JPS60329A - 測距装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカメラの測距装置、特に投光手段よシ被写体へ
投光しその反射光を受光することによシ可動部材を用い
ずに測距情報を得るアクティブ方式の測距装置に関する
ものである。

従来のアクティブ方式の測距装置では、カメラ本体から
赤外光を被写体に向けて投射する投光素子を撮影レンズ
の光軸方向への移動（繰ル出し動作）と連動してスギャ
ンさせ、この赤外光の被写体からの反射光を受光素子で
枳出し、その出力が最大になった時に前記撮影レンズの
移動を停止することによシ合焦動作（距離合せ動作）を
行っていた。しかしながら、この方式では撮影レンズの
移動と同時に測距動作を行う為に、シャッターレリーズ
以前に測距情報を得るプリフォーカス等には不向きであ
シ、更に投光素子等を駆動するメカ部材を必要としてい
たのでその分のスペースが必要であった。

この点に鑑み、近年受光素子から取り出された２つの信
号出力の関係から直接測距情報を得る方式として、半導
体装置検出器ＰＳＥを用いた方法が例えは特開昭５７−
４４８０９号明細書にて提案され、又２受光素子を用い
た方法が特公昭５４−４９７３１号明細書にて提案され
ている。しかしながら、該方法では距離に対応する出力
の分解能をちる程度高める為には受光部の大面積化が必
要となシ、背景光によって生ずる電流が高輝度時には大
となシ初段アンプが飽和してしまい、信号出力を検出で
きなくなるおそれがある。

本発明は、この点に鑑みなされたもので、被写体に対し
てパルス変調された信号光を投射する投光素子と、該投
光素子の投光動作による被写体からの反射光を受光する
受光素子と、該受光素子出力に基づき被写体距離を検知
する処理回路とを備えた測距装置において、前記受光素
子出力に含まれる直流信号レベルを検知する検知回路と
、該検知回路にて検知された直流信号レベルを前記受光
素子出力から除去する直流信号抑制回路と、前記検知回
路にて検知された直流信号レベルが所定の値よシも大き
な場合にの上記信号抑制回路にて直流分をキャンセルし
、初段アンプの飽和を防止すると共に低輝度時には上記
抑制動作を行なわず直ちに信号処理を行なわせることに
て測距動作過程における信号抑制動作に要する時間分短
縮化して迅速なる測距動作を行ない得る様なしたもので
ある。

以下、本発明に係る測距装置について説明する。

第１図は本実施例に用いる受光素子としての半導体装置
検出器ＰＳＤの断面図を示したもので、ＰＳＤはバイア
ス電源Ｂａｔにょシバイアスされておル、受光面に光が
入射すると、その入射光景に応じて光電流工を生成する
と共に、対電極ム、Ｅよ）夫々次式で与えられる信号電
流−９より（工□＋より＝ｉ）を位置信号として出力す
る。今、ＰＳＤの出力電極ム、Ｂ間の距離をり、［極ム
から受光点までの距離をＸとすると、ＰＳＤの表面は均
一抵抗体であるので、 の関係が成）立ち、従って信号電流工Ａ＋よりの関係か
ら受光点Ｘが得られる。よって三角測量のＮ理によシ被
写体距離に応じたＰＥＩＤの表面の所定の位置に受光点
が位置する様にすれば上記Ｘから被写体との距離を測定
することができる。

即ち工（＝工Ａ十より）を一定に制御することにょシ、
工Ａ又はよりの一方の絶対値をそのまま距離Ｘに対応づ
けることが可能とな夛、Ｘと被写体距離との対応関係か
らエム又はよりが接直被写体距離を表わすため、工Ａ又
は１Ｂを検知することにて測距を実行し得る。第１図に
於いて、対電極ム、Ｂの一方を開放状態にすると、受光
面で生成された光電流工は全て他の電極よル出カされる
ことになる。従って本実施例においては、一方の出力を
開放することにょシ仙方の出方から光生成電流の総和工
を得、更に一方を基準レベルにバイアスすることにょシ
、被写体距離を表わす出力エム又はよりを得るというよ
うになし、片側の出力値のみから測距情報を得る構成に
なっている。

