JPS6037760A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は第１専電型の少くとも１つの第１１１１！込み
層を形成する為に半導体基板領域の表面部分内にドーパ
ントを導入し、その後＆、：：Ｊｉｊｊ板領域上Ｇこ、
埋込み層よりも少ない、厚さ全体のドーピング（１１（
ＫＸ子数／儒２）を有するエピタキシアル層を成艮ぎせ
、前記の埋込み層からその十〇〕エビタギシγル層の部
分内に拡散することＧこより第１導電型の領域を形成し
、この第１導？ｔＥ型の領域内に半２１７体回路素子σ
〕表面隣接半導体区域を設Ｇする半３４ｙ体装置の装造
方法に閃するもので／１’）　、５　。 本鈍明は更に上述した方法によって動活した半導体装１
ａＧこも関するもσ〕でアク、。 上述した特色を有する方法け、へ母莢礼％％も英国背ｉ
ｔｌ公開Ｇ　Ｂ　−Ａ　２０７５２　ｎ　？　（Ｑ’：
＋開昭５’　７−１２５０骨分Ｎ）に記ｎ（２Ｅ　しＴ
　８　’Ｊ　Ｊ４！／；　知”Ｃある。上述したように
埋込み層から拡散により得た領域内Ｇこ半導体回路素子
を設ける集積化生う１１体・装置の８１！！漬に当って
は、電気特性の再現性に対する問題がしはしは生じる。 実際に多くの場合、これらの１ｔＬ気特性は埋込み層か
ら拡散さｎて形成された領域の表面におけるドーピング
７度に多かれ少なかれ依存する。例えＧプ、この領域内
に形成した絶縁ゲート電界効果トランジスタのしきい値
電圧は表面にお（１６ド一ピング濃度に著しく依存する
。上述した方法

【こおいて表面におけるドーピング凝度
に形骨を及ぼず要因６ゴ宇としてエビクキシアル層のド
ーピング鮮度および厚ぎであり、少くとも拡散Ｇこより
得た領域のドーピング悶度が埋込み層から表面への拡ｔ
ｔｔにより完全に或いけＱｌぼ完全に決定ざわる場合に
は埋込み層のドーピング蘭度もザ因となめ。従って、表
面しこおけるドーピング一度は、エピタキシアル層の厚
さおよび埋込み層ｃｒ）イオン注入パラメータσ〕双万
′Ｅたけいずれか一万がわ刊゛かＧこ変化することによ
り比較的大きな範囲で変化するおそ第１があの。 第１守に、エピタキシアル層と埋込み層とが互いに反対
の＞９　Ｔｔ型である場合には、上述したことにより表
面のドーピングＩ／、’１度が比較的大きくり化してし
まうおそれがある。エピタキシアル１曽が偶発［ト■に
厚肉になってしまうか或いは埋込み層Ｃυドーピング１
Ａ度が偶発的に減少してしまう為に、埋込り層から拡Ｉ
￥１されたドーピング７度目Ｗがエビクキシアル層σ）
バックグラウンドドーピングｂａｈ　（Ｖを丁度補償す
る個所が表面のＦ　（ｔｉｌ＋に６１置する場合には、
反転層が表面にも得られてしようおそわかある。 こわらの現象Ｃま、外方拡散〔こよって得プこ１８Ｉ域
内に絶縁ゲート電界効果トランジスタを形成１−るＶ″
。 合Ｇこ特に重大な間頃とな４゜ずなわち前辻した′δ！
因による形骨の下でこのトランジスタσ）しきいｆ１ｉ
１托圧Ｇま同時に処理した異なる半導体ウェファ間で比
較的大きく広がってしまうおそ第１がある。 本発明の目的は特Ｇこ、エピタキシアル層の即びおよび
