JPS6034932A - ジハロゲノフエノ−ルのエステル類 - Google Patents
ジハロゲノフエノ−ルのエステル類Info
- Publication number
- JPS6034932A JPS6034932A JP14347283A JP14347283A JPS6034932A JP S6034932 A JPS6034932 A JP S6034932A JP 14347283 A JP14347283 A JP 14347283A JP 14347283 A JP14347283 A JP 14347283A JP S6034932 A JPS6034932 A JP S6034932A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- liquid crystal
- ester
- acid
- dihalogenophenol
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- Pending
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正の誘電異方性を有する新規液晶物質及びそれ
を含有する液晶組成物に関する。
を含有する液晶組成物に関する。
液晶を使用した表示素子は時開、厄卓などに広く使用さ
れている。この液晶表示素子は液晶q3/J質の光学異
方性及び誘電異方性を利用したもので、液晶相にはネマ
チック液晶相、スメクチンク液晶相、コレステリンク液
晶相があ)、そのうちネマチック液晶を利用したものが
最も広く実用化されている。即ちそれらにはTN(ねじ
れネマチック)型、DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホ
スト型、DAP型などがあり、それぞれに使用される液
晶物質に要求される性質は異る。これら表示素子に使用
きれる液晶物質は自然界のなるべく広い温度範囲で液晶
相を示すものが望ましく、現在のところ単一物質でその
様な条件をみたす様な物質はなく、数種の液晶物質又は
非液晶物質を混合して実用に供している。これらの物質
は水分、光、熱、空気等に対しても安定であることf:
要求され、更に表示素子を駆動させる必要なしきい電圧
、飽和電圧がなるべく低いことが望ましい。
れている。この液晶表示素子は液晶q3/J質の光学異
方性及び誘電異方性を利用したもので、液晶相にはネマ
チック液晶相、スメクチンク液晶相、コレステリンク液
晶相があ)、そのうちネマチック液晶を利用したものが
最も広く実用化されている。即ちそれらにはTN(ねじ
れネマチック)型、DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホ
スト型、DAP型などがあり、それぞれに使用される液
晶物質に要求される性質は異る。これら表示素子に使用
きれる液晶物質は自然界のなるべく広い温度範囲で液晶
相を示すものが望ましく、現在のところ単一物質でその
様な条件をみたす様な物質はなく、数種の液晶物質又は
非液晶物質を混合して実用に供している。これらの物質
は水分、光、熱、空気等に対しても安定であることf:
要求され、更に表示素子を駆動させる必要なしきい電圧
、飽和電圧がなるべく低いことが望ましい。
本発明は広い温度範囲で液晶相を示し低電圧で表示素子
を駆動できる液晶組成物の成分として適した新規な液晶
化合物を提供することにある。
を駆動できる液晶組成物の成分として適した新規な液晶
化合物を提供することにある。
即ち本発明は一般式
(上式中Rは炭素数1〜lOのアルキル基又はアルコキ
シ基を示し、覆つはK)又は(yを示し、x、y、zは
F又はCt又はHであシ、かつ、X、Y、Zのうち2個
がハロゲン原子であることを示す。) で表わされる4−置換安息香酸のジハロゲノフェノール
のエステル類及びそれを含有することを特徴とする液晶
組成物である。
シ基を示し、覆つはK)又は(yを示し、x、y、zは
F又はCt又はHであシ、かつ、X、Y、Zのうち2個
がハロゲン原子であることを示す。) で表わされる4−置換安息香酸のジハロゲノフェノール
のエステル類及びそれを含有することを特徴とする液晶
組成物である。
本発明の化合物は他の多くの液晶化合物、即ちエステル
系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキ
サン系、複素環系液晶化合物を混合して作った液晶組成
