JPS6049501A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6049501A JPS6049501A JP58158424A JP15842483A JPS6049501A JP S6049501 A JPS6049501 A JP S6049501A JP 58158424 A JP58158424 A JP 58158424A JP 15842483 A JP15842483 A JP 15842483A JP S6049501 A JPS6049501 A JP S6049501A
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に1050℃以下の低温で焼
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機櫨的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機櫨的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(B
aTiO3+ ) を主成分とする磁器が広く実用化さ
れていることは周知のとおりである。しかしながら、チ
タン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とするものは
、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温である。
aTiO3+ ) を主成分とする磁器が広く実用化さ
れていることは周知のとおりである。しかしながら、チ
タン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とするものは
、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温である。
このだめこれを積層形コンデンサに利用する場合には内
部’RUMとしてこの鋳結温度に耐え得る材料、例えば
白金、パラジウムなどの高価な賃金間を使用しなければ
ならず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層
形コンデンサを安く作るだめには、銀、ニッケルなどを
主成分とする安価な金4が内部電極に使用できるような
、できるだけ低温、特に1050℃以下で焼結できる磁
器が必要である。
部’RUMとしてこの鋳結温度に耐え得る材料、例えば
白金、パラジウムなどの高価な賃金間を使用しなければ
ならず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層
形コンデンサを安く作るだめには、銀、ニッケルなどを
主成分とする安価な金4が内部電極に使用できるような
、できるだけ低温、特に1050℃以下で焼結できる磁
器が必要である。
また磁器組成物の電気的特性として、誘電率が昌く、誘
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる。さらに絶縁抵抗の値に関して、高信頼性の部品を
要求する米国防総省の規格であるミリタリースペシフイ
ケイション(Mi 1 i tar7Specific
ation )のMIL−C−55681Bでは、室温
における値のみならず、125℃における値が定められ
ており、これをみてもわかるように、信頼性の高い磁i
l!Jコンデンサを得るためには、室温における値のみ
ならず、最高使用温度における絶縁抵抗についても高い
値をとることが必要とされているのである。
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる。さらに絶縁抵抗の値に関して、高信頼性の部品を
要求する米国防総省の規格であるミリタリースペシフイ
ケイション(Mi 1 i tar7Specific
ation )のMIL−C−55681Bでは、室温
における値のみならず、125℃における値が定められ
ており、これをみてもわかるように、信頼性の高い磁i
l!Jコンデンサを得るためには、室温における値のみ
ならず、最高使用温度における絶縁抵抗についても高い
値をとることが必要とされているのである。
また、積BS形チップコンデンサの場合は、チップコン
デンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサ
を構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チッ
プコンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサ
にクラックが発生したり、破損したりすることがある。
デンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサ
を構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チッ
プコンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサ
にクラックが発生したり、破損したりすることがある。
また、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサ
の場合も、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにク
ラックが発生する場合がある。いずれの場合も、コンデ
ンサを形成している磁器の機械的強度が低いほど、クラ
ックが入りやすく、容易に破損するだめ、信頼性が低く
なる。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大
させることは実用上極めて重要な問題である。
の場合も、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにク
ラックが発生する場合がある。いずれの場合も、コンデ
ンサを形成している磁器の機械的強度が低いほど、クラ
ックが入りやすく、容易に破損するだめ、信頼性が低く
なる。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大
させることは実用上極めて重要な問題である。
