JPS6036368A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6036368A JPS6036368A JP58144782A JP14478283A JPS6036368A JP S6036368 A JPS6036368 A JP S6036368A JP 58144782 A JP58144782 A JP 58144782A JP 14478283 A JP14478283 A JP 14478283A JP S6036368 A JPS6036368 A JP S6036368A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に１１００℃以下の低温そ焼
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ，）を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおりである。しかしながら、チタン酸
バリウム（ＢａＴ ｉｔｓ ）を主成分とするものは、
焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である。こ
のためこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず
、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形コン
デ７ｔを安＜作るためには、銀、ニッケルなどを主成分
とする安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に１１００℃以下で焼結できる磁器が必
要である。
ａＴｉＯ，）を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおりである。しかしながら、チタン酸
バリウム（ＢａＴ ｉｔｓ ）を主成分とするものは、
焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である。こ
のためこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず
、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形コン
デ７ｔを安＜作るためには、銀、ニッケルなどを主成分
とする安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に１１００℃以下で焼結できる磁器が必
要である。
また磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高く、誘
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる６さらに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品
を要求する米国防総省の規格であるミリタリースベシフ
イケイション（Ｍｉｌ ｉ −ｔａｒｙ ５ｐｅｃｉｆ
ｉｃａｔｉｏｎ）のＭＩＬ −Ｃ−５５６８１Ｂにおい
ては、室温における値のみならず、１２５℃における値
も定められている。これをみてもわかるように、信頼性
の高い磁器コンデンサを得るためには、室温における値
のみならず、予想される最高使用温度における絶縁抵抗
も高い値をとることが必要である。
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる６さらに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品
を要求する米国防総省の規格であるミリタリースベシフ
イケイション（Ｍｉｌ ｉ −ｔａｒｙ ５ｐｅｃｉｆ
ｉｃａｔｉｏｎ）のＭＩＬ −Ｃ−５５６８１Ｂにおい
ては、室温における値のみならず、１２５℃における値
も定められている。これをみてもわかるように、信頼性
の高い磁器コンデンサを得るためには、室温における値
のみならず、予想される最高使用温度における絶縁抵抗
も高い値をとることが必要である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したり、破損したシすることがある。ま
