JPS6033285A - 表面単結晶化セラミックスの製造法 - Google Patents

表面単結晶化セラミックスの製造法

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Publication number
JPS6033285A
JPS6033285A JP58143188A JP14318883A JPS6033285A JP S6033285 A JPS6033285 A JP S6033285A JP 58143188 A JP58143188 A JP 58143188A JP 14318883 A JP14318883 A JP 14318883A JP S6033285 A JPS6033285 A JP S6033285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
polycrystalline
crystal
single crystal
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58143188A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Inoue
修 井上
Takeshi Hirota
健 廣田
Hiroharu Nishimura
西村　弘治
Toshihiro Mihara
三原　敏弘
Koji Nitta
新田　恒治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6033285A publication Critical patent/JPS6033285A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電気・電子工業材料として利用され得る、表
面単結晶化セラミックスの製造法に関す従来、単結晶材
料は、ブリッジマン法・チョクラルスキー法・ＥＦＧ法
等の方法で作成し、これに切断・研摩等の加工をほどこ
しだものであり、その製造法上、非常に高価になるとい
う欠点があった。又、Ｂ　ａ　Ｔ　１０ｓ　、　Ｐ　ｂ
　Ｔ　１０３．　Ｐ　ｂ　Ｚ　ｒ　Ｏｓその他の多成分
系材料では、その複雑な組成のために単結晶化が困難で
あった。
発明の目的 本発明は上記のような従来の欠点を除去するものであり
、通常の多結晶セラミックスの製造法を利用でき、安価
でかつ要易に、表面部分が単結晶化したセラミックスを
製造する方法を提供するものである。
発明の構成 本発明の製造法によればまず、多結晶体セラミックス基
板の表面を構成する結晶粒子の１個ないし数個を、出発
原料の粒度分布の制御や添加物の混合、あるいは局所的
加熱・加圧焼成法等の方法によシ、該多結晶体の平均結
晶粒径よシ数倍〜数十倍大きな粒径を持つ巨大結晶とす
る。この多結晶体表面上の、少なくとも前述の巨大結晶
を含む領域に、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の方法
により、多結晶体と同−又は類似の結晶溝造をとり得る
非晶質薄膜又は多結晶体薄膜を形成しこれを熱処理する
事により、表面薄膜を単結晶化する。
本発明の製造法において、表面薄膜の単結晶化は、巨大
結晶からの優先的な結晶成長によって生れを熱処理して
単結晶化させる場合には、多結晶（体の平均結晶粒径が
、薄膜の結晶粒径より大きい方が、良好な単結晶化が起
こり易い。
実施例の説明 純度９９．９％のＮａ２Ｃｏ３．ＢａＣＯ３，Ｎｂ２Ｏ
，を、Ｂａ２ＮａＮｂ５０１６の組成になるように配合
し、ボールミルにて１６時時間式混合した。混合後、通
常のセラミックスの製造法に従い、乾燥・造粒成形を行
ない、１２００’Ｃで４時間焼成した。得られた多結晶
体は平均結晶粒径約１０μｍで、その表面の数ケ所に結
晶粒径が数十〜百μｍ程度の巨大結晶が存在した。図に
示すように、この多結晶体を２　ｖａ　；角に切断し、
その多結晶体表板１の表面上にスパッタリングにより同
組成の非晶質薄膜２を約６μｍの膜厚で形成し、これを
１１５０℃で２時間熱処理した。熱処理後、電子線回折
法により、第１図に示すように表面の薄膜層が単結晶化
している事が確認された。
また、同じ多結晶体の表面に、（Ｐｂ　Ｌａ）（ＺｒＴ
　ｌ　）　０３の多結晶薄膜をスパッタリングにより、
約６μｍの膜厚で形成させた。この薄膜を構成する結晶
粒子の平均粒径は約２μｍであった。これを１１５０℃
で２時間熱処理したところ、前述と同様に表面薄膜は単
結晶化している事が確認された０ 発明の効果 以上のように本発明は、従来単結晶化が困難であったセ
ラミックス材料や、あるいは単結晶製造のための大型で
高価な装置を必要とする材料においても、従来の多結晶
体製造方法を応用する事により、安価でかつ要易に、表
面の単結晶化したセラミックスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明の一実施例における表面単結晶化セラミッ
クスの製造法の概念を示す斜視図である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）多結晶体基板の表面を構成する結晶粒子の１個な
    いし数個を、その多結晶体の平均結晶粒径より数倍〜数
    十倍大きな粒径を持つ巨大結晶とし、前記多結晶体基板
    表面に、その多結晶体と同一または類似の結晶構造をと
    シ得る非晶質薄膜又は多結晶体薄膜を形成し、これを熱
    処理する事により、表面薄膜全体を単結晶化する事を特
    徴とする２表面単結晶化セラミックスの製造法。
  2. （２）薄膜が多結晶体基板と同組成であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の表面単結晶化セラミッ
    クスの製造法。
  3. （３）薄膜が多結晶体基板と異なる組成であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面単結晶化セラ
    ミックスの製造法。
  4. （４）多結晶体基板の結晶平均粒径が、多結晶薄膜ノ結
    晶平均粒径よシも大きいことを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載の表面単結晶化セラミックスの製造法。
JP58143188A 1983-08-04 1983-08-04 表面単結晶化セラミックスの製造法 Pending JPS6033285A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61164121U (ja) * 1985-04-01 1986-10-11
JPH01167231A (ja) * 1987-12-22 1989-06-30 Murata Mfg Co Ltd 配向性結晶膜

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61164121U (ja) * 1985-04-01 1986-10-11
JPH01167231A (ja) * 1987-12-22 1989-06-30 Murata Mfg Co Ltd 配向性結晶膜

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