ところでPb (Mg1/z W工/2)03 pb’
rio、系磁器組成物については、既にエヌ、エヌ、ク
ライニク、エイ。
rio、系磁器組成物については、既にエヌ、エヌ、ク
ライニク、エイ。
アイ、マダラノフスカヤ(N、N、Krainik a
nd A、I。
nd A、I。
Agrarovskaya(Fiziko Tverd
ogo Te1a、Vo2.No+1゜pp 70〜7
2.Janvara 1960 )より提案があり、ま
た(SrxPb x−x Ties )a(PbMg
o、s Wo、50s ) b(ただし、。
ogo Te1a、Vo2.No+1゜pp 70〜7
2.Janvara 1960 )より提案があり、ま
た(SrxPb x−x Ties )a(PbMg
o、s Wo、50s ) b(ただし、。
二〇〜0.10.a=0.35〜0.5.b−0,5〜
0.65.a+b−1〕につbては、モノリシックコン
デンサおよびその製造方法として特開昭52−2166
2 号公報に開示され、さらに誘電体粉末組成物として
特開昭52−21699号公報に開示されている。しか
しながら、いずれも比抵抗に関する開示は全くされてお
らず、これらの磁器組成物の実用性は明らかにされてい
ない。一方、本発明者等は既に910〜950°Cの温
度で焼結でき、Pb(Mg7/2Wt/z)O8とP
b T i Oxとの2成分系からなり、これを、(P
b (Mg t/2W□/2)Ox)工〔PbTiOs
) 1−zと表わしだときに、Xが0.65<X≦1
.00の範囲にある組成物を提案した。この組成物は、
誘電率と比抵抗との積の値が高く、誘電損失の小さい優
れた電気的特性を有しているものである。
0.65.a+b−1〕につbては、モノリシックコン
デンサおよびその製造方法として特開昭52−2166
2 号公報に開示され、さらに誘電体粉末組成物として
特開昭52−21699号公報に開示されている。しか
しながら、いずれも比抵抗に関する開示は全くされてお
らず、これらの磁器組成物の実用性は明らかにされてい
ない。一方、本発明者等は既に910〜950°Cの温
度で焼結でき、Pb(Mg7/2Wt/z)O8とP
b T i Oxとの2成分系からなり、これを、(P
b (Mg t/2W□/2)Ox)工〔PbTiOs
) 1−zと表わしだときに、Xが0.65<X≦1
.00の範囲にある組成物を提案した。この組成物は、
誘電率と比抵抗との積の値が高く、誘電損失の小さい優
れた電気的特性を有しているものである。
しかしながら、上記組成物はいずれも機械的強度が低い
だめ、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかっ
た。
だめ、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかっ
た。
また、Pb (Mg 1/2W□/2 )03 PbT
its系を含む3成分系については1特開昭55−1
11011においてPb(Mg□/、W□/z)Oa
pb’rto、pb(Mgエフ3Nb 273 )Os
系が、特開昭55−117809 K オイテPb(M
g7/2Wt/z)Os PbTi0++Pb(Mgx
/3Taz/3)Os系が、それぞれ開示されティる
。しかしながら、いずれも比抵抗や機械的強度に関する
開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用性
も明らかにされていない。
its系を含む3成分系については1特開昭55−1
11011においてPb(Mg□/、W□/z)Oa
pb’rto、pb(Mgエフ3Nb 273 )Os
系が、特開昭55−117809 K オイテPb(M
g7/2Wt/z)Os PbTi0++Pb(Mgx
/3Taz/3)Os系が、それぞれ開示されティる
。しかしながら、いずれも比抵抗や機械的強度に関する
開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用性
も明らかにされていない。
本発明者等もPb (Mg 、/、Wx7z )Os
−PbTiOx −Pb (Ni 173Nbz/3)
Os 3成分組成物を既に提案している。
−PbTiOx −Pb (Ni 173Nbz/3)
Os 3成分組成物を既に提案している。
この組成物は、900〜1050℃の低温領域で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、室温および高温
における絶縁抵抗の値が高い優れた特性を有しているも
のである。しかしながら、この組成物は、矢張り機械的
強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限牢せざる
を得なかった。
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく、室温および高温
における絶縁抵抗の値が高い優れた特性を有しているも
のである。しかしながら、この組成物は、矢張り機械的
強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限牢せざる
を得なかった。
本発明は、以上の点にかんがみ、900〜1050℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく
、室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電
気的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の高い
磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウ
ム・タングステン酸鉛(Pb (Mg 、/2w□/z
)Os)、チタン酸鉛(PbTiOs 〕およびニッケ
ル・ニオブ酸鉛(Pb (Ni x73Nb 27s
)Os :Iからなる3成分組成物を、(Pb(Mg□
7zW1/、)03)工(PbT i03〕ア(Pb
(Ni l/3Nb 2/3 )Os )zと表わした
ときに(ただしz+y+z=l 、 00)この3成分
組成図において、以下の組成点 (x=0.693. y=0.297. z=0.01
)(x=0.495. y=0.495. z=0.0
1)(x=0.195. y=0.455. z=0.