第２図は本発明に係る測距装置の一実施例を示す回路図
である。

図において、４５は第１図示の受光素子としてのＰ１３
Ｄで、該ＰＥＩＤは投光手段としての１ＲＥｉＤ１０３
からの投光軸に対し基線長能れた位置にある受光レンズ
を介して、上記１Ｒ進Ｄ　１０３からの投光による被写
体からの反射光を受光する様なしである。よって、上記
受光素子ＰｓＤの表面における受光点は被写体距離に応
じたものとなル、端子Ｂを開放した際の端子人からの出
力は上記工Ａ十よりとなシ、又トランジスター４１をオ
ンとして端子Ｂに基準レベルをバイアスした際の端子Ａ
からの出力が上記工Ａとなル、被写体距離に相応した出
力信号となる。

４７は受光出力を検知するオペアンプ（以下台まれる直
流分を検知する検知回路を構成するコンパレーターであ
る。ｆ、ｄはカレントミラー回路、ａ　、ｅ、は定電流
源、４８はコンデンサー、４９はＰＥＴで、これらの回
路素子にて直流信号抑制回路を構成している。２００は
ＯＰアンプ４７の出力を検知するコンパレーク−１２０
１はＲＳＳフリップフルツブ、これらにて前記抑制回路
を作動制御を行なり判別回路を構成する。７５　、８０
　。

８３．８７，９１，１０１はＯＰアング、７６．７７．
９５はアナログスイッチ、７９，８２，１００はコンデ
ンサー、７２〜７４．７Ｂ、８１．８４，８５，８６，
８８，８９，９０，９６は抵抗で、これらＫて測距処理
回路を構成する。

１０２．１０６，１１９，１１５はトランジスター、ｇ
は定電流源、１０５はｏｐ７ｙプ、１０４，１０７，１
１４，１１６゜１１７．１２０，１２１は抵抗、１０８
はコンデンサーで、これらにて、前記１ＲＥＤ　１０３
の点灯駆動回路を構成する。

１は電源スィッチ、２は電源、３は基準電圧発生回路、
４，５．６はパワーアップクリアー回路を構成する抵抗
、コンデンサー、インバーターである。７は後述のシー
ケンス制御回路部を制御するためのクロックパルスを発
生するパルス発生回路、ａはジョンソンカウンターであ
る。

第２図中細のロジック素子及びフリップフロップ並びに
カウンター等は上記ジョンソンカウンターと共に測距動
作をシーケンス制御するためのシーケンス制御回路部を
構成する回路素子である。

次いで、第２図示実施例の動作について説明する。

まず電源スィッチ１の投入によって電源電池２から各回
路に電力が供給される。基準電圧発生回路３から基準電
圧ＫＶＣが発生し、各端子に加えられ、更に抵抗４、コ
ンデンサ５、インバータ６によ多構成されるパワーアッ
プクリアー回路からの初期リセットパルスＴＲＰＶＣの
信号でＤ−７リツプ７０ッグＢ、９．１０が初期リセッ
トされる。同時にＴＲＰＶＣがインパーク１４を介して
Ｒｅフリップフロップ１３をリセットし、その出力Ｑが
ｐｖｃ信号を発生すると共に、出力可によってＤ−７リ
ツプフｐツノ１１．１２が初期リセットされる。ここで
Ｄ−７リツプフロツプ８，９，１０゜１１．１２はジョ
ンソンカウンタａを形成している。

