JPS6033256A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6033256A JPS6033256A JP58137993A JP13799383A JPS6033256A JP S6033256 A JPS6033256 A JP S6033256A JP 58137993 A JP58137993 A JP 58137993A JP 13799383 A JP13799383 A JP 13799383A JP S6033256 A JPS6033256 A JP S6033256A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁器組成物、特に、１０００℃以下の低温で焼
結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、シかも機械的強度
の高い磁器組成物に関するものである。
結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、シかも機械的強度
の高い磁器組成物に関するものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉ０ａ）を主成分とする磁器組成物が広く実用化さ
れていることは周知のとおシである。しかしながら、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｉ０１）を主成分とするものは
、焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である。
ａＴｉ０ａ）を主成分とする磁器組成物が広く実用化さ
れていることは周知のとおシである。しかしながら、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｉ０１）を主成分とするものは
、焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である。
このためこれを積層形コンデンサに利用する場合には内
部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料９例えば白金
、パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければなら
ず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形コ
ンデンサを安く作るためには銀、ニッケルなどを主成分
とする安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に１０００℃以下で焼結できる磁器組成
物が必要である。 〜 ところで磁器組成物を周込、実用的な積層形コンデンサ
を作製するときに磁器組成物の電気的特性として多くの
項目が評価されなければならない。
部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料９例えば白金
、パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければなら
ず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形コ
ンデンサを安く作るためには銀、ニッケルなどを主成分
とする安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に１０００℃以下で焼結できる磁器組成
物が必要である。 〜 ところで磁器組成物を周込、実用的な積層形コンデンサ
を作製するときに磁器組成物の電気的特性として多くの
項目が評価されなければならない。
一般的に誘電率はできるだけ大きく、誘電損失はできる
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが要求される。
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが要求される。
しかしながら、実用上積層形コンデンサにおいては誘電
率でなく、まず容量９次に容量の温度変化率、誘電損失
などの値が必要とされる。積層形コンデンサにおいて、
容量は磁器組成物の誘電率に比例するが、しかしその厚
みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一定
の容量を得るだめには磁器組成物の誘電率が大きいこと
は必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途によシ種々許容された
範囲があシ、磁器組成物の誘電率の温度変化率も積層形
コンデンサを作製するときの絶対的な要因でない。
率でなく、まず容量９次に容量の温度変化率、誘電損失
などの値が必要とされる。積層形コンデンサにおいて、
容量は磁器組成物の誘電率に比例するが、しかしその厚
みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一定
の容量を得るだめには磁器組成物の誘電率が大きいこと