埋込みＩ’＞’ｔのドーピングθ５Ｊ　ＩＩＪが偶発的
に変化Ｊることにかかわらず正確に決定されたＰ１現性
σ）ある特性を得ることのできる改善した方法を４７１
！、　＋１、せんとする０こあ之〕。 本発明は、第１２淳市型の少くとも１つの第１即・込み
層を形成、する為に半ｉ７７体基板領域σ〕表曲部分内
にドーパントを導入し、その後Ｇこ基板領域上Ｇ４２、
埋込み層よりも少ｑ５＼ｊ！％　２全体σ）ドーピング
ｊ＋（原子数／ｍ２）を有するエピタキシアル層を成長
させ、前記σ〕埋込み層からそｖ）Ｊ−σ〕エピタキシ
アル層の部分内に拡散することにより第１導軍型σ）領
域を形成し、この第１導■型の領域内Ｇこ半廓体回路累
子の表面層（λ半導体区域を設ける半導体装置の製造方
法←こおいて、前記の埋込み層の上方Ｏこもとのエピタ
キシアル層と同じドーピング濃度を有する表面層が残存
するように前記の拡散を行ない、その後に前記の埋込み
層の上方に残存するこの表面層内Ｇこ少くとも１つの第
１絶縁ゲート７１ｊ昇効果トランジスタをＨ穿けること
全特徴とする０本発明Ｇこよれに４、形成１−べきＩＣ
ＦＥ’ｌｌｌ絶縁ゲートｉ’ｌ＃界効果トランジスタ）
にス・ｒする基本ドーピングレベルとして作用する一定
の基準ドーピング濃度が表面に存ｒＥ　ｔ、　、従って
エピタキシアル層の厚さおよびすｌｊ込み層σ）ドーピ
ング？農度の双方或いはいずれか一万σ〕前述した種類
の偶発的な変化が最早や重要でなくなるよう【こ坤込み
層からσ）拡散を意として行なう。 しきい値ｉｔｉ、　Ｉ［ｆ−を決定するイオン（１）　
ｆ（人は前記の表面層中Ｕ〕チャイル領域内に行なうの
が有利である。こσ）ようにすることに、埋込み層とエ
ピタキシアル層とが一４Ｌいに反対の導′Ｆ１′Ｔ、型
である場合Ｇこ特に重要であく）。イオン注入の為に表
面層の３．ｒ７市型は埋込み層の導ｍ型に変換ぎ才１、
同［ＢｒＧこし合い値’ｒｔ　ＩＥは再現的に決定され
る。所定の条件υ〕下ではこσ〕イオン注入は後に記載
するよう【こ追加σ〕イオンメ１：人マスクを用いるこ
とηｖく行なうことかできる。 本弁明は、第１導ｔ’１７．型σ）第１埋込み層σ〕他
側部こ、同じ温度でこの第１埋込み層の場合とほぼ回じ
４１（攻速度でエピタキシアル層内に１１１、散ず０ド
ーパントを有する第２〜；＜　Ｉｆ型σ）第２埋込み層
を形成１し、前記の第１絶縁ゲート？ｌＬ界効果トラン
ジスタＧこ７・１し相補をなす溝ｒ？σ）　’Ｂ　２絶
縁ゲ一ト？社界効果トランジスタを第２埋込み層の上方
Ｇこ位１ｉ’ｉするエピタキシアル層の怜；層内にｊヒ
戒する方法しこおいて特に・重安なものとなる。こび）
場合、後のいかなるしきい値＋Ｍ整出用１゛オン注入な
けわは、後に詳細に説明するように一万のトランジスタ
σ〕シキい値徂圧はエピタキシアル層のバックグラウン
ドドーピングによって決定され、他方のトランジスタσ
〕シキい値ｒｉｉ、　ｌ・け別に行なうイオン注入によ
って決定すれる。半導体材料として珪素を用いる場合、
前述し、た２　ＰＩ　ＷＺｉσ〕各別の即込み層に対す
るドーパントとじて硼素および燐を用いることができる
。 図面につき本＝明をＨ＋２明する。 図面は実際のもの（二重比例するもσ）ではなく、第１
