JPS6046969A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6046969A JPS6046969A JP58152728A JP15272883A JPS6046969A JP S6046969 A JPS6046969 A JP S6046969A JP 58152728 A JP58152728 A JP 58152728A JP 15272883 A JP15272883 A JP 15272883A JP S6046969 A JPS6046969 A JP S6046969A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に1100℃以下の低温で焼
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(B
aTiOs) を主成分とする磁?Jが広く実用化され
ていることは周知のとおりである。しかしながら、チタ
ン酸バリウム(BaTiOs)を主成分とするものは、
焼結温度が通常1300〜1400℃の高温である。こ
のだめこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パラジウムなどの高価な貴会4を使用しなければならず
、製Z1□コストが高くつくという欠点がある。積層形
コンデンサを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主
成分とする安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温、特に1100℃以下で焼結できる磁器
が必要である。
aTiOs) を主成分とする磁?Jが広く実用化され
ていることは周知のとおりである。しかしながら、チタ
ン酸バリウム(BaTiOs)を主成分とするものは、
焼結温度が通常1300〜1400℃の高温である。こ
のだめこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パラジウムなどの高価な貴会4を使用しなければならず
、製Z1□コストが高くつくという欠点がある。積層形
コンデンサを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主
成分とする安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温、特に1100℃以下で焼結できる磁器
が必要である。
まだ磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高く、誘
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる。さらに絶縁抵抗の値に関して、高信頼性の部品を
要求する米国防総省の規格であるミリタリースベシフイ
ケイション[有]i l 1tar7Specific
ation)のMIL −C−55681Bでは室温に
おける値のみならず、125℃における値も定められて
いる。これをみてもわかるように信頼性の高い磁器コン
デンサを得るためには、室温における値のみならず、最
高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが必要
である。
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる。さらに絶縁抵抗の値に関して、高信頼性の部品を
要求する米国防総省の規格であるミリタリースベシフイ
ケイション[有]i l 1tar7Specific
ation)のMIL −C−55681Bでは室温に
おける値のみならず、125℃における値も定められて
いる。これをみてもわかるように信頼性の高い磁器コン
デンサを得るためには、室温における値のみならず、最
高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが必要
である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したシ、破損したりすることがある。ま
た、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある。いずれの場合も、コンデン
サを形成している磁器の機械的強度が低いはど、クラッ
クが入りゃすく、容易に破損するだめ、信頼性が低くな
る。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大さ
せることは実用上極めて重要な問題である。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したシ、破損したりすることがある。ま
た、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある。いずれの場合も、コンデン
サを形成している磁器の機械的強度が低いはど、クラッ
クが入りゃすく、容易に破損するだめ、信頼性が低くな
る。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大さ
せることは実用上極めて重要な問題である。
トコロチPb (Mg 1,2w1/2)Os P b
T 10B系磁器組成物については既にエヌ、エヌ、
クライニク、エイ。
T 10B系磁器組成物については既にエヌ、エヌ、
クライニク、エイ。
アイ、マグラノ77.カヤ(N、N、Krainik
and A、I。
and A、I。
Agrarovskaya(Fiziko Tverd
ogo Te1a、 Vo、2. No。
ogo Te1a、 Vo、2. No。
1、 pp 7(1−72,Janvara 1960
))より提案があり、また(SrxPb 1−X’ri
os人(PbMg o、5w。、、o、 ) B Cた
だし、x=0〜0.10 、 a=0.35〜0.5
、 b=0.5〜0.65 、 a + b=1〕につ
いては、モノリシックコンデンサおよびその製造方法と
して特開昭52−21662号公報に開示され、また誘
電体粉末組成物として特開昭52−21699号公報に
開示されている。しかしながら、いずれも比抵抗に関す
る開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかにされていない。一方、本発明者等は既に9
10−950 ℃の温度で焼結テき、pb (Mg□、
w、、、)OsとPbTi0.との2成分系からなり、
これを、 (Pb (Mgv2w、、3o、 )、 (
PbT i Q )、−エと表わしたときに、Xが0.
65(x≦1.00の範囲にある組成物を提案した。こ
の組成物は、誘電率と比抵抗との積の値が高く、誘電損
失の小さい優れた電気的特性を有しているものである。
))より提案があり、また(SrxPb 1−X’ri
os人(PbMg o、5w。、、o、 ) B Cた
だし、x=0〜0.10 、 a=0.35〜0.5
、 b=0.5〜0.65 、 a + b=1〕につ
いては、モノリシックコンデンサおよびその製造方法と
して特開昭52−21662号公報に開示され、また誘
電体粉末組成物として特開昭52−21699号公報に
開示されている。しかしながら、いずれも比抵抗に関す
る開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかにされていない。一方、本発明者等は既に9
10−950 ℃の温度で焼結テき、pb (Mg□、
w、、、)OsとPbTi0.との2成分系からなり、
これを、 (Pb (Mgv2w、、3o、 )、 (
PbT i Q )、−エと表わしたときに、Xが0.