は必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途によシ種々許容された
範囲があシ、磁器組成物の誘電率の温度変化率も積層形
コンデンサを作製するときの絶対的な要因でない。
一方誘電損失は用途により一定の値以下でなければなら
ないという規定があシ室温で最大５．０％以下である。
ないという規定があシ室温で最大５．０％以下である。
さらに比抵抗に関しては、例えばＥＩＡＪ規格〔日本電
子機椋工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チップ
形）ＲＣ−３６９８Ｂ ）に述べられているごとく、積
層コンデンサの絶縁抵抗として１００００ ＭΩ以上ま
たは容量抵抗積で５００μＦ−ＭΩ以上のいずれか小さ
い方塊上と規定されている。すなわち磁器組成物の誘電
率と比抵抗の積がおる絶対値以上なければ、任意の容量
。
子機椋工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チップ
形）ＲＣ−３６９８Ｂ ）に述べられているごとく、積
層コンデンサの絶縁抵抗として１００００ ＭΩ以上ま
たは容量抵抗積で５００μＦ−ＭΩ以上のいずれか小さ
い方塊上と規定されている。すなわち磁器組成物の誘電
率と比抵抗の積がおる絶対値以上なければ、任意の容量
。
特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せること
ができず、その用途が非常に限定され、実用的な意味が
なくなる。この点を詳しく説明すると次の様になる。積
層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内部電極を構成して一
般にｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コンデンサが積
層された構造になっている。この場合、単一層当シの容
量をＣＯ９絶縁抵抗をＲ８とすれば、積層形コンデンサ
の容量ＣはＣ０のｎ倍に対、絶縁抵抗ＲはＲ８の１ ／
ｎになる。ここで磁器組成物の誘電率をε、真空の誘
電率をＣ０，磁器組成物の比抵抗をρ、単一層コンデン
サの磁器の厚さを６２重なる電極面積を８とすれば、単
一層コンデンサのＣ０は（εｏ’ｓ）／ｄとなシ几。は
（ρａ）／Ｓとなる。従ってｎ層からなる積層コンデン
サの容量（Ｃ）と絶縁抵抗（６）の積ＣＸ Ｒは〔（ρ
ｄ） ／ （，８）） Ｘ （（ｎ層。εＳ） ／ ｄ
：］＝ ’ｏερとなる。すなわちどのような容量の
積層コンデンサもその容量・抵抗積（ＣＸＲ）は、磁器
組成物のεとρの積にε。を乗じた一定値（ε。ερ）
に規格化される。容量・抵抗積ＣＸＲが５００μＦ・Ω
以上ということは、ε、 ＝８．８５５ Ｘ １０″４
４ｐ ／！よシ、ＣＸ Ｒ＋−８ｇ ｔρ＝８．８５５
Ｘ １０−”（Ｆ ／ Ｃ”） Ｘε×ρ≧５００Ｆ
−Ω、 ヨーｚテｔｌ）＝５．６５Ｘ １０”Ωａｍな
る要求がある。例えばε＝ １００００ではρ≧５．６
５Ｘ １０”Ωす〜 ε＝ ３０００ではρ≧１．８８
Ｘ １０”ΩΦ１．ε＝５００ではρ≧１．１３Ｘ１
０”Ω・αが要求される。誘電率に応じてこれらの値以
上のρを持つ磁器組成物であればどのような大きな容量
の積層コンデンサも容量・抵抗積は５００μＦ ・ＭΩ
を満足する。もしεが３０００でρが要求値よ９１桁低
い１．８８ Ｘ １０”Ω αとすればε、ερ＝５０
μＦ−ＭΩで５００μＦ−ＭΩは満足せず、絶縁抵抗の
規格の規格値である１００００ ＭΩすなわち、１０１
６Ω以上を満足するには容量Ｃとして０．００５μＦ以
下に限定されなければならない。それはこの積層コンデ
ンサの容量・抵抗積（’ＣＸＲ）は常に５０μＦ・ＭΩ
を示しているので、Ｒが１００００ ＭΩのとき、Ｃは
０．００５μＦとなｈ、ｃがこれよシ大きければＲは１
００００ ＭΩよシ小さくなシ、０．００５μＦが規格
を満たす最高の容量となるためである。従って磁器組成
物の比抵抗が低いとその材料の実用性、特に積層形コン
デンサの特長である小型大容量の特長を生かすことはで
きないし、全く意味のないことにもなる。よって磁器組
成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上を持つことが実
用上極めて重要なことである。
ができず、その用途が非常に限定され、実用的な意味が
なくなる。この点を詳しく説明すると次の様になる。積
層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内部電極を構成して一
般にｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コンデンサが積
層された構造になっている。この場合、単一層当シの容
量をＣＯ９絶縁抵抗をＲ８とすれば、積層形コンデンサ
の容量ＣはＣ０のｎ倍に対、絶縁抵抗ＲはＲ８の１ ／
ｎになる。ここで磁器組成物の誘電率をε、真空の誘
電率をＣ０，磁器組成物の比抵抗をρ、単一層コンデン
サの磁器の厚さを６２重なる電極面積を８とすれば、単
一層コンデンサのＣ０は（εｏ’ｓ）／ｄとなシ几。は
（ρａ）／Ｓとなる。従ってｎ層からなる積層コンデン
サの容量（Ｃ）と絶縁抵抗（６）の積ＣＸ Ｒは〔（ρ
ｄ） ／ （，８）） Ｘ （（ｎ層。εＳ） ／ ｄ