た、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある・いずれの場合も、コンど、
クラックが入りやすく、容易に破損するため、信頼性が
低くなる。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ
増大させることは実用上極めて重要なことである〇 トコロチＰｂ（Ｍｇ１／、Ｗ□／２）ｏｓ−ＰｂＴｉｏ
３系磁器組成物については既にエヌ、エヌ、クライニク
、エイ。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したり、破損したシすることがある。ま
た、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある・いずれの場合も、コンど、
クラックが入りやすく、容易に破損するため、信頼性が
低くなる。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ
増大させることは実用上極めて重要なことである〇 トコロチＰｂ（Ｍｇ１／、Ｗ□／２）ｏｓ−ＰｂＴｉｏ
３系磁器組成物については既にエヌ、エヌ、クライニク
、エイ。
アイ、７グラノフスカヤＮ、Ｎ、Ｋｒａｉｎｉｋ ａｎ
ｄ Ａ、Ｉ。
ｄ Ａ、Ｉ。
Ａｇｒａｒｏｖｓｋａｙａ（Ｆｉｚｉｋｏ Ｔｖｅｒｄ
ｏｇｏ Ｔｅ１ａ＋Ｖｏ−２＋Ｎｏ、１゜ｐｐ ７０〜
７２＋ Ｊａｎｖａｒａ １９６０）より提案があり、
また（ＳｒｘＰｂｔ−ｘＴｉＯｓ）ａ（ＰｂＭｇｏ、ｓ
Ｗｏ、５Ｏｉ）ｂＣただし、Ｘ＝（ｌ（１，１０，ａ＝
０．３５〜０．５ 、 ｂ＝ＯＪ−０，６５、ａ ＋
ｂ＝１ ：） について、モノリシックコンデンサおよ
びその製造方法として特開昭５２−２１６６２号公報に
開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭５２−２
１６９９号公報に開示されている。しかしながら、いず
れも比抵抗に関する開示は全くされておらず、これらの
磁器組成物の実用性は不明である。一方、本発明者等は
既に９１０匈５０℃の温度で焼結でき、Ｐｂ （Ｍｇ
ｖｘＷ１７＊）ＯｎとＰｂＴｉＯｓ との２成分系から
なり、これを、ＣＰｂ（Ｍｇ １／２Ｗｌ／２）Ｏａ
’：ｌ ｘ ＣＰ ｂ Ｔ ＩＯｓ ’ｌ １−Ｘ と
表わしたときに、Ｘが０．６５＜Ｘ≦１．００の範囲に
ある組成物を提案している。この組成物は、誘電率と比
抵抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性を
有している。しかしながら、上記組成物はいずれも機４
域的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せ
ざるを得なかった。
ｏｇｏ Ｔｅ１ａ＋Ｖｏ−２＋Ｎｏ、１゜ｐｐ ７０〜
７２＋ Ｊａｎｖａｒａ １９６０）より提案があり、
また（ＳｒｘＰｂｔ−ｘＴｉＯｓ）ａ（ＰｂＭｇｏ、ｓ
Ｗｏ、５Ｏｉ）ｂＣただし、Ｘ＝（ｌ（１，１０，ａ＝
０．３５〜０．５ 、 ｂ＝ＯＪ−０，６５、ａ ＋
ｂ＝１ ：） について、モノリシックコンデンサおよ
びその製造方法として特開昭５２−２１６６２号公報に
開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭５２−２
１６９９号公報に開示されている。しかしながら、いず
れも比抵抗に関する開示は全くされておらず、これらの
磁器組成物の実用性は不明である。一方、本発明者等は
既に９１０匈５０℃の温度で焼結でき、Ｐｂ （Ｍｇ
ｖｘＷ１７＊）ＯｎとＰｂＴｉＯｓ との２成分系から
なり、これを、ＣＰｂ（Ｍｇ １／２Ｗｌ／２）Ｏａ
’：ｌ ｘ ＣＰ ｂ Ｔ ＩＯｓ ’ｌ １−Ｘ と
表わしたときに、Ｘが０．６５＜Ｘ≦１．００の範囲に
ある組成物を提案している。この組成物は、誘電率と比
抵抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性を
有している。しかしながら、上記組成物はいずれも機４
域的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せ
ざるを得なかった。
ｔ ７’Ｃ１Ｐｂ（Ｍｇ１／ｚＷｘ／２）Ｏｘ ＰｂＴ