65(x≦1.00の範囲にある組成物を提案した。こ
の組成物は、誘電率と比抵抗との積の値が高く、誘電損
失の小さい優れた電気的特性を有しているものである。
しかしながら、上記組成物社いずれも機械的強度が低い
ため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかっ
た。
ため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかっ
た。
また、pb(Mg1.、W、72)On −PbTi0
i系を含む3成分系については、特開昭55−1110
11号公報においテpb(ytgsy2w17Jos
PbTi01 pb(Mgt7sNb*73)os系が
、特開昭55−117809号公報においてPb (I
v’Ig 1,2w1.、)o、 PbTi0i Pb
(Mgs73Ta273)On系が、それぞれ開示され
ている。しかしながら、いずれも比抵抗や機械的強度に
関する開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の
実用性も明らかにされていない。
i系を含む3成分系については、特開昭55−1110
11号公報においテpb(ytgsy2w17Jos
PbTi01 pb(Mgt7sNb*73)os系が
、特開昭55−117809号公報においてPb (I
v’Ig 1,2w1.、)o、 PbTi0i Pb
(Mgs73Ta273)On系が、それぞれ開示され
ている。しかしながら、いずれも比抵抗や機械的強度に
関する開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の
実用性も明らかにされていない。
本発明者等も既にPb(PTigsyJ’17JOs
PbTi(% −Pb(In□、Nb 1.□)0.3
成分組成物を既に提案している。この組成物は、900
〜1100℃の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘
電損失が小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値
が高い優れた特性を有しているものであるーしかしなが
ら、この組成物は、機械的強度が低いため、その用途は
自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
PbTi(% −Pb(In□、Nb 1.□)0.3
成分組成物を既に提案している。この組成物は、900
〜1100℃の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘
電損失が小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値
が高い優れた特性を有しているものであるーしかしなが
ら、この組成物は、機械的強度が低いため、その用途は
自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
本発明は、以上の点にかんがみ、900〜1100℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく
、室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電
気的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の高い
磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウ
ム・タングステン酸鉛(Pb (Mg 17;W t/
□)O1〕、チタン酸鉛(PbTiOs)およびインジ
ウA 11 ニオブ酸鉛(Pb (I n 1.y2N
b l/2)Os )からなる3成分組成物を(Pb
(禽、、w1/□)03〕工(PbTiOs)y(Pb
(I n 1,2Nb 、、、)os )、と表わし
たときに(ただし、x+y+z=l、QQ )、この3
成分組成図において、以下の組成点 (X=0.796 、 )’=0.199 、 z=0
.005 )(x=0.48 、7=0.12 、 z
=0.40 )(X=0.21 、3’=0.09 、
z=0.70 )(x=0.12 、y=0.18
、z=0.70(x=0.398 、y=o、Fi97
、z=o、o05を結ぶ線上、およびこの5点に囲ま
れる組成」I・1Σ囲にちる主成分組成物に、副成分と
して、マンガン・クングスデン酸鉛[Pb (Mn z
7sW□、、)08:)を主成分に対しC,0・05〜
2molj %添加含有せしめてなることを特徴とする
ものである。
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく
、室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電
気的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の高い
磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウ
ム・タングステン酸鉛(Pb (Mg 17;W t/
□)O1〕、チタン酸鉛(PbTiOs)およびインジ
ウA 11 ニオブ酸鉛(Pb (I n 1.y2N
b l/2)Os )からなる3成分組成物を(Pb
(禽、、w1/□)03〕工(PbTiOs)y(Pb
(I n 1,2Nb 、、、)os )、と表わし
たときに(ただし、x+y+z=l、QQ )、この3
成分組成図において、以下の組成点 (X=0.796 、 )’=0.199 、 z=0
.005 )(x=0.48 、7=0.12 、 z
=0.40 )(X=0.21 、3’=0.09 、
z=0.70 )(x=0.12 、y=0.18
、z=0.70(x=0.398 、y=o、Fi97
、z=o、o05を結ぶ線上、およびこの5点に囲ま
れる組成」I・1Σ囲にちる主成分組成物に、副成分と
して、マンガン・クングスデン酸鉛[Pb (Mn z
7sW□、、)08:)を主成分に対しC,0・05〜
2molj %添加含有せしめてなることを特徴とする
ものである。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純塵99.9チ以上の酸化鉛(PbO)
