JPH0430171B2 - - Google Patents
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- JPH0430171B2 JPH0430171B2 JP56103065A JP10306581A JPH0430171B2 JP H0430171 B2 JPH0430171 B2 JP H0430171B2 JP 56103065 A JP56103065 A JP 56103065A JP 10306581 A JP10306581 A JP 10306581A JP H0430171 B2 JPH0430171 B2 JP H0430171B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
本発明は磁気デイスク装置等において磁気記録
媒体として用いられる酸化物磁性薄膜形成に使用
するスパツタ・ターゲツトに関する。 磁気記録装置における記録密度の向上は斯界の
変らぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気記
録媒体の薄層化、薄膜化が不可欠である。そこで
高性能磁気記録媒体として、薄膜化が容易な連続
薄膜媒体、特に酸化物磁性薄膜が注目を集めてい
る。その理由は、(1)残留磁束密度が小さい、(2)機
械的強度と化学的安定性に富み、金属薄膜に必要
とされる保護膜を必要とせず、その結果、(3)磁気
ヘツド−媒体間がより小さく出来、高密度と低価
格化に適しているという点にある。 酸化物磁性薄膜としては、その形成が容易であ
ることから酸化鉄薄膜が専ら用いられ、その製造
方法としては種々あるが、マグネタイト
（Fe3O4）をターゲツトとしてスパツタリングす
ることによりマグネタイを主成分とする強磁性酸
化鉄薄膜を直接基板上に形成する簡便で再現性の
よい方法が提案されている（特開昭51−8200号公
報参照）。この方法において磁気特性の制御のた
めコバルトを添加物として用いればスパツタされ
たマグネタイト膜の保磁力を任意に制御出来る。
形成された膜はその後磁気特性の向上及び膜の安
定化のため比較的高い温度でγ化処理（Fe3O4か
らγ−Fe2O3にする処理）が施される。通常基板
としてはアルマイト被覆を施こしたアルミニウム
合金基板が使用されるが、この種の基板は高温に
さらされた場合、表面の平面度が損なわれたり被
覆されたアルマイト層に基体アルミニウム合金と
の熱膨張率の差からクラツクが発生するなどの問
題が生じる為、γ化処理温度は出来るだけ低い方
が好ましい。しかるに、上記方法で形成したマグ
ネタイト膜はγ化処理温度を基板に負担がかから
ない温度まで低くすることが難しく、特にコバル
トを添加したマグネタイト膜は一層γ化処理温度
が高くなる傾向がある。 かかる点を解決する方法として本発明者らは先
にマグネタイトをターゲツトとして中性ガスもし
くは中性ガスと酸化性ガスとの混合雰囲気中にお
いてスパツタリングすることにより基板上に直接
形成されるマグネタイトを主成分とする酸化物磁
性薄膜において、添加剤として銅を含有している
ことを特徴とし、磁気特性制御の必要上、場合に
より添加剤として更にコバルトも含有している酸
化物磁性薄膜を用いることを提案した。 本発明は上記発明において使用するに適した酸
化物磁性薄膜形成用スパツタ・ターゲツトを提供
するものである。 本発明にかかわる磁性酸化物薄膜形成用スパツ
タ・ターゲツトは例えば次のような方法によつて
製作することができる。所定重量比のFe3O4、
CO2O3及びCuOの粉末を十分混合、粉砕し、均一
な粒子サイズとした後、バインダーを混ぜて所定
の形にプレス成型する。この成型体を不活性ガス
雰囲気中において制御された加熱、冷却過程と最
高1250〜1300℃数時間の熱処理を施こすことによ
つて割れのない堅牢なCo、Cu添加Fe3O4焼結体
が得られる。 以下実施例によつて本発明の意義を詳細に説明
する。 実施例 １ 上記例示した製造法によつて金属鉄比1.0、
4.0、6.0重量％のCuを酸化物として含むFe3O4焼
結体を作製し、これらをターゲツトとしてアルゴ
ン圧力（PAr）８×10-2Torr、ターゲツト基板間
距離Ｄ＝30mm、付着速度（S.R）250Å／minにお
いてR.Fスパツタリングを行ないアルマイト被覆
