マージンが広
いという特徴と相俟つてこれに所定の良好な特性の磁性
薄膜を確実に被着することができる。こ）で実施例を挙
げると、３％Ｍｎｌ２％ＣＵｌ２％ＣＯを含む鉄合金タ
ーゲットを用い、５０％０２一５０％Ｎ混合ガス中で反
応スパッタし、アルマイト処理をしたアルミニウム基板
上にα−Ｆｅ２Ｏ３・薄膜を形成した。
ウム基板では円板に反りが発生して磁気ヘッドが媒体か
ら一定の間隔を保つてトラック追跡することができなく
なるので、還元処理温度は３００℃以下でノよいことが
望ましい。この点、上記鉄合金の場合２００℃程度でよ
いということは極めて好ましいことであり、媒体基板に
アルミニウムの使用を可能にし、還元温度マージンが広
いという特徴と相俟つてこれに所定の良好な特性の磁性
薄膜を確実に被着することができる。こ）で実施例を挙
げると、３％Ｍｎｌ２％ＣＵｌ２％ＣＯを含む鉄合金タ
ーゲットを用い、５０％０２一５０％Ｎ混合ガス中で反
応スパッタし、アルマイト処理をしたアルミニウム基板
上にα−Ｆｅ２Ｏ３・薄膜を形成した。
その後水分を含んだ水素ガス雰囲気中で２５０′Ｃ１約
１時間還元を行ない、高保磁力のＦｅ３Ｏ４膜を得た。
このＦｅ３α膜を空気中３００℃で熱処理し、保磁力７
０００ｅ、角型比０．８の、基板と密着性のよい良磁気
特性のγ−Ｆｅ２Ｏ３膜を得た。添加物のうちコバルト
（ＣＯ）は、保磁力の改善に役立つ。
１時間還元を行ない、高保磁力のＦｅ３Ｏ４膜を得た。
このＦｅ３α膜を空気中３００℃で熱処理し、保磁力７
０００ｅ、角型比０．８の、基板と密着性のよい良磁気
特性のγ−Ｆｅ２Ｏ３膜を得た。添加物のうちコバルト
（ＣＯ）は、保磁力の改善に役立つ。
３％Ｍｎ−２％Ｃｕ−Ｘ％ＣＯ鉄合を用いた場合のＣＯ
添加量と保磁力Ｈｃとの関係を第２図の曲線Ｃ１に示す
。
添加量と保磁力Ｈｃとの関係を第２図の曲線Ｃ１に示す
。
この図に示すようにＣＯが零つまり無添加てあるとＦｅ
３Ｏ４膜のＨｃは３５００ｅ程度であるのに対し、ＣＯ
を１０％添加するとＨｃは１９０００ｅ近くにもなり、
この間ＨｃはほＳ゛直線状に増加する。Ｍｎの代りにＮ
ｉ．ｓＡｅＮＺｎ．．Ｚｒ．．Ｓｎ．．Ｔａを加えても
同様な結果が得られる。
３Ｏ４膜のＨｃは３５００ｅ程度であるのに対し、ＣＯ
を１０％添加するとＨｃは１９０００ｅ近くにもなり、
この間ＨｃはほＳ゛直線状に増加する。Ｍｎの代りにＮ
ｉ．ｓＡｅＮＺｎ．．Ｚｒ．．Ｓｎ．．Ｔａを加えても
同様な結果が得られる。
第１図の曲線Ｃ３は３％Ｚｎ、２％Ｃｕ、２％ＣＯを含
むＦｅ合金を、第３図曲線Ｃ２は３％Ｎ１、２％ＣＵｌ
２％ＣＯを含むＦｅ合金を、同図の曲線Ｃ３は３％Ｓｎ
ｌ２％ＣＵｌ２％ＣＯを含むＦｅ合金を、第５図の曲線
Ｃ３は３％Ｔａ、２％ＣＵｌ２％ＣＯを含むＦｅ合金を
、同図の曲線Ｃ２は３％Ｚｒｌ２％ＣＵｌ２％ＣＯを含
むＦｅ合金を、そして第７図の曲線Ｃ２は３％Ａｆｌ２
％ＣＵｌ２％ＣＯを含むＦｅ合金をそれぞれターゲット
として反応スパッタリングを行ない、得られたα−Ｆｅ
２Ｏ３を還元した場合のの還元温度一電気抵抗特性を示
す。また第２図の曲線Ｃ２は３％Ｚｎｌ２％ＣｕにＣＯ
を０〜１０％の範囲で添加したＣＯ合金を用いた場合の
添加量に対する保磁力Ｈｃの変化を示し、同様に第４図
の曲線Ｃ１は３％Ｎｉｌ２％Ｃｕにおける、同図の曲線
Ｃ２は３％Ｓｎｌ２％Ｃｕにおける、また第６図の曲線
Ｃ１は３％Ｚｒｌ２％Ｃｕにおける、同図の曲線Ｃ２は
３％Ｔａｌ２％Ｃｕにおける、そして第８図の曲線Ｃ１
は３％Ａｆ、２％ＣｕにおけるＣＯ添加量に対するＨｃ
の変化を示す。
むＦｅ合金を、第３図曲線Ｃ２は３％Ｎ１、２％ＣＵｌ
２％ＣＯを含むＦｅ合金を、同図の曲線Ｃ３は３％Ｓｎ
ｌ２％ＣＵｌ２％ＣＯを含むＦｅ合金を、第５図の曲線
Ｃ３は３％Ｔａ、２％ＣＵｌ２％ＣＯを含むＦｅ合金を
、同図の曲線Ｃ２は３％Ｚｒｌ２％ＣＵｌ２％ＣＯを含
むＦｅ合金を、そして第７図の曲線Ｃ２は３％Ａｆｌ２
％ＣＵｌ２％ＣＯを含むＦｅ合金をそれぞれターゲット
として反応スパッタリングを行ない、得られたα−Ｆｅ
２Ｏ３を還元した場合のの還元温度一電気抵抗特性を示