ＰＶＣ信号によってＲｅフリップフロップ２６．２８゜
３１．９７，２０１がリセットされ、又、Ｒｅフリップ
フロップ１３の出力ＱがＯＲゲート１５を介してバイナ
リ−カウンタ１８をリセットする。バイナリ−カウンタ
の出力Ｑ６はその入力端子に加えられたＤ−フリップフ
ロップ１２の出力Ｑを２６分周したもので、Ｑ７は２’
　、　Ｑ、、は２Ｂ　、　Ｑ、は２９゜Ｑ１０は２１０
それぞれ分周した出力である。初期リセットされたＲ８
７リツプ７０ツグ９７のＱ出力Ａ、ＦＳＴｌｉロウレベ
ル（以下Ｌレベル、１ｔ−０）であシ、従ってＮＡＮＤ
ゲート１９の出力状ハイレベ／Ｉ／（以下Ｒレベルと称
す。）となり、Ｒｅフリップフロップ２０のｑ出力ＯＰ
］ｌｆＭはＬレベルとなる。ｏｐｘＮ出力がインバータ
６７で反転してその出力がＲレベルとなって抵抗５８　
、３９を介してトランジスタ４０に加えられる結果、こ
のトランジスタ４０はオン状態になる。トランジスタ４
３，４４、抵抗４２によって形成される定電流源すから
の電流はトランジスタ４０によって吸い込まれる為、ト
ランジスタ４１はオフとな）、第１図示の受光素子とし
てのＰＳＤ　４５の片側端子Ｂはオープンとなる。この
結果ＰＡＤで発生した光電流（背景光によって発生した
電流）（第１図にて述べたエム十より）は全てＯＰアン
プ４７の方に流れてゆき、更にその電流はフィードバッ
ク系４６を流れるのでそこでの電圧降下によってＯＦア
ンプ４７の出力は基準電圧ＸＶＣよシ低くなる。この出
力はコンパレータ５２と２００の十人力に印加され、そ
れぞれの−人力にはＫＶＣ。

α（ＸＶＣよ）低い既定の電位）が入力されている。今
、高輝度下にあｊ５　ＰＳＤからの電流が大電流となっ
ておシ、この結果ＯＰアンプ４７がラッテダウンするお
それがあるとする。この状態ではＯＰアンプ４７の出力
がコンパレータ２００の一人カレベルよ勺も低くなシ、
コンパレータ２００の出力はＬレベルとなＪ）、ＲＳフ
リップフロッグ、２０１のＱ出力ＤＯＷＩＪは五レベル
となる。又、コンパレーク５２の出力もＬレベルとなる
。ここでｐｖｃ信号によってリセットされたＲｅフリッ
プフロップ２８のＱ出力ＵＨレベルなのでＤＯＷＮ出力
との関係からＡＮＤ　２０２の出力ＡＳＷＯＮはＲしベ
ルとなシ、その結果ＡＮＤゲート６９の出力はＬレベル
、ＮＡＮＤゲート６８の出力もＬレベルとなる。ＡＮＤ
　６９の出力が抵抗５７．５８を介してトランジスタ５
６に加えられるので、これはオンとなシ、抵抗６３、ト
ランジスタ６２．６４によって形成される定電流源Ｃへ
の電流を全て供給する結果、トランジスタ５３，５４．
５５によって形成されるカレントミラー回路ｄには電流
が流れずトランジスタ５３のコレクタ出力はオーブンに
なる。又、ＮＡＮＤゲート６８の出力は抵抗６６．６７
を介してトランジスタ６５に加えられるのでトランジス
タ６５はオフとなシ、抵抗５９、トランジスタ６０．６
１によって形成される定電流源θが動作し、その電流に
よってコンデンサ４８を電源電圧Ｖｃｃに対してマイナ
ス方向に充電する。

充電が増すにつれＰ−ＭＯＢ　）ランジスタ４９のソー
ス・ゲート電圧が大きくなシ、それと共にドレインから
流れ出す電流が増加し、その電流はトランジスタ５０．
５１によって形成されるカレントミラーｆを通して流れ
、更にカレントミラーｆの出力がＰＡＤ　４５の一方の
端子に接続されている。この結果受光素子４５から生じ
た電流は次第にカレントミラーｆの方に吸い込まれてゆ
く。叉逆にカレントく２−の吸い込む電流が大きくなる
とフィードバック４６を通してＯＦアンプ４７の出力は
ＫＶＣより上昇し、コンパレータ５２の出力はＨレベル
となる。ＮＡＩＪＤ　６　Ｂ、ＡＮＤ６゛９の出力は共
にＨレベルとなシ、定電流源θはトランジスタ６５のオ
ンによってその機能を失い、又トランジスタ５６はオフ
となるので定電流源Ｃの電流はカレントミラーｄを通し
て流れ、コンデンサ４８の放電を行う。この結果、Ｐ−
ＭＯＢのソース・ゲート間電圧が小さくなってカレント
ミラーｆを通して流れる電流が次第に減少してゆく。こ
のように回路全体に常にフィードバックがかかることに
よｐ、ｏｐアンプ４７のフィードバック系４６に流れる
電流を零に近づけ、ＰＳＤから流れてくる大電流（背！
輝度が高い時）によって初段のＡｍｐが飽和するのを防
いでしる。即ち、フィードバック系４６に流れる電流方
向に応じて決定されるＯＦアンプ４７の出力をコンパレ
ータ５２にて検知し、コンデンサー４８への各放電を行
ない、ＰＳＤの出力電流（直流信号分）とカレントミラ
ーｆを流れる電流値が等しい値（この時のフィードバッ
ク系４６に流れる電流値はゼロ）となる様にコンデンサ
ー４８の充電電位を決定し、これによｆｉ　ＦＥＤから
大電流が送出された際においても該ＰＡＤからの直流信
号をカレントミラー回路に流しＰＳＤ出力から直流信号
を除去して初段のＡｍｐが飽和しない様なしている。