〜４・図および第５〜８１″２１の断面図σＪ特に埋さ
方向の寸法を比較的誇張して示し明１１ぴとしている。 こ７″Ｌらσ）　＋ａｒ　Ｉｉ’１ｉ　１ソＩにおいて
同じへトヌＷＥ型の半導体領域ＧこＧゴ同り方向σ〕斜
線を何してあイ）。また附加＼するＭＩＳ分Ｇこけ一般
に同一符号をイ」シである。 第１〜８１゛ス目１本弁明による方法を用いることに、
にり半々７体装１￥＃、　、　、Ａ、例の場合相補型（
／Ｊ　２つのＭＯＳトランジスタと１つのバイポーラト
ランジスタとを具える集］Ｃ１回路を１１＝！！造する
１ｌｉＦ４次の工程の断面図を線図的Ｇこ示ず。 出発材料（第１図参照）は半導体ノ＾板領ν、う］、本
例の場合例えば１０Ω・ｃ誦の固有抵抗を・ｆ１シ好ま
しくは＜１００＞万位Ｕ）表面を有するｐノ、すｍ型珪
素、ウェファとする。こσ）表面」二には例えζ＝１５
　Ｏｎ、ｍσ〕厚さの薄肉酸化物層２を熱酸化Ｇこより
形成する。次にＩ↓（１知の技礼丁を用いてこσ〕自シ
化物層２上に例えは１５　（ｌ　ｎｍの厚さの窒化珪牙
一層８を堆＋！＋＋する。次に通常σ〕′Ｉｊ′、ｒ入
食刻技術を用いて孔４・ツー５よび５を層２および３内
に互いに並べて１０ｊ１女形成する。例えけ２　Ｘ　Ｉ
　Ｏ１４イオン／ｃｍ　２のドーズ吊および］　７０　
ＫｅＶのエネルギーで燐イオンをイオン７を入すること
によりこｔＬらの孔内にｒｉ型層６王３よび７を形成ず
＜）。こσ）場合へ′１２および３　Ｇｅｔイオン注入
マスクとして作用する。 層２および３を耐酸化マスクとして作用１ぎセて熱酸化
を行なうことにより層６および７−ヒＧこｊ茨化物層８
および９を形成しく第２図、’；ｉｌｌ　）　、その後
層２および３を腐食処理Ｏこより除去し、硼素イオンを
注入することＧこよりｐ型Ｂｒ７　ｌｏ　、　］　ｉお
よび・１２を形成する。本例の場合このイオン注入のド
ーズ岳は２Ｘ１０”イオン／ｃｍ２とし、エネルギーけ
り・ＯＫ８Ｖとし、酸化物層８および９をこのイオン注
入に対する注入マスクとして作用させる。 酸化物層８およＱζ９を腐食処理により除去した後、表
面上にｎ導ＴＩＬ型の珪）層】８をエピタキシアル層長
させる（第８図参照）。層６・７・］　（＋・Ｉ］およ
び１２は図面を明瞭とする為に同じレベル（高さ位置）
および同じ厚さＧこして第３図およびそれ以後の図

【こ
示しである。こわらの層は埋込み層を構成し、層１０・
１１および１２Ｇ；を第１導電型、ずなわちｐ　２９（
Ｔｌｆ、型であり、Ｊτグ６および７（ゴ第２導Ｉ４７
．型、すなわちｎ導電型である。 これらの埋込みＪｊｌは上述した方法とけ：！＋’＋Ｓ
なる技術により被着することもできる。例えは、最初に
全表面上に−導’ＩＩ型の層を被着し、その後に１−の
１’Ｍの所定の領域を腐食除去し、例えはｉＱ記の英国
特許公開ＧＢ−Ａ２０７５２５７（特開昭５７−１２６
０号公報）において第１〜５図につき説明Ｉｎでいるよ
うに、こσ〕腐腐食食用マスクをドービ・ングマスクと
して用いて前記の所定の領域Ｇこ反対導電型の埋込み層
を形成するようにすることができる。 本例では、エピタキシアル層１３ｕ）Ｐｉ　２　ヲ７．