す。また第２図の曲線Ｃ２は３％Ｚｎｌ２％ＣｕにＣＯ
を０〜１０％の範囲で添加したＣＯ合金を用いた場合の
添加量に対する保磁力Ｈｃの変化を示し、同様に第４図
の曲線Ｃ１は３％Ｎｉｌ２％Ｃｕにおける、同図の曲線
Ｃ２は３％Ｓｎｌ２％Ｃｕにおける、また第６図の曲線
Ｃ１は３％Ｚｒｌ２％Ｃｕにおける、同図の曲線Ｃ２は
３％Ｔａｌ２％Ｃｕにおける、そして第８図の曲線Ｃ１
は３％Ａｆ、２％ＣｕにおけるＣＯ添加量に対するＨｃ
の変化を示す。
Ｎｌｎの代りに前記のＮｉ．Ａｅ・・・・ ・・・・を
添加した鉄合金ターゲットを用いる場合も、Ｍｎを用い
た場合と同様にしてＦｅ３Ｏ４膜、更にはγ−Ｆｅ２Ｏ
３膜を作ることができる。
添加した鉄合金ターゲットを用いる場合も、Ｍｎを用い
た場合と同様にしてＦｅ３Ｏ４膜、更にはγ−Ｆｅ２Ｏ
３膜を作ることができる。
各場合につき、Ｃｕ．．ＣＯはいずれも２％、Ｎｉ．Ａ
′、Ｚｎ．．Ｚｒ．．Ｓｎ．．Ｔａはいずれも３％とし
、Ｍｎの場合の実施例と同じ条件でγ−Ｆｅ２Ｏ３膜を
得た所、該膜のＨｃはＺｒｌｚｎ．．Ａｅ．．Ｎｉの場
合が７０００ｅ．．Ｔａの場合が７５００ｅｓＳｎの場
合が６５００ｅとなり、角型比はいずれも０．８てあつ
た。添加物中、Ｃｕ！１Ｍｎ．Ｎｉ・・・ ・・・・等
と共に還元性の改善に寄与している。
′、Ｚｎ．．Ｚｒ．．Ｓｎ．．Ｔａはいずれも３％とし
、Ｍｎの場合の実施例と同じ条件でγ−Ｆｅ２Ｏ３膜を
得た所、該膜のＨｃはＺｒｌｚｎ．．Ａｅ．．Ｎｉの場
合が７０００ｅ．．Ｔａの場合が７５００ｅｓＳｎの場
合が６５００ｅとなり、角型比はいずれも０．８てあつ
た。添加物中、Ｃｕ！１Ｍｎ．Ｎｉ・・・ ・・・・等
と共に還元性の改善に寄与している。
この点ＣＯは専らＨｃの改善に役立つており、これが２
％もあれば７０００ｅ程度の目標のＨｃが得られる。添
加物、特に非磁性添加物は多量に入ると磁性を損なうの
で余り多量にするのは好ましくない。そこでＣＵｌおよ
びＣＯｌならびにＮｉ．．ＭｎｌＺｎｌＡｅ．．Ｚｒ．
．Ｓｎ．．Ｔａは０．１〜１０％の範囲、好ましくは前
記実施例のようにＣＵＮＣＯが２％、Ｎｉ．．Ｍｎ・・
・・ ・・・・が３％の範囲でＦｅに混合するのがよい
。Ｎｉ，．Ｍｎ・・ ・・・・等は単独で又は２種以
上混合して用いてもよい。Ｎ１、Ｍｎ．．Ｚｎは１〜５
％の範囲でまたＡ′、ＺｎｌＳｎ．Ｔａは１〜４％の範
囲て混入すれば角型比Ｂｒ／Ｂｓは０．７以上になる。
１０％を越えるとＡｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ｔ
ａ２Ｏ５の析出物がフェライト中に生成し、磁気特性が
劣化する。
％もあれば７０００ｅ程度の目標のＨｃが得られる。添
加物、特に非磁性添加物は多量に入ると磁性を損なうの
で余り多量にするのは好ましくない。そこでＣＵｌおよ
びＣＯｌならびにＮｉ．．ＭｎｌＺｎｌＡｅ．．Ｚｒ．
．Ｓｎ．．Ｔａは０．１〜１０％の範囲、好ましくは前
記実施例のようにＣＵＮＣＯが２％、Ｎｉ．．Ｍｎ・・
・・ ・・・・が３％の範囲でＦｅに混合するのがよい
。Ｎｉ，．Ｍｎ・・ ・・・・等は単独で又は２種以
上混合して用いてもよい。Ｎ１、Ｍｎ．．Ｚｎは１〜５
％の範囲でまたＡ′、ＺｎｌＳｎ．Ｔａは１〜４％の範
囲て混入すれば角型比Ｂｒ／Ｂｓは０．７以上になる。
１０％を越えるとＡｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ｔ
ａ２Ｏ５の析出物がフェライト中に生成し、磁気特性が
劣化する。
第９図および第１０図は添加物Ａｅ．ｚｒｌＳｎ．Ｔａ
およびＭｎ．Ｎｉ．．Ｚｎの量に対する残留磁気Ｂｒの
変化を、また第１１図および第１２図は添加物Ａｅ．．
Ｚｒ．．Ｓｎ．．Ｔａの量に対する角型比（Ｂｒ／Ｂｓ
）の変化を示す。
およびＭｎ．Ｎｉ．．Ｚｎの量に対する残留磁気Ｂｒの
変化を、また第１１図および第１２図は添加物Ａｅ．．
Ｚｒ．．Ｓｎ．．Ｔａの量に対する角型比（Ｂｒ／Ｂｓ
）の変化を示す。
以上詳細に説明したように本発明によれば、極めて薄い