したAl合金基板上に1.5、4.0、6.0重量％のCuを
含むFe3O4膜を形成した。これらの膜を大気中、
１時間の酸化処理を行なつたところ、いずれの膜
も250〜275℃での酸化処理によりγ−Fe2O3膜に
変換されていることを確認した。これに対して比
較例としてCuを添加しない純Fe3O4焼結体、また
金属鉄比12重量％のCuを酸化物として含むター
ゲツトとして同じ条件でFe3O4膜を形成した。こ
のうちCuを添加しない純Fe3O4膜をγ−Fe2O3膜
とするために320℃以上の酸化処理を要して、基
板にクラツクが発生し作製マージンが低下し、少
なくとも0.5％重量のCu添加が好ましい。更にCu
添加γ−Fe2O3膜では純γ−Fe2O3膜に比してHc
減少があつたがこれはCu添加量の多いものほど
顕著であり、比較例として12重量％のCuを含む
γ−Fe2O3膜は50Oe以下となりまた飽和磁化
（Ms）及び角形比（Ｓ、S*）も低下し、Cuの添
加量としては10重量％程度までが好ましい。 実施例 ２ 同様の製造法によつて金属鉄比2.0〜3.0重量％
のCo、2.2〜4.4重量％のCuを酸化物として含む
Fe3O4焼結体を作製しこれをターゲツトとしてア
ルゴン雰囲気中PAr＝２×10-3〜５×10-2Torr、
Ｄ＝30mm、S.R＝1200Å／minの条件でマグネト
ロンスパツタ法により実施例１と同じくアルマイ
ト被覆したアルミ合金基板上に1500〜1700Åの厚
さに種々組成のCo、Cu含有Fe3O4膜を形成した。
これらの膜は250゜〜300℃での空気中酸化処理に
よつて容易にCo、Cu含有γFe2O3膜に変換でき
た。更にそれらの磁気特性はBs3000G、S0.7、Ｓ
（抗磁力矩形性）0.8、Hc500−800Oeであり密度
記録媒体に適わしいものであつた（表参照）。こ
のようにCo、Cuを同時に添加することはHc増加
とγFe2O3化促進を行える利点があつた。 実施例 ３ 先と同様の製法によつて4.0〜5.0重量％のCo、
５〜7.5重量％のCuを酸化物として含むFe3O4焼
結体を作製し、それらをターゲツトとしてPAr＝
６×10-4〜８×10-3Torr、Ｄ＝130mm、S.R＝100
〜1000Å／minの条件で先と同じ基板上にCo、
Cu合金Fe3O4膜を形成した。これらの膜を275−
300℃において空気中酸化処理することによつて
Hc900−1300Oeの高抗磁力媒体を得た（表参
照）。 比較例として６重量％のCo、7.5重量％のCuを
添加したγ−Fe2O3膜の坑磁力は1300〜1500Oeと
なり、通常のフエライト磁気ヘツドで十分記録出
来る限界を越える坑磁力となつた。
媒体として用いられる酸化物磁性薄膜形成に使用
するスパツタ・ターゲツトに関する。 磁気記録装置における記録密度の向上は斯界の
変らぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気記
録媒体の薄層化、薄膜化が不可欠である。そこで
高性能磁気記録媒体として、薄膜化が容易な連続
薄膜媒体、特に酸化物磁性薄膜が注目を集めてい
る。その理由は、(1)残留磁束密度が小さい、(2)機
械的強度と化学的安定性に富み、金属薄膜に必要
とされる保護膜を必要とせず、その結果、(3)磁気
ヘツド−媒体間がより小さく出来、高密度と低価
格化に適しているという点にある。 酸化物磁性薄膜としては、その形成が容易であ
ることから酸化鉄薄膜が専ら用いられ、その製造
方法としては種々あるが、マグネタイト
（Fe3O4）をターゲツトとしてスパツタリングす
ることによりマグネタイを主成分とする強磁性酸
化鉄薄膜を直接基板上に形成する簡便で再現性の
よい方法が提案されている（特開昭51−8200号公
報参照）。この方法において磁気特性の制御のた
めコバルトを添加物として用いればスパツタされ
たマグネタイト膜の保磁力を任意に制御出来る。
形成された膜はその後磁気特性の向上及び膜の安
定化のため比較的高い温度でγ化処理（Fe3O4か
らγ−Fe2O3にする処理）が施される。通常基板
としてはアルマイト被覆を施こしたアルミニウム
合金基板が使用されるが、この種の基板は高温に
さらされた場合、表面の平面度が損なわれたり被
覆されたアルマイト層に基体アルミニウム合金と
の熱膨張率の差からクラツクが発生するなどの問
題が生じる為、γ化処理温度は出来るだけ低い方