又、ジョンソンカウンターａは電源投入時から作動して
おシ、カウンター１８はジョンソンカウンターの出力パ
ルスをカウントしている。

よって′Ｉｔ源投入時から一定時間を経過するとバイナ
リカウンター１Ｂのｑ９出力がＨレベルとな１）、Ｒ８
７リツズ７０ツブ２８がセットされるのでＱ出力がＬレ
ベルとなってＡＳＷＯＮも第３図の如くＬレベルになる
。この結果ＡＮＤゲート６９の出力はＬレベル、ＮＡＲ
Ｄゲート６Ｂの出力はＨレベルとなシ、定電流源Ｃ及び
θは動作をやめコンデンサ４８の上述の充放電が停止す
る。従ってこの時点でのコンデンサ４８の充電電位がラ
ッチされ、コンデンサ４８にラッチ記憶された電圧に相
等する電流がカレントミラーｆを通して一定に流れると
とになる。

この際Ｒ８７リツプフロツプ２８の出力Ｑは上記の如く
Ｌレベルに反転するためＡＮＤゲート２０５の出力１Ｒ
ＯＦＦ　１も第３図の如くＨからＬレベルとなる。又Ｒ
ｅフリップフロップ３１の出力も上述の如く初期リセッ
トされているので１ＲＯＰＦ　２もＬレベルに保持され
ている。更にＲｅフリップフｐツブ９７も上記の如く初
期リセットにて出力Ｑ（ＡＦＥＴ）はＬレベルであシＲ
Ｓフリップフロップ２０のＱ出力０ＰＥＮもＬレベルに
保持されているため、Ａ１１Ｄゲート２０７　（Ｄ　出
力１ＲＯＦＩＦ　３モＬレベルである。その結果カウン
ター１８の出力Ｑ９がＨレベルに移行した時点でＯＲゲ
ート１１８の出力がＨからＬレベルに移行、トランジス
ター１１５がオフとなる。又、この際上記の如く、ＡＦ
ＳＴ信号はＬレベルであるため、これが抵抗１１３，１
１４を介してトランジスタ１１２に入力されるので、ト
ランジスタ１１２はオープンとなシ、抵抗１１１．１−
ランジスク１０９，１１０によって形成される定電流源
ｇの電流はすべてトランジスタ１０６のベースに流れる
。トランジスタ１０６のエミッタ出力からの電流によっ
てコンデンサ１０８が抵抗１０７を介して充電され、そ
の端子電圧がＯＰアンプ１０５の十人力に印加される。

よって、１ＲＥＤ　１０５がその電圧値に応じて第５図
の如く徐々に高レベルにバイアスされる。ここで抵抗１
０４はそのバイアス状態を調整するもので、又トランジ
スタ１０２は１ＲＫＤへ電流を供給している。又ジョン
ソンカウンターａの出力端からの出力パルスの反転信号
である１ＲＯＩＪの信号は抵抗１２０，１２１を介して
トランジスタ１１９に加えられ更にそのトランジスタ１
１９のコレクタがＯＰアング１０５０ストローグ端子と
接続されているので、　１ＲＯＮがＨレベルのときはＯ
Ｐアンプ１０５の出力は零、即ち１ＲＦｔＤ　は′点゛
灯せず、又ｌＲＯＭがＬレベルのときはｉ　ＲＦｉＤが
点灯することになる。従って１ＲＥＤはジョンソンカウ
ンターａの出力パルスに同期して一定の周期で点灯しな
がら、その出力を次第に大きくしていく。この１ＲＥＤ
の点灯により照射された被写体からの反射光が受光光学
系を介してＰＳＤ　４５に入射すると信号電流が発生し
、フィードバック系４６を通して電圧に変換される。信
号電圧はコンデンサ７１を介してＯＰアンプ７５の十人
力に加えられ、抵抗７３　、７４の値によって適当な値
に増幅される。