35)(x=0.10.y=Q、4Q、z=0.50)
(x=0.06.y=0.24. z=0.70)を結
ぶ線上、およびこの5点に囲まれる組成範囲にある主成
分組成物に、副成分として、マンガン・アンチモン酸鉛
(Pb(Mn□/2Sb工/2)03を主成分に対して
、0.05〜5mo1%を添加含有せしめてなることを
特徴とするものである。
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく
、室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電
気的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の高い
磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウ
ム・タングステン酸鉛(Pb (Mg 、/2w□/z
)Os)、チタン酸鉛(PbTiOs 〕およびニッケ
ル・ニオブ酸鉛(Pb (Ni x73Nb 27s
)Os :Iからなる3成分組成物を、(Pb(Mg□
7zW1/、)03)工(PbT i03〕ア(Pb
(Ni l/3Nb 2/3 )Os )zと表わした
ときに(ただしz+y+z=l 、 00)この3成分
組成図において、以下の組成点 (x=0.693. y=0.297. z=0.01
)(x=0.495. y=0.495. z=0.0
1)(x=0.195. y=0.455. z=0.
35)(x=0.10.y=Q、4Q、z=0.50)
(x=0.06.y=0.24. z=0.70)を結
ぶ線上、およびこの5点に囲まれる組成範囲にある主成
分組成物に、副成分として、マンガン・アンチモン酸鉛
(Pb(Mn□/2Sb工/2)03を主成分に対して
、0.05〜5mo1%を添加含有せしめてなることを
特徴とするものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛(PbO)
、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タングステンCへ
入酸化チタン(Ties)、酸化ニッケル(Nip)、
酸化ニオブ(Nb20g )、酸化アンチモン(Sbz
Os )および炭酸マンガン(MnCO3)を使用し
、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合しだ後750〜
800℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕
し、[コ別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プ
レスし、 〕、−゛ 試料として直径 16 ttrx s厚さ約2龍の円板4枚と、直径16
隨、厚さ約10 *xの円柱とを作成した。次に試料を
空気中900〜1050℃の温度で1時間焼結した。焼
結した円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、
デジタルLCRメーターで周波数I KHz +電圧I
Vr 、m、 s一温度20℃で容量と誘電損失との値
を測定し、その値から誘電率を算出した。
、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タングステンCへ
入酸化チタン(Ties)、酸化ニッケル(Nip)、
酸化ニオブ(Nb20g )、酸化アンチモン(Sbz
Os )および炭酸マンガン(MnCO3)を使用し
、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合しだ後750〜
800℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕
し、[コ別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プ
レスし、 〕、−゛ 試料として直径 16 ttrx s厚さ約2龍の円板4枚と、直径16
隨、厚さ約10 *xの円柱とを作成した。次に試料を
空気中900〜1050℃の温度で1時間焼結した。焼
結した円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、
デジタルLCRメーターで周波数I KHz +電圧I
Vr 、m、 s一温度20℃で容量と誘電損失との値
を測定し、その値から誘電率を算出した。
て゛
次に超絶縁抵抗計50Vの電圧を1分間印加して、△
絶縁抵抗値を温度20℃と125℃とで測定し、その測
定値から比抵抗を算出した。
定値から比抵抗を算出した。
機椋的性質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱か
ら厚さ帆5間、幅2n、長さ約13 *ygの矩形板を
10枚切9出しだ。支点間距離を9關にとり、 Pml 二点法で破壊荷重Pm(Kg)を測定し、τ= 2 W
t2〔k!9/crl〕なる式に従い、抗折強度τ〔ユ
佃〕をめた。ただし、lは支点間距離、tは試料の厚み
、Wは試料の幅である。電気的特性は円板試料4点の平
均値、抗折強度は矩形板試料10点の平均値よりめた。
ら厚さ帆5間、幅2n、長さ約13 *ygの矩形板を
10枚切9出しだ。支点間距離を9關にとり、 Pml 二点法で破壊荷重Pm(Kg)を測定し、τ= 2 W