５】４ μｍとし、ドーピング濃度をｓｘ】ｏ９Ｈ原子／Ｃｍ８
とし、すなわち厚さ全体にわたるドーピング１１ｔを７
．５ＸＩＱ’Ｘ（８ＸＩＯ”）＝６ＸＩＯ”原子／σ２
とする。従って厚さ全体にわたるドーピング１１１け埋
込み層６，７．１０．１１および１２の場合よりも低く
なる。 次Ｏこ、加熱処理を１２　ｎ　ｏ　’ｃで５時間性ない
、この加熱処理中に各埋込み層からυノ拡散によりその
上側のエピタキシアル層の部分内Ｏこ当該埋込み層の導
ｍ型の領域を形成する。こ才１により第４・図に示すよ
うに埋込みＲ’Ｊ　Ｉ　Ｏ、＋　１および１２の」二に
ｐ導電型領域１０　Ａ、　、　１１　Ａおよび１２Ａが
形成され、埋込み層６および７の上０こｎν！’ｊ　ｔ
ｌｆ型領撹゛６Ａおよび７Ａが形成される。こわらの埋
込み層は基板領域１内Ｇこも拡散する。エピタキシアル
層１８と基板領域１との間のもとの界面σ）位）ｒｆを
一点鎖線１４で示す。ｐ型領域１０　Ａ　、　１１　Ａ
および１２Ａと、ｎ型領域６Ａおよび７Ａとの間のｐｎ
接合は表面に対しほぼ直角となる。その理由は、硼素お
よび燐が１１ｆ記の英国特Ｎ’ｌ公開ＧＢ−Ａ２０７５
２５７（特開昭５７−１２６０号公報）により詳細に睨
明されているようにほぼ同じ速度で拡ｔｆ’ｌ　シ、硼
素および燐の４ｉ′ｔｉ方向拡散が力、いにほぼ補償し
合う為である。 本発明によス′１．は、第４ｊ図に示すように、はぼも
とのドーピングｔ；、！度をイＴするｎ４屯型エピタキ
シアルが１；３の込（λ肉層Ｊ８Ａが埋込み層、本例で
は各埋込み層の上で表面に残存するように前記の拡Ｐｆ
ｉを行なう（ずなオつちこのようになるように拡散時間
および拡散濡Ｉｇを選択ず４．ｌ）。この薄肉のｎ視表
ｎ’＋１層１３Ａはｐ型領域］　（ｌ　Ａ　、　’１　
’ｌ　Ａおよび１２Ａとでｐｎ接合を形成する。θ″］
域６Ａ、７Ａ　。 １０Ａ、、１１Ａおよび１２Ａ内に半導体回路素子を股
げる場合、この表面１？／１８　Ａは埋込み層σ）ドー
ズ担およびエピタキシアル層１８の厚ざの偶発的な変化
に依存しない基準ドーピング濃度部として利用しつる。 第４Ａ図は表向に対し］１．角な方向で且つこの表面か
ら計算した領域１０Ａ、ＩＩＡおよび１２Ａ内の硼素原
子の拡散状ｒｔｌ＋　（ＮＢ）を線図的Ｇこ示ず。 第４Ｂ図も同様に領域６ＡおよＱ７Ａ内の；オｉ　ｌｌ
１ｊ子の拡散状部（Ｎｐ）を線図的に示す。これらＵ〕
メ

【イ万の場合、エピタキシアル層】３のｎ型バックグ
ラウンドドーピング濃度ｔ　ＮＥ）も示しである０まだ
、表面側近で得られる正味のｎセーノドーピングｌＬ、
一度ＮＤ−ＮＡの絶対値を点線で示す。第４・Ａ図σ〕
廖ｉ合には、前述したようしこ、約（）、６μｍσ）深
さｊの位ｉ６でＦ側の領域（ＩＯＡ、ＩＩＡ或いＧａ１
ｌ　Ｉ　２　Ａ　）とてｐｎｌと合を形成するｎ型層（
］　３Ａ　）が表向に存在する。 ？／Ｃｋ−％　領ｆｌ、　６　Ａ　、７　ＡおよびＩＩ
Ａ内に神々の半導体回路素子の一部を形成、する半７ｄ
体区埜を設ける。本例ではこｎらの半ｉｆＪ体ＩＫ域の
形Ｊ」ν１を以下のようにして行なう。 まず最初、表面上Ｇこ耐酸化マスクを設ける。この目的