物を利用した液晶表示素子の動作温度範囲を広くし、か
つ駆動電圧を降下させることができる。
系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキ
サン系、複素環系液晶化合物を混合して作った液晶組成
物を利用した液晶表示素子の動作温度範囲を広くし、か
つ駆動電圧を降下させることができる。
本発明の化合物は以下に述べる方法で製造される。
W、 W、 Lowrance 、 Jr 、 (Te
trahedron Letters 。
trahedron Letters 。
3453(1971))の示す方法に準じ4−ヒドロキ
シ安息香酸(化合物(1))とジハロゲノフェノール(
化合物G11))をキシレン中でホウ酸と硫酸を触媒に
して反応させ、4−ヒドロキシ安息香酸−ジハロゲノフ
ェニルエステル(化合’t (ff) )を製造する。
シ安息香酸(化合物(1))とジハロゲノフェノール(
化合物G11))をキシレン中でホウ酸と硫酸を触媒に
して反応させ、4−ヒドロキシ安息香酸−ジハロゲノフ
ェニルエステル(化合’t (ff) )を製造する。
ついでこれをピリジン存在下で対応するカルボン改クロ
リド(化合物(V))と反応させ、目的の4−置換安息
香酸のジハロゲノフェニルエステル(化合物(I) )
を製造することができる。
リド(化合物(V))と反応させ、目的の4−置換安息
香酸のジハロゲノフェニルエステル(化合物(I) )
を製造することができる。
以上を化学式で示すと次の様になる。
R()CCt
)1
()
(1)
(上式中rz 、 () 、 x及びY及び2は前記に
同じである。) 以下実施例によシ本発明の化合物について更に詳細に説
明する。
同じである。) 以下実施例によシ本発明の化合物について更に詳細に説
明する。
ls例1 4− (トランス−4−エチルシクロヘキサ
ノイルオキシ)安息香酸−2−クロロ−4−フルオロフ
ェニルエステルC(1)弐においてRがC2H5−+
+ l)’ 0 、X 7>” CZ rYがH,Zが
Fである化合物)の製造 (1)4−ヒドロキシ安息香酸−2−クロロ−4−フル
オロフェニルエステル 造 4−ヒドロキシ安恩香涼(化合物(II))ttslと
2−クロロ−4−フルオロフェノール(化合i+bGI
l) ) 2 3 9 fを24の三ンロフラスコに入
れ、攪拌機及び水分定量器をつけた後、キシレン1.2
4を加え、ホウ酸18.6F,憾iり15,31を加え
て攪拌しながら加熱還流した。還流は水分定量器に水が
もはや富出しなくなるーまで(20時間)続行した。反
応終了後減圧下にてキシレンを0.84留去し、室温ま
で冷却して析出した結晶=p別、トルエンで洗滌し4−
ヒドロキ’/ 安息香&ー2ークロロー4ーフルオロフ
ェニルニスデルを得た。風乾後そのまま次の反応に用い
た。
ノイルオキシ)安息香酸−2−クロロ−4−フルオロフ
ェニルエステルC(1)弐においてRがC2H5−+
+ l)’ 0 、X 7>” CZ rYがH,Zが
Fである化合物)の製造 (1)4−ヒドロキシ安息香酸−2−クロロ−4−フル
オロフェニルエステル 造 4−ヒドロキシ安恩香涼(化合物(II))ttslと
2−クロロ−4−フルオロフェノール(化合i+bGI
l) ) 2 3 9 fを24の三ンロフラスコに入
れ、攪拌機及び水分定量器をつけた後、キシレン1.2
4を加え、ホウ酸18.6F,憾iり15,31を加え
て攪拌しながら加熱還流した。還流は水分定量器に水が
もはや富出しなくなるーまで(20時間)続行した。反
応終了後減圧下にてキシレンを0.84留去し、室温ま
で冷却して析出した結晶=p別、トルエンで洗滌し4−
ヒドロキ’/ 安息香&ー2ークロロー4ーフルオロフ
ェニルニスデルを得た。風乾後そのまま次の反応に用い
た。
(2)エステル化
前述の4−ヒドロキシ安息香酸−2−クロロ−4−フル
オロフェニルエステル2.0N(0,0075モル)を
ピリジン10m1に溶解し攪拌L すがう、トランス−
4−エチルシクロヘキサンカルボン酸クロリド(化合物
Oす)1.511’(0,0085モル)を加えた。反
応後−晩装置した後トルエン50m1を加え水にあけた
。層状に分離したトルエン層を6N塩iiZ、2N水酸
化ナトリウノ・溶液次いで水で洗滌し、最後に無水硫酸
ナトリウムを用いて乾たバした。次いでトルエンを減圧
下にて留去して油状物を得、それをエタノールで再i;
吉晶し目的11勿でイ5る4−(トランス−4−エチル
シクロヘキザノイルオキシ)安息香I−j2−2− ク
