JPS584745A - トランス−4−(4′−置換フエニル)−シクロヘキサンカルボン酸4″−クロロフエニルエステル - Google Patents
トランス−4−(4′−置換フエニル)−シクロヘキサンカルボン酸4″−クロロフエニルエステルInfo
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- JPS584745A JPS584745A JP10003981A JP10003981A JPS584745A JP S584745 A JPS584745 A JP S584745A JP 10003981 A JP10003981 A JP 10003981A JP 10003981 A JP10003981 A JP 10003981A JP S584745 A JPS584745 A JP S584745A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正の誘電異方性を示す新規な含塩素有機化合物
及びそれらを含有する液晶組成物に関する。
及びそれらを含有する液晶組成物に関する。
最近、盛んに使用される様になった液晶表示素子は液晶
物質の誘電異方性及び光学異方性という性質を利用し7
たものであるが液晶物質の液晶相にはネマチック液晶相
、スメクチック液晶相、コレスデリック液晶相があシ、
そのうちネマチック液晶相を利用した表示素子にはTN
型、DS型、ゲスト・ホスト型、DAP型などかあし、
又スメクチック液晶相を利用したものとしては記憶型表
示素子などが開発されている。しかし、いずれにしても
表示素子に用いられる液晶物質は自然界の々るべく広い
温度範囲で液晶相を示しているものが望ましいが、一つ
の化合物でその様な条件をみたす物質はまだ見っがらず
、種々の物質を混合することによシ一応実用に耐える様
な物を得て目的を果している。又これらの物質は水分、
光、熱等に対しても安定でなければならないのは勿論で
あ)、更に表示素子を駆動させるしきい電圧、飽和電圧
が出来るだけ低いことがあらゆる点で有利であるが、そ
のためには通常誘電異方性の絶体値の大きな物質が必要
とされていた。しかるに本発明者らは誘電異方性が従来
よく使用されているシアン基を有する物質と比らべ小さ
いにもかかわらずしきい電圧、飽和電圧を高くせず、し
かも広いネマチック温度範囲、水分、光、熱に対する安
定性を有する化合物を見つけ本発明に到達した。
物質の誘電異方性及び光学異方性という性質を利用し7
たものであるが液晶物質の液晶相にはネマチック液晶相
、スメクチック液晶相、コレスデリック液晶相があシ、
そのうちネマチック液晶相を利用した表示素子にはTN
型、DS型、ゲスト・ホスト型、DAP型などかあし、
又スメクチック液晶相を利用したものとしては記憶型表
示素子などが開発されている。しかし、いずれにしても
表示素子に用いられる液晶物質は自然界の々るべく広い
温度範囲で液晶相を示しているものが望ましいが、一つ
の化合物でその様な条件をみたす物質はまだ見っがらず
、種々の物質を混合することによシ一応実用に耐える様
な物を得て目的を果している。又これらの物質は水分、
光、熱等に対しても安定でなければならないのは勿論で
あ)、更に表示素子を駆動させるしきい電圧、飽和電圧
が出来るだけ低いことがあらゆる点で有利であるが、そ
のためには通常誘電異方性の絶体値の大きな物質が必要
とされていた。しかるに本発明者らは誘電異方性が従来
よく使用されているシアン基を有する物質と比らべ小さ
いにもかかわらずしきい電圧、飽和電圧を高くせず、し
かも広いネマチック温度範囲、水分、光、熱に対する安
定性を有する化合物を見つけ本発明に到達した。
即ち本発明は一般式
(上式中)tは炭素数1〜10のアルキル基又はアルコ
キシ基を示す) で表わされるトランス−4−(4’−置換フェニル)−
シクロヘキサンカルボン[4”−/ロロフェニルエステ
ル及びそれを少くとも一種含有する液晶組成物である。
キシ基を示す) で表わされるトランス−4−(4’−置換フェニル)−
シクロヘキサンカルボン[4”−/ロロフェニルエステ
ル及びそれを少くとも一種含有する液晶組成物である。
本化合物自体もその多く &:j:ネマチック液晶相を
示すが、他の液晶物質と混合することによりしきい電圧
、飽和電圧を上げるととなくネマチック−透明点(N−
I点)を上けることが出来る。例工r、f 4− (4
’−ペンチルフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸4
“−クロロフェニルエステルは92,1°Cから188
.7°Cでネマチック相を示し、これをビフェニル系、
フェニルシクロヘキサン系、エステル系、シッフ系など
の液晶化合物と混合して種々の実用性のある液晶組成物
をつくることができる。
示すが、他の液晶物質と混合することによりしきい電圧
、飽和電圧を上げるととなくネマチック−透明点(N−