：］＝ ’ｏερとなる。すなわちどのような容量の
積層コンデンサもその容量・抵抗積（ＣＸＲ）は、磁器
組成物のεとρの積にε。を乗じた一定値（ε。ερ）
に規格化される。容量・抵抗積ＣＸＲが５００μＦ・Ω
以上ということは、ε、 ＝８．８５５ Ｘ １０″４
４ｐ ／！よシ、ＣＸ Ｒ＋−８ｇ ｔρ＝８．８５５
Ｘ １０−”（Ｆ ／ Ｃ”） Ｘε×ρ≧５００Ｆ
−Ω、 ヨーｚテｔｌ）＝５．６５Ｘ １０”Ωａｍな
る要求がある。例えばε＝ １００００ではρ≧５．６
５Ｘ １０”Ωす〜 ε＝ ３０００ではρ≧１．８８
Ｘ １０”ΩΦ１．ε＝５００ではρ≧１．１３Ｘ１
０”Ω・αが要求される。誘電率に応じてこれらの値以
上のρを持つ磁器組成物であればどのような大きな容量
の積層コンデンサも容量・抵抗積は５００μＦ ・ＭΩ
を満足する。もしεが３０００でρが要求値よ９１桁低
い１．８８ Ｘ １０”Ω αとすればε、ερ＝５０
μＦ−ＭΩで５００μＦ−ＭΩは満足せず、絶縁抵抗の
規格の規格値である１００００ ＭΩすなわち、１０１
６Ω以上を満足するには容量Ｃとして０．００５μＦ以
下に限定されなければならない。それはこの積層コンデ
ンサの容量・抵抗積（’ＣＸＲ）は常に５０μＦ・ＭΩ
を示しているので、Ｒが１００００ ＭΩのとき、Ｃは
０．００５μＦとなｈ、ｃがこれよシ大きければＲは１
００００ ＭΩよシ小さくなシ、０．００５μＦが規格
を満たす最高の容量となるためである。従って磁器組成
物の比抵抗が低いとその材料の実用性、特に積層形コン
デンサの特長である小型大容量の特長を生かすことはで
きないし、全く意味のないことにもなる。よって磁器組
成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上を持つことが実
用上極めて重要なことである。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いによシ、
チップコンデンサに機械的な歪が加わシ、チップコンデ
ンサにクラックが発生したシ、破損したシすることがあ
る。またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデン
サの場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がおる。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、クラック
が入シやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いによシ、
チップコンデンサに機械的な歪が加わシ、チップコンデ
ンサにクラックが発生したシ、破損したシすることがあ
る。またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデン
サの場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がおる。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、クラック
が入シやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。
したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させる
ことは実用上極めて重要なことである。
ことは実用上極めて重要なことである。
ところでＰｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏｓ ＰｂＴｉＯ
３系磁器組成物については既にエヌ・エヌ・クライニク
とエイ・アイ・アグラノフスカヤ（Ｎ、Ｎ、Ｋｒａｉｎ
ｉｋａｎｄ Ａ、１．Ａｇｒａｎｏｖｓ’Ｅ’；’ａ
（Ｆｉｚｉｋｏ Ｔｖｅｒｄｏｇ。
３系磁器組成物については既にエヌ・エヌ・クライニク
とエイ・アイ・アグラノフスカヤ（Ｎ、Ｎ、Ｋｒａｉｎ
ｉｋａｎｄ Ａ、１．Ａｇｒａｎｏｖｓ’Ｅ’；’ａ
（Ｆｉｚｉｋｏ Ｔｖｅｒｄｏｇ。
Ｔｅ１ａ 、 Ｖｏ、２．Ｎｎｌ、 ｐｐ７０〜７２．
Ｊａｎｖａｒａ １９６０））より提案があったが、
積層形コンデンサを作製する際に評価されるべき特性の
中で誘電率とその温度特性の記載しかなく、その実用性
は明らかでなかった。また（ ５ｒｘＰｂ、−ｘ ’ｒ
ｉｏ、 ）、（ＰｂＭｇ６．５Ｗｏ、６０ｘ）Ｂ （た
だし、ｘ ＝ ０〜０．１０ 、ａはｏ、３５〜０．５
゜ｂは０．５〜０．６５であシ、そしてａ ＋ ｂ ＝
１ ）について、モノリフツクコンデンサおよびその
製造方法として特開昭５２−２１６６２号公報に開示さ
れ、また誘電体粉末組成物として特開昭５２−２１６９
９号公報に開示されている。ここにおいても組成物の特
性として誘電率が約２０００〜ｓ ｏ ｏ ｏ、誘電損
失が０．５％〜５．０チという記載はあるが比抵抗ある
いは容量抵抗比については全く記載がなく実用性は明ら
かでなかった。さらにＰｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏｘ
とＰｂＴｉＯ３を主とする組成物であって、Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏｎが２０．０〜７０．０モルチ、