ｉ０ａ系を含む３成分系については、特開昭５５−１１
１０１１号においてｐｂＣＭｇｘ７ｘＷ１／２）Ｏｓ
ＰｂＴｉＯ３Ｐｂ（Ｍｇ１．ｚａＮｂ２７ａ）Ｏｓ系が
、特開昭５５−１１７８０９号においてＰｂ（Ｍｇ１／
ｚＷｘ／２）Ｏｓ ＰｂＴｉｅｓ Ｐｂ（Ｍｇｔ／３Ｔ
ａｚ／ａ）Ｏｓ系が、それぞれ開示されている。しかし
ながら、いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示は全
くされておらず、矢張シこれらの磁器組成物の実用性に
ついては不明である。
ｉ０ａ系を含む３成分系については、特開昭５５−１１
１０１１号においてｐｂＣＭｇｘ７ｘＷ１／２）Ｏｓ
ＰｂＴｉＯ３Ｐｂ（Ｍｇ１．ｚａＮｂ２７ａ）Ｏｓ系が
、特開昭５５−１１７８０９号においてＰｂ（Ｍｇ１／
ｚＷｘ／２）Ｏｓ ＰｂＴｉｅｓ Ｐｂ（Ｍｇｔ／３Ｔ
ａｚ／ａ）Ｏｓ系が、それぞれ開示されている。しかし
ながら、いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示は全
くされておらず、矢張シこれらの磁器組成物の実用性に
ついては不明である。
また、本発明者等は既にＰｂ （Ｍｇ １／２Ｗ１／２
）Ｏｘ −ＰｂＴｉＯｓＰｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂｌ／２）
Ｏｓ ３成分組成物を提案している。
）Ｏｘ −ＰｂＴｉＯｓＰｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂｌ／２）
Ｏｓ ３成分組成物を提案している。
この組成物は、９００〜１１００℃の低温領域で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、室温および高温
における絶縁抵抗の値が高い優れた特性を有している。
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、室温および高温
における絶縁抵抗の値が高い優れた特性を有している。
しかしながら、この組成物は、機械的強度が低いため、
その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
本発明は、以上の点にかんがみ、９００〜１１００’Ｃ
の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さ
く、室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れｆ
Ｃ電気的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の
高い磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネ
シウム−タングステン酸鉛［Ｐｂ （Ｍｇ ｘ／ｚＷｓ
７Ｊ Ｏｓ ：］、ｆ タフ 酸鉛［ＰｂＴｉ０ａ ）
オヨびインジウム・ニオブ酸鉛〔Ｐｂ（工ｎ０／２Ｎ
ｂｌ／２）ｏｓ〕からなる３成分組成物を［：Ｐｂ （
Ｍｇ ｒ７ｚＷ１７ｚ）Ｏｘ ）ｘ （Ｐ ｂＴ ｉ
Ｏｘ ）ｙ［Ｐｂ（Ｉｎｘ／ｚＮｂｚ、ｚ＊）Ｏｓ 〕
ｚと表わしたときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ｏＯ）
、この３成分組成図において以下の組成点 （ｘ＝０．７９６ 、 ｙ＝０．１９９ 、 ｚ＝０．
００５ ）（ｘ＝０．４８ 、ｙ−０−１２、ｚ＝０．
４０ ）（ｘ＝０．２１ 、 ’！＝Ｏ−０９、ｚ＝０
．７０ ）（ｘ＝０．１２ 、 ｙ＝０．１８ 、 ｚ
＝０．７０ ）（ｘ＝０．３９８ 、 ｙ＝０．５９７
、 ｚ＝０．００５ ）を結ぶ線上、およびこの５点
に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に、副成分とし
て、マンガン・タングステン酸鉛（Ｐｂ （Ｍｎ １／
２Ｗ□７ｚ）ＯＪを主成分に対して添加含有せしめてな
ることを特徴とするものである。
の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さ
く、室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れｆ