、酸化マグネシウム(MgO) 、酸化タングステン(
SXU、)、酸化チタy (TiOz)、酸化インジウ
ム(I n20s )、fl+2化ニオブ(Nl)20
S )、お工び炭酸マンガン(■+CO3)を使用し、
表に示した配合比となるように各々秤量した。次に秤量
した各材料をボールミル中で湿式混合した後750−8
00°Cで予焼を行ない、この粉末ヲボールミルで粉砕
し、日別、乾慄後、有機ノくインダーを入れ、整粒後プ
レスし、試料として直径16間、ノJさ約2闘の円板4
枚と、直径16 in 、厚さ約10 mmの円柱を作
成した。次に試T斗は空気中900〜1100℃の温度
で1局間焼結した。焼結した円板4枚の上−ト面に60
0℃で銀電極を焼付け、デジタルLCRメーターで周波
数IKIIz、電圧IVr 、m、 s 、温度20℃
て8縫と誘電40失を測定し、誘電率を算出した。
、酸化マグネシウム(MgO) 、酸化タングステン(
SXU、)、酸化チタy (TiOz)、酸化インジウ
ム(I n20s )、fl+2化ニオブ(Nl)20
S )、お工び炭酸マンガン(■+CO3)を使用し、
表に示した配合比となるように各々秤量した。次に秤量
した各材料をボールミル中で湿式混合した後750−8
00°Cで予焼を行ない、この粉末ヲボールミルで粉砕
し、日別、乾慄後、有機ノくインダーを入れ、整粒後プ
レスし、試料として直径16間、ノJさ約2闘の円板4
枚と、直径16 in 、厚さ約10 mmの円柱を作
成した。次に試T斗は空気中900〜1100℃の温度
で1局間焼結した。焼結した円板4枚の上−ト面に60
0℃で銀電極を焼付け、デジタルLCRメーターで周波
数IKIIz、電圧IVr 、m、 s 、温度20℃
て8縫と誘電40失を測定し、誘電率を算出した。
次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分間印加して、絶
縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比抵抗を算出
[7た。
縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比抵抗を算出
[7た。
機緘的性質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱か
ら厚さ0.5 vtrtt、@2 myt、長さ約」3
間の矩形板金10枚切り出した。支点間距離を9門にと
り、二点法で破壊荷重PmCU]を測定し、τ−3Pm
L 〔Wtj kg/cri”Jなる式に従い、抗折強度τ(kgya
A 11をめた。
ら厚さ0.5 vtrtt、@2 myt、長さ約」3
間の矩形板金10枚切り出した。支点間距離を9門にと
り、二点法で破壊荷重PmCU]を測定し、τ−3Pm
L 〔Wtj kg/cri”Jなる式に従い、抗折強度τ(kgya
A 11をめた。
ただし、lは支点間距離、tは試料の厚み、Wは試料の
幅である。電気的特性は円板試料4点の平均値、抗折強
度は矩形板試料10点の平均値よりめた。このようにし
て得られた磁器の主成分〔Pb(Mg 、/mW1/2
)03 〕、 CPbT i Os )y(Pb (I
n 、、Nb 、、2)Os :) 、の配合比X +
”I + Zおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失
、20℃および125℃における比抵抗、および抗折強
度の関係を次表に示す。
幅である。電気的特性は円板試料4点の平均値、抗折強
度は矩形板試料10点の平均値よりめた。このようにし
て得られた磁器の主成分〔Pb(Mg 、/mW1/2
)03 〕、 CPbT i Os )y(Pb (I
n 、、Nb 、、2)Os :) 、の配合比X +
”I + Zおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失
、20℃および125℃における比抵抗、および抗折強
度の関係を次表に示す。
表に示した結果から明らかなように、Pb (Mg 1
/□”1/2)Os P bT t Oa Pb (I
n 1/□Nb t7z)Ox 3成分組成物にPb
(励t7sWs/3)Q、を特定の割合いで添加含有
せしめたものは、誘電率が980〜3440と高く、誘
電損失が0.2〜3.1%と小さく、比抵抗が20℃に
おいて1.4 ×1012〜7.5 XIQ13Ω・儂
と高く、しかも125℃においてもa 、 a x t
olQ〜9.4X 1012Ω・αという高い値を示し
、さらに抗折強度も970〜1410kg//CTLと
実用上十分高い値を示す信頼性の高す実用性の極めて高
い磁器組成物であることがわかる。このように優れた特
性を示す本発明の磁器組成物は焼結温度が1100℃以
下の低温であるため、積層コンデンサの内部電極の低価
格化を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約に
もなるという極めて優れた効果も生じる。図は本発明の
主成分組成範囲を示す。図に示した番号は表に示した主
成分配合比の番号に対応させである。
/□”1/2)Os P bT t Oa Pb (I
n 1/□Nb t7z)Ox 3成分組成物にPb
(励t7sWs/3)Q、を特定の割合いで添加含有
せしめたものは、誘電率が980〜3440と高く、誘
電損失が0.2〜3.1%と小さく、比抵抗が20℃に
おいて1.4 ×1012〜7.5 XIQ13Ω・儂
と高く、しかも125℃においてもa 、 a x t
olQ〜9.4X 1012Ω・αという高い値を示し
、さらに抗折強度も970〜1410kg//CTLと
実用上十分高い値を示す信頼性の高す実用性の極めて高
い磁器組成物であることがわかる。このように優れた特
性を示す本発明の磁器組成物は焼結温度が1100℃以
下の低温であるため、積層コンデンサの内部電極の低価
格化を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約に
もなるという極めて優れた効果も生じる。図は本発明の
主成分組成範囲を示す。図に示した番号は表に示した主
成分配合比の番号に対応させである。
本発明は(Pb(Mg□72W+/z)Oa −’x’
−PbTiOa )y[Pb(In1/2Nb 1/2
)On ] 2と表わしたときに(ただし、X + 7
+z=1.oo)、この3成分組成図において、以下
の組成点 (x=0.796 、 y=0.199 、 z=0.