ロロ−4−フルオロフェニルエステル1.2ノを得7t
。収率tよ4−ヒドロキシ安息香e −2−クロロ−4
−フルオロフェニルエステルから計算して・10%であ
った。このものの結晶−ネマチック点は1152°C、
ネマチック−透明点は128.0°Cであった。
オロフェニルエステル2.0N(0,0075モル)を
ピリジン10m1に溶解し攪拌L すがう、トランス−
4−エチルシクロヘキサンカルボン酸クロリド(化合物
Oす)1.511’(0,0085モル)を加えた。反
応後−晩装置した後トルエン50m1を加え水にあけた
。層状に分離したトルエン層を6N塩iiZ、2N水酸
化ナトリウノ・溶液次いで水で洗滌し、最後に無水硫酸
ナトリウムを用いて乾たバした。次いでトルエンを減圧
下にて留去して油状物を得、それをエタノールで再i;
吉晶し目的11勿でイ5る4−(トランス−4−エチル
シクロヘキザノイルオキシ)安息香I−j2−2− ク
ロロ−4−フルオロフェニルエステル1.2ノを得7t
。収率tよ4−ヒドロキシ安息香e −2−クロロ−4
−フルオロフェニルエステルから計算して・10%であ
った。このものの結晶−ネマチック点は1152°C、
ネマチック−透明点は128.0°Cであった。
実施例2〜29
実施例1の方法に準じて操作を行ない4−ヒドロキシ安
息香酸−2−クロロ−4−フルオロフェニルエステルの
代シに4−ヒドロギシ安息香v−2,4−ジフルオロフ
ェニルエステル又は4−ヒドロキシ安息香酸−2−フル
オロ−4−クロロフェニルエステル又は4−ヒドロキシ
安息香e−2,4−ジクロロフェニルエステルスは4−
ヒドロキシ反意8[J−8−クロロ−4=フルオロフエ
ニルエステル又は4−ヒドロキシ安息香R−a 、 4
− シーyルオロフェニルエステル又は4−ヒドロキシ
安息香酸−3−フルオロ−4−クロロフェニルエステル
又は4−ヒドロキシ安息?jl’J’l−3、4−ジフ
ルオロフェニルエステル(0,0075モル)と対応す
ルカルホン酸クロリド(0,0085モル)全反応して
(1)式の化合物を製造した。これらの結果について実
施例1の結果と共に第1表に示した。
息香酸−2−クロロ−4−フルオロフェニルエステルの
代シに4−ヒドロギシ安息香v−2,4−ジフルオロフ
ェニルエステル又は4−ヒドロキシ安息香酸−2−フル
オロ−4−クロロフェニルエステル又は4−ヒドロキシ
安息香e−2,4−ジクロロフェニルエステルスは4−
ヒドロキシ反意8[J−8−クロロ−4=フルオロフエ
ニルエステル又は4−ヒドロキシ安息香R−a 、 4
− シーyルオロフェニルエステル又は4−ヒドロキシ
安息香酸−3−フルオロ−4−クロロフェニルエステル
又は4−ヒドロキシ安息?jl’J’l−3、4−ジフ
ルオロフェニルエステル(0,0075モル)と対応す
ルカルホン酸クロリド(0,0085モル)全反応して
(1)式の化合物を製造した。これらの結果について実
施例1の結果と共に第1表に示した。
以下、相転移点の結晶−ネマチック点ン7 C−N点、
スメクチック−ネマチック点をS−N点、ネマチック−
等方性液体点をN−I点と略記し、()はモノトロピッ
ク相を示す。収率は化合物(ト)を基準に計算した値で
ある。
スメクチック−ネマチック点をS−N点、ネマチック−
等方性液体点をN−I点と略記し、()はモノトロピッ
ク相を示す。収率は化合物(ト)を基準に計算した値で
ある。
第1表
第1表 (つづき)
*は結晶−スメクチック点を示す。
*ネはスメクチック−透明点を示す。
応用例1
なる組成の液晶組成物(A)のN−I点は52.1°C
520°Cにおける粘度は23.4cp、誘電異方性値
(以下△εと略記する)icj:11.2.光学異方性
値(以下△nと略記する)は0.119である。
520°Cにおける粘度は23.4cp、誘電異方性値
(以下△εと略記する)icj:11.2.光学異方性
値(以下△nと略記する)は0.119である。
液晶セルとして酸化ケイ泉をコーアイングしうを用意し
、前り己液晶組成物囚を封入して液晶セルとし7.20
℃でその!特性を測定しjc−ところ、しきい電圧(以
下vthと略記する)姓i:1.55V、飽3゛11電
圧(以下VsaLと略H12する)は2.15Vであっ
た。
、前り己液晶組成物囚を封入して液晶セルとし7.20
℃でその!特性を測定しjc−ところ、しきい電圧(以
下vthと略記する)姓i:1.55V、飽3゛11電
圧(以下VsaLと略H12する)は2.15Vであっ
た。
