JPS6021857A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6021857A JPS6021857A JP58127219A JP12721983A JPS6021857A JP S6021857 A JPS6021857 A JP S6021857A JP 58127219 A JP58127219 A JP 58127219A JP 12721983 A JP12721983 A JP 12721983A JP S6021857 A JPS6021857 A JP S6021857A
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- Japan
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- capacitance
- composition
- dielectric constant
- capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁器組成物、特に、１ｏｏｏ’ｃ以下の低温で
焼結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、しかも機械的強
度の高い磁器組成物に関するものである。
焼結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、しかも機械的強
度の高い磁器組成物に関するものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｊＯｓ ）を主成分とする磁器組成物が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしながら、
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｓ）を主成分とするもの
は、焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である
。このためこれを積層形コンデンサに利用する場合には
内部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白
金、パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければな
らず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形
コンデンサを安く作るためには銀、ニッケルなどを主成
分とする安価な金属が内部′電極に使用できるようなで
きるだけ低温、特に１０００℃以下で焼結できる磁器組
成物が必要である。
ａＴｊＯｓ ）を主成分とする磁器組成物が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしながら、
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｓ）を主成分とするもの
は、焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である
。このためこれを積層形コンデンサに利用する場合には
内部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白
金、パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければな
らず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形
コンデンサを安く作るためには銀、ニッケルなどを主成
分とする安価な金属が内部′電極に使用できるようなで
きるだけ低温、特に１０００℃以下で焼結できる磁器組
成物が必要である。
ところで磁器組成物を用い、実用的な積層形コ。
ンデンサを作製するときに磁器組成物の電気的特性とし
て多くの項目が評価されなければならない。
て多くの項目が評価されなければならない。
一般的に誘電率はできるだけ大きく、誘電損失はできる
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが要求される。
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが要求される。
しかしながら、実用上積層形コンデンサにおいては誘電
率でなく、まず容量、次に容量の温度変化率、誘電損失
などの値が必要きされる。積層形コンデンサにおいて、
容量は磁器組成物の誘電率に比例するが、しかしその岸
みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一定
の容量を得るためには磁器組成物の誘電率が大きいこと
は必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許容された