、かつ良好な保磁力および角型比の磁性薄膜を容易に歩
留りよく作ることができ、高密度記録用媒体として優れ
た媒体を廉価に提供することができる。
、かつ良好な保磁力および角型比の磁性薄膜を容易に歩
留りよく作ることができ、高密度記録用媒体として優れ
た媒体を廉価に提供することができる。
易図面の簡単な説明
第１図、第３図、第５図、第７図は還元温度に対する電
気抵抗の変化を示すグラフ、第２図、第４図、第６図、
第８図はＣＯ添加による保磁力の変化を示すグラフで、
いずれも本発明の効果を示・す。
気抵抗の変化を示すグラフ、第２図、第４図、第６図、
第８図はＣＯ添加による保磁力の変化を示すグラフで、
いずれも本発明の効果を示・す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 銅と、コバルトと、マンガン、ニッケル、アルミニ
ウム、亜鉛、ジルコニウム、錫、タンタルのうちの１つ
以上とを含む鉄合金を用いて基板に膜厚１μｍ以下のα
−Ｆｅ＿２Ｏ＿３の薄膜を作り、該薄膜を還元してＦｅ
＿３Ｏ＿４の磁性膜とすることを特徴とする、磁気記録
媒体の製作法。 ２ α−Ｆｅ＿２Ｏ＿３の薄膜を、酸素アルゴンガス雰
囲気中で鉄合金を反応スパッタリングすることにより基
板に被着形成することを特徴とした特許請求の範囲第１
項記載の磁気記録媒体の製作法。 ３ 銅と、コバルトと、マンガン、ニッケル、アルミニ
ウム、亜鉛、ジルコニウム、錫、タンタルのうちの１つ
以上とを含む鉄合金を用いて基板に膜厚１μｍ以下のα
−Ｆｅ＿２Ｏ＿３の薄膜を作り、該薄膜を還元してＦｅ
＿３Ｏ＿４磁性膜としたのち、該Ｆｅ＿３Ｏ＿４磁性膜
をさらに酸化してγ−Ｆｅ＿２Ｏ＿３とすることを特徴
とする磁気記録媒体の製作法。 ４ α−Ｆｅ＿２Ｏ＿３の薄膜を、酸素アルゴンガス雰
囲気中で鉄合金を反応スパッタリングすることにより基
板に被着形成することを特徴とした特許請求の範囲第３
項記載の磁気記録媒体の製作法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7890477A JPS6057211B2 (ja) | 1977-07-01 | 1977-07-01 | 磁気記録媒体の製作法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7890477A JPS6057211B2 (ja) | 1977-07-01 | 1977-07-01 | 磁気記録媒体の製作法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5413995A JPS5413995A (en) | 1979-02-01 |
| JPS6057211B2 true JPS6057211B2 (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=13674806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7890477A Expired JPS6057211B2 (ja) | 1977-07-01 | 1977-07-01 | 磁気記録媒体の製作法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057211B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016109U (ja) * | 1983-07-11 | 1985-02-02 | 日本電気株式会社 | 光フアイバ−を備えた光半導体装置 |
-
1977
- 1977-07-01 JP JP7890477A patent/JPS6057211B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5413995A (en) | 1979-02-01 |
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