又、この時ＲＳフリップフロップ２６はカウンター１８
のＱ７出力によリセットされているので、フリップフロ
ップ２６はＨレベルをＱから出力しておシ、その結果Ａ
ＮＤゲー）　３２．５３の出力８ＰＩｄ　、５ＰＬ２は
ジョンソンカウンターａのセット状態に応じたＮＡＮＤ
ゲー）　１６．１７の出力によシ決定され、第４図に示
される如く、信号ｌＲＯＭがＬレベル、即ち１ＲＫＤが
点灯時にあっては、５ｐＬ１が所定のタイミングにてＬ
レベルを示し、又ｌＲＯＭがＨレベル、即ち：ＬＲＩｌ
ｉＤが非点灯時にあってはＳＰＬ　２が所定のタイミン
グにてＬレベルを示す。

アナ日グスイッチＡＳＷ　７６．７７はＬレベルに応答
して入力を出力に伝えるため、ｉＲＦ！Ｄ点灯時におけ
るＯＰアンプ７５の出力がコンデンサー７９にサンプル
ホールドされ、又非点灯時のＯＰアンプ７５の出力がコ
ンデンサー８２にサンプルホールドされる。該コンデン
サ−８２にホールドされたＯＰアンプ７５の出力はバッ
ファーアンプ８３を介して反転増巾器８７ｉＣて反転さ
れる。

反転増巾器８７の出力とバッファーアンプ８０を介して
出力されるコンデンサー７９にホールドされた電圧とは
抵抗８８．８９，９０，９２　、ＯＦアンプ９１で構成
される加算回路に入力し加算され、これによＪ）　ＰＳ
Ｄに入射する１ＲＦｆＤからの反射光にのみ応じた信号
出力が得られると共にｏｐアンプ７５のオフセット分を
キャンセルすることが出来る。

この加算回路の出力は次段のコンパレータ９４のマイナ
ス端子に入力され、又このコンパレータのプラス端子の
入力は可変抵抗９３によって、電源投入時のマイナス端
子レベルよシも高い一定の値に設定されている。前記加
算回路の出力は反転されているので、　１ＲＥＤの出力
が増加するにつれて加算回路の出力は次第に増加してい
キ、コンパレータ９４のプラス入力基準レベルよシも高
くなるとコンパレータ９４の出力はＬレベルとなる。こ
れにより　ｐｖｃ信号によってリセットされていたＢＳ
フリップフロップ９７のＳ端子にＬレベルが入力される
のでこのフリップフロップはセットされＡＦＳＴが■レ
ベルに変わる。

ＡＰＩ３ＴのＲレベルによってＡＦＳＴＢ　Ｋ　ハ：Ｉ
ンテ７サー９８、抵抗９９の時定数に従う微分波形が出
力され、更にこの出力がＯＲゲート１５を介してバイナ
リカウンタ１８のリセット入力に加えられ、とのカウン
タを初期状態に戻す。同時にＡＦＳＴが抵抗１１５，１
１４を介してトランジスタ１１２に入力されてこれをＯ
Ｎシ、定電流源ｇ（Ｄ勧きを止めることによシ、コンデ
ンサ１０８の充電を停止する。このことから信号出力が
一定のレベルになった時の１ＲＥＤの出力を一定値に保
つことができる。即ち、該動作によシ第１図にて述べた
ＩＡ十よりが一定と々勺、この時Ｏエム又はよりを検知
することにて測距情報が得られる様になる。

