JPS6119126B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6119126B2 JPS6119126B2 JP1400078A JP1400078A JPS6119126B2 JP S6119126 B2 JPS6119126 B2 JP S6119126B2 JP 1400078 A JP1400078 A JP 1400078A JP 1400078 A JP1400078 A JP 1400078A JP S6119126 B2 JPS6119126 B2 JP S6119126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- transistor
- cavity
- oscillator
- metal post
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は小形軽量にして高安定なトランジス
タ発振器に関するものである。
タ発振器に関するものである。
従来この種の装置の一例を第１図に示す。一端
を短絡板１で終端した導波管にバイアス電圧を供
給できる構造の同軸導波管変換器３を設け、上記
同軸導波管変換器３の同軸４内にFETトランジ
スタ５を挿入し、ドレイン端子６とゲート端子７
とを同軸４の内導体に、ソース端子８を同軸４の
外導体にそれぞれ接続し、ゲート端子７側の同軸
を所定長さで高周波帯では、短絡し、かつゲート
端子にバイアス電圧を供給できる構造にしたもの
である。第１図に示したトランジスタ発振器の動
作原理を理解するために簡単な等価回路で表わす
と、第２図ａのようになり、更に簡単化すれば第
２図ｂのようなハートレー発振回路と考えること
ができる。第２図ａ中のＣはFETトランジスタ
内のドレイン―ゲート間に存在するフイードバツ
ク容量であり、L1はゲート端子７に接続されて
いる一端短絡線路の示すインダクタンス、また
L2，L3は同軸導波管変換器３や短絡板１によつ
て構全されるインダクタンスと考えられる。第２
図ｂにおいて、発振周波数ｆは となる。L1を変えて発振周波数を変えることが
できる。発信出力は、同軸導波管変換器３と短絡
板１の位置を変えて調整できる。第２図ｂにはパ
ツケージを含むFETトランジスタ自体のリアク
タンスを省略してあるが、実際にはこれ等は無視
できず、FETトランジスタのバイアス電圧を変
えたとき、これ等の変化により発振周波数が変化
する。発振周波数安定化を計るにはL1またはL4
の代りに2x/2ω（ｘ：リアクタンス、ω：角周
波数）の大きな共振器を挿入する必要がある。し
かし第１図に示す発振器では、ゲート端子に一端
短絡の同軸を用いるため、一般には発振器のＱは
あまり高くならない。短絡板１の位置に高Ｑ空胴
共振器を装荷して発振周波数を安定化する手段も
あるが、同軸導波管発振器３が導波管係から突起
している上に安定化空胴が装荷され大形化された
ものとなる。
を短絡板１で終端した導波管にバイアス電圧を供
給できる構造の同軸導波管変換器３を設け、上記
同軸導波管変換器３の同軸４内にFETトランジ
スタ５を挿入し、ドレイン端子６とゲート端子７
とを同軸４の内導体に、ソース端子８を同軸４の
外導体にそれぞれ接続し、ゲート端子７側の同軸
を所定長さで高周波帯では、短絡し、かつゲート
端子にバイアス電圧を供給できる構造にしたもの
である。第１図に示したトランジスタ発振器の動
作原理を理解するために簡単な等価回路で表わす
と、第２図ａのようになり、更に簡単化すれば第
２図ｂのようなハートレー発振回路と考えること
ができる。第２図ａ中のＣはFETトランジスタ
内のドレイン―ゲート間に存在するフイードバツ
ク容量であり、L1はゲート端子７に接続されて
いる一端短絡線路の示すインダクタンス、また
L2，L3は同軸導波管変換器３や短絡板１によつ
て構全されるインダクタンスと考えられる。第２
図ｂにおいて、発振周波数ｆは となる。L1を変えて発振周波数を変えることが
できる。発信出力は、同軸導波管変換器３と短絡
板１の位置を変えて調整できる。第２図ｂにはパ
ツケージを含むFETトランジスタ自体のリアク
タンスを省略してあるが、実際にはこれ等は無視
できず、FETトランジスタのバイアス電圧を変
えたとき、これ等の変化により発振周波数が変化
する。発振周波数安定化を計るにはL1またはL4
の代りに2x/2ω（ｘ：リアクタンス、ω：角周
波数）の大きな共振器を挿入する必要がある。し
かし第１図に示す発振器では、ゲート端子に一端
短絡の同軸を用いるため、一般には発振器のＱは
あまり高くならない。短絡板１の位置に高Ｑ空胴
共振器を装荷して発振周波数を安定化する手段も
あるが、同軸導波管発振器３が導波管係から突起
している上に安定化空胴が装荷され大形化された
ものとなる。
この発明はこれ等の欠点を除去するために
FETトランジスタを導波管空胴中に装荷し小形
化し、高Ｑ化するものである。第３図はこの発明
になるトランジスタ発振器の実施例を示す図であ
る。結合窓９と短絡板１とで導波管２を終端して
なる空胴１０中に結合窓９からの所要発振周波数
で約1/2管内波長距離の点に金属ポストＡ１１お
よび金属ポストＢ１２を挿入し、FETトランジ
スタのドレイン端子６とゲート端子７とを誘電体
片Ａ１３と誘電体片Ｂ１４とを介して接続し、ソ