範囲があり、磁器組成物の誘電率の温度変化率もｆｉｔ
ｊＭ形コンテンサを作製するときの絶対的な安置でな
い。
率でなく、まず容量、次に容量の温度変化率、誘電損失
などの値が必要きされる。積層形コンデンサにおいて、
容量は磁器組成物の誘電率に比例するが、しかしその岸
みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一定
の容量を得るためには磁器組成物の誘電率が大きいこと
は必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許容された
範囲があり、磁器組成物の誘電率の温度変化率もｆｉｔ
ｊＭ形コンテンサを作製するときの絶対的な安置でな
い。
一方誘電損失は用途により一定の値以下でなければなら
ないという規定があり室温で最大５．０チ以下である。
ないという規定があり室温で最大５．０チ以下である。
さらに比抵抗に関しては、例えばＥＩＡＪ規格〔日本電
子機械工業会の電子機器用積）＠磁器コンアンサ（チッ
プ形） １ｉｃ−３６９８Ｂ ） に述べられているご
とく、積層コンデンサの絶縁抵抗として１００００ Ｍ
Ω以上または容量抵抗積で５００μＦ、ＭΩ以上のいず
れか小さい方以上と規定されている。すなわち磁器組成
物の誘電率と比抵抗の積がある絶対値以上なければ、任
意の容量、特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に
合せることができず、その用途が非常に限定され、実用
的な意味がなくなる。この点を詳しく説明すると次の様
になる。積層形コンデンサでは、ｎ千１個の内部電極を
構成して一般にｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コン
デンサが積層された桁造になっている。この場合、単一
層当りの容量をｃｏ、絶縁抵抗を馬とすれば、積層形コ
ンデンサの容＠Ｃはｃｏのｎ倍になり、絶縁抵抗１（、
は鴇の１／ｎになる。
子機械工業会の電子機器用積）＠磁器コンアンサ（チッ
プ形） １ｉｃ−３６９８Ｂ ） に述べられているご
とく、積層コンデンサの絶縁抵抗として１００００ Ｍ
Ω以上または容量抵抗積で５００μＦ、ＭΩ以上のいず
れか小さい方以上と規定されている。すなわち磁器組成
物の誘電率と比抵抗の積がある絶対値以上なければ、任
意の容量、特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に
合せることができず、その用途が非常に限定され、実用
的な意味がなくなる。この点を詳しく説明すると次の様
になる。積層形コンデンサでは、ｎ千１個の内部電極を
構成して一般にｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コン
デンサが積層された桁造になっている。この場合、単一
層当りの容量をｃｏ、絶縁抵抗を馬とすれば、積層形コ
ンデンサの容＠Ｃはｃｏのｎ倍になり、絶縁抵抗１（、
は鴇の１／ｎになる。
ここで磁器組成物の誘電率を６．真空の誘電率をＣ０，
磁器組成物の比抵抗をρ、単一層コンデンサの磁器の厚
さを６９重なる電極面積をＳとすれば、単一層コンデン
サのＣ０は（ε０εＳ ）／ｄとなり几。は（ρｄ）／
Ｓとなる。従ってｎ層からなる積層コンデンサの容量（
Ｃ１と絶縁抵抗（Ｒ）の積ＣＸＲは〔（ρｄ）／（ｎｓ
））ｘ（（ｎａｏε８ ）／ｄ） ” ’ｇｏερとな
る。すなわちどのような容量の８を層コンデンサもその
容量・抵抗積（ＣｘＲ） は、磁器組成物のεとρの積
に６０を乗じた一定値（ｔｏｉｐ）に規格化される。８
ｍ・抵抗積ＣＸＲが５００ ｔｔＦ 拳Ｍｎすなわち５
００Ｆ−０以上ということは、’ｏ＝ ８．８５５刈Ｆ
”Ｆ／ｒｘ より、ＣＸ Ｒ＝ ｔｏｉｐ ＝ ８．８
５５刈ｃ） ”（Ｆ／ｃＩｒＬ） ｘ ｔ Ｘ ｐ≧５
００Ｆ・Ω、よってερ≧５．６５ Ｘｌ０１５Ω・儂
なる要求がある。例えばε＝ １００００ではρ≧５．
６５Ｘ１０”Ω・α。
磁器組成物の比抵抗をρ、単一層コンデンサの磁器の厚
さを６９重なる電極面積をＳとすれば、単一層コンデン
サのＣ０は（ε０εＳ ）／ｄとなり几。は（ρｄ）／
Ｓとなる。従ってｎ層からなる積層コンデンサの容量（
Ｃ１と絶縁抵抗（Ｒ）の積ＣＸＲは〔（ρｄ）／（ｎｓ
））ｘ（（ｎａｏε８ ）／ｄ） ” ’ｇｏερとな
る。すなわちどのような容量の８を層コンデンサもその
容量・抵抗積（ＣｘＲ） は、磁器組成物のεとρの積
に６０を乗じた一定値（ｔｏｉｐ）に規格化される。８
ｍ・抵抗積ＣＸＲが５００ ｔｔＦ 拳Ｍｎすなわち５
００Ｆ−０以上ということは、’ｏ＝ ８．８５５刈Ｆ
”Ｆ／ｒｘ より、ＣＸ Ｒ＝ ｔｏｉｐ ＝ ８．８
５５刈ｃ） ”（Ｆ／ｃＩｒＬ） ｘ ｔ Ｘ ｐ≧５
００Ｆ・Ω、よってερ≧５．６５ Ｘｌ０１５Ω・儂
なる要求がある。例えばε＝ １００００ではρ≧５．
６５Ｘ１０”Ω・α。
ε＝ ３０００ではρ≧１．８８刈０１２Ω・儒、ε＝
