JPS6033281A - 陶磁器素地の焼成方法 - Google Patents

陶磁器素地の焼成方法

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Publication number
JPS6033281A
JPS6033281A JP14232483A JP14232483A JPS6033281A JP S6033281 A JPS6033281 A JP S6033281A JP 14232483 A JP14232483 A JP 14232483A JP 14232483 A JP14232483 A JP 14232483A JP S6033281 A JPS6033281 A JP S6033281A
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JP
Japan
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clay
glaze
molded body
firing
sprayed layer
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JP14232483A
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篭橋 登志三
高木 金一
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  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明方法は、施釉後はま擦りを施ず普通工程により、
素焼半製品の焼肌が、はま底に露出しないようにする陶
磁器素地の焼成方法に係るものである。
陶磁器、を地の在来の焼成方法は、第1図のように坏土
によってはまbをもった所要形状の成形体aを形成し、
乾燥後900℃前後の温度で第2図の素焼生成品Cとし
、その表面の全体に第3図のとおりに施釉dを施し、さ
らに匣鉢などの耐火板にはま底の釉薬が焼付かないよう
にするため第4図のようにはま擦りeによって施釉dの
一部を除去してから、匣鉢などの耐火板fに載置又は収
容して1.200″C前後で15図のとおりに釉焼gを
施すのを通常とし、必要に応じて前記のf141I焼g
の層に上絵付を施し850℃〜780℃により絵付焼し
て製品としている。(下絵付の場合は施釉前に紋付を施
してその上に施釉し、釉焼と同時に絵柄を焼付ける。) 上記したように、釉焼前にはま擦りを施すことは釉焼の
あとで冷却した製品を匣鉢などから分離するため箱体の
必要条件にされていて、その例外はない。このため素焼
半製品Cの肌が製品のはま底にm6図のように露出し、
使用した矧料坏土がどの程度のものであるかを、製品を
裏返すことにより明瞭に知ることが出来る。
他方陶磁器は、製品の形状によって食器、容器等、夫々
に必要な機能を果すもので、使用した坏土が並質である
か高級質であるかは機能に関係がなく、視感において多
少の品格の違いが生ずるがほとんどの場合無視される。
本発明方法は、並質坏土を使用して成形体aを形成して
も、はま擦りe及び釉焼fにより前記成形体aの使用坏
土が外部に現れないようにするものであって、陶磁器の
機能とは一応無関係な使用坏土な隠蔽することを目的と
するものである。
本発明の一実施例を説明する。
本実施例においては、並質坏土に蛙目粘土を多く配合し
たストン坏土(A)を使用し、高級質坏土には良質のカ
オリンの他に陶石も多く配合した白色率磁器坏土(B)
、アイポリ坏上(C)のうちの一つを使用した。これら
の坏土は熱収縮率をほぼ均等にしたもので、化学成分は
周知の通りであるが、念のため成分表を次に掲げる、並
質坏土であるストン土(A)はFe、O,。
長石分などの不純物の混入が多く、価格も低い。
これに反して高級質坏土である白色率磁器坏土(B)、
アイボリエ(C)は前記の不純物の混入が少なく、価格
は高い。
本実施例においては、ストン土(A)を原料として第7
図のとおりにはま2をもつ成形体1を成形し、その乾燥
後に水分32%程度の白色半値器坏土(B)をスプレー
掛けによってはま2の底を含む全体を被覆する高級質坏
土の吹付層3を第8図のとおりに形成する。吹付層3は
成形体lと熱吸収率がほぼ同一であって、厚さは50〜
100μ程度である。その吹付層3を形成する白色率磁
器坏土(B)に例えば青色系顔料を混合して吹付けるこ
とにより、着色吹付層にすることも出来る。吹付層3は
成形体1の全表面に密着して被覆し、前記成形体に使用
したストン坏土を見ることは出来ないようになる。
以上の如く吹付層3により全表面を被覆した成形体1は
完全乾燥の後に匣鉢などに収容し、1200℃付近で締
焼して第8図の素焼半製品4とし、その半製品4に釉薬
を掛け、第10図のとおりに施釉5を施す。該フリット
釉は焼成により透明になる在来公知のものであり、大略
950℃で融解して素焼品の表面を滑沢にする焼付けを
生ずるが、同時に流動して匣鉢などに移着するので未乾
燥のうちにはま擦りを施し、はま2の底面付近に付着し
た施釉の一部を拭き取ってはま擦り6を従来通りに施す
(第4図参照)。このはま擦り6によりはま底付近の釉
薬は取除かれて素焼半製品が現れるが、成形体1は吹付
層3と共に締焼されているから、並質坏土が現れること
はなく、高級質の吹付層3の坏土焼成体のみが現れる。
以上のはま擦り6を施しかつ施釉5が乾燥した素焼半製
品4は、匣鉢などに収め、1200℃前後の温度で釉焼
を施す。
はま擦り6のあとには第11図−めとおりに焼成された
吹付J!!3が現れる。
本発明方法は上記した構成になり、並質坏土による成形
体を従来のとおりに素焼、廃線をを施すことなく、成形
体と熱収縮率のほぼ均しい吹付層により成形体を覆って
素焼、廃線を施すものであるため、成形体を形成する並
質坏土は破壊しない限限り表面に現れず、恰も高級質杯
土により形成と締焼とを施した外見を生じ、その後施釉
、はま擦り釉焼等の陶磁器製品の普通工程を施しても、
並級杯土が現れることなく、並級杯土による製品の如き
印象も生じない。このため、陶磁器製品の使用には殆ん
どの場合無関係な使用坏土との非観的に融絶した新製品
を提供できると共に、並級杯土の脱鉄、挾雑物除去の作
業をも前略化できる等の効果を生ずる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第6図は従来の陶磁器製品の製作順序と示し、
m7〜第11図は本発明方法の施工順序を示したもので
ある。 出願人 籠 橋 登 志 三

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 並質坏土による成形体の表面全体に、該並質坏土と熱収
    縮率がほぼ同率の高級質坏土の吹付層を形成する工程と
    、該吹付層を形成した成形体を素焼にする工程と、該素
    焼半製品に施釉する工程と、はま擦りによって素焼半製
    品のはまの底部に付着した施釉を除去する工程と、釉焼
    を施す工程とを結合したことを特徴とする陶磁器素地の
    焼成方法。
JP14232483A 1983-08-03 1983-08-03 陶磁器素地の焼成方法 Pending JPS6033281A (ja)

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