ース端子をを導波管Ｈ面壁に接続したものであ
る。第３図の発振器の等価回路を第４図のように
表せるとすると空胴共振器と等価なＬR，ＣR，Ｒ
Lの直列共振回路のほか、各端子間にL5＋
L6Cg1，Cg2等のリアクタンス素子が入つたもの
となる。金属ポストＡ１１および金属ポストＢ１
２の太さ、挿入長、両車の間隔等を調整すること
で発振周波数、出力電圧を調整できる。導波管空
胴を用いるため比較的高Ｑな特性となる。また、
発振周波数は結合窓９―金属ポストＡ１１間距離
で制御できるので、この間に金属または誘電体棒
１５を挿入することで微調整が可能となる。第４
図はこの発明になるトランジスタ発振器の他の実
施例であり、金属ポストＡ１１と金属ポストＢは
管軸に対して垂直な面内にはなく、またゲート端
子に接続する金属ポストＢ１２の長さを短くした
ものである。
FETトランジスタを導波管空胴中に装荷し小形
化し、高Ｑ化するものである。第３図はこの発明
になるトランジスタ発振器の実施例を示す図であ
る。結合窓９と短絡板１とで導波管２を終端して
なる空胴１０中に結合窓９からの所要発振周波数
で約1/2管内波長距離の点に金属ポストＡ１１お
よび金属ポストＢ１２を挿入し、FETトランジ
スタのドレイン端子６とゲート端子７とを誘電体
片Ａ１３と誘電体片Ｂ１４とを介して接続し、ソ
ース端子をを導波管Ｈ面壁に接続したものであ
る。第３図の発振器の等価回路を第４図のように
表せるとすると空胴共振器と等価なＬR，ＣR，Ｒ
Lの直列共振回路のほか、各端子間にL5＋
L6Cg1，Cg2等のリアクタンス素子が入つたもの
となる。金属ポストＡ１１および金属ポストＢ１
２の太さ、挿入長、両車の間隔等を調整すること
で発振周波数、出力電圧を調整できる。導波管空
胴を用いるため比較的高Ｑな特性となる。また、
発振周波数は結合窓９―金属ポストＡ１１間距離
で制御できるので、この間に金属または誘電体棒
１５を挿入することで微調整が可能となる。第４
図はこの発明になるトランジスタ発振器の他の実
施例であり、金属ポストＡ１１と金属ポストＢは
管軸に対して垂直な面内にはなく、またゲート端
子に接続する金属ポストＢ１２の長さを短くした
ものである。
以上まではFETトランジスタを用いた場合に
ついて説明したがFETトランジスタの代りにバ
イポーラトランジスタ等の他のトランジスタを用
いてもよい。また金属ポストおよび導波管Ｈ面壁
に接続するFETトランジスタの各端子を互いに
交換してもよい。
ついて説明したがFETトランジスタの代りにバ
イポーラトランジスタ等の他のトランジスタを用
いてもよい。また金属ポストおよび導波管Ｈ面壁
に接続するFETトランジスタの各端子を互いに
交換してもよい。
以上のようにこの発明に係るトランジスタ発振
器は、トランジスタを導波管空胴中に装荷するた
め、小形化でき、特性的にも高Ｑ化したことで温
度、印加バイアス電圧、負荷等の変化に対する安
定性が改善できる。
器は、トランジスタを導波管空胴中に装荷するた
め、小形化でき、特性的にも高Ｑ化したことで温
度、印加バイアス電圧、負荷等の変化に対する安
定性が改善できる。
第１図は従来のトランジスタ発振器の例を示す
構造図、第２図は第１図のトランジスタ発振器の
簡単な等価回路図、第３図はこの発明になるトラ
ンジスタ発振器の実施例を示す平面図及び断面
図、第４図は第３図の発振器の等価回路図、第５
図はこの発明になるトランジスタ発振器の他の実
施例を示す平面図及び断面図である。 図中１は短絡板、２は導波管、３は同軸導波管
変換器、４は同軸、５はFETトランジスタ、６
はドレイン端子、７はゲート端子、８はソース端
子、９は結合窓、１４は空胴、１１は金属ポスト
Ａ、１２は金属ポストＢ、１３は誘電体片Ａ、１
４は誘電体片Ｂ、１５は金属または誘電体であ
る。なお図中、同一あるいは相当部分は同一符号
を付して示してある。
構造図、第２図は第１図のトランジスタ発振器の
簡単な等価回路図、第３図はこの発明になるトラ
ンジスタ発振器の実施例を示す平面図及び断面
図、第４図は第３図の発振器の等価回路図、第５
図はこの発明になるトランジスタ発振器の他の実
施例を示す平面図及び断面図である。 図中１は短絡板、２は導波管、３は同軸導波管
変換器、４は同軸、５はFETトランジスタ、６
はドレイン端子、７はゲート端子、８はソース端
子、９は結合窓、１４は空胴、１１は金属ポスト
Ａ、１２は金属ポストＢ、１３は誘電体片Ａ、１
４は誘電体片Ｂ、１５は金属または誘電体であ
る。なお図中、同一あるいは相当部分は同一符号
を付して示してある。
Claims (1)
- １ 矩形導波管の一端を短絡し、他端を結合窓で
終端してある空胴中に結合窓から所定距離はなれ
た位置にバイアス電圧を供給しうる２本の金属ポ
ストを導波管Ｈ面壁にほぼ垂直に挿入するととも
にマイクロ波トランジスタをその一端が導波管Ｈ
面壁に、また他端が空胴中の金属ポストの先端に
接続して配置したことを特徴とするトランジスタ
発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1400078A JPS54106157A (en) | 1978-02-09 | 1978-02-09 | Transistor oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1400078A JPS54106157A (en) | 1978-02-09 | 1978-02-09 | Transistor oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54106157A JPS54106157A (en) | 1979-08-20 |