５００ではρ≧１．１３Ｘ１０”Ω・のが要求される。
５００ではρ≧１．１３Ｘ１０”Ω・のが要求される。
誘電率に応じてこれらの値以上のρを持つ磁器組成物で
あればどのような大きな容量のｍ７Ｍコンデンサも容員
参抵抗積は５００μＦ−ＭΩを満足する。もしεが３０
００でρが要求値より１桁低い１．８８ ＸＩＯ”Ω・
傭とすればε。ερ二５０μＦ−ＭΩで５００μＦ−Ｍ
Ωは満足せず、絶縁抵抗の規格値である１００００ Ｍ
Ωすなわち、１ＯＩ００以上を満足するには容量Ｃとし
て０．００５μＦ以下に限定されなければならない。そ
れはこの積層コンデンサの容量・抵抗抗（Ｃｘ１４）は
常に５０μＦ −ＭΩを示しているので、Ｒが１０００
０ ＭΩ のとき、Ｃは０．００５１１Ｆ となり、Ｃ
がこれより大きければＲは１００００ ＭΩより小さく
なり、０．００５μＦが規格を満たす最高の容量となる
ためである。従りて磁器組成物の比抵抗が低いとその材
料σ）実用性、特に積層形コンデンサの特長である小型
大容量の特長を生かすことはできないし、全く意味のな
ｌ、Ｎことにもなる。よって磁器組成物の誘電率と比抵
抗の積がある値以上を持つことが実用上極めて重要なこ
とである。
あればどのような大きな容量のｍ７Ｍコンデンサも容員
参抵抗積は５００μＦ−ＭΩを満足する。もしεが３０
００でρが要求値より１桁低い１．８８ ＸＩＯ”Ω・
傭とすればε。ερ二５０μＦ−ＭΩで５００μＦ−Ｍ
Ωは満足せず、絶縁抵抗の規格値である１００００ Ｍ
Ωすなわち、１ＯＩ００以上を満足するには容量Ｃとし
て０．００５μＦ以下に限定されなければならない。そ
れはこの積層コンデンサの容量・抵抗抗（Ｃｘ１４）は
常に５０μＦ −ＭΩを示しているので、Ｒが１０００
０ ＭΩ のとき、Ｃは０．００５１１Ｆ となり、Ｃ
がこれより大きければＲは１００００ ＭΩより小さく
なり、０．００５μＦが規格を満たす最高の容量となる
ためである。従りて磁器組成物の比抵抗が低いとその材
料σ）実用性、特に積層形コンデンサの特長である小型
大容量の特長を生かすことはできないし、全く意味のな
ｌ、Ｎことにもなる。よって磁器組成物の誘電率と比抵
抗の積がある値以上を持つことが実用上極めて重要なこ
とである。
マタ、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いにより、
チップコンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデ
ンサにクラックが発生したり、破損したりすることがあ
私またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサ
の場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラッ
クが発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサを
形成している磁器の機械的強度が低し１番よと、クラッ
クが入りやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる
。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させ
ることは実用上極めて重要なことである。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いにより、
チップコンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデ
ンサにクラックが発生したり、破損したりすることがあ
私またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサ
の場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラッ
クが発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサを
形成している磁器の機械的強度が低し１番よと、クラッ
クが入りやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる
。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させ
ることは実用上極めて重要なことである。
ところでＩ）ｂ（Ｍｇい鴇）Ｏｓ ＰｂＴｉＯ３系磁器
組成物については既にエヌ、エヌ、クライニクとエイ。
組成物については既にエヌ、エヌ、クライニクとエイ。
アイ、アグラノフスカヤ（Ｎ、Ｎ、Ｋｒａｉｎｉｋ ａ
ｎｄＡ。
ｎｄＡ。
１、Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ （Ｆｉｚｉｋｏ ’ｌ
”ｖｅｒｄｏｇｏ Ｔｅ１ａ 、Ｖｏ。
”ｖｅｒｄｏｇｏ Ｔｅ１ａ 、Ｖｏ。
２．１６１ 、 ｐｐ’ｙｏ 〜７２ 、 Ｊａｎｖａ