I点)を上けることが出来る。例工r、f 4− (4
’−ペンチルフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸4
“−クロロフェニルエステルは92,1°Cから188
.7°Cでネマチック相を示し、これをビフェニル系、
フェニルシクロヘキサン系、エステル系、シッフ系など
の液晶化合物と混合して種々の実用性のある液晶組成物
をつくることができる。
つぎに本発明の化合物(1)の製造法を示す。まストラ
ンス−4−(4’−置換フェニル)−シクロヘキサンカ
ルボン酸を塩化チオニルでトランス−4−(4’−71
換7−cニル)−シクロヘキサンカルボニルクロリドと
し、それをピリジン中でp−クロロフェノールと反応さ
せてトランス−4−(4’−tlk換フェニル)−シク
ロヘキサンカルボン酸4”−クロロフェニルエステルヲ
製造した。これを化学式で示すと (1) (上式中Rは前記と同じ) 以下実施例により本発明を更に詳細に説明する。
ンス−4−(4’−置換フェニル)−シクロヘキサンカ
ルボン酸を塩化チオニルでトランス−4−(4’−71
換7−cニル)−シクロヘキサンカルボニルクロリドと
し、それをピリジン中でp−クロロフェノールと反応さ
せてトランス−4−(4’−tlk換フェニル)−シク
ロヘキサンカルボン酸4”−クロロフェニルエステルヲ
製造した。これを化学式で示すと (1) (上式中Rは前記と同じ) 以下実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実施例1
〔トランス−4−(4’−プロピルフェニル)−シクロ
ヘキサンカルボン酸4“−クロロフェニルエステルの製
造〕 トランス−4−(4’−フロビルフェニル)−シクロヘ
キサンカルボン酸12.8 f (0,05モル)に塩
化チオニル50mg/を加え70〜80″Cに加熱、還
流をする。2〜8時間で均一になるので過剰の塩化チオ
ニルを減圧にて留去する。
ヘキサンカルボン酸4“−クロロフェニルエステルの製
造〕 トランス−4−(4’−フロビルフェニル)−シクロヘ
キサンカルボン酸12.8 f (0,05モル)に塩
化チオニル50mg/を加え70〜80″Cに加熱、還
流をする。2〜8時間で均一になるので過剰の塩化チオ
ニルを減圧にて留去する。
残留油状物がトランス−4−(4’−置換フェニル)−
シクロヘキサンカルボニルクロI) )” (酸塩化物
)である。これを、p−クロロフェノール6.51 (
0,05モル)をピリジン30肩lにとかしたものに漱
しく攪拌しながら加える。更にトルエン300 mlを
加え、−晩装置してから500m/の水に注ぎ込み分液
する。そのトルエン層を6 N HClで8回、水で1
回、2 N NaOH水溶液で3回洗浄した後、中性に
々るまで水洗してから減圧にてトルエンを留去すると結
晶が析出する。この結晶をエタノールで再結晶して目的
ノドランス−4−(4’−ン°ロピルフエニル)−シク
ロヘキサンカルボン酸4“−クロロフェニルエステル7
.5yを得た(収率42%)。このもののC−N点は1
28.5〜124.5°C,N−1点は149.1°C
であった。
シクロヘキサンカルボニルクロI) )” (酸塩化物
)である。これを、p−クロロフェノール6.51 (
0,05モル)をピリジン30肩lにとかしたものに漱
しく攪拌しながら加える。更にトルエン300 mlを
加え、−晩装置してから500m/の水に注ぎ込み分液
する。そのトルエン層を6 N HClで8回、水で1
回、2 N NaOH水溶液で3回洗浄した後、中性に
々るまで水洗してから減圧にてトルエンを留去すると結
晶が析出する。この結晶をエタノールで再結晶して目的
ノドランス−4−(4’−ン°ロピルフエニル)−シク
ロヘキサンカルボン酸4“−クロロフェニルエステル7
.5yを得た(収率42%)。このもののC−N点は1
28.5〜124.5°C,N−1点は149.1°C
であった。
実施例2〜4
(トランス−4−(4’−1μ換フエニル)−シクロ−
、キザンカルボンm 4′/−クロロフェニルエステル
の製造〕 実施例1におけるトランス−4−(4’−プロピルフェ
ニル)−シクロヘキ′丈ンカル7Iζン酸ノ代りに他の
アルキル基を有するトランス−4−(4’−置換フェニ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸Q、(15モル用いた
他は全く同様にして第1% に示す) 7ンスー4−(
4’−fi6[フェニル)−シクロヘキサンカルボンm
4L/−クロロフェニルエステルを製造した。これら
の物性値を第1表に示す。
、キザンカルボンm 4′/−クロロフェニルエステル
の製造〕 実施例1におけるトランス−4−(4’−プロピルフェ
ニル)−シクロヘキ′丈ンカル7Iζン酸ノ代りに他の
アルキル基を有するトランス−4−(4’−置換フェニ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸Q、(15モル用いた