ＰｂＴｉＯ３が３．０．０〜８０．０モルチの範囲の組
成物に対し、ＭｇＯ′ＪｉＬを計算値の３０％以下添加
含有したことを特徴とする高誘電率磁器組成物が特開昭
５５−１４４６０９号公報として開示されている。しか
しながらこの特許においても誘電率が約２３００〜７１
００で誘電損失が０．３チ〜２．１チという記載のほか
に誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗あるいは容
量抵抗積に関する記載はなくとの紬或物についても実用
性は明らかでない。次に本発明者達は既に９１０℃〜９
５０℃の温度で焼結でき、Ｆｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２）
Ｏ８とＰｂＴｉＯ３系二成分からなシ、これを（ｐ ｂ
（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏａ）ｘ（ＰｂＴｉＯｓ）１−
ｚと表わしたときにＸが０．６５＜ｘ≦１．０Ｏの範
囲にある組成物を提案している。この組成物は、誘電率
と比抵抗の積が５．６５ Ｘ １０ｍ５Ω・二以上の高
い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有し
ている。しかしながら上記組成物は、いずれも機械的強
度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを
得なかった。
Ｊａｎｖａｒａ １９６０））より提案があったが、
積層形コンデンサを作製する際に評価されるべき特性の
中で誘電率とその温度特性の記載しかなく、その実用性
は明らかでなかった。また（ ５ｒｘＰｂ、−ｘ ’ｒ
ｉｏ、 ）、（ＰｂＭｇ６．５Ｗｏ、６０ｘ）Ｂ （た
だし、ｘ ＝ ０〜０．１０ 、ａはｏ、３５〜０．５
゜ｂは０．５〜０．６５であシ、そしてａ ＋ ｂ ＝
１ ）について、モノリフツクコンデンサおよびその
製造方法として特開昭５２−２１６６２号公報に開示さ
れ、また誘電体粉末組成物として特開昭５２−２１６９
９号公報に開示されている。ここにおいても組成物の特
性として誘電率が約２０００〜ｓ ｏ ｏ ｏ、誘電損
失が０．５％〜５．０チという記載はあるが比抵抗ある
いは容量抵抗比については全く記載がなく実用性は明ら
かでなかった。さらにＰｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏｘ
とＰｂＴｉＯ３を主とする組成物であって、Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏｎが２０．０〜７０．０モルチ、
ＰｂＴｉＯ３が３．０．０〜８０．０モルチの範囲の組
成物に対し、ＭｇＯ′ＪｉＬを計算値の３０％以下添加
含有したことを特徴とする高誘電率磁器組成物が特開昭
５５−１４４６０９号公報として開示されている。しか
しながらこの特許においても誘電率が約２３００〜７１
００で誘電損失が０．３チ〜２．１チという記載のほか
に誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗あるいは容
量抵抗積に関する記載はなくとの紬或物についても実用
性は明らかでない。次に本発明者達は既に９１０℃〜９
５０℃の温度で焼結でき、Ｆｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２）
Ｏ８とＰｂＴｉＯ３系二成分からなシ、これを（ｐ ｂ
（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏａ）ｘ（ＰｂＴｉＯｓ）１−
ｚと表わしたときにＸが０．６５＜ｘ≦１．０Ｏの範
囲にある組成物を提案している。この組成物は、誘電率
と比抵抗の積が５．６５ Ｘ １０ｍ５Ω・二以上の高
い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有し
ている。しかしながら上記組成物は、いずれも機械的強
度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを
得なかった。
本発明は以上の点にかんがみ９００〜１０００℃の低温
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５
Ｘ １０”Ω・ａ（すなわち容量抵抗積が５００μＦ−
Ｍｇ）以上の高い値を持ち、誘電損失がｌトさい優れた
電気的特性を有し、更に機械的強度も大きい磁器組成物
を提供しようとするものであシ、マグネシウム・タング
ステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗｌ／２）０３とチタン
酸鉛＜ ＰｂＴｉ０ａ）からなる二成分組成物をＰｂ
（Ｍｇ１／ｚＷ１／ｚ）Ｏｓ ） 、 （ＰｂＴｉ０ｓ
）＋ −ｘと表わしたときにＸが０，５０≦Ｘ≦１．０
０の範囲内にある主成分組成物に副成分として、マンガ
ン・ニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎｌ／２Ｎｂ１／２）０３
）を主成分に対して０．０５〜５ｍｏＪ％添加含有せし