の為Ｇこ、熱酸化Ｇこよる薄肉の酸化物層１５とその上
の屋化珪素層１６とを形成し、その後にこれらの層を通
′１ルの写真食刻技術により所望通りにパターン化し、
これにより得た耐酸化マスクが、埋込み層の上方に位１
ｒイする領域６Ａ、　、　？　Ａおよ０１１Ａの各々に
おいてこれらの領域の端縁部分に存在しないようにする
（第５図参照）０次に、例えＧｊ：　７０　Ｋ、ｅＶの
エネルギーおよび１０１２イオン／σ２のドーズｊｅ＋
で燐イオンを注入することＧこヨリｎ　導ＩＴ、型のチ
ャ子ルストツノ＜区ｍ１７を形成する（第５図参１（ｉ
　）。この場合、耐酸化マスク（１５・１６）はイオン
注入マスクとして作用するＱ 次Ｇこ、フォトラッカ一層の形βいのイオン注入マスク
１８を領域１１Ａの外部に設ける（第６図参照ン。次に
、硼素イオンσ〕注入（ドーズｍを５・１０１８イオン
／Ｃｍ２、工４　／ｌ／ギーＫ　１６　ＫｅＶ　、！：
するプにより領域＋１Ａの端縁部分に選択的にｐ型チャ
子ルストツバ区域１９を形成する（第６図参照）。 この硼素イオン注入は前の燐イオン注入によるチャネル
１１７７区域］７に重ねてドーヒ°ンク°するものであ
る。この場合もフォトラッカ一層１８と眼゛化物−窒化
物層（］、５．１’ｆｌ）との双方がこび）硼素イオン
注入に対するマスクとなる０次に、表面層１３Ａ内に形
成すべきＴｌｆ界効果トランジスタのチャネルＫｉ　Ｈ
＆こおいて領［＋１Ａ、ｃこ硼素イオンによるイオン注
入を行ない、これによりｎ型層１８Ａをｐ〃７１に型と
する（第７１４参照）。 このイオン注入（イオン注入部２（）に対する７１−人
）を例えは６０　ＫｅＶのエネルギーおよび１（１イオ
ン／鑞２のドーズ量で行なうと、イオンは耐酸化マスク
（’＋　５・１６）を部分的に浸透するもフォトラッカ
一層１８は浸透せず、後のいかなるしきい値変位用イオ
ン注入がなけれ（ｊ上述した硼素イオン注入によりしき
い値７（℃圧を決定する。 次にフォトラッカ一層１８を除去する。次Ｇこ（第８図
参照）、湿潤師票の雰囲気中で１０００℃で２時間加熱
することにより、半導体本体内に部分的に埋設された酸
化物パターン２］を形成し、その後に耐酸化マスク（１
５，１６）を１９！１食により除去する。この場合チャ
子ルストツバ区域１７および１９け酸化物パターン２１
０下側Ｏこ位置する。 耐酸化マスク（１５，１６）σ；除除去Ｇこ露出された
珪素表１１１１の部分内に通常のようにして半導体回路
素子を設ける。本例（第８図参照）では、これらの素子
をｎ型領域６Ａ内に設けるエンハンスメント型のｐチャ
ネルＭＯ３）ランジスタ、ｐ型頭３ｉ１１ｈ内に設ける
同じくエンハンスメント型のｎチャネルＭＯ３）ランジ
スタおよびｎ型領域７Ａ内に設けるバイポーラパーティ
カルｎｐｎ　）ランジスタとする。酸化物パターン２１
はドーピングマスクとして用いる。バイポーラトランジ
スタのｐ型ベース区域２２は例えば珪素表面の他の露出
部分を非臨界的なフォトラッカーマスクＯこより被シし
て硼素イオンを注入することＧこより形成することがで
きる。次に熱酸化により表向に約５０ｎｍの厚どの酸化
物層２８を被慣し、この上に多結晶珪累層２４をＷＡ、