t2〔k!9/crl〕なる式に従い、抗折強度τ〔ユ
佃〕をめた。ただし、lは支点間距離、tは試料の厚み
、Wは試料の幅である。電気的特性は円板試料4点の平
均値、抗折強度は矩形板試料10点の平均値よりめた。
このようにして得られた磁詣の主成分(Pb (Mg
vzWlyx )Os :lx CPb’r ton
)y (Pb (Ni l/3Nb z7s)Os〕2
の配合比X y y+ Zおよび副成分添加量と誘電率
、誘電損失、20℃および125℃における比抵抗、お
よび抗折強度との関係を次表に示す。
vzWlyx )Os :lx CPb’r ton
)y (Pb (Ni l/3Nb z7s)Os〕2
の配合比X y y+ Zおよび副成分添加量と誘電率
、誘電損失、20℃および125℃における比抵抗、お
よび抗折強度との関係を次表に示す。
3
表に示した結果から明らかなようにPb (Mg 17
zW□/2)Os PbTiOs Pb(Ni1/、N
bz/3)Osからなる3成分組成物に、副成分として
Pb(Mnx7tSb□7z)Os を特定の割合いで
添加含有せしめたものは、誘電率が3030〜1336
0と高く、誘電損失が0.1−2.4%と小さく、比抵
抗が20℃において2.8X10”〜1.9X1013
Ω・鋼と高く、しかも125℃においても8.2X10
10〜3.lX1O”Ω°aという高い値を示し、さら
に抗折強度も1000〜1440kg/citと実用上
十分高い値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器
組成であることがわかる。このように、優れた特性を示
す本発明の磁器は焼結温度が1050℃以下の低温であ
るため、積層コンデンサの内部電極の低価格化を実現で
きると共に、省エネルギーや炉材の節約にも寄与できる
点で極めて優れた効果も生じる・ 本発明の主成分組成物を(Pb (Mg s/2Wx7
z )On)工(pbTies )y(Pb (Ni
x7zNbx/5)OsJz ト表b シfc ト*
K (7’cだし、z+y、+z=1.00)、本発明
の組成物の範囲は、3成分組成図における点 (x=o、693 y、=0.297 z=0.01)
(:+c−0,495y二〇。495 z=0.01)
(X=0.195 y=0.455 z=0.35)(
X=0.10 y=o、40 z=0.50)(x=0
.06 y−0,24z=0.70)を結ぶ線上、およ
びこの5点に囲まれる組成範囲に限定され、副成分の添
加含有量は主成分に対して帆05壜5mo 1乃に限定
される。図は本発明における主成分組成範囲を示してい
る。図に示す番号は表に示した主成分配合比の番号に対
応させである。
zW□/2)Os PbTiOs Pb(Ni1/、N
bz/3)Osからなる3成分組成物に、副成分として
Pb(Mnx7tSb□7z)Os を特定の割合いで
添加含有せしめたものは、誘電率が3030〜1336
0と高く、誘電損失が0.1−2.4%と小さく、比抵
抗が20℃において2.8X10”〜1.9X1013
Ω・鋼と高く、しかも125℃においても8.2X10
10〜3.lX1O”Ω°aという高い値を示し、さら
に抗折強度も1000〜1440kg/citと実用上
十分高い値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器
組成であることがわかる。このように、優れた特性を示
す本発明の磁器は焼結温度が1050℃以下の低温であ
るため、積層コンデンサの内部電極の低価格化を実現で
きると共に、省エネルギーや炉材の節約にも寄与できる
点で極めて優れた効果も生じる・ 本発明の主成分組成物を(Pb (Mg s/2Wx7
z )On)工(pbTies )y(Pb (Ni
x7zNbx/5)OsJz ト表b シfc ト*
K (7’cだし、z+y、+z=1.00)、本発明
の組成物の範囲は、3成分組成図における点 (x=o、693 y、=0.297 z=0.01)
(:+c−0,495y二〇。495 z=0.01)
(X=0.195 y=0.455 z=0.35)(
X=0.10 y=o、40 z=0.50)(x=0
.06 y−0,24z=0.70)を結ぶ線上、およ
びこの5点に囲まれる組成範囲に限定され、副成分の添
加含有量は主成分に対して帆05壜5mo 1乃に限定
される。図は本発明における主成分組成範囲を示してい
る。図に示す番号は表に示した主成分配合比の番号に対
応させである。
この主成分組成範囲を表わす3成分組成図において、組
成点2,6および組成点17 、19を結ぶ線の外側で
は、高温における比抵抗が小さくなり実用的でない。ま
た組成点6,13.17を結ぶ線の外側では、キュリ一
点が実用範囲よシ高温側に大きくずれるため、誘電率が
小さくなり、組成点19.2を結ぶ線の外側では、キュ
リ一点が実用範囲より低温側に大きくずれるため、誘電
率が小さくなり、実用的ではない。
成点2,6および組成点17 、19を結ぶ線の外側で
は、高温における比抵抗が小さくなり実用的でない。ま
た組成点6,13.17を結ぶ線の外側では、キュリ一
点が実用範囲よシ高温側に大きくずれるため、誘電率が
小さくなり、組成点19.2を結ぶ線の外側では、キュ
リ一点が実用範囲より低温側に大きくずれるため、誘電
率が小さくなり、実用的ではない。
また副成分である、Pb (Mn x/z Sb 1/