Ｃ電気的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の
高い磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネ
シウム−タングステン酸鉛［Ｐｂ （Ｍｇ ｘ／ｚＷｓ
７Ｊ Ｏｓ ：］、ｆ タフ 酸鉛［ＰｂＴｉ０ａ ）
オヨびインジウム・ニオブ酸鉛〔Ｐｂ（工ｎ０／２Ｎ
ｂｌ／２）ｏｓ〕からなる３成分組成物を［：Ｐｂ （
Ｍｇ ｒ７ｚＷ１７ｚ）Ｏｘ ）ｘ （Ｐ ｂＴ ｉ
Ｏｘ ）ｙ［Ｐｂ（Ｉｎｘ／ｚＮｂｚ、ｚ＊）Ｏｓ 〕
ｚと表わしたときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ｏＯ）
、この３成分組成図において以下の組成点 （ｘ＝０．７９６ 、 ｙ＝０．１９９ 、 ｚ＝０．
００５ ）（ｘ＝０．４８ 、ｙ−０−１２、ｚ＝０．
４０ ）（ｘ＝０．２１ 、 ’！＝Ｏ−０９、ｚ＝０
．７０ ）（ｘ＝０．１２ 、 ｙ＝０．１８ 、 ｚ
＝０．７０ ）（ｘ＝０．３９８ 、 ｙ＝０．５９７
、 ｚ＝０．００５ ）を結ぶ線上、およびこの５点
に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に、副成分とし
て、マンガン・タングステン酸鉛（Ｐｂ （Ｍｎ １／
２Ｗ□７ｚ）ＯＪを主成分に対して添加含有せしめてな
ることを特徴とするものである。
以下本発明を実施例によシ詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９４以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ） 、酸化タングステンＣ
Ｗ０３）、酸化チタン（’Ｉ’１０ｘ）、酸化インジウ
ム（ＩｎｘＯｓ） 、酸化ニオブ（Ｎｂｚ Ｏ５） 、
および炭酸マンガン（ＭｎＣＯｍ ）を使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後７５０−８００℃
で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、日別
、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、試
料として直径１６ ｍ、厚さ約２冨冨の円板４枚と、直
径１６ ｒａｎ、厚さ約１０ ｍｒｎの円柱を作成した
。次に試料を空気中９００〜１１００℃の温度で１時間
焼結し、焼結した円板４枚の上下面に６００℃で銀電極
を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数Ｉ ＫＨｚ
、 ’ｆｊａＥＩＶｒ 、ｍ、 ｓ、温度２０℃で容
量と誘電損失を測定し、誘電率を算出した。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ） 、酸化タングステンＣ
Ｗ０３）、酸化チタン（’Ｉ’１０ｘ）、酸化インジウ
ム（ＩｎｘＯｓ） 、酸化ニオブ（Ｎｂｚ Ｏ５） 、
および炭酸マンガン（ＭｎＣＯｍ ）を使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後７５０−８００℃
で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、日別
、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、試
料として直径１６ ｍ、厚さ約２冨冨の円板４枚と、直
径１６ ｒａｎ、厚さ約１０ ｍｒｎの円柱を作成した
。次に試料を空気中９００〜１１００℃の温度で１時間
焼結し、焼結した円板４枚の上下面に６００℃で銀電極
を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数Ｉ ＫＨｚ
、 ’ｆｊａＥＩＶｒ 、ｍ、 ｓ、温度２０℃で容
量と誘電損失を測定し、誘電率を算出した。
機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱か
ら厚さＯ−５ｍｍ ｓ幅２１１ＩＸ％長さ約１３鰭の矩
形板を１０枚切り出した。支点間距離を９隨にと９、ｄ
〕なる式に従い、抗折強度τ〔ｋｇ／ＣＩ！〕をめた。