| JPS6119126B2 true JPS6119126B2 (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=11848945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1400078A Granted JPS54106157A (en) | 1978-02-09 | 1978-02-09 | Transistor oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54106157A (ja) |
-
1978
- 1978-02-09 JP JP1400078A patent/JPS54106157A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54106157A (en) | 1979-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4435688A (en) | FET Microwave oscillator being frequency stabilized by capacitive reactance micro-strip stub line | |
| US4521746A (en) | Microwave oscillator with TM01δ dielectric resonator | |
| US5321374A (en) | Transverse electromagnetic mode resonator | |
| US4713632A (en) | Band reflection type FET dielectric resonator oscillator | |
| US4630003A (en) | FET oscillator exhibiting negative resistance due to high impedance at the source of an FET thereof | |
| US4783638A (en) | Frequency doubling oscillator working at ultra-high frequencies | |
| US3207943A (en) | High frequency tube method and apparatus | |
| US2429811A (en) | Tube with tunable coaxial resonator | |
| EP0090414A2 (en) | Transistorized microwave oscillator of oscillation frequency multiplying type | |
| US3039064A (en) | Microwave cavity tuners utilizing reverse biased diodes | |
| JPS6141441B2 (ja) | ||
| US3684913A (en) | Coupled cavity slow wave circuit for microwave tubes | |
| US4949053A (en) | Oscillator having feedback isolated from its output | |
| US4371849A (en) | Evanescent-mode microwave oscillator | |
| JPS6119126B2 (ja) | ||
| US4090152A (en) | Push-pull oscillator circuit with power combining cavity | |
| JPS6033004B2 (ja) | トランジスタ発振器 | |
| US3745479A (en) | Microwave oscillator structure for parallel operation of solid-state diodes | |
| JPS6033006B2 (ja) | 半導体発振器 | |
| US4494087A (en) | Combiner probe providing power flatness and wide locking bandwidth | |
| US6172577B1 (en) | Oscillator and oscillation apparatus using the oscillator | |
| JP2639874B2 (ja) | 周波数可変フィルタ | |
| JPS6119127B2 (ja) | ||
| US3974417A (en) | Four-cavity velocity modulation tube | |
| JPS6033005B2 (ja) | 半導体発振器 |