ｒａ １９６０）） ヨ’）提案があったが、積層形コ
ンデンサを作製する際に評価されるべき特性の中で誘電
率とその温度特性の記載しかなく、その実用性は明らか
でなかった。
ｒａ １９６０）） ヨ’）提案があったが、積層形コ
ンデンサを作製する際に評価されるべき特性の中で誘電
率とその温度特性の記載しかなく、その実用性は明らか
でなかった。
また（ ５ｒ）（ＰＩＪ ｘ’Ｊ、’ｉ０Ｂ ） ａ
（ＰｂＭｇＯ，５Ｗｏｊ（ＪＢ）ｂ （ただし、ｘ＝ｏ
〜０．１０ 、 ａ １ｉ０．３５〜０．５ 、 ｂは
０．５〜０．６５であり、ぞしてａ＋ｂ＝ｌ） につい
て、モノリシックコンデンサおよびその製造方法として
特開昭５２−２１６６２号公報に開示され、また誘亀体
粉末糺成物として特開昭５２−２１６９９号公報に開示
されている。ここにおいても組成物の特性として誘電率
が約２０００〜８０００誘電損失が０５チ〜５．０％、
！＝＆Ｎう記載はあるが比抵抗あるいは容量抵抗積につ
いては全く記載がなく実用性は明らかでｌｓかった。
（ＰｂＭｇＯ，５Ｗｏｊ（ＪＢ）ｂ （ただし、ｘ＝ｏ
〜０．１０ 、 ａ １ｉ０．３５〜０．５ 、 ｂは
０．５〜０．６５であり、ぞしてａ＋ｂ＝ｌ） につい
て、モノリシックコンデンサおよびその製造方法として
特開昭５２−２１６６２号公報に開示され、また誘亀体
粉末糺成物として特開昭５２−２１６９９号公報に開示
されている。ここにおいても組成物の特性として誘電率
が約２０００〜８０００誘電損失が０５チ〜５．０％、
！＝＆Ｎう記載はあるが比抵抗あるいは容量抵抗積につ
いては全く記載がなく実用性は明らかでｌｓかった。
さらにＰｂ （Ｍｇ３４Ｗｇ ） ＯｓとＰｂＴｉ０．
を主とする組成物’Ｔ： アッテ、Ｐｂ （Ｍｇ３４Ｗ
３Ａ） ｕｓが２０．０〜７０．０ モル％ＰｂＴ ｉ
０３が３０．０〜８０．０モルチの範囲の組成物に対し
、Ｍｇ Ｏｉ ’ｅ泪算値の３０チ以下添加含有したこ
とを特徴とする高誘電率磁器組成物が特開昭５５−１４
４６０９号公報として開示されている。しかしながら、
この＠言１においてもｉＫ ％：率が約２３００〜７１
００で誘電損失が０．３％〜２，１％という記載のほか
に誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗あるいは容
量抵抗積に関する記載はなくこの組成物についても実用
性は明らかでない。次に本兄明者達は既に９１０℃〜９
５０℃の温度で焼結でき、Ｐｂ（ｌＶｉｇ ％ＷＭ ）
０．とＰｂＴｉ０．糸二成分からなり、これを（Ｐｂ
（Δ４ｇｈ〜■％ ） ０３ ）ｘ （Ｐｂ’ｉ’ １
０ｓ ） １−Ｘ と表イ、したときにＸが０．６５＜
ｘ≦１．００の範囲にある組成物を提案している。この
組成物Ｌｌ、誘電率と比抵抗の積が５．６５ ＸＩＯ”
Ω・眞以上の高い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電
気的特性を有している。しかしながら、上記組成物は、
いずれも機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範
囲に限定ゼざるを得なかった。
を主とする組成物’Ｔ： アッテ、Ｐｂ （Ｍｇ３４Ｗ
３Ａ） ｕｓが２０．０〜７０．０ モル％ＰｂＴ ｉ
０３が３０．０〜８０．０モルチの範囲の組成物に対し
、Ｍｇ Ｏｉ ’ｅ泪算値の３０チ以下添加含有したこ
とを特徴とする高誘電率磁器組成物が特開昭５５−１４
４６０９号公報として開示されている。しかしながら、
この＠言１においてもｉＫ ％：率が約２３００〜７１
００で誘電損失が０．３％〜２，１％という記載のほか
に誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗あるいは容
量抵抗積に関する記載はなくこの組成物についても実用
性は明らかでない。次に本兄明者達は既に９１０℃〜９
５０℃の温度で焼結でき、Ｐｂ（ｌＶｉｇ ％ＷＭ ）
０．とＰｂＴｉ０．糸二成分からなり、これを（Ｐｂ
（Δ４ｇｈ〜■％ ） ０３ ）ｘ （Ｐｂ’ｉ’ １
０ｓ ） １−Ｘ と表イ、したときにＸが０．６５＜
ｘ≦１．００の範囲にある組成物を提案している。この
組成物Ｌｌ、誘電率と比抵抗の積が５．６５ ＸＩＯ”
Ω・眞以上の高い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電
気的特性を有している。しかしながら、上記組成物は、
いずれも機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範
囲に限定ゼざるを得なかった。
本発明は以上の点にかんがみ９００〜１０００℃の低温
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５
ｘｉｏ”ｏ−ｃＩｒＬ（すなわち容量抵抗積が５００μ
Ｆ−Ｍｎ）以上の高い値を持ち、誘電損失が小さい優れ
た電気的特性を有１更に機械的強度も大きい磁器組成物
を提供しようとするものであり、マグネシウム・タング