他は全く同様にして第1% に示す) 7ンスー4−(
4’−fi6[フェニル)−シクロヘキサンカルボンm
4L/−クロロフェニルエステルを製造した。これら
の物性値を第1表に示す。
第1表
実施例5(使用例)
4−ペンチル−47−シアノビフェニル45%
4−へブチル−4′−シアノビフェニル29%
4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル15%
4−ペンテルー4′−シアノターフェニル11%
なる組成の液晶混合物のN−I点は63,3°C1誘電
異方性N:+12.4である。この液晶混合物をケイ素
でコーティングし、ラビング処理した酸化スズ透明電極
を備えた2枚の基板を組み立てた厚さ10μmのセルに
封入して液晶セルとし、25°Cでその特性を測定した
ところ、しきい電圧1.65V、飽和電圧は2.81V
であった。
異方性N:+12.4である。この液晶混合物をケイ素
でコーティングし、ラビング処理した酸化スズ透明電極
を備えた2枚の基板を組み立てた厚さ10μmのセルに
封入して液晶セルとし、25°Cでその特性を測定した
ところ、しきい電圧1.65V、飽和電圧は2.81V
であった。
この液晶混合物90部に実施例3のトランス−4−(4
’−ペンチルフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸4
“−クロロフェニルエステル1()部を加えた液晶混合
物はN−I点70.8°C1誘電異方性は+11.0で
、これを先の場合と同じセルに封入して、同条件でその
液晶セルの特性を測定したところ、しきい電圧は1.7
0V、飽和電圧は2.40Vで誘電異方性が小さくなっ
たにもかかわらずその上列はわずかである。
’−ペンチルフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸4
“−クロロフェニルエステル1()部を加えた液晶混合
物はN−I点70.8°C1誘電異方性は+11.0で
、これを先の場合と同じセルに封入して、同条件でその
液晶セルの特性を測定したところ、しきい電圧は1.7
0V、飽和電圧は2.40Vで誘電異方性が小さくなっ
たにもかかわらずその上列はわずかである。
以上
Claims (2)
- (1)一般式 (上式中Rは炭素数1〜lOのアルキル基又はアルコキ
シ基を示す) で表わされるトランス−4−(4’−fM換フェニル)
−シクロヘキサンカルボン酸4〃−クロロフェニルエス
テル。 - (2)一般式 (上式中Rは炭素数1〜10のアルキル基又はアルコキ
シ基を示す) で表わされるトランス−4−(4’−i換フェニル)−
シクロヘキサンカルボン酸4“−クロロフェニルエステ
ルを少なくとも−fdf 含有スることを特徴とする液
晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003981A JPS584745A (ja) | 1981-06-27 | 1981-06-27 | トランス−4−(4′−置換フエニル)−シクロヘキサンカルボン酸4″−クロロフエニルエステル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003981A JPS584745A (ja) | 1981-06-27 | 1981-06-27 | トランス−4−(4′−置換フエニル)−シクロヘキサンカルボン酸4″−クロロフエニルエステル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584745A true JPS584745A (ja) | 1983-01-11 |
| JPH0150692B2 JPH0150692B2 (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14263376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10003981A Granted JPS584745A (ja) | 1981-06-27 | 1981-06-27 | トランス−4−(4′−置換フエニル)−シクロヘキサンカルボン酸4″−クロロフエニルエステル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584745A (ja) |
-
1981
- 1981-06-27 JP JP10003981A patent/JPS584745A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0150692B2 (ja) | 1989-10-31 |
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