めることを特徴とするものである。
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５
Ｘ １０”Ω・ａ（すなわち容量抵抗積が５００μＦ−
Ｍｇ）以上の高い値を持ち、誘電損失がｌトさい優れた
電気的特性を有し、更に機械的強度も大きい磁器組成物
を提供しようとするものであシ、マグネシウム・タング
ステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗｌ／２）０３とチタン
酸鉛＜ ＰｂＴｉ０ａ）からなる二成分組成物をＰｂ
（Ｍｇ１／ｚＷ１／ｚ）Ｏｓ ） 、 （ＰｂＴｉ０ｓ
）＋ −ｘと表わしたときにＸが０，５０≦Ｘ≦１．０
０の範囲内にある主成分組成物に副成分として、マンガ
ン・ニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎｌ／２Ｎｂ１／２）０３
）を主成分に対して０．０５〜５ｍｏＪ％添加含有せし
めることを特徴とするものである。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９１以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
。
。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）＋酸化タングステン（ＷＯ
ｓ）を酸化チタン（Ｔｉ０ｚ ） を酸化ニオブ（Ｎｂ
ｔＯｓ ） ｐ および炭酸マンガンを使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材量をボールミル中で湿式混合した後７５０〜８００°
Ｃで予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、日
別、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プレスし、直
径１６露、厚さ約２ｍの円板４枚と、直径１６諺、厚さ
約１０酩の円柱を作製した。次に空気中９００〜１００
０℃の温度で１時間焼結した。
ｓ）を酸化チタン（Ｔｉ０ｚ ） を酸化ニオブ（Ｎｂ
ｔＯｓ ） ｐ および炭酸マンガンを使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材量をボールミル中で湿式混合した後７５０〜８００°
Ｃで予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、日
別、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プレスし、直
径１６露、厚さ約２ｍの円板４枚と、直径１６諺、厚さ
約１０酩の円柱を作製した。次に空気中９００〜１００
０℃の温度で１時間焼結した。
焼結した円板４枚の上下面に６００℃で銀電極を焼付け
、デジタルＬＣ１’Ｌメーターで周波数Ｉ ＫＨｚ。
、デジタルＬＣ１’Ｌメーターで周波数Ｉ ＫＨｚ。
電圧Ｉ Ｖｒ、ｍ＝ｓ ｇ温度２０℃で容量と誘電損失
を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で５０
Ｖの電圧を１分間印加して絶縁抵抗を温度２０℃で測定
し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評価す
るため、焼結した円柱から厚さ９．５ｍ、幅２１１１＋
、長さ約１３１１ｍの矩形板を１０枚切シ出した。支点
間距離を９ｓｍによ）、三点法で破壊荷重Ｐｍ（Ｋ９）
を測定し、τ、、、 ３ｉ”ｍＡ’ （ＫＰ／ｃｄ）な
２ｗｔ” る式に従い、抗折強度τ（ｌ＃／ｄ）をめた。ただしｌ
は支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試料の幅である。
を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で５０
Ｖの電圧を１分間印加して絶縁抵抗を温度２０℃で測定
し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評価す
るため、焼結した円柱から厚さ９．５ｍ、幅２１１１＋
、長さ約１３１１ｍの矩形板を１０枚切シ出した。支点
間距離を９ｓｍによ）、三点法で破壊荷重Ｐｍ（Ｋ９）
を測定し、τ、、、 ３ｉ”ｍＡ’ （ＫＰ／ｃｄ）な
２ｗｔ” る式に従い、抗折強度τ（ｌ＃／ｄ）をめた。ただしｌ
は支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試料の幅である。
電気的特性は円板試料４点の平均値。
抗折強度は矩形板試料１０点の平均値よ請求めた。
このようにして得られた磁器の主成分（Ｐｂ（Ｍｇｌ／
２Ｗｉ／ｚ）Ｏｓ ）ｘ （ＰｂＴｉＯｓ ）１−）ｃ
の配合比スおよび副成分添加量と抗折強度、誘電率、誘
電損失および容量抵抗積（表ではεＯερと表示した）
の関係を表に示す。
２Ｗｉ／ｚ）Ｏｓ ）ｘ （ＰｂＴｉＯｓ ）１−）ｃ
の配合比スおよび副成分添加量と抗折強度、誘電率、誘
電損失および容量抵抗積（表ではεＯερと表示した）
の関係を表に示す。
表に示した結果からも明らかなように副成分として、マ