ステン酸鉛〔Ｐｂ（ＭｇイＷ％）０３〕とチタン酸鉛（
ｐｂＴｉＯｓ） からなる二成分組成物をＰｂ ＣＭｇ
５Ｗ３＋ ）Ｏｓ ）ｘ （ＰｂＴｉＱｌ） １ｘ と
表わしたときにＸが０．５０≦Ｘ≦１．００の範囲内に
ある主成分組成物に副成分として、マンガン・アンチモ
ン酸鉛（Ｐｂ（ＭｎＨ８ｂＨ）Ｏｓ）を主成分に対して
０．０５〜３ｍｏ１％添加含有せしめることを特徴とす
るものである。
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５
ｘｉｏ”ｏ−ｃＩｒＬ（すなわち容量抵抗積が５００μ
Ｆ−Ｍｎ）以上の高い値を持ち、誘電損失が小さい優れ
た電気的特性を有１更に機械的強度も大きい磁器組成物
を提供しようとするものであり、マグネシウム・タング
ステン酸鉛〔Ｐｂ（ＭｇイＷ％）０３〕とチタン酸鉛（
ｐｂＴｉＯｓ） からなる二成分組成物をＰｂ ＣＭｇ
５Ｗ３＋ ）Ｏｓ ）ｘ （ＰｂＴｉＱｌ） １ｘ と
表わしたときにＸが０．５０≦Ｘ≦１．００の範囲内に
ある主成分組成物に副成分として、マンガン・アンチモ
ン酸鉛（Ｐｂ（ＭｎＨ８ｂＨ）Ｏｓ）を主成分に対して
０．０５〜３ｍｏ１％添加含有せしめることを特徴とす
るものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９４以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
。
。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（Ｗｏ
、 ） 、酸化チタン（’ｉ’ｔｏｔ）、酸化アンチモ
ン（８ｂ、０３） 、オヨヒ炭酸？ ７ガン（ＭｎＣ０
８）を使用し、表に示した配合比となるように各々秤量
する。
、 ） 、酸化チタン（’ｉ’ｔｏｔ）、酸化アンチモ
ン（８ｂ、０３） 、オヨヒ炭酸？ ７ガン（ＭｎＣ０
８）を使用し、表に示した配合比となるように各々秤量
する。
次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合した後７
５０〜８００℃で予焼を行なし）、こσ）粉末をボール
ミルで粉砕し、日別、乾燥後、有機ノくインタ゛−を入
れ整粒後プレスし、直径１５ｍｙｓ 、厚さ約２−の円
板４枚と、直径１−ｅ厚さ約ＩＱｍｍσ）１門柱をイ乍
製した。次に空気中９００〜１０００℃の温度で１時ｌ
司焼結した。焼結した円板４枚σ）上下面に６００℃で
銀電極を焼付け、デジタルＬ ＣＲメーターで周波数Ｉ
ＫＨｚ 、電圧Ｉ Ｖｒｏｍ、ｓ 、温度２０°Ｃで
容量と誘電損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶
縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して絶縁抵抗を温
度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗
折強度で評価するため、焼結した円柱力１らＪ厚さＱ、
５１１ｍ 、幅２１に＋１！、長さ約１３ｍｍの矩形板
を１０枚切り出した。支点間距離を９ｍｌこより、三点
法で破Ｐｍｌ 壊荷量ＰｍｌＪｃｇ）を測定し、τ＝ −一丁（ｋｇｆ
ｉａ” ）なる式に従い、抗折強度τ〔ｋｇ／ｃｒＩＬ
２〕をめた。ただしｌは支点間距離、ｔは試料の厚み、
ｗｌま試料の幅である。電気的特性は円板試料４点の平
均イ直。
５０〜８００℃で予焼を行なし）、こσ）粉末をボール
ミルで粉砕し、日別、乾燥後、有機ノくインタ゛−を入
れ整粒後プレスし、直径１５ｍｙｓ 、厚さ約２−の円
板４枚と、直径１−ｅ厚さ約ＩＱｍｍσ）１門柱をイ乍
製した。次に空気中９００〜１０００℃の温度で１時ｌ
司焼結した。焼結した円板４枚σ）上下面に６００℃で
銀電極を焼付け、デジタルＬ ＣＲメーターで周波数Ｉ
ＫＨｚ 、電圧Ｉ Ｖｒｏｍ、ｓ 、温度２０°Ｃで
容量と誘電損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶
縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して絶縁抵抗を温
度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗
折強度で評価するため、焼結した円柱力１らＪ厚さＱ、
５１１ｍ 、幅２１に＋１！、長さ約１３ｍｍの矩形板
を１０枚切り出した。支点間距離を９ｍｌこより、三点
法で破Ｐｍｌ 壊荷量ＰｍｌＪｃｇ）を測定し、τ＝ −一丁（ｋｇｆ
ｉａ” ）なる式に従い、抗折強度τ〔ｋｇ／ｃｒＩＬ
２〕をめた。ただしｌは支点間距離、ｔは試料の厚み、
ｗｌま試料の幅である。電気的特性は円板試料４点の平
均イ直。
抗折強度は矩形板試料１０点σ）平均値よりめた。
このようにして得られた磁器の主成分（Ｐｂ（Ｍｇ３Ａ
Ｗ）４ ）Ｏｓ ）ｘ （ＰｂＴｊＯｓ）＋−ｘの配合
比Ｘおよび副成分添加量と抗折強度、誘電率、誘電２損