知の技術により堆積する。この多結晶珪禦層２４・を拡
散或いはイオン注入により強いｎ導ｍ性とした後、これ
からＭＯＳ）ランジスタ回路の接続線および相互接続線
を古むゲート電極を写真食刻により形成するく第８図参
ＩＢ（１）。 これらのゲー）　？ｌＬ極には熱酸化により酸化物層２
５を設け、次にこの酸化物層２５を非臨界的なフォトラ
ッカーマスクと一緒にイオン注入マスクとして用い、領
域６Ａ内にｐ型ソースおよびドレイン区域２６および２
７を、領域１］Ａ内Ｇこｎ型ソースおよびドレイン区域
２８および２９をイオン注入により形成、する。バイポ
ーラトランジスタのエミッタ区域３０およびコレクタ接
点区域ａｔはソース区域２８およびドレイン区域２９と
同時に形成でき、ベース接点区域８２けソース区域２６
およびドレイン区、域２７と同時に形成、しうる。 最後に、アセンブリ上に形成したｒ段化物層３３にあけ
た窓を経て神々の接続１＋Ｌ極を設け、その後に装置を
適当な容器内に配置ｉ”ｆ：　Ｌ史Ｇこ通常のようにし
て完成させることができる。 １１１（埋的には珪素以外の半導体林料をも用いること
がでキ、マたドーピングマスクおよびｌ＃Ｊ　酸化マス
クを行なう為の他の材料を用いることができること明ら
かである。この点は技術的な条件や可能性Ｏこ依存する
ものであり本光゛明にとって本質的な１ものではない。 吏しこ、前述した例におりる導電型をずべて同時Ｇこ反
対の導Ｔｌｌ型に教えることができる０ ４・９図面の筒中８１（９明 第１〜８図に、本発明による方法の一例の順次の工桿で
半導体本体の一部を示す断面図、第４Ａおよび４Ｂ図は
、半導体不休部分Ｕ）一部における拡散状ｐ））を示ず
線図−的頷明１＝；４１である。、ｌ・半２！ｙ体基板
領域　２・・−１質化物層８・窒化珪素１７ｉ　４・・
５・孔 ６．７・・　ｎ型Ｊｌ’＋　（埋込み肋ン８・１）・・
酸化物層 １（〕　・　１１　・　１２　・・ｐ型層（埋込み層）
１３・・・ｎ型ｔ１−■゛層（エピタキシ７′ル層）１
５・・酸化物層 １６・・窒化珪素ｊφ′１ １７　、１９・・チャネルストツバ区域１８・・イオン
注入マスク（フォトラッカ一層）２１・酸化物パターン 、２２・・ベース区域　２８・・Ｉｑシ化物層２４、・
・・多結晶珪累層　２５・・・ｒｉシ化物１９？１２６
・・・ｐ型ソース区切２７・・ｐ型ドレイン区域２８・
・・ｎ型ソース区域２９・ｎ型ドレイン区Ｊル。 ３０・・・エミッタ区域　３１・・・コレクタ接点区域
３２・ベース接点区域 ％　計量願人　エヌ・ベー　フィリップス・フルーイラ
ンベンファブリケン 代理人弁理士　杉　Ｉ＝Ｉ’　ＩＩ見　秀　１１同　弁
、ｌ］、ｉｊ士　杉　利　興　作二。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｊ５　第１導屯型の少くとも１つの第１Ｊｌ！ＩＩ込み
   層を形成する為に半導体基板領域の表面部分内にドーパ
   ントを導入し、その後Ｏこ基板領域上に、埋込み層より
   も少ない厚さ全体のドーピング蹴（原子数／Ｃｍ、２　
   ）を有するエピクキシアル層全成長ぎぜ、０１Ｊ記σ〕