が好ましい。しかるに、上記方法で形成したマグ
ネタイト膜はγ化処理温度を基板に負担がかから
ない温度まで低くすることが難しく、特にコバル
トを添加したマグネタイト膜は一層γ化処理温度
が高くなる傾向がある。 かかる点を解決する方法として本発明者らは先
にマグネタイトをターゲツトとして中性ガスもし
くは中性ガスと酸化性ガスとの混合雰囲気中にお
いてスパツタリングすることにより基板上に直接
形成されるマグネタイトを主成分とする酸化物磁
性薄膜において、添加剤として銅を含有している
ことを特徴とし、磁気特性制御の必要上、場合に
より添加剤として更にコバルトも含有している酸
化物磁性薄膜を用いることを提案した。 本発明は上記発明において使用するに適した酸
化物磁性薄膜形成用スパツタ・ターゲツトを提供
するものである。 本発明にかかわる磁性酸化物薄膜形成用スパツ
タ・ターゲツトは例えば次のような方法によつて
製作することができる。所定重量比のFe3O4、
CO2O3及びCuOの粉末を十分混合、粉砕し、均一
な粒子サイズとした後、バインダーを混ぜて所定
の形にプレス成型する。この成型体を不活性ガス
雰囲気中において制御された加熱、冷却過程と最
高1250〜1300℃数時間の熱処理を施こすことによ
つて割れのない堅牢なCo、Cu添加Fe3O4焼結体
が得られる。 以下実施例によつて本発明の意義を詳細に説明
する。 実施例 １ 上記例示した製造法によつて金属鉄比1.0、
4.0、6.0重量％のCuを酸化物として含むFe3O4焼
結体を作製し、これらをターゲツトとしてアルゴ
ン圧力（PAr）８×10-2Torr、ターゲツト基板間
距離Ｄ＝30mm、付着速度（S.R）250Å／minにお
いてR.Fスパツタリングを行ないアルマイト被覆
したAl合金基板上に1.5、4.0、6.0重量％のCuを
含むFe3O4膜を形成した。これらの膜を大気中、
１時間の酸化処理を行なつたところ、いずれの膜
も250〜275℃での酸化処理によりγ−Fe2O3膜に
変換されていることを確認した。これに対して比
較例としてCuを添加しない純Fe3O4焼結体、また
金属鉄比12重量％のCuを酸化物として含むター
ゲツトとして同じ条件でFe3O4膜を形成した。こ
のうちCuを添加しない純Fe3O4膜をγ−Fe2O3膜
とするために320℃以上の酸化処理を要して、基
板にクラツクが発生し作製マージンが低下し、少
なくとも0.5％重量のCu添加が好ましい。更にCu
添加γ−Fe2O3膜では純γ−Fe2O3膜に比してHc
減少があつたがこれはCu添加量の多いものほど
顕著であり、比較例として12重量％のCuを含む
γ−Fe2O3膜は50Oe以下となりまた飽和磁化
（Ms）及び角形比（Ｓ、S*）も低下し、Cuの添
加量としては10重量％程度までが好ましい。 実施例 ２ 同様の製造法によつて金属鉄比2.0〜3.0重量％
のCo、2.2〜4.4重量％のCuを酸化物として含む
Fe3O4焼結体を作製しこれをターゲツトとしてア
ルゴン雰囲気中PAr＝２×10-3〜５×10-2Torr、
Ｄ＝30mm、S.R＝1200Å／minの条件でマグネト
ロンスパツタ法により実施例１と同じくアルマイ
ト被覆したアルミ合金基板上に1500〜1700Åの厚
さに種々組成のCo、Cu含有Fe3O4膜を形成した。
これらの膜は250゜〜300℃での空気中酸化処理に
よつて容易にCo、Cu含有γFe2O3膜に変換でき
た。更にそれらの磁気特性はBs3000G、S0.7、Ｓ
（抗磁力矩形性）0.8、Hc500−800Oeであり密度
記録媒体に適わしいものであつた（表参照）。こ
のようにCo、Cuを同時に添加することはHc増加
とγFe2O3化促進を行える利点があつた。 実施例 ３ 先と同様の製法によつて4.0〜5.0重量％のCo、
５〜7.5重量％のCuを酸化物として含むFe3O4焼
結体を作製し、それらをターゲツトとしてPAr＝
６×10-4〜８×10-3Torr、Ｄ＝130mm、S.R＝100
〜1000Å／minの条件で先と同じ基板上にCo、
Cu合金Fe3O4膜を形成した。これらの膜を275−
300℃において空気中酸化処理することによつて
Hc900−1300Oeの高抗磁力媒体を得た（表参
照）。 比較例として６重量％のCo、7.5重量％のCuを
添加したγ−Fe2O3膜の坑磁力は1300〜1500Oeと