又、カウンター１８は再すセット後再びカウント動作を
再開するのでカウンター１８は再すセット後一定の時間
を経過すると出力Ｑ６からＨレベルを出力する。又、こ
の時上述の如（ＡＦ８Ｔは五レベルであるのでＮＡＮＤ
ゲート１９はＱ６（■レベル）に応答してＬレベルを出
力し、ＲＳフリップフロップ２０がセットされる。よっ
て０ＰＦｔＮ信号はＨレベルに変わる。０ＰＥＮ信号が
インバータ５７、抵抗５８．５９を介してトランジスタ
１１０に入力されるとこのトランジスタはオフするので
、定電流源すからの電流はトランジスタ４１の方に流れ
このトランジスタがオンとなる。これによｊ５　ＰＳＤ
の出力電流は被写体距離に応じた値となる。即ち、１Ｒ
ＥＤ１０３の投光軸から基線長能れた位置に配設された
受光レンズを介して受光素子としてのＰＳＤ　４５に上
記１ＲＦｌｉＤの投光による被写体からの反射光が受光
される様配設されているため、ＰＡＤ上の上記受光点は
第１図にて述べた如く被写体距離に応じたものとなる。

又、上記の如くトランジスター４１がオンとなっている
ので、第１図にて述べた如く、この時のＰＳＤの端子Ａ
からの出力電流エムは上記受光点に応じたもの、即ち、
被写体距離に応じた値となる。

この時、カレン）ミ７−ｆに流れる電流は上述の動作に
てトランジスター４１がオフ時におけるＰＡＤの出力に
含まれる直流分に相応している。よって、トランジスタ
ー４１がオン時におけるＰＡＤの出力に含まれる直流分
を除去するためにはカレントミラーｆに流れる電流値を
再設定する必要がある。

とのため、上記０ＰＦｉＮがＨレベルとなった事をＡＮ
Ｄゲート３４にて検知し、ＡＮＤゲート２０２にＨレベ
ルを伝えＡＳＷＯＮを再び第６図の如くＨレベルへ移行
させ、ＡＮＤ及びＮＡＮＤゲート６９．６８を該ＡＳＷ
ＯＨに応答させることによシ、上述のコンデンサー４８
の充放電動作を行ない、カレントミラーｆに流れる電流
と受光素子４５の出力電流とを等しくなる様制御する。

一方、カウンター１８は再すセット後カウント動作を行
なってお夛、所定時間後出力ＱＢを■レベルとなし、こ
れによｊ５　ＮＡＮＤゲート２２はＬレベルを送出して
フリップフロップ２７をリセットする。このため、　Ａ
ＮＤゲート６４はＬレベルを出力し、ＡＮＤゲート２０
２の出力Ａｓｗｏａも再びＬレベルとなシ、前述の如く
してコンデンサー４８の充放電を停止し、この時のカレ
ントミラーｆの電流を以後保持し、以後カレントミラー
ｆに流れる電流が受光素子の出力電流値と等しくなる様
電流値の保持を行ないカレントミラーｆに流れる電流の
再設定を行ない、トランジスター４１のオン時における
ＰＯＤの出力をカレントミラーｆに流し、この場合にお
ける初段アンプの飽和をも防止している。

一方、この時１ＲＦｉＤの点灯レベルは上記エム＋より
に相応する電圧を一定レベルにした際の一定の点灯レベ
ルで点灯しているため、この時の受光素子出力エムに基
づ＜　ｏｐアンプ７５の出力は正確に被写体距離に相応
する出力を示しておシ、上述の動作にて加算回路９１か
ら出力される信号も被写体距離に応じた値を示している
。

この後カウンター１８のカウントが進みＱ７がＨレベル
となると、　ＮＡＮＤゲート２４がＬレベルを出力し７
リツプフロツグ２９をリセットする。又との時７リツプ
フロツプ３０はセットされているので、ＡＮＤゲート３
６は２９のリセットに応答して■レベルを出力する。更
に上述のＤＯＷＮは五レベルを示しているためＨＡＮＤ
ゲート２０４はゲート３６のＲレベルによＪＬレベルを
出力し、更に該ＬレベルにてＮＡＮＤゲート２１０はＶ
ＡＯＮをＲレベルとなす。

従って、ＶＡＯＮにアナログスイッチ９５が応答し上記
加算回路９０の出力がコンデンサー１００にてシツテさ
れ、上記エムに応じた出力Ｖムがバッファーアンプ１０
１から出力され該アンプ１０１から被写体距離に応じた
出力■Ａが出力される。

以上の如く、本発明にあっては、ＰｓＤからの出力が大
電流の時にはカレントミラーｆに電流を流し、初段アン
プが飽和するのを防止し、ＰＥＩＤの出力が大電流の時
においても、正確な距離情報を得られる様なしている。