2)Osの添加量が0.05molチ未満では抗折強度
の改善効果が小さくなり、5mo1%を超えると逆に抗
折強度が小さくなるため実用的ではない・
2)Osの添加量が0.05molチ未満では抗折強度
の改善効果が小さくなり、5mo1%を超えると逆に抗
折強度が小さくなるため実用的ではない・
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組成点
を示す図である。 特許出願人 日本電気株式会社 Pb(Nい/3Nb773)o3
を示す図である。 特許出願人 日本電気株式会社 Pb(Nい/3Nb773)o3
Claims (1)
- (1)マグネシウム拳タングステン酸鉛(Pb(MgX
AW07□)on)、チタン酸鉛(PbTi03〕およ
びニッケル・ニオブ酸鉛(Pb (Ni s/sNb
*/3)On )からなる3成分組成物を(Pb (M
g 1/2W1/2 )Ox )工(PbTi03:)
y(Pb (Ni173Nb 273 )Os ) z
と表わしたときに、(ただしX+y + z = i
、oo)この3成分組成図において、以下の組成点 (x=0.693 、 y=0.297 、 z=0.
01)(x=0.495 、7=0.495 、 z=
0.01)(x=0.195 、 y=0.455 、
z=0.35)(x=0.10 、 y=0.40
、 z=0.50)(X=0.06 、7=0.24
、 z=0.70)を結ぶ線上、およびこの5点に囲ま
れる組成範囲にある主成分組成物に、副成分としてマン
ガン・アンチモン酸鉛[pb (へ牝、/2Sb、/2
)03〕を主成分に対して0005〜5mo、g%添加
含有せしめてなることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158424A JPS6049501A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158424A JPS6049501A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049501A true JPS6049501A (ja) | 1985-03-18 |
| JPS6256605B2 JPS6256605B2 (ja) | 1987-11-26 |
Family
ID=15671453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158424A Granted JPS6049501A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049501A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704373A (en) * | 1985-10-29 | 1987-11-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and process for producing the same |
| US4751209A (en) * | 1985-10-11 | 1988-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
| US5129032A (en) * | 1990-04-27 | 1992-07-07 | Mitsubishi Rayon Co. Ltd. | Optical fiber display apparatus, fixing device for optical fiber used therein, and decorative optical fiber usable therein |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158424A patent/JPS6049501A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4751209A (en) * | 1985-10-11 | 1988-06-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
| US4704373A (en) * | 1985-10-29 | 1987-11-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and process for producing the same |
| US5129032A (en) * | 1990-04-27 | 1992-07-07 | Mitsubishi Rayon Co. Ltd. | Optical fiber display apparatus, fixing device for optical fiber used therein, and decorative optical fiber usable therein |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6256605B2 (ja) | 1987-11-26 |
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