   埋込み層からその上のエピタキシアル層の部分内Ｏこ拡
   散することＧこより第１導Ｔ４’Ｊ、型の領域を形成し
   、この第】砿（１１Ｌ型の領域内Ｇこ半導体回路素子の
   表面隣接半導体区域を設ける半導体装置の製造方法にお
   いて、前記σ〕埋込み層の上方にもとσ〕エピタキシア
   ル層と同じドーピング杉度を有する表面Ｊσｌが残存す
   るように［）ｉｊ記の拡散を行ない、その後Ｇこ前記の
   埋込み層の上方Ｇこ残存するこの表面層内Ｇこ少くとも
   １つの第１絶縁ゲートＩＩＬ界効果トランジスタを設け
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 ス　特許請求の範囲１記載σ〕半辱体装１６σ）製造方
   法において、ｉｉｊ記のエピタキシアル層を前記の第１
   導ｍ型とは反対の第２導玉型とすることを特徴とする半
   導体装置の製造方法。 ８　特許請求の範囲】または２記戦の半導体装ｆｆ’ｅ
   の製造方法Ｇこおいて、上界効果トランジスタσ〕しき
   い値電圧を法定するイオンσ）注入を前記の表面層内の
   屯界効果トランジスタＵ〕千ヤ不ル領域内にイーＪ′な
   うことを特徴とする半導体装Ｖ４′の製造方法。 ４　特許請求の範囲８記戦σ）半ｊ７’％体装置γ１σ
   ）製造方法において、ｎｉｉ記σ）拡散後、少くとも形
   成すベキｕＬ界効果トランジスタの区域に耐酊化マスク
   を設け、こσ〕耐酸化マスクはｎｉｊ記の埋込み層の上
   方のαノ城ｆ／）端縁ｉ、’ｌｓ分を露出した下まに維
   持し、こσ〕領領域夕）部Ｏこイオン注入マスクを設け
   、その後Ｏこイオンｔ１：入Ｇこよりｒｊｉ＋記σ〕端
   縁怜ζ分内にチャネルストッパ区域を選択的に形成し、
   この除前記のイオン注入は、イオンが前記σ〕耐酸化マ
   スクを透ゴ１°＾ず０も前記のイオン注入マスクは透過
   しない、Ｊ二つなユネルギーでＹ８ａい、次にイオン注
   入マスクを除失し、ＩＩｌ↑４酸化マスク【こよって被
   悄ぎｎていない表面部分内に熱酸化により１（１（設醇
   化物パターンを形成することを特徴とする半導体装置の
   製造方法。 ５　特許請求の範囲１−４　（１）いずれか］つに記載
   の半導体装；ｔｌのｊ製造方法において、第１導璽型の
   第１埋込み層の側部に、１１１Ｊじ湿度でこの第１埋込
   み層の場合とほぼ同じ拡散速度でエピタキシアル層内に
   拡１孜するドーパントを有する第２導ｒ社型の第２埋込
   み層を形成し、前記の第１絶縁ゲート％、界効果トラン
   ジスタに苅し相補７ｉ−７：Ｃ″１−描造σ〕第２絶縁
   ゲート電界効果トランジスタを第２即込み層の上方に（
   Ｉ’Ｌ匿するエピタキシアルｊφ゛ｌの部分内Ｇこ形成
   することを’４ｒｊ　？：ｔとする半導体装｛１゛′ｔ
   の戯祷万θく。 ６　特Ｒ’＋請求Ｕ）ｉ伽囲５記載σ〕半導体装置の製
   置方法において、エピタキシアルｊｌ＞Ｔを珪素を以っ
   て構依１し、埋込み層しこ対するドーパントとして燐お
   よび硼素を用いることを特６タとする半導体装置σ）製
   造方法。