失および容量抵抗積（表ではε。ερと表示した）の関
係を表に示す。
Ｗ）４ ）Ｏｓ ）ｘ （ＰｂＴｊＯｓ）＋−ｘの配合
比Ｘおよび副成分添加量と抗折強度、誘電率、誘電２損
失および容量抵抗積（表ではε。ερと表示した）の関
係を表に示す。
表
注）試料番号に＊印を付したものは本発明の請求範囲に
含まれない〇 表に示した結果からも明らかなように副成分として、マ
ンガン・アンチモン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎ％８ｂｙ ）０３
〕を添加含有せしめることにより、抗折強度および容量
抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の値を保った信
頼性の高い実用性に富む優れた高慢電率磁器組成物が得
られることがわかる。こうした優れた特性を示す本発明
の磁器組成物は焼結温度が１０００℃以下の低温である
ため積層コンデンサの内部電極の低価格化を実現できる
と共に、省エネルギーや炉材の節約に６７よるさいう極
めて優れた効果も生じる。
含まれない〇 表に示した結果からも明らかなように副成分として、マ
ンガン・アンチモン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎ％８ｂｙ ）０３
〕を添加含有せしめることにより、抗折強度および容量
抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の値を保った信
頼性の高い実用性に富む優れた高慢電率磁器組成物が得
られることがわかる。こうした優れた特性を示す本発明
の磁器組成物は焼結温度が１０００℃以下の低温である
ため積層コンデンサの内部電極の低価格化を実現できる
と共に、省エネルギーや炉材の節約に６７よるさいう極
めて優れた効果も生じる。
なお主成分配合比Ｘが０．５未満では、容量抵抗積が規
格値より小さくなり、誘電損失も５．０％を越えるため
実用的でない。また副成分であるＰｂ（Ｍｎ３４ＳｂＨ
）Ｏｘの添加量が０．０５ ｍｏ／ １未満では抗折強
度の改名効果が小さく、３ｍｏ１％を超えると逆に抗折
強度が小さくなり実用的でない。
格値より小さくなり、誘電損失も５．０％を越えるため
実用的でない。また副成分であるＰｂ（Ｍｎ３４ＳｂＨ
）Ｏｘの添加量が０．０５ ｍｏ／ １未満では抗折強
度の改名効果が小さく、３ｍｏ１％を超えると逆に抗折
強度が小さくなり実用的でない。
Claims (1)
- マグネシウム・タングステン酸鉛（Ｐｂ （Ｍｇ％Ｗ３
（）０３Ｊとチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｓ） からなる二
成分組成物ヲ（Ｐｂ（Ｍｇ ３４ Ｗ３（） Ｏ３）
ｘ（ＰｂＴｉＯｓ ） ｔ−ｘ ｃ！：表わしたときに
Ｘが０．５０≦Ｘ≦ｉ、ｏｏの範囲内にある主成分組成
物に副成分としてマンガン・アンチモン酸鉛（Ｐ ｂ
（Ｍｎ％８ｂＨ）Ｏｎ）を主成分に対して０．０５〜３
ｍｏ１％ 添加含有せしめることを特徴とする磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58127219A JPS6021857A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58127219A JPS6021857A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021857A true JPS6021857A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=14954672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58127219A Pending JPS6021857A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021857A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874568A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-05-06 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58127219A patent/JPS6021857A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874568A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-05-06 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
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