次いで、外光の輝度レベルが低い場合について第５図を
用いて説明する。

この場合は上述の如く電源投入して受光素子の出力レベ
ル検知を行なう除に受光素子４５の出力（エム十より）
は比較的小電流のため、ＯＦアンプ４７の出力はコンパ
レーク２００の一入力端の設定レベ〃α（ラッチダウン
レベル）よりも高くなる。よってコンパレータ２００は
Ｌレベルを送出せず■レベルのまま保持され、この結果
フリップフロップ２０１の出力ＤＯＷＮがＬレベルに保
持される。よって、ＡＮＤゲート２０２の出力ＡＳＷＯ
ＮはＬレベルとなシ、前記コンデンサー４８の充放電動
作は禁止される。又ＤＯＷＮ出力はＬレベルなので、　
１ＲＯＦＦ　１　もＬレベルとなシ、更には１ＲＯＦＦ
　２　、１ＲＯＦＦ　３も前述の動作と同様に初期には
Ｌレベルとなっているので、トランジスター１１５は電
源投入後、ぽちにオフとなる。このため、１ＲＥＤ１０
５も直ちに点灯し徐々に点灯レベルを増大して行く。こ
の後前述の動作にて１１Ｄの点灯レベルの増大に応じて
受光素子の出力レベルが増大し、前記一定レベルに達す
るとコンパレータ９４が反転シＡＦＳＴがＨレベルとな
シ前述の如（１ＲＥＤの点灯レベルを一定に保持し、そ
の後、前述の動作にてトランジスター４１をオンとなし
、受光素子から前記信号電流工、を送出させ、前述の如
く信号電流−に相応する距離情報としての電圧■Ａをバ
ッファーアンプ１０１から送出する。尚との信号電流な
検知動作においても、ＤＯＷＮはＬレベルに保持されて
いるのでＡＳＷＯＮもＬレベルに保持され続け、上記コ
ンデンサ−４８への：ｔ；ｉ−電動作による電流抑制動
作は禁止される。よって輝度レベルが低く受光素子出力
にて初段のアンプの飽和のおそれがない時には前記電流
抑制動作を行なわず直ちに信号電流エムの検知動作を実
行するため、測距動作時間が短縮し、迅速な測距が行な
われる。

尚、上記実施例では信号処理にＰＳＤの片側にのみ処理
回路を用いているが、本発明はＰＳＤの両側に処理回路
を用いた場合にも適用されると共に、２受光素子や複数
個の受光素子を用いた距離測定装置にも適用され得るこ
とはいうまでもない。

又、直流抑圧制御用コンパレータ５２と輝度レヘ／ｌ”
ｌ’［ｌ定用コンパレータ２００とハ、比較レベルを適
当な値に設定することにより兼用することが可能である
。

以上、実施例に基づき詳細に説明した如く、本発明によ
れば外光輝度レベルが高くて初段のアンプが飽和、又は
その近傍近くＫなった時に限シ直流光の除去を行い、輝
度レベルが低くて測距に影響がない程度の場合には直流
光のキャンセルを行わず即時に測距動作に移行する為、
直流抑圧に要する時間分だけ短縮され、迅速な測距が可
能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る測距装置に使用する受光素子とし
てのＰＳＤの断面図、第２図は本発明に係る測距装置の
一実施例を示す回路図、第３゜第４１第５図は第２図示
実施例の動作を説明するだめの波形図である。 ＋１．ｆ・・・カレントミラー回路 ｅ、ａ・・・定電流源 ４７・・・オペアンプ ２００・・・コンパレータ 特許出願人　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 被写体に対してパルス変調された信号光を投射する投光
   素子と、該投光素子の投光動作による被写体からの反射
   光を受光する受光素子と、該受光素子出力に基づき被写
   体距離を検知する処理回路とを備えた測距装置において
   、前記受光素子出力に含まれる直流信号レベルを検知す
   る検知回路と、該検知回路にて検知された直流信号レベ
   ルを前記受光素子出力から除去する直流信号抑制回路と
   、前記検知回路にて検知された直流信号レベルが所定の
   値よシも大きな場合にのみ前記直流信号抑制回路を作動
   させるための判別回路とを具備したことｔ−特徴とする
   測距装置。