ンガン・ニオブ酸鉛（Ｐ ｂ （Ｍｎ １／２Ｎｂ １
／２ ）０１）を添加含有せしめることによシ、抗折強
度および容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の
値を保った信頼性の高い実用性に富む優れた高誘電率磁
器組成物が得られることがわかる。こうした優れた特性
を示す本発明の磁器組成物は焼結温度が１０００℃以下
の低温であるため積層コンデンサの内部電極の低価格化
を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約にもな
るという極めて優れた効果も生じる。
ンガン・ニオブ酸鉛（Ｐ ｂ （Ｍｎ １／２Ｎｂ １
／２ ）０１）を添加含有せしめることによシ、抗折強
度および容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の
値を保った信頼性の高い実用性に富む優れた高誘電率磁
器組成物が得られることがわかる。こうした優れた特性
を示す本発明の磁器組成物は焼結温度が１０００℃以下
の低温であるため積層コンデンサの内部電極の低価格化
を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約にもな
るという極めて優れた効果も生じる。
なお主成分配合比Ｘが０．５未満では、容量抵抗積が規
格値よシ小さくなシ、誘電損失も５．０チを越えるため
実用的でない。また副成分子ｃあるｐｂ（Ｍｎｌ／２Ｎ
Ｊ／２）Ｏｓの添加量が０．０５ｍｏ６％未満では抗折
強度の改善効果が小さく、５ｍｏｊ！％を越えると逆に
抗折強度が小さくなシ実用的でない。
格値よシ小さくなシ、誘電損失も５．０チを越えるため
実用的でない。また副成分子ｃあるｐｂ（Ｍｎｌ／２Ｎ
Ｊ／２）Ｏｓの添加量が０．０５ｍｏ６％未満では抗折
強度の改善効果が小さく、５ｍｏｊ！％を越えると逆に
抗折強度が小さくなシ実用的でない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネシウム・タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ
１／ｚ）Ｏｎ ）とチタン酸鉛（ＰｂＴｉ０３）からな
る二成分組成物を（Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２）０８
）、 （ＰｂＴｉＯｓ）、−。 と表わしたときにＸが０．５０≦Ｘ≦１．００の範囲内
にある主成分組成物に副成分としてマンガン・ニオブ酸
鉛（Ｐｂ（Ｍｎｌ／２ＮＪ／２）Ｏｓ ）を主成分に対
して０．０５〜５ ｍｏ１％添加含有せしめることを特
徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137993A JPS6033256A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137993A JPS6033256A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033256A true JPS6033256A (ja) | 1985-02-20 |
Family
ID=15211552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137993A Pending JPS6033256A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033256A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4791078A (en) * | 1986-08-26 | 1988-12-13 | Nec Corporation | Ceramic composition with improved electrical and mechanical properties |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860670A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-11 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58137993A patent/JPS6033256A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860670A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-11 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4791078A (en) * | 1986-08-26 | 1988-12-13 | Nec Corporation | Ceramic composition with improved electrical and mechanical properties |
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