005 )(Xに0.48 、 y=0.12 、 z
=0.40 )(X=0.21 、 y=0.09 、
z=0.70 )(x=0.12 、7=o、1s
、 z=0.70 )(x=0.398 、 7=0.
597 、z=0.005 )を結ぶ線上、およびこの
5点に囲まれる組成範囲に限定され、副成分の添加含有
量は主成分に対して0.05〜2mo1%に限定される
。主成分組成範囲において、組成点2,15を結ぶ線の
外側では高温における比抵抗が小さくなり実用的でない
。組成点15.16,7,3.2を結ぶ線の外側では誘
電率が小さくなり実用的でない。また副成分であるPb
(Mn z/3 W173)Osの添加量が0.05
molチ未満では抗折強度の改善効果が小さく、2mo
lZを超えると逆に抗折強度が小さくなるため実用的で
ない。
−PbTiOa )y[Pb(In1/2Nb 1/2
)On ] 2と表わしたときに(ただし、X + 7
+z=1.oo)、この3成分組成図において、以下
の組成点 (x=0.796 、 y=0.199 、 z=0.
005 )(Xに0.48 、 y=0.12 、 z
=0.40 )(X=0.21 、 y=0.09 、
z=0.70 )(x=0.12 、7=o、1s
、 z=0.70 )(x=0.398 、 7=0.
597 、z=0.005 )を結ぶ線上、およびこの
5点に囲まれる組成範囲に限定され、副成分の添加含有
量は主成分に対して0.05〜2mo1%に限定される
。主成分組成範囲において、組成点2,15を結ぶ線の
外側では高温における比抵抗が小さくなり実用的でない
。組成点15.16,7,3.2を結ぶ線の外側では誘
電率が小さくなり実用的でない。また副成分であるPb
(Mn z/3 W173)Osの添加量が0.05
molチ未満では抗折強度の改善効果が小さく、2mo
lZを超えると逆に抗折強度が小さくなるため実用的で
ない。
図は本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組成点を
示す図である。
示す図である。
Claims (1)
- (1)マグネシウム・タングステン酸鉛CPb (Mg
1/□W□72)Os 〕、チタン酸鉛(PbTiO
s)およびインジウム・ニオブ酸鉛〔Pb(InX/2
Nb1/2)0.〕からなる3成分組成物を(Pb(M
g1/zW1/z)On )x[PbTios )y(
Pb(In□7□Nb工/2)O3)2と表わしたとき
に(ただし、X + y+z=1.oO)、この3成分
組成図において、以下の組成点 (x=0.796 、y=0.199 、z=0.00
5 )(x=0.48 、 y=0.12 、 z=0
.40 )(X=0.21 、7=0.09 、 z=
0.70 )(x=0.12 、 y=o、ia 、
z=0.70 )(X=0.398 、 y=0.59
7 、 z=0.005 )を結ぶ線上、およびこの5
点に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に、副成分と
してマンガン・タングステン酸鉛[:Pb (Mn 2
/3Wl/3)01 )を主成分に対して0.05〜2
mo1%添加含有せしめてなることを特徴とする磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152728A JPS6046969A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152728A JPS6046969A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046969A true JPS6046969A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15546854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152728A Pending JPS6046969A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046969A (ja) |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152728A patent/JPS6046969A/ja active Pending
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