この液晶組成物+Al90患゛i((%に不発明の実施
例:1lD4−()ランス−4−ブチル)シクロヘキサ
ノイル安息香酸−2−クロロ−4−フルオロフェニルエ
ステル10重量%を溶解した組成物のN −I点は55
,5°C120°Cにおける粘度は27.8CI)、△
εは1O13、△nは0.118、Vthは1.46V
、Vsatは2.08Vとなった。
例:1lD4−()ランス−4−ブチル)シクロヘキサ
ノイル安息香酸−2−クロロ−4−フルオロフェニルエ
ステル10重量%を溶解した組成物のN −I点は55
,5°C120°Cにおける粘度は27.8CI)、△
εは1O13、△nは0.118、Vthは1.46V
、Vsatは2.08Vとなった。
応用例2〜5
実施例30と同じ組成の液晶組成物(A)85〜90重
量%に、本発明の(1)式の化合物をそれぞれについて
10〜15 gI−’J”a%溶解した組成物について
、同イ求にa+:+定した紹呆忙、応用例1の結果と共
に第2表に示す。
量%に、本発明の(1)式の化合物をそれぞれについて
10〜15 gI−’J”a%溶解した組成物について
、同イ求にa+:+定した紹呆忙、応用例1の結果と共
に第2表に示す。
以上の様に本発明の化合物を用いることによって、液晶
表示累子の動作温度範囲の上限を高くし、vth %
Vsatを降下さぜることかできた。
表示累子の動作温度範囲の上限を高くし、vth %
Vsatを降下さぜることかできた。
以上
Claims (2)
- (1)一般式 (上式中Rは炭素数1〜10のアルキル基又はアルコキ
シ基を示し、÷ヴはK)又は(ンを示し、x、y、zは
F又はCt又id I−Iであり、かつ、x、y、zの
″うち2個が)・ロゲン原子であることを示す。) で表わされる4−置換安息香酸のジノ10ゲノフエノー
ルのエステル類。 - (2)一般式 (上式中Rは炭素数1〜10のアルキル基又はアルコキ
シ基を示し、(史は0又は (yを示し、x、y、zはF 又ハC1又iJ: I−
1であシ、かつ、x、y、zのうち2個がハロゲン原子
であることを示す。) で表わされる4−置換安息香酸のジハロゲノフェノール
のエステル類を含有することを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14347283A JPS6034932A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ジハロゲノフエノ−ルのエステル類 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14347283A JPS6034932A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ジハロゲノフエノ−ルのエステル類 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6034932A true JPS6034932A (ja) | 1985-02-22 |
Family
ID=15339489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14347283A Pending JPS6034932A (ja) | 1983-08-05 | 1983-08-05 | ジハロゲノフエノ−ルのエステル類 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252357A3 (en) * | 1986-07-05 | 1988-07-20 | Bayer Ag | Process for the preparation of (4-hydroxyphenyl)-4-hydroxy-benzoate, and its use |
-
1983
- 1983-08-05 JP JP14347283A patent/JPS6034932A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252357A3 (en) * | 1986-07-05 | 1988-07-20 | Bayer Ag | Process for the preparation of (4-hydroxyphenyl)-4-hydroxy-benzoate, and its use |
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