ら厚さＯ−５ｍｍ ｓ幅２１１ＩＸ％長さ約１３鰭の矩
形板を１０枚切り出した。支点間距離を９隨にと９、ｄ
〕なる式に従い、抗折強度τ〔ｋｇ／ＣＩ！〕をめた。
ただし、ｌは支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試料の
幅である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強
度は矩形板試料１０点の平均値よりめた。このようにし
て得られた磁器の主成分〔Ｐｂ（Ｍｇ”’Ｗｔ／ａ）Ｏ
ｓ ：］ ｚ （ＰｂＴ ｉ Ｏｓ ）ｙ ＣＰ ｂ
（Ｉｎ １／ｘＮｂ １／２）ｏｘ）。
幅である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強
度は矩形板試料１０点の平均値よりめた。このようにし
て得られた磁器の主成分〔Ｐｂ（Ｍｇ”’Ｗｔ／ａ）Ｏ
ｓ ：］ ｚ （ＰｂＴ ｉ Ｏｓ ）ｙ ＣＰ ｂ
（Ｉｎ １／ｘＮｂ １／２）ｏｘ）。
の配合比Ｘ ＊ ｙ＋および副成分添加量と誘電率、誘
電損失、２０℃および１２５℃における比抵抗、および
表に示した結５ほから明らかなように、Ｐｂ （Ｍｇ
Ｌ／２Ｗｘ／２）Ｏｘ ＰｂＴｉ０３−Ｐｂ（Ｉｎｔ／
ｚＮｂｔ７ｚ）０３３成分系組成物に副成分としてＰｂ
ＣＭｎ ｘ７２Ｗｓ／ｚ）Ｏｓを特定の割合いで添加
含有せしめたものは、誘電率が９８０〜３４８０と高く
、誘電損失が０．２〜３．３チと小さく、比抵抗が２０
℃において１．５ Ｘ１０”〜７．７×１０１３Ω・工
と高く、しかも１２５℃においても４．、Ｉ Ｘ １０
”〜１．ＯＸ１♂３Ω・ｍｌいう高い値を示し、さらに
抗折強度も１０３０ｘ１４７０ｋ１７／ａ！と実用上十
分高い値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組
成物であることがわかる。このように優れた特性を示す
本発明の磁器組成物は焼結温度が１１００℃以下の低温
であるため、積層コンデンサの内部電極の低価格化を実
現できると共に、省エネルギーや炉材の節約にもなると
いう極めて優れた効果も生じる。図に本発明の主成分組
成範囲を示す。図に示す番号は表に示した主成分配合、
比の番号に対応させである。
電損失、２０℃および１２５℃における比抵抗、および
表に示した結５ほから明らかなように、Ｐｂ （Ｍｇ
Ｌ／２Ｗｘ／２）Ｏｘ ＰｂＴｉ０３−Ｐｂ（Ｉｎｔ／
ｚＮｂｔ７ｚ）０３３成分系組成物に副成分としてＰｂ
ＣＭｎ ｘ７２Ｗｓ／ｚ）Ｏｓを特定の割合いで添加
含有せしめたものは、誘電率が９８０〜３４８０と高く
、誘電損失が０．２〜３．３チと小さく、比抵抗が２０
℃において１．５ Ｘ１０”〜７．７×１０１３Ω・工
と高く、しかも１２５℃においても４．、Ｉ Ｘ １０
”〜１．ＯＸ１♂３Ω・ｍｌいう高い値を示し、さらに
抗折強度も１０３０ｘ１４７０ｋ１７／ａ！と実用上十
分高い値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組
成物であることがわかる。このように優れた特性を示す
本発明の磁器組成物は焼結温度が１１００℃以下の低温
であるため、積層コンデンサの内部電極の低価格化を実
現できると共に、省エネルギーや炉材の節約にもなると
いう極めて優れた効果も生じる。図に本発明の主成分組
成範囲を示す。図に示す番号は表に示した主成分配合、
比の番号に対応させである。
本発明は、主成分組成物をｌ：Ｐｂ（Ｍｇｔ／ｌＷｘ／
＊）Ｏｓ ］工（ＰｂＴ ｉｏｓ ）ｙ（Ｐｂ （Ｉｎ
、／２Ｎｂ １ｙｔＮｂ １／ｚ）Ｏｓ ’）ｚ と表
わしたときに（ただし、Ｘ＋’ｌ’＋Ｚ＝１．００）、
この３成分組成図において以下の組成点 （ｘ＝０．７９６ 、 ７＝０．１９９ 、ｚ＝０．０
０５ ）（ｙｃ−０，４８、ｙ＝０．１２ 、 ｚ＝０
．４０ ）（ｘ＝０．２１ 、 ）’＝０．０９ 、
ｚ＝０．７０ ）（ｘ＝０．１２ 、７＝０．１８ 、
ｚ＝０．７０ ）（ｘ＝０・３９８・７＝０．５９７
、 ｚ＝０．００５ ）を結ぶ線上、およびこの５点
に囲まれる組成範囲に限定され、副成分の添加含有量は
主成分に対して０．０５〜３ｍｏ７３に限定される。な
お、主成分組成範囲において、組成点２，１５を結ぶ線
の外側では高温における比抵抗が小さくなり、実用的で
ない。
＊）Ｏｓ ］工（ＰｂＴ ｉｏｓ ）ｙ（Ｐｂ （Ｉｎ