なり、通常のフエライト磁気ヘツドで十分記録出
来る限界を越える坑磁力となつた。
【表】
実施例２に示したターゲツト．スパツタ条件に
よつて外径210mmのアルマイト被覆したアルミ合
金デイスク基板にCo、Cu含有Fe3O4膜を形成し、
これを酸化してCo、Cu含有γ−Fe2O3膜磁気デ
イスクを試作した。このデイスクをデイスクＲ／
Ｗ試験機に装着しトラツク幅20μｍ、記録密度
24000FRP1における再生出力を観測したところ、
デイスク全面に亘り円周方向に均一な再生出力が
得られることを確認した。 以上のように本発明にかかる磁性酸化物薄形成
用スパツタ・ターゲツトを用いれば磁気デイスク
媒体等に用いる酸化物磁性薄膜であつて、従来の
ものよりγ−Fe2O3化処理温度が低く基板への負
担を軽減し、且つ基板全面に亘つて均一安定に効
率よく広範囲の磁気特性を有する酸化物磁性薄膜
を形成することが可能になる。
よつて外径210mmのアルマイト被覆したアルミ合
金デイスク基板にCo、Cu含有Fe3O4膜を形成し、
これを酸化してCo、Cu含有γ−Fe2O3膜磁気デ
イスクを試作した。このデイスクをデイスクＲ／
Ｗ試験機に装着しトラツク幅20μｍ、記録密度
24000FRP1における再生出力を観測したところ、
デイスク全面に亘り円周方向に均一な再生出力が
得られることを確認した。 以上のように本発明にかかる磁性酸化物薄形成
用スパツタ・ターゲツトを用いれば磁気デイスク
媒体等に用いる酸化物磁性薄膜であつて、従来の
ものよりγ−Fe2O3化処理温度が低く基板への負
担を軽減し、且つ基板全面に亘つて均一安定に効
率よく広範囲の磁気特性を有する酸化物磁性薄膜
を形成することが可能になる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属鉄に対して1.0〜7.5重量パーセントのCu
を酸化物として含むFe3O4焼結体からなる磁性酸
化物薄膜形成用スパツタターゲツト。 ２ 金属鉄に対して1.0〜7.5重量パーセントのCu
と2.0〜5.0重量パーセントのCoをそれぞれを酸化
物として含むFe3O4焼結体からなる磁性酸化物薄
膜形成用スパツタターゲツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103065A JPS584914A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 酸化物磁性薄膜形成用スパツタ・タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103065A JPS584914A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 酸化物磁性薄膜形成用スパツタ・タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584914A JPS584914A (ja) | 1983-01-12 |
| JPH0430171B2 true JPH0430171B2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=14344261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56103065A Granted JPS584914A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 酸化物磁性薄膜形成用スパツタ・タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584914A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143161U (ja) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP56103065A patent/JPS584914A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS584914A (ja) | 1983-01-12 |
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