、／２Ｎｂ １ｙｔＮｂ １／ｚ）Ｏｓ ’）ｚ と表
わしたときに（ただし、Ｘ＋’ｌ’＋Ｚ＝１．００）、
この３成分組成図において以下の組成点 （ｘ＝０．７９６ 、 ７＝０．１９９ 、ｚ＝０．０
０５ ）（ｙｃ−０，４８、ｙ＝０．１２ 、 ｚ＝０
．４０ ）（ｘ＝０．２１ 、 ）’＝０．０９ 、
ｚ＝０．７０ ）（ｘ＝０．１２ 、７＝０．１８ 、
ｚ＝０．７０ ）（ｘ＝０・３９８・７＝０．５９７
、 ｚ＝０．００５ ）を結ぶ線上、およびこの５点
に囲まれる組成範囲に限定され、副成分の添加含有量は
主成分に対して０．０５〜３ｍｏ７３に限定される。な
お、主成分組成範囲において、組成点２，１５を結ぶ線
の外側では高温における比抵抗が小さくなり、実用的で
ない。
組成点１５，１６，７，３，２を結ぶ線の外側では誘電
率が小さくなり実用的でない。また副成分であるＰｂ（
Ｍｎ ｘ／ｚＷｘ／ｚ）Ｏｓの添加量が０．０５ ｍｏ
ｌ １未満では抗折強度の改善効果が小さく、３ ｍｏ
１％を超えると逆に抗折強度が小さくなるため実用的で
ない。
率が小さくなり実用的でない。また副成分であるＰｂ（
Ｍｎ ｘ／ｚＷｘ／ｚ）Ｏｓの添加量が０．０５ ｍｏ
ｌ １未満では抗折強度の改善効果が小さく、３ ｍｏ
１％を超えると逆に抗折強度が小さくなるため実用的で
ない。
図は本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組成点を
示す図である。
示す図である。
Claims (1)
- （１）マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ （Ｍｇ
１／２Ｗｓ／＊）ｏｉｌチタン酸鉛（ＰｂＴｉ０１：
）およびインジウム・ニオブ酸鉛（Ｐｂ （Ｉｎ ｘ／
ｚＮｂ １／２）０１ ：）からなる３成分組成物を（
Ｐｂ （Ｍｇ ｌ／ｚＷｌｙ２）’ｏｓ ）ｘ ＣＰ
ｂ’ｒ ｉ Ｏｘ ）ｙ （Ｐｂ （Ｉｎ ｖｚＮｂｔ
／ｚ）Ｏｎ）２と表わしだときに（ただし、ｚ４７＋ｚ
−１、ｏｏ）、この３成分組成図において以下の組成点
、（ｘ＝０．７９６ 、 ）’＝０．１９９ 、 ｚ＝
０．００５ ）（ｘ＝０．４８ 、 ）’＝０．１２
、 ｚ＝０．４０ ）（ｘ＝０．２１ 、 ）’＝０．
０９ 、 ｚ＝０．７０ ）（ｘ＝０．１２ 、 ）’
＝０．１８ 、 ｚ＝０．７０ ）（ｘ＝０．３９８
、 ｙ＝０．５９７ 、 ｚ＝０．００５ ）を結ぶ線
上、およびこの５点に囲まれる組成範囲にある主成分組
成物に副成分としてマンガン・タングステン酸鉛（Ｐｂ
（Ｍｎｚ／ｚＷｘ／１）Ｏｎ ）を主成分に対して０
．０５〜３ｍｏＡ！ ％添加含有せしめてなることを特
徴とする磁器組成物・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144782A JPS6036368A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144782A JPS6036368A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6036368A true JPS6036368A (ja) | 1985-02-25 |
Family
ID=15370308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58144782A Pending JPS6036368A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62131807U (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-20 |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP58144782A patent/JPS6036368A